专利名称：一种卫星接收四选一芯片结构的制作方法
技术领域：
本实用新型特别涉及集成电路技术领域的一种应用于卫星接收系统的四选一专
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用心片。
背景技术：
目前存在的卫星接收机中DiSEqC四选一切换开关系统信号处理是用一颗MCU或 专用信号处理集成电路，而其它的开关管模块、高频头输出到四选一切换开关系统的卫星 信号选择模块、上述信号处理MCU或专用信号处理集成电路的供电模块及接收机到四选一 切换开关系统的DiSEqC信号放大模块(部分专用信号处理集成电路集成了接收机到四选 一切换开关系统的DiSEqC信号放大模块)都是由分立器件组成的(参阅图1)，从卫星接收 机发出的DiSEqC信号通过电容Cl藕合后经过三极管Ql及电阻Rl、R2、R3组成的放大电 路放大后就得到可以供MCU (或部分专用信号处理集成电路)直接处理的信号；稳压二极管 Zl和电阻R4组成上述信号处理MCU或专用信号处理集成电路的供电模块，其中VDD做为供 电模块的电源、VSS作为供电模块的地；二极管Dl、D2、D3、D4、D5、D6和电阻R5及电容C2 组成高频头输出到四选一切换开关系统的卫星信号选择模块；三极管Q2、Q3、Q4、Q5和电阻 R6、R7、R8、R9组成开关管模块。该卫星接收四选一切换开关器件总数繁多，不易于维修、难 以实现大批量生产。
实用新型内容本实用新型的目的在于提出一种卫星接收四选一芯片结构，其通过集成化的设计 方案，使芯片的结构更为简洁，易于维修、且组件总数大大减少，成本大幅降低，适合大批量 生产的需求，从而克服了现有技术中的不足。为实现上述实用新型目的，本实用新型采用了如下技术方案一种卫星接收四选一芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括集成设置的开关 管模块、选择模块、放大模块和供电模块，从卫星接收机发出的DiSEqC信号经放大模块放 大处理后，再由MCU或专用信号处理集成电路解码形成控制信号，而后被输入开关管模块 选通相应的开关管，并将电流从VDD输送至数个LNB端口中的一个选定端口，同时选择模块 将需要的卫星信号从被选通高频头输出供卫星接收机处理，供电模块提供一低于VDD的电 压作为MCU或专用信号处理集成电路的地信号，所述VDD是MCU或专用信号处理集成电路 的电源。具体而言，所述开关管模块具有四个及以上的输入端，所述LNB端口为四个及以上。所述芯片结构包括第一至第五三极管，第一至第二十二极管，稳压二极管，第一、 二电容以及第一至第十电阻；所述第一电容，第一、二、三电阻以及第一三极管组成放大模块；第一电容一端接从卫星接收机发出的信号，另一端接第一电阻，第一电阻另一端接第一三极管基极和第二电阻一端，第一三极管的集电极接第二电阻另一端、第三电阻一 端和输端，第三电阻另一端接VDD ；所述稳压二极管，第四、五电阻和第一、第二二极管组成供电模块提供一个低于 VDD的电压作为上述MCU或专用信号处理集成电路的地；稳压二极管负极接VDD和第五电阻一端，负极接第四电阻一端、VSS和第二二极管 负极，第五电阻另一端接第一二极管正极，第一二极管负极接第二二极管正极，第四电阻另 一端接地；所述第三 二十二极管和第六电阻第二电容组成选择模块，第二电容一端接VDD， 另一端接第六电阻一端和第三、四二级管的负极，第六电阻另一端接地，第五 八二极管分 别正负极相连，第九 十二二极管分别正负极相连，第十三 十六二极管分别正负极相连， 第十七 二十二极管分别正负极相连，第五、第九、第十三、第十七二极管正极分别接第二 至第五三极管的集电极，第三二极管的正极接第八和第十二二极管的负极，第四二极管正 极接第十六和第二十二极管的负极；第二至第五三极管和第七至第十电阻组成开关管模块，第七至第十电阻一端分别 接输入信号B1、B2、B3、B4，第七至第十电阻另一端分别接第二至第五三极管的基极，第二至 第五三极管的射极接VDD，第二至第五三极管的集电极分别接第五、九、十三、十七二极管正 极禾口 LNB1、LNB2、LNB3、LNB4 端。
图1为现有技术中DiSEqC四选一切换开关系统的电路图；图2为本实用新型卫星接收四选一芯片的结构框图；图3为本实用新型的一较佳实施例的电路图。
具体实施方式
针对现有卫星接收机中DiSEqC四选一切换开关系统的缺陷，本实用新型采用了 如下技术方案，即开关管模块、高频头输出到四选一切换开关系统的卫星信号选择模块、 信号处理MCU或专用信号处理集成电路的供电模块及接收机到四选一切换开关系统的 DiSEqC信号放大模块(部分专用信号处理集成电路集成了接收机到四选一切换开关系统 的DiSEqC信号放大模块)、供电模块，是基于用Bipolar工艺制造的专用集成电路方案，可 大大减小系统成本、系统电路更简洁易于维修、器件总数大大减少适合大批量生产。如图2所示，从接收机发出的DiSEqC信号被MCU或专用信号处理集成电路解码后 将控制信号送到开关管模块的B1、B2、B3、B4端选通相应的开关管，将电流从VDD送到LNB1、 LNB2、LNB3、LNB4这四个端口中的一个端口，同时选择模块将该端口对应高频头输出到四选 一切换开关系统的卫星信号送到Y2端口以供接收机处理。接收机到四选一切换开关系统 的DiSEqC信号送到A端经放大模块放大后就得到可以供MCU (或部分专用信号处理集成电 路)直接处理的信号，同时提供一个比VDD低的电压作为上述MCU或专用信号处理集成电 路的地信号，而把VDD作为上述MCU或专用信号处理集成电路的电源。当不需要相应的功 能时只要把相应模块去掉即可。以下结合一较佳实施例及附图对本实用新型的技术方案作进一步的说明。[0020]参阅图3，本实施例由一集成电路及少量外围器件组成(虚线框的器件就是做在 集成电路内部的器件)，从接收机发出的DiSEqC信号被MCU或专用信号处理集成电路解码 后将控制信号送到开关管模块的Bi、B2、B3、B4端选通相应的开关管，将电流从VDD送到 LNBU LNB2、LNB3、LNB4这四个端口中的一个端口，同时将该端口对应高频头输出到四选一 切换开关系统的卫星信号从LNB1、LNB2、LNB3、LNB4这四个端口中选通的那一个端口，经过 二级管网络后送到Y2端口，R6和C2组成时间网络并把该卫星信号藕合到VDD端，然后通 过电缆线送到接收机处理。接收机到四选一切换开关系统的DiSEqC信号送到Al端经并被电容Cl藕合到A 端经Rl、R2、R3、Ql组成的放大电路放大后送到Yl可以供MCU(或部分专用信号处理集成 电路)直接处理的信号。稳压二极管Z1、电阻R4、电阻R5、二极管D1、二极管D2组成一个 供电电路，该电路能提供一个比VDD低5V的电压作为上述MCU或专用信号处理集成电路的 地，而把VDD作为上述MCU或专用信号处理集成电路的电源。显然，本实施例通过图3所示的集成电路及少量外围器件完全替代了现有技术中 的分散的、大批量的分立器件，大大减小系统成本、系统电路更简洁易于维修、器件总数大 大减少适合大批量生产。以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限 制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之。
权利要求1. 一种卫星接收四选一芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括集成设置的开关管 模块、选择模块、放大模块和供电模块；所述放大模块由第一电容，第一、二、三电阻以及第一三极管组成； 第一电容一端接从卫星接收机发出的信号，另一端接第一电阻，第一电阻另一端接第 一三极管基极和第二电阻一端，第一三极管的集电极接第二电阻另一端、第三电阻一端和 输出端，第三电阻另一端接VDD;所述供电模块由稳压二极管，第四、五电阻和第一、第二二极管组成，其提供一个低于 VDD的电压作为上述MCU或专用信号处理集成电路的地；所述稳压二极管负极接VDD和第五电阻一端，负极接第四电阻一端、VSS和第二二极管 负极，第五电阻另一端接第一二极管正极，第一二极管负极接第二二极管正极，第四电阻另 一端接地；所述选择模块由第三 二十二极管和第六电阻及第二电容组成，第二电容一端接VDD， 另一端接第六电阻一端和第三、四二级管的负极，第六电阻另一端接地，第五 八二极管分 别正负极相连，第九 十二二极管分别正负极相连，第十三 十六二极管分别正负极相连， 第十七 二十二极管分别正负极相连，第五、第九、第十三、第十七二极管正极分别接第二 至第五三极管的集电极，第三二极管的正极接第八和第十二二极管的负极，第四二极管正 极接第十六和第二十二极管的负极；所述开关管模块由第二 五三极管和第七至第十电阻组成，第七至第十电阻一端分别 接输入信号B1、B2、B3、B4，第七至第十电阻另一端分别接第二至第五三极管的基极，第二 五三极管的射极接VDD，第二 五三极管的集电极分别接第五、九、十三、十七二极管正极和 LNB1、LNB2、LNB3、LNB4 端。
专利摘要本实用新型涉及一种卫星接收四选一芯片结构，其包括集成设置的开关管模块、选择模块、放大模块和供电模块，从卫星接收机发出的DiSEqC信号经放大模块放大处理后，再由MCU或专用信号处理集成电路解码形成控制信号，而后被输入开关管模块选通相应的开关管，并将电流从VDD输送至数个LNB端口中的一个选定端口，同时选择模块将需要的卫星信号从被选通高频头输出供卫星接收机处理，供电模块提供一低于VDD的电压作为MCU或专用信号处理集成电路的地信号，VDD是MCU或专用信号处理集成电路的电源。本实用新型通过上述集成化设计方案，使芯片结构更为简洁，易于维修、且组件总数大大减少，成本大幅降低，适合大批量生产的需求。
文档编号H04B7/185GK201910780SQ20102067836
公开日2011年7月27日 申请日期2010年12月24日 优先权日2010年12月24日
发明者江石根, 石万文, 贾力, 陈志明, 雷红军 申请人:苏州华芯微电子股份有限公司