专利名称：闪烁信号检测装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及闪烁信号(blinking-Signal)检测装置。
背景技术：
固体摄像装置包括受光部，将分别具有光电二极管及电荷储存部的MXN个像素部Pu PM,N 二维排列为M行N列；行选择部，对于受光部的各像素部Pm,n，使在某个期间中由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，并且逐行地输出与各像素部Pm, n的该储存电荷量对应的数据；及读出部，输入自受光部的各像素部Pm, n输出的数据并输出与各像素部Pm,n的光电二极管的产生电荷量对应的数据，另外，有时还包括对自该读出部输出的数据进行AD转换而输出数字值的AD (analog-digital，模拟-数字)转换部。这样的固体摄像装置可检测到达受光部的各像素部Pm, n的光的强度而进行摄像。 另外，近年来，不仅使用这样的固体摄像装置进行摄像，也尝试进行光通信。例如，在专利文献1所公开的发明中，根据由固体摄像装置的摄像所获得的图像数据，检测受光部的所有像素部的各自的时间性强度变化是否为规定图案，并将判断为时间性强度变化为规定图案的像素部特定为接收到光信号。而且，将来自该特定的像素部的数据设为光信号数据，由此，进行光通信。专利文献专利文献1 日本特开2007-3M705号公报
发明内容
发明所要解决的问题在专利文献1所公开的发明中，为了特定受光部的MXN个像素部中接收光信号的像素部，需要用以存储多帧的图像数据的大容量的存储部。另外，在专利文献1所公开的发明中，为了特定接收光信号的像素部，需要光信号的闪烁图案是已知的。本发明是为了解决上述问题而完成的发明，其目的在于，提供一种无需大容量的存储部，另外，无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部的闪烁信号检测装置。解决问题的技术手段本发明所涉及的闪烁信号检测装置的特征在于，包括(1)受光部，将MXN个像素部Pu PM,N 二维排列为M行N列，该MXN个像素部Pia PM,N分别具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、储存该电荷的电荷储存部、及用以输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据的开关；(2)行选择部，将共同的时间宽度的第1期间及第2期间一前一后地设定，在第1期间，对于受光部的第Oi-D行的各像素部P2^n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第2期间，对于受光部的第2i行的各像素部P2i,η，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第1期间及第2期间之后选择受光部的各行，逐行地对于各像素部Pm, η闭合开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据；(3)读出部，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部Pm,n输出的数据，并输出与各像素部Pm,n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm,n ；及(4)检测部，输入自读出部输出的各数据Dm,n，并根据数据D2H^D2iin的差，检测到达像素部P2H,n、P2i,n的光是否为闪烁信号。其中，M、N为2以上的整数，m为1以上且M以下的整数，η为1以上且N以下的整数， i为1以上且(M/2)以下的整数。本发明所涉及的闪烁信号检测装置中，通过行选择部，将共同的时间宽度的第1 期间及第2期间一前一后地设定，在第1期间，使受光部的第Qi-I)行的各像素部I32^nW 光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第2期间，使受光部的第2i行的各像素部 P2i, n的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第1期间及第2期间之后选择受光部的各行，逐行地闭合各像素部Pm,n的开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。 在读出部中，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部Pm,n输出的数据，并输出与各像素部Pm, n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm, n。而且，在检测部中，输入自读出部输出的各数据Dm,n，并根据数据D2H^D2iin的差，检测到达像素部Ρ2Η,η、Ρ2 ,η的光是否为闪烁信号。本发明所涉及的闪烁信号检测装置也可以为，行选择部一前一后地选择受光部的第Oi-D行及第2i行，读出部一前一后地输出数据D2^n及数据D2i, η。本发明所涉及的闪烁信号检测装置更优选为，(a)行选择部同时选择受光部的第Oi-I)行及第2i行，输出与第Qi-I)行的各像素部P2^n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据，输出与第2i行的各像素部P2i,n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据；(b)读出部同时输出与第Oi-I) 行的各像素部P2H, n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据D2^n、及与第2i行的各像素部P2i, n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据D2i, n ； (c)检测部运算自读出部同时输出的数据D2iIP D2i的差。再者，也可以为，设置有第1行选择部及第2行选择部作为行选择部，设置有第1读出部及第2读出部作为读出部，通过第1行选择部及第1读出部而进行第Oi-D行的各像素部n的数据的读出动作，通过第2行选择部及第2读出部而进行第2i行的各像素部P2i,n的数据的读出动作，并列地进行由第1行选择部及第1读出部进行的数据读出动作及由第2行选择部及第2读出部进行的数据读出动作。或者，本发明所涉及的闪烁信号检测装置的特征在于，包括(1)受光部，将MXN 个像素部Pu PM,n 二维排列为M行N列，该MXN个像素部Pu PM, n分别具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、储存该电荷的电荷储存部、及用以输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据的开关；( 行选择部，依次设定共同的时间宽度的第1 第4 期间，在第1期间，对于受光部的第行的各像素部n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第2期间，对于受光部的第Gj-2)行的各像素部P^ n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第3期间，对于受光部的第Gj-I)行的各像素部P4H,n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第4期间，对于受光部的第4j行的各像素部，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第4 期间之后，选择受光部的各行，逐行地对于各像素部Pm,n闭合开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据；C3)读出部，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部Pm, n 输出的数据，并输出与各像素部Pm, n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm,n ；及
检测部，输入自读出部输出的各数据Dm, n，并根据数据D4j_3,n、D4j-U的差与数据D4j_2,n、D4j, n的差之和，检测到达像素部P4j-3,n、P4j-2,n、P4H^P4jin的光是否为闪烁信号。其中，M、N为2 以上的整数，m为1以上且M以下的整数，η为1以上且N以下的整数，j为1以上且(M/4) 以下的整数。本发明所涉及的闪烁信号检测装置中，通过行选择部，依次设定共同的时间宽度的第1 第4期间，在第1期间使受光部的第行的各像素部Ρ4ρ,η的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第2期间使受光部的第Gj-幻行的各像素部P^n的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第3期间使受光部的第Gj-I)行的各像素部 Ρ4Η,η的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第4期间使受光部的第4j行的各像素部P4“的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第4期间之后选择受光部的各行，逐行地闭合各像素部Pm,n的开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。在读出部中，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部Pm,n输出的数据，并输出与各像素部Pm,n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm,n。而且，在检测部中，输入自读出部输出的各数据Dm,n，并根据数据D4^n、D4H,n的差与数据D4^,n，D4j,n的差之和，检测到达像素部P4j_3,n> P4j-2, > P4j-I, > P4j,n的光是否为闪烁信号。发明的效果本发明所涉及的闪烁信号检测装置，无需大容量的存储部，无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。
图1是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的概略构成的图。图2是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的读出部30的构成的图。图3是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的像素部Pm,n及保持部31n 的电路构成的图。图4是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的差运算部33的电路构成的图。图5是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的行选择部20的构成的一部分的图。图6是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的检测部40的构成的图。图7是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作的一例的时序图。图8是对第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作进行说明的图。图9是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的概略构成的图。图10是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的第1读出部SO1及第2 读出部302的各自的构成的图。图11是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的像素部Pm,n及第1读出部SO1的保持部3 In的电路构成的图。图12是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的概略构成的图。图13是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的检测部40B的构成的图。图14是对第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的动作进行说明的图。
符号的说明1 3闪烁信号检测装置10受光部20、20!、202、20B 行选择部30、3(ν302 读出部SI1-SIn 保持部32列选择部33差运算部40、40Α、40Β 检测部41、41! 413 存储部42、43 运算部50、50A、50B 控制部Plil PM,N 像素部L1 Ln、Ll1 LIn, 12, L2N读出信号线LT1 LTm、LR1 LIV LH1 LHM、LAl1 LA1M、LA2, LA& 控制信号线
具体实施例方式以下，参照附图，详细地说明用以实施本发明的方式。再者，附图的说明中，对于相同要素附上相同符号，省略重复的说明。(第1实施方式)图1是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的概略构成的图。该图所示的闪烁信号检测装置1包括受光部10、行选择部20、读出部30、检测部40及控制部50。受光部10包含MXN个像素部Plil PM,N。MXN个像素部Pia PM, N具有共同的构成，二维排列为M行N列。各像素部Pm,n位于第m行第η列。此处，Μ、Ν为2以上的整数， m为1以上且M以下的各整数，η为1以上且N以下的各整数。各像素部Pm, η具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、及储存该电荷的电荷储存部。各像素部Pm,η根据经由控制信号线而自行选择部20接收的各种控制信号， 将光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，并向读出信号线1^输出与该电荷储存部的储存电荷量对应的数据。行选择部20输出用以控制受光部10的各像素部Pm,η的动作的各种控制信号。更具体而言，行选择部20，在第1期间，对于受光部10的第Qi-I)行的各像素部P2^n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，行选择部20，在第2期间，对于受光部10的第2i行的各像素部P2i,n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。而且，行选择部20，在第1期间及第2期间之后，选择受光部10的各行，并逐行地对于各像素部Pm,n输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。此处，第1期间及第2期间是一前一后的期间且具有共同的时间宽度，i为1以上且(M/2)以下的各整数。读出部30与N根读出信号线L1 Ln连接，输入从行选择部20所选择的受光部10 的第m行的各像素部Pm,n向读出信号线Ln输出的数据，并向检测部40输出与第m行的各像素部Pm,n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm,n。
检测部40输入自读出部30输出的各数据Dm,n，并根据数据D2^nJ2iin的差，检测到达像素部P2H,n、P2i,n的光是否为闪烁信号。控制部50通过控制行选择部20、读出部30及检测部40的各自的动作，而控制闪烁信号检测装置1整体的动作。更具体而言，控制部50控制行选择部20的向受光部10的各种控制信号的发送、读出部30的来自各像素部Pm,n的数据的输入、读出部30的各数据Dm, 的输出、及检测部40的处理的各动作时序。图2是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的读出部30的构成的图。 该图中，在受光部10中代表性地表示有MXN个像素部Pu PM, N中的第m行第η列的像素部Pm,η，另外，在读出部30中表示有与该像素部Pm,η关联的构成要素。读出部30包含N个保持部31i 31N、列选择部32及差运算部33。N个保持部 31! 31n具有共同的构成。各保持部31n可经由读出信号线Ln而与受光部10的第η列的 M个像素部P1, η Pm, 连接，输入从行选择部20所选择的第m行的像素部Pm, n向读出信号线1^输出的数据，保持该数据，并输出所保持的数据。各保持部31 优选为输入并保持重叠有噪声成分的信号成分的数据，并且输入并保持仅有噪声成分的数据。N个保持部 31N可根据自列选择部32接收的各种控制信号，以相同时序采样并保持数据，且依次输出所保持的数据。差运算部33输入自N个保持部 31n的各个依次输出的数据，并自重叠有噪声成分的信号成分的数据中减去仅有噪声成分的数据， 输出与信号成分对应的数据Dm,n。差运算部33可将与信号成分对应的数据作为模拟数据输出，也可具有AD转换功能而输出数字数据，如此，读出部30可输出与第m行的各像素部Pm, n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm,n。图3是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的像素部Pm,n及保持部31n 的电路构成的图。该图中，在受光部10中也代表性地表示有MX N个像素部P1, i PM, N中的第m行第η列的像素部Pm,η，另外，在读出部30中也表示有与该像素部Pm,η关联的保持部 31η。各像素部Pm,η为APS(Active Pixel Sensor，主动像素传感器)方式的像素部，包括光电二极管PD及5个MOS (Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)晶体管Tl、 T2、T3、T4、T5。如该图所示，晶体管Tl、晶体管T2及光电二极管PD依次串联连接，对晶体管Tl的漏极端子输入基准电压，且光电二极管PD的阳极端子接地。晶体管Tl与晶体管T2 的连接点经由晶体管T5而连接于晶体管T3的栅极端子。对晶体管T3的漏极端子输入基准电压。晶体管T3的源极端子与晶体管T4的漏极端子连接。各像素部Pm, n的晶体管T4的源极端子连接于读出信号线Ln。在读出信号线 Ln上连接有恒定电流源。对各像素部Pm, n的重置用的晶体管Tl的栅极端子输入自行选择部20输出的 Reset(Hi)信号。对各像素部Pm,n的传输用的晶体管T2的栅极端子输入自行选择部20输出的TransOii)信号。对各像素部Pm,n的保持用的晶体管T5的栅极端子输入自行选择部20 输出的Hold(m)信号。对各像素部Pm,n的输出选择用的晶体管T4的栅极端子输入自行选择部20输出的Address (m)信号。这些控制信号(Reset(m)信号、Trans (m)信号、Hold(m) 信号、Address (m)信号)共同地自行选择部20输入至第m行的N个像素部Pma Pm,N。当Reset (m)信号、Trans (m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电二极管PD的
8接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)放电。当 Trans (m)信号为低电平时，将光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。当Reset (m) 信号为低电平、Trans (m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电二极管PD的接合电容部中储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)中。当Address (m)信号为高电平时，经由晶体管T4而向读出信号线Ln输出与连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)中所储存的电荷量对应的数据(重叠有噪声成分的信号成分的数据)。即，晶体管T4作为用以向读出信号线Ln输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据的开关而发挥作用。再者，当电荷储存部处于放电状态时，仅有噪声成分的数据经由晶体管T4向读出信号线Ln输出。各保持部31 包含2个电容元件C^C2、及4个开关SW11、SW12、SW21、SW^2。该保持部 31n中，开关SW11及开关SW12串联连接并设置于读出信号线Ln与配线Hline_S之间，电容元件(^的一端连接于开关SW11与开关SW12之间的连接点，且电容元件C1的另一端接地。另夕卜，开关SW21及开关SW22串联连接并设置于读出信号线Ln与配线Hline_n之间，电容元件 C2的一端连接于开关SW21与开关SW22之间的连接点，且电容元件C2的另一端接地。该保持部31n中，开关SW11根据自列选择部32供给的set_s信号的电平而开闭。 开关SW21根据自列选择部32供给的set_n信号的电平而开闭。set_s信号及Set_n信号共同地输入至N个保持部 31n。开关SW12、SW22根据自列选择部32供给的hshift (η) 信号的电平而开闭。该保持部31η中，当Set_n信号自高电平转向低电平而开关SW21打开时，自像素部Pm,n向读出信号线Ln输出的噪声成分随后通过电容元件C2而作为电压值0ut_n(η)加以保持。当set_s信号自高电平转向低电平而开关SW11打开时，自像素部Pm, n向读出信号线 Ln输出的重叠有噪声成分的信号成分随后通过电容元件C1而作为电压值out_s (η)加以保持。而且，若hshift (η)信号成为高电平，则开关SW12闭合，向配线Hline_S输出通过电容元件C1而保持的电压值out_s (η)，另外，开关SW22闭合，向配线Hline_n输出通过电容元件 (2而保持的电压值out_n(n)。这些电压值out_s(n)与电压值out_n(n)的差，表示与像素部Pm,n的光电二极管PD所产生的电荷量对应的电压值。图4是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的差运算部33的电路构成的图。如该图所示，差运算部33包含放大器A1 A3、开关SWpSW2及电阻器R1 R4。放大器A3的反转输入端子经由电阻器队而与缓冲放大器A1的输出端子连接，并经由电阻器 R3而与自身的输出端子连接。放大器A3的非反转输入端子经由电阻器&而与缓冲放大器 A2的输出端子连接，并经由电阻器R4而与接地电位连接。缓冲放大器A1的输入端子经由配线Hline_S而与N个保持部31工 31N连接，并经由开关SW1而与接地电位连接。缓冲放大器A2的输入端子经由配线Hline_n而与N个保持部311 3In连接，并经由开关SW2而与接地电位连接。差运算部33的开关SWpSW2由自列选择部32供给的hreset信号控制而进行开闭动作。通过闭合开关SW1，而重置输入至缓冲放大器A1的输入端子的电压值。通过闭合开关SW2，而重置输入至缓冲放大器A2的输入端子的电压值。当开关SWp SW2O开时，自N个保持部 3In中的任意的保持部3In向配线Hline_s、Hline_n输出的电压值out_s (η)、 out_n (η)输入至缓冲放大器Ap A2的输入端子。若将缓冲放大器~、A2的各自的放大率设为1，且将4个电阻器R1 R4的各自的电阻值设为彼此相等，则自差运算部33的输出端子输出的电压值表示分别经由配线Hline_S及配线Hline_n而输入的电压值的差，且已除去噪声成分。图5是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的行选择部20的构成的一部分的图。行选择部20除了具有M段的移位缓存器之外，相对于各个奇数行(第Qi-I) 行)而具有该图(a)所示的电路，且相对于各个偶数行(第2i行)而具有该图(b)所示的电路。M段的移位缓存器自其中的第m段输出Address (m)信号并将其提供给第m行的各像
素部Pm, n°如该图(a)所示，Trans(2i_l)信号制作成Address (2i_l)信号和S_odd信号的逻辑和、与T信号的逻辑积。ResetQi-I)信号制作成Address (2i_l)信号和S_odd信号的逻辑和、与R信号的逻辑积。HolcK2i-l)信号制作成Address (2i-l)信号和S_odd信号的逻辑和、与H信号的逻辑积。将这些Trans (2i_l)信号、Reset 信号及HolcK2i-l) 信号提供给第Oi-i)行的各像素部P2i_i,n。如该图(b)所示，Trans (2i)信号制作成Address (2i)信号和S_eVen信号的逻辑和、与T信号的逻辑积。ResetQi)信号制作成Address (2i)信号和S_eVen信号的逻辑和、 与R信号的逻辑积。HolcK2i)信号制作成Address (2i)信号和S_even信号的逻辑和、与H 信号的逻辑积。将这些TranS(2i)信号、Reset (2i)信号及HolcK2i)信号提供给第2i行的各像素部P2i, n。自控制部50向行选择部20提供S_odd信号、S_eVen信号、R信号、T信号及H信号，以此方式构成的行选择部20在由S_odd信号所指示的第1期间，可对于受光部10的第 (2 -1)行的各像素部P2^n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，行选择部20在由S_even信号所指示的第2期间，可对于受光部10的第2i行的各像素部P2i, n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。而且，行选择部20在第1期间及第 2期间之后，可根据Address (m)信号而选择受光部10的各行，并逐行地对于各像素部Pm, n 向读出信号线Ln输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。图6是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的检测部40的构成的图。 检测部40输入自读出部30逐行地输出的各数据Dm, n。检测部40包含存储部41及运算部42。存储部41存储第Oi-I)行的N个数据D2^n及第2i行的N个D2i,n中先输入的第 (2 -1)行的N个数据D2HV运算部42输入后输入的第2i行的N个D2i,n，并且也输入通过存储部41而存储的第Qi-I)行的N个数据Dgn，运算出这些数据D2h,n、D2i,n的差(D2H, -D2i, n)。然后，检测部40根据该差(D^n-D2iJ，检测到达像素部Ρ2Η,η、P2i,η的光是否为闪烁信号。此处，保持于存储部41中的数据并不限于数字数据，也可以模拟电压的形式保持而求出差分。图7是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作的一例的时序图。 该图中，自上起依次显示有向闪烁信号检测装置1的受光部10的光信号入射的有无；自控制部50向行选择部20提供的S_odd信号、S_even信号、R信号、T信号及H信号；在读出部30中自列选择部32向各保持部31n提供的set_s信号及set_n信号；自行选择部20向第1行的各像素部P1,n提供的Address(I)信号；自行选择部20向第2行的各像素部P2,n提供的AddreSS(2)信号；及在读出部30中自列选择部32向各保持部31n提供的hshift(l)信号 hshift(N)信号。在向受光部10入射光信号的第1期间，S_odd信号成为高电平，S_even信号成为低电平。在该第1期间的某个一定期间，R信号、T信号及H信号成为高电平，且Reset (2i_l) 信号、Trans (2i-l)信号及HolcK2i-l)信号成为高电平，第行的各像素部Ρ2η,n的光电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)放电。在第1期间中的接着的某个一定期间，R信号、T信号及H信号成为低电平， Reset (2 -1)信号、Trans (2 -1)信号及HolcK2i-l)信号成为低电平，且第(2 -1)行的各像素部n的光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。然后，在第1期间中的再接着的某个一定期间，R信号成为低电平且T信号及H信号成为高电平，Reset (2 -1)信号成为低电平，Trans (2i-l)信号及HolcK2i-l)信号成为高电平，且第行的各像素部 Pnn的光电二极管PD的接合电容部中所储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。这些动作在受光部10的所有第奇数行的各像素部中并列地进行。在不向受光部10入射光信号的第2期间，S_odd信号成为低电平，S_even信号成为高电平。在该第2期间的某个一定期间，R信号、T信号及H信号成为高电平，Reset Qi) 信号、Trans(2i)信号及HolcK2i)信号成为高电平，且第2i行的各像素部P2i,n的光电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)放电。在第2期间中的接着的某个一定期间，R信号、T信号及H信号成为低电平，Reset Qi) 信号、Trans(2i)信号及HolcK2i)信号成为低电平，且第2i行的各像素部P2i,n的光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。然后，在第2期间中的再接着的某个一定期间，R 信号成为低电平且T信号及H信号成为高电平，ResetQi)信号成为低电平，Trans (2i)信号及HolcK2i)信号成为高电平，且第2i行的各像素部P2i, n的光电二极管PD的接合电容部中所储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。 这些动作在受光部10的所有第偶数行的各像素部中并列地进行。在第1期间及第2期间之后，自行选择部20向第1行的各像素部P1,n提供的 Address(I)信号成为高电平。在Address(I)信号成为高电平的期间，向各保持部31 提供的set_s信号仅在一定期间成为高电平，继而R信号及T信号仅在一定期间成为高电平，且第1行的各像素部Ρ1>η的电荷储存部放电，继而向各保持部31n提供的Set_n信号仅在一定期间成为高电平。由此，自各像素部P1,n向读出信号线Ln输出的重叠有噪声成分的信号成分通过保持部31n的电容元件C1而作为电压值0ut_S(n)加以保持。另外，自各像素部P1,n 向读出信号线Ln输出的噪声成分通过保持部31n的电容元件C2而作为电压值out_n(n)加以保持。其后，hshift (1)信号hshift (N)信号依次成为高电平，依次输出由各保持部 31N所保持的电压值，并通过差运算部33自重叠有噪声成分的信号成分的数据中减去仅有噪声成分的数据，输出与第1行的各像素部P1>n的信号成分对应的数据Dlil D1,N。之后也同样地，逐行输出各行的各像素部Pm,n的数据Dm,n。然后，检测部40中，首先输入第1行的各像素部P1, n的数据D1, n并通过存储部41 而加以存储。继而，当输入第2行的各像素部P2,n的数据D2,n时，将该数据D2,n输入至运算部42，并且将通过存储部41而存储的数据D1, n输入至运算部42，在运算部42中运算出这些数据D1^UAg (Dlin-D2J。然后，检测部40根据该差(D1J2J而检测到达像素部P1,n，p2,n的光是否为闪烁信号。继而，检测部40中，输入第3行的各像素部P3,n的数据D3,n并通过存储部41而加以存储。继而，当输入第4行的各像素部P4,n的数据D4,n时，将该数据D4,n输入至运算部42， 并且将通过存储部41而存储的数据D3, n输入至运算部42，在运算部42中运算出这些数据 D3,n、D4,n的差(D3jn-D4jn) 0然后，检测部40根据该差(D3jn-D4jn)而检测到达像素部P3,n，P4, 的光是否为闪烁信号。之后也同样地，检测部40根据数据D2H^D2iin的差(D2^n-D2iJ而检测到达像素部己^丨P2i, 的光是否为闪烁信号。图8是对第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作进说明的图。该图中，自上起依次表示有光信号入射时序、受光部10的第Oi-I)行的像素部中的电荷储存时序A、及受光部10的第2i行的像素部中的电荷储存时序B。之前的图7中，受光部10的第 Oi-I)行的像素部中的电荷储存时序A设为与光信号入射时序一致，但该图8中，电荷储存时序A、B均是一部分与光信号入射时序重叠。电荷储存时序A、B的各相位仅相差1/2周期。图中以阴影线所示的范围表示电荷储存时序A、B分别与光信号入射时序重叠的范围，相当于数据D2^pD2iin的大小。若闪烁信号到达像素部P2^pP2iin，且在电荷储存时序A、B之间的阴影线范围的大小不同，即差(D2^n-D2iJ不为零，则可通过检测部40检测出闪烁信号到达的情况。另一方面，若一定强度的光到达像素部P^,n、P2i,n，则由于在电荷储存时序A、B之间的阴影线范围的大小相等，因而可通过检测部40检测出闪烁信号未到达。如此，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1仅具备存储1行的数据的存储部 41即可，无需大容量的存储部。另外，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。再者，为了检测如上所述的闪烁的光信号，该光信号必需到达至少某2个像素部 P2H,n、P2i,n。因此，也可有意地使设置于受光部10的前面的光学系统向受光面10的成像变得模糊，从而使光信号到达受光部10的较广范围。另外，若到达受光部10的光的强度分布在邻接的行之间不同，则有时会误检测为光信号已到达，但通过有意地使光学系统向受光面10的成像变得模糊，可防止这样的误检测。(第2实施方式)图9是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的概略构成的图。该图所示的闪烁信号检测装置2包括受光部10、第1行选择部201、第2行选择部202、第1读出部 301、第2读出部302、检测部40A及控制部50A。若与图1所示的第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的构成加以比较，则该图9所示的第2实施方式的闪烁信号检测装置2的不同点在于受光部10的各像素部Pm, n的构成不同；具备第1行选择部20i及第2行选择部202来代替行选择部20 ；具备第1读出部SO1及第2读出部302来代替读出部30 ；具备检测部40A来代替检测部40 ；及具备控制部50A来代替控制部50。第1行选择部20i及第1读出部SO1对受光部10的奇数行(第行)的各像素部Ρ2Η,η进行放电、电荷储存及数据读出。第2行选择部202及第2读出部302对受光部10的偶数行(第2i行)的各像素部P2i, 进行放电、电荷储存及数据读出。第1行选择部20i及第1读出部SO1、与第2行选择部202及第2读出部302彼此并列地进行数据读出的动作。控制部50A控制第1行选择部201、第2行选择部202、第1读出部SO1及第2读出部302的各自的动作，以进行上述的并列动作。另外，由于进行上述并列动作，因而第2实施方式的检测部40A具有与第1实施方式的检测部40不同的构成。另外，由于进行上述并列动作，因而第2实施方式的各像素部Pm,n具有与第1实施方式的各像素部不同的构成。图10是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的第1读出部SO1及第2 读出部302各自的构成的图。该图中，受光部10中代表性表示有MXN个像素部Plil Pm, N中的第m行第η列的像素部Pm,η，另外，第1读出部SO1及第2读出部302分别表示有与该像素部Pm,n相关的构成要素。第1读出部SO1及第2读出部302分别具有与第1实施方式的读出部30相同的构成。其中，第1读出部SO1的各保持部31n可经由读出信号线Lln而与受光部10的第η列的M个像素部P1,η ΡΜ,η连接，输入从第1行选择部20i所选择的第m行的像素部Pm,n向读出信号线1^ 输出的数据并保持该数据，且输出所保持的数据。另外，第2读出部302的各保持部31n可经由读出信号线Un而与受光部10的第η列的M个像素部P1, η ΡΜ, η连接， 输入从第2行选择部202所选择的第m行的像素部Pm, n向读出信号线Un输出的数据并保持该数据，且输出所保持的数据。图11是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的像素部Pm,n及第1读出部SO1的保持部31n的电路构成的图。该图中，受光部10中也代表性地表示有MXN个像素部Pu PM, N中的第m行第η列的像素部Pm, η，另外，第1读出部SO1中也表示有与该像素部Pm,n相关的保持部31η。各像素部Pm, η是APS (Active Pixel Sensor)方式的像素部，包含光电二极管PD 及6个肌5晶体管11、1233、1141、1142、15。如该图所示，晶体管Tl、晶体管T2及光电二极管PD依次串联连接，对晶体管Tl的漏极端子输入基准电压，且光电二极管PD的阳极端子接地。晶体管Tl与晶体管T2的连接点经由晶体管T5而连接于晶体管T3的栅极端子。对晶体管T3的漏极端子输入基准电压。晶体管T3的源极端子与晶体管Tl、T42 的各自的漏极端子连接。各像素部Pm,η的晶体管1^的源极端子连接于读出信号线Lln。各像素部Pm,n的晶体管T42的源极端子连接于读出信号线L2n。读出信号线Lln及读出信号线 L2n上分别连接有恒定电流源。各像素部Pm,n的传输用的晶体管T2的栅极端子与控制信号线LTm连接，且输入自第1行选择部20i或第2行选择部202输出的TransOii)信号。各像素部Pm,n的重置用的晶体管Tl的栅极端子与控制信号线LRm连接，且输入自第1行选择部20i或第2行选择部202 输出的Reset(Hi)信号。各像素部Pm, n的保持用的晶体管T5的栅极端子与控制信号线LHm 连接，且输入自第1行选择部20i或第2行选择部202输出的Hold(m)信号。各像素部Pm, n的输出选择用的晶体管Tl的栅极端子与控制信号线LAlm连接，且输入自第1行选择部20i输出的AddresslOii)信号。各像素部Pm,n的输出选择用的晶体管 T42的栅极端子与控制信号线LA、连接，且输入自第2行选择部202输出的AddreSS2 (m) 信号。这些控制信号(Reset (m)信号、Trans (m)信号、Hold(m)信号、Addressl (m)信号、Address2(m)信号)对第m行的N个像素部Pnbl Pm,N共同地输入。控制信号线LTm、控制信号线LRm及控制信号线LHm对应于每行而设置，传输指示第 m行的各像素部Pm,n的光电二极管PD的接合电容部及电荷储存部各自的放电及电荷储存部的电荷储存的控制信号(ResetOii)信号、Trans (m)信号、Hold(m)信号)。这些控制信号线的第1端经由开关而连接于第1行选择部201;另外，这些控制信号线的第2端经由开关而连接于第2行选择部202。设置于这些控制信号线的各自的两端的2个开关并不会同时闭合，而是始终至少一方打开。再者，也可使用三态缓冲器来代替这些开关，该情况下，设置于这些控制信号线的各自的两端的2个三态缓冲器并不会同时处于导通状态，而是始终至少一方处于高阻抗状态。控制信号线LAlm及控制信号线LA、对应于每行而设置，传输指示向第m行的各像素部Pm, n的读出信号线Lln或读出信号线Un的数据输出的控制信号(Addressl (m)信号、 Address2 (m)信号)。各控制信号线LAlm连接于第1行选择部2(^。各控制信号线LA^1连接于第2行选择部202。Addressl(m)信号与AddreSS2 (m)信号并不会同时为高电平，晶体管Tl与晶体管T42不会同时成为接通状态。当Reset (m)信号、Trans (m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)放电。当 Trans (m)信号为低电平时，光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。当Reset(Hi) 信号为低电平、且Trans (m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电二极管PD的接合电容部中所储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。当Addressl (m)信号为高电平时，与连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)中所储存的电荷量对应的数据(重叠有噪声成分的信号成分的数据)，经由晶体管Tl而向读出信号线Lln输出，并向第1读出部SO1的保持部31n输入。S卩，晶体管T+作为用以将与电荷储存部的储存电荷量对应的数据向读出信号线1^1 输出的第1开关而发挥作用。再者，当电荷储存部处于放电状态时，仅有噪声成分的数据经由晶体管Tl向读出信号线Lln输出。当AddreSS2(m)信号为高电平时，与连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)中所储存的电荷量对应的数据(重叠有噪声成分的信号成分的数据)，经由晶体管T42向读出信号线ΙΛ输出，并向第2读出部302的保持部31n输入。S卩，晶体管T42作为用以将与电荷储存部的储存电荷量对应的数据向读出信号线Un输出的第2开关而发挥作用。再者，当电荷储存部处于放电状态时，仅有噪声成分的数据经由晶体管T42向读出信号线IA1输出。第1行选择部20i及第2行选择部202分别具有M段的移位缓存器。第1行选择部20J々M段的移位缓存器自其中的第m段将AddresslOii)信号向控制信号线LAlm输出并提供给第m行的各像素部Pm, n。第2行选择部202的M段的移位缓存器自其中的第m段将 Address2(m)信号向控制信号线LA^11输出并提供给第m行的各像素部Pm,n。另外，第1行选择部201相对于各奇数行(第Qi-I)行)而具有图5(a)所示的电路，第2行选择部202相对于各偶数行(第2i行)而具有图5(b)所示的电路。第1行选择部20i在由S_odd信号所指示的第1期间，可对于受光部10的第行的各像素部P2H,n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，第2行选择部202在由S_even信号所指示的第2期间，可对于受光部10的第2i行的各像素部P2i, n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。各像素部P2i,n的放电及电荷储存的时序与第1实施方式的情况相同。第1行选择部20i在第1期间及第2期间之后，可根据Addressl (2 -1)信号而选择受光部10的奇数行(第Oi-D行)，并逐行地对于各像素部Ρ2Η,η向读出信号线Lln输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。第2行选择部202在第1期间及第2期间之后， 根据AddreSS2 (2i)信号而选择受光部10的偶数行(第2i行)，并逐行地对于各像素部P2i, n向读出信号线Un输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。自第Qi-I)行的各像素部P^n经由读出信号线Lln及第1读出部SO1而向检测部40A的数据读出，以及自第2i行的各像素部P2i, 经由读出信号线Un及第2读出部302而向检测部40A的数据读出，彼此并列地进行。S卩，第1行选择部20i及第2行选择部202同时选择受光部10的第行及第 2i行，并使与第Oi-I)行的各像素部P2^n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据输出， 并使与第2i行的各像素部P2i,η的电荷储存部的储存电荷量对应的数据输出。第1读出部 SO1及第2读出部302将与第Qi-I)行的各像素部P2^n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据D^n、及与第2i行的各像素部P2i,η的光电二极管所产生的电荷量对应的数据D2i, η，同时向检测部40Α输出。检测部40Α运算出自读出部3(^3 同时输出的数据D2i+n、D2i的差，并根据该差而检测到达像素部P2H,n、P2i,n的光是否为闪烁信号。第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2以如下方式进行动作。在光信号向受光部10入射的第1期间，通过第1行选择部201;而将第Oi-D行的各像素部Ρ2Η,η的光电二极管PD所产生的电荷传输并储存于与晶体管Τ3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。这些动作对于受光部10的所有第奇数行的各像素部并列地进行。另外，在光信号未向受光部10入射的第2期间，通过第2行选择部202，而将第2i 行的各像素部P2i,n的光电二极管PD所产生的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。这些动作在受光部10的所有第偶数行的各像素部中并列地进行。这些各像素部Pm,n的电荷储存的时序与第1实施方式的情况相同。第2实施方式的数据读出动作的时序与第1实施方式的情况不同。第2实施方式中，在第1期间及第2期间之后，自第1行选择部20i向第1行的各像素部P1,n提供的Addressl (1)信号、自第2行选择部202向第2行的各像素部P2,n提供的 Address2(2)信号在相同期间成为高电平。然后，自第1读出部SO1向第1行的各像素部P1, 的数据D1,n的输出、及自第2读出部302向第2行的各像素部P2,n的数据D2,n的输出同时进行。检测部40A中，同时输入第1行的各像素部P1,n的数据Du及第2行的各像素部P2, n的数据D2,n，并运算出这些数据D1^D2in的差(Du-D2J。然后，检测部40A根据该差(D1, n_D2,n)，检测到达像素部P1^P2in的光是否为闪烁信号。继而，自第1行选择部20i向第3行的各像素部P3,n提供的Addressl (3)信号、及自第2行选择部202向第4行的各像素部P4,n提供的AddreSS2(4)信号在相同期间成为高电平。然后，自第1读出部SO1向第3行的各像素部P3,n的数据D3,n的输出、及自第2读出
15部302向第4行的各像素部P4,n的数据D4,n的输出同时进行。检测部40A中，同时输入第3 行的各像素部P3, n的数据D3, η及第4行的各像素部P4, η的数据D4, η，并运算出这些数据D3, n、D4,n的差(D3,n-D4,n)。然后，检测部40A根据该差(03,11-04,11)，检测到达像素部6,11、？4,11的光是否为闪烁信号。之后也同样地，检测部40A根据数据D2H^D2iin的差(D2i^n-D2iJ，检测到达像素部己^丨P2i, 的光是否为闪烁信号。第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1必需具备存储1行的数据的存储部 41，但第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2无需具备这样的存储部。另外，第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2与第1实施方式的情况同样地，无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。(第3实施方式)图12是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的概略构成的图。该图所示的闪烁信号检测装置3包括受光部10、行选择部20B、读出部30、检测部40B及控制部 50B。若与图1所示的第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的构成加以比较，则该图12所示的第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的不同点在于具备行选择部 20B来代替行选择部20 ；具备检测部40B来代替检测部40 ；及具备控制部50B来代替控制部50。行选择部20B输出用以控制受光部10的各像素部Pm,n的动作的各种控制信号。更具体而言，行选择部20B在第1期间，对于受光部10的第行的各像素部P4j_3,n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部中。行选择部20B在第2期间，对于受光部 ο的第ai-幻行的各像素部P4j_2,n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部中。行选择部20B在第3期间，对于受光部10的第Gj-I)行的各像素部P^ n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，行选择部20B在第4期间，对于受光部10的第4j行的各像素部P4j,n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部中。然后，行选择部20B在第4期间之后，选择受光部10的各行，并逐行地对于各像素部Pm, n输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。此处，第1 第4期间依次设定，且具有共同的时间宽度。另外，j是1以上且(M/4)以下的各整数。读出部30与N根读出信号线L1 Ln连接，且输入从行选择部20所选择的受光部 10的第m行的各像素部Pm,n向读出信号线Ln输出的数据，并将与第m行的各像素部Pm,n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm,n向检测部40B输出。检测部40B输入自读出部30输出的各数据Dm, n，并根据数据D4j_3, n、D4j^1, n的差与数据D4j_2,n、D4j,n的差之和，检测到达像素部 F^j-3，η、Ρ”·-2，n、？4」·-l，n、j,η 的光是否为闪烁信号。控制部50Β通过控制行选择部20Β、读出部30及检测部40Β的各自的动作，而控制闪烁信号检测装置1整体的动作。更具体而言，控制部50Β控制行选择部20Β的向受光部 10的各种控制信号的发送、读出部30的来自各像素部Pm,η的数据的输入、读出部30的各数据Dm,η的输出、及检测部40Β的处理的各动作时序。图13是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的检测部40Β的构成的图。检测部40B输入自读出部30逐行地输出的各数据Dm,n。检测部40B包含存储部4h 413及运算部43。存储部W1存储第行的N个数据D4j_3,n。存储部412存储第Oj-2) 行的N个数据D4j_2,n。存储部413存储第Gj-I)行的N个数据D4^nt5运算部43输入第4j行的N个D4j, n，并且也输入通过存储部41工 413而存储的第Oj-3)行的N个数据D4j_3,n、第ai-2)行的N个数据D4j_2,n及第Oi-I)行的N个数据 D4^ljn0然后，运算部43求出数据D4W^D4jIn的差与数据D4j_2,n、D4j,n的差之和S( = |D4j_3, H-D4jm, J +1 D4j_2,n-D4j,n I)，并根据该运算结果S，检测到达像素部 P4j-3，n、P4j-2，n、？4』-1，11、j, η 白勺光是否为闪烁信号。图14是对第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的动作进行说明的图。该图中，自上起依次表示有光信号入射时序、受光部10的第行的像素部的电荷储存时序A、受光部10的第Gj-幻行的像素部中的电荷储存时序B、受光部10的第Gj-I)行的像素部中的电荷储存时序C、及受光部10的第4j行的像素部中的电荷储存时序D。该图中， 电荷储存时序A D及光信号入射时序为同一周期，电荷储存时序A D均是一部分与光信号入射时序重叠。电荷储存时序A D的各相位彼此相差1/4周期。图中以阴影线所示的范围表示电荷储存时序A D分别与光信号入射时序重叠的范围，相当于数据D4j_3,n、D4j_2,n、D4^1,n、D4j,n的大小。若闪烁信号到达像素部P4j_3,n、P4j_2,n、 Vi.n^P^.n,则由于运算部43的运算结果S不为零，因而检测部40B可检测出闪烁信号到达的情况。另一方面，若一定强度的光到达像素部P4j-3,n、P4j-2,^P4j-MP4jW则由于运算部43 的运算结果S为零，因而检测部40B可检测出闪烁信号未到达。特别是在本实施方式中，运算部43的运算结果S并不依赖于光信号入射时序与电荷储存时序A D之间的相位差。因此，本实施方式中可与该相位差无关而进行高灵敏度的闪烁信号检测。如此，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3仅具备存储3行的数据的存储部 41! 413即可，无需大容量的存储部。另外，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。另外，本发明当然不限定于第1 第3的各实施方式。例如，上述实施方式中，列举了连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域作为电荷储存部，但光电二极管也可兼作电荷储存部。产业上的可利用性本发明可应用于无需大容量的存储部，无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部的用途中。
权利要求
1.一种闪烁信号检测装置，其特征在于， 包括受光部，将MXN个像素部Pia PM,N 二维排列为M行N列，该MXN个像素部Pia Pm, N分别具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、储存该电荷的电荷储存部、及用以输出与所述电荷储存部的储存电荷量对应的数据的开关；行选择部，将共同的时间宽度的第1期间及第2期间一前一后地设定，在所述第1期间，对于所述受光部的第Oi-D行的各像素部P2^n，使由所述光电二极管所产生的电荷储存于所述电荷储存部中，在所述第2期间，对于所述受光部的第2i行的各像素部P2i,n，使由所述光电二极管所产生的电荷储存于所述电荷储存部中，在所述第1期间及所述第2期间之后，选择所述受光部的各行，逐行地对于各像素部Pmn闭合所述开关而输出与所述电荷储存部的储存电荷量对应的数据；读出部，输入从所述行选择部所选择的所述受光部的各行的各像素部Pm,n输出的数据， 并输出与各像素部Pm,n的所述光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm,n ；及检测部，输入自所述读出部输出的各数据Dm, n，并根据数据D^ n、D2i, n的差，检测到达像素部P2H,n、P2i, 的光是否为闪烁信号，其中，M、N为2以上的整数，m为1以上且M以下的整数，η为1以上且N以下的整数， i为1以上且(M/2)以下的整数。
2.如权利要求1所述的闪烁信号检测装置，其特征在于，所述行选择部同时选择所述受光部的第Oi-D行及第2i行，输出与第Qi-I)行的各像素部P2i-U的所述电荷储存部的储存电荷量对应的数据，且输出与第2i行的各像素部 P2i,n的所述电荷储存部的储存电荷量对应的数据，所述读出部同时输出与第Oi-D行的各像素部P2^n的所述光电二极管所产生的电荷量对应的数据D2i-U、及与第2i行的各像素部P2i,n的所述光电二极管所产生的电荷量对应的数据D2i, n，所述检测部运算自所述读出部同时输出的数据D2^ n、D2i的差。
3.一种闪烁信号检测装置，其特征在于， 包括受光部，将MXN个像素部Pia PM,N 二维排列为M行N列，该MXN个像素部Pia Pm, N分别具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、储存该电荷的电荷储存部、及用以输出与所述电荷储存部的储存电荷量对应的数据的开关；行选择部，依次设定共同的时间宽度的第1 第4期间，在所述第1期间，对于所述受光部的第行的各像素部P4M,n，使由所述光电二极管所产生的电荷储存于所述电荷储存部中，在所述第2期间，对于所述受光部的第Gj-幻行的各像素部n，使由所述光电二极管所产生的电荷储存于所述电荷储存部中，在所述第3期间，对于所述受光部的第 (4j-l)行的各像素部P^n，使由所述光电二极管所产生的电荷储存于所述电荷储存部中， 在所述第4期间，对于所述受光部的第4j行的各像素部P4j, n，使由所述光电二极管所产生的电荷储存于所述电荷储存部中，在所述第4期间之后，选择所述受光部的各行，逐行地对于各像素部Pm,n闭合所述开关而输出与所述电荷储存部的储存电荷量对应的数据；读出部，输入从所述行选择部所选择的所述受光部的各行的各像素部Pm,n输出的数据，并输出与各像素部Pm,n的所述光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm,n ；及检测部，输入自所述读出部输出的各数据Dm, n，并根据数据D4j_3,n、D^n的差与数据 D4J_2,n> D4j,n的差之和，检测到达像素部P4j_3,n、P4j_2,n、P4^,n、P4j,n的光是否为闪烁信号，其中，M、N为2以上的整数，m为1以上且M以下的整数，η为1以上且N以下的整数， j为1以上且(M/4)以下的整数。
全文摘要
闪烁信号检测装置(1)包括受光部(10)、行选择部(20)、读出部(30)、检测部(40)及控制部(50)。通过行选择部(20)，在第1期间，使受光部(10)的第(2i-1)行的各像素部(P2i-1，n)的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第2期间使受光部(10)的第2i行的各像素部(P2i，n)的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部。通过检测部(40)，根据自读出部(30)输出的像素部(P2i-1，n、P2i，n)的数据(D2i-1，n、D2i，n)的差，检测到达像素部(P2i-1，n、P2i，n)的光是否为闪烁信号。
文档编号H04B10/105GK102474355SQ20108003389
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月20日 优先权日2009年7月30日
发明者净法寺佑, 杉山行信 申请人:浜松光子学株式会社