一种lte系统上行功率的控制方法及系统的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种LTE系统上行功率的控制方法及系统，包括预设基站受终端干扰的干扰门限I1；基站周期性地检测终端对所述基站的干扰信号I；当检测到所述I>I1时，所述基站发送反馈消息至宏基站；宏基站根据调控幅度ΔT对所述终端的上行功率进行调控，直至所述I<I1；所述调控幅度ΔT以所述基站与终端的位置因素及所述基站和宏基站到所述终端的路径损耗比值作为调控依据。当基站检测到终端对其干扰信号超过预设干扰门限时，通过宏基站以基站与终端的位置因素及所述基站和宏基站到所述终端的路径损耗比值作为调控依据得出的调控幅度对终端的上行功率进行调控，直至降低至预设干扰门限。解决终端的上行功率过大对宏基站的上行功率传输造成干扰的问题。
【专利说明】一种LTE系统上行功率的控制方法及系统
【技术领域】
[0001] 本发明涉及无线通信【技术领域】，具体说的是一种LTE系统上行功率的控制方法及 系统。
【背景技术】
[0002] 现有技术的LTE系统中，Nanocell是一种小型化，低功率基站，主要部署在办公室 或家庭等室内环境，具有成本低，接入方便，提1?宏蜂窝网络的容量等优点。Nanocell的部 署过程简单，可实现用户自配置，因此其网络的拓扑结构也会实时变化，随着Nanocell的 广泛使用，其对宏蜂窝网络性能的影响也会越来越关注。在Nanocell于宏蜂窝网络的拓 扑关系中最常见也是最重要的使用场景是Nanocell的覆盖范围完全在宏基站的覆盖范围 内，在这种情景下，如果Nanocell用户的上行功率太高，将导致其上行对宏基站的上行造 成较大干扰，如果Nanocell用户的上行功率太低，则该用户的吞吐量也会受到影响，因此， 如何控制Nanocell用户的上行功率对宏基站的上行不造成影响，是迫切需要解决的问题， 而在LTE系统中对上行功率的控制可以采用开环功率控制和闭环功率控制两种，其中，闭 环功率控制方法是指发射端根据接收端链路质量测量结果的反馈信息进行增加或减少发 送功率，具有调节精度高的优点。因此，有必要提供一种以闭环功率控制方法来控制LTE系 统中上行功率的控制方法及系统。
【发明内容】
[0003] 本发明所要解决的技术问题是：提供一种LTE系统上行功率的控制方法及系统， 解决终端的上行功率过大对宏基站的上行功率传输造成干扰的问题。
[0004] 为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
[0005] -种LTE系统上行功率的控制方法，包括：
[0006] 预设基站受终端干扰的干扰门限Ii ;
[0007] 基站周期性地检测终端对所述基站的干扰信号I ;
[0008] 当检测到所述I>Ii时，所述基站发送反馈消息至宏基站；
[0009] 所述宏基站根据调控幅度△ τ对所述终端的上行功率进行调控，直至所述κι;
[0010] 所述调控幅度△ τ以所述基站与终端的位置因素及所述基站和宏基站到所述终端 的路径损耗比值作为调控依据。
[0011] 本发明提供的另一个技术方案为：
[0012] 一种LTE系统上行功率的控制系统，包括相互连接的预设模块、检测模块和调控 模块；所述检测模块还连接所述基站，所述调控模块分别连接宏基站和所述终端；
[0013] 所述预设模块，用于预设基站受终端干扰的干扰门限Ii ;
[0014] 所述检测模块，用于基站周期性地检测终端对所述基站的干扰信号I ;当检测到 所述I>Ii时，所述基站发送反馈消息至宏基站；
[0015] 所述调控模块，用于所述宏基站根据调控幅度Λτ对所述终端的上行功率进行调 控，直至所述I〈Ii ;所述调控幅度Λτ以所述基站与终端的位置因素及所述基站和宏基站到 所述终端的路径损耗比值作为调控依据。
[0016] 本发明的有益效果在于：为了克服现有技术的LTE系统中，若基站的覆盖范围完 全在宏基站的覆盖范围内，而与基站通讯连接的终端用户的上行功率太高，将导致其上行 对宏基站的上行产生较大的干扰，而一味降低终端用户的上行功率的话，该终端用户自身 的吞吐量又会受到影响的问题。本发明提供一种能够通过基站自动周期性地检测终端用户 对基站的干扰信号，当该干扰信号超过预设的基站干扰门限时，宏基站根据以所述基站与 终端的位置因素及所述基站和宏基站到所述终端的路径损耗比值作为调控依据设定的调 控幅度Λ τ对终端的上行功率进行调控，直至干扰降至预设门限的方法及其装置。本发明 通过从LTE的上行功率组成，基站受到终端的干扰来源的本质问题出发进行研究，得出是 否对上行功率进行调控的标准以及进行功率控制的调整步长，其中，对终端的上行功率调 控幅度△:是从决定干扰的终端位置和路损比值两个方面考虑得出的。从干扰根源出发， 以最适当的调整幅度对终端进行调控，使终端的上行功率在最快时间内达到合适的目标功 率，使得终端不会对基站或宏基站的上行产生较大干扰的同时，又能保障终端自身的吞吐 量不受到影响。
【专利附图】
【附图说明】
[0017] 图1为本发明一实施例一种LTE系统上行功率的控制方法的流程图；
[0018] 图2为本发明一实施例一种LTE系统上行功率的控制系统的结构方框图；
[0019] 图3为本发明一实施例一种LTE系统上行功率的控制方法及系统的场景部署图；
[0020] 图4为本发明一实施例一种LTE系统上行功率的控制方法及系统中干扰信号与干 扰门限的曲线图。
[0021] 标号说明：
[0022] 1、预设模块； 2、检测模块； 3、调控模块。
【具体实施方式】
[0023] 为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附 图予以说明。
[0024] 本发明最关键的构思在于：对基站预设干扰门限，当基站检测到终端对其干扰信 号超过预设干扰门限时，通过宏基站以基站与终端的位置因素，所述基站和宏基站到所述 终端的路径损耗比值作为调控依据得出的调控幅度对终端的上行功率进行调控，直至降低 至预设干扰门限以下。
[0025] 本发明涉及的英文名称对应的中文示意见下表：
[0026]
【权利要求】
1. 一种LTE系统上行功率的控制方法，其特征在于，包括： 预设基站受终端干扰的干扰门限Ii ; 基站周期性地检测终端对所述基站的干扰信号I ; 当检测到所述I>Ii时，所述基站发送反馈消息至宏基站； 所述宏基站根据调控幅度对所述终端的上行功率进行调控，直至所述ΚΙ ; 所述调控幅度以所述基站与终端的位置因素及所述基站和宏基站到所述终端的路 径损耗比值作为调控依据。
2. 根据权利要求1所述的一种LTE系统上行功率的控制方法，其特征在于，所述调控 幅度Λτ = SNIVX ;其中，所述SNIV为基于H)CCH上行功率的解调门限，所述 Ια为宏基站受到的上行干扰，所述PLMB_mE为所述基站到所述终端的路径损耗。
3. 根据权利要求1所述的一种LTE系统上行功率的控制方法，其特征在于，包括：所述 基站为nanocell基站，所述nanocell基站通过S1 口发送反馈消息至核心网，所述核心网 接收反馈信息后通知宏基站对所述终端的上行功率进行调控。
4. 根据权利要求1所述的一种LTE系统上行功率的控制方法，其特征在于，所述宏基站 通过H)CCH的DCI format 3/3a格式的功率控制命令对所述终端的上行功率根据调控幅度 Δτ进行调控。
5. -种LTE系统上行功率的控制系统，其特征在于，包括相互连接的预设模块、检测 模块和调控模块；所述检测模块还连接所述基站，所述调控模块分别连接宏基站和所述终 端； 所述预设模块，用于预设基站受终端干扰的干扰门限Ii ; 所述检测模块，用于基站周期性地检测终端对所述基站的干扰信号I ;当检测到所述 I>Ii时，所述基站发送反馈消息至宏基站； 所述调控模块，用于所述宏基站根据调控幅度△ τ对所述终端的上行功率进行调控，直 至所述I〈Ii ;所述调控幅度Λτ以所述基站与终端的位置因素及所述基站和宏基站到所述 终端的路径损耗比值作为调控依据。
6. 根据权利要求5所述的一种LTE系统上行功率的控制系统，其特征在于，所述调控模 块中使用的调控幅度Λ T = SNIVX ImX PL__mE ;其中，所述SNIV为基于PDCCH上行功率的 解调门限，所述W为宏基站受到的上行干扰，所述PLMB_ mE为所述基站到所述终端的路径 损耗。
7. 根据权利要求5所述的一种LTE系统上行功率的控制系统，其特征在于，还包括核心 网和连接所述核心网和所述基站的S1 口模块，所述核心网包括通知模块，所述通知模块与 所述终端无线通信连接，所述基站为nanocell基站； 所述S1 口模块，用于所述nanocell基站通过所述S1 口模块发送反馈消息至核心网； 所述通知模块，用于所述核心网接收反馈信息后通知宏基站对所述终端的上行功率进 行调控。
8. 根据权利要求5所述的一种LTE系统上行功率的控制系统，其特征在于，所述宏基站 还包括功率控制模块，所述功率控制模块与所述终端无线通信连接； 所述功率控制模块，用于所述宏基站通过H)CCH的DCI format 3/3a格式的功率控制 命令对所述终端的上行功率根据调控幅度进行调控。
【文档编号】H04W52/14GK104159284SQ201410393834
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年8月12日 优先权日:2014年8月12日
【发明者】何劲财, 王磊 申请人:福建三元达通讯股份有限公司