1.本申请涉及扬声器技术领域,尤其涉及一种共磁路全频扬声器。
背景技术:2.扬声器是指将电信号转换成声音信号的电声换能器,通常的高保真音响系统差不多都是采用三分频构成的扬声器系统,在这种系统上为了能很好地进行低音重放,必须采用大口径的低音扬声器,高音重放时,要另外采用振膜小而轻的高音扬声器,因为传统的单个扬声器不能很好的同覆盖高低频段,都是一个磁路系统一个频段扬声器,用一个扬声器不能很好地同时进行高低音重放,因此不便使用。
技术实现要素:3.本申请旨在至少在一定程度上解决现有相关技术中存在的问题之一,为此,本申请的一个目的在于提出一种共磁路全频扬声器,其可实现高低音共用同一磁路系统结构,从而实现一个扬声器可同时覆盖高低频段。
4.上述的目的是通过如下技术方案来实现的:
5.一种共磁路全频扬声器,包括铁心中柱、套设在所述铁心中柱外侧的磁钢、设于所述磁钢一侧的华司以及设于所述磁钢另一侧的底板,所述华司上设有套接于所述铁心中柱外的华司套接口,所述底板上设有套接于所述铁心中柱外的底板套接口,所述华司套接口的内侧壁与所述铁心中柱之间形成低音磁间隙,所述低音磁间隙内设有音圈,所述底板套接口的内侧壁与所述铁心中柱之间形成高音磁间隙,所述铁心中柱内设有沿其轴向贯穿所述铁心中柱的内腔,所述内腔在铁心中柱靠近所述华司的一端形成第一内腔口,所述内腔在铁心中柱远离所述华司的一端形成第二内腔口,所述铁心中柱靠近所述华司的一端设有号角,所述号角的内侧与所述第一内腔口相通,所述铁心中柱远离所述华司的一端设有位置与所述第二内腔口相对应的高音膜,所述高音膜上设有延伸入所述高音磁间隙的高音膜环
6.在一些实施方式中,所述铁心中柱包括环形安装凸沿,所述底板上设有供所述环形安装凸沿安装的底板安装台阶。
7.在一些实施方式中,所述环形安装凸沿的一侧设有第一柱体部,所述环形安装凸沿的另一侧设有第二柱体部,所述华司套接口的内侧壁与所述第一柱体部之间形成所述低音磁间隙,所述底板套接口的内侧壁与所述第二柱体部之间形成所述高音磁间隙。
8.在一些实施方式中,所述高音膜固定在所述底板上。
9.在一些实施方式中,所述第二内腔口内设有端盖,所述端盖上设有沿所述铁心中柱轴向贯穿所述端盖的通孔。
10.在一些实施方式中,所述内腔的内径自靠近所述底板的一端至靠近所述华司的一端由小渐大。
11.在一些实施方式中,所述华司上固定有盆架,所述盆架内设有环绕所述号角和所
述音圈设置的纸盆和弹波。
12.与现有技术相比,本申请有如下优点:
13.本申请的一种共磁路全频扬声器,通过在一个磁路结构中同时设置低音磁间隙和高音磁间隙,可实现高低音共用同一磁路系统结构,从而实现一个扬声器可同时覆盖高低频段。
附图说明
14.为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
15.图1是本申请实施例共磁路全频扬声器的示意图;
16.图2是图1沿a-a的结构剖视图;
17.图3是图2中a部分的局部放大图;
18.图4是本申请实施例共磁路全频扬声器的爆炸分解示意图;
19.图5是铁心中柱的示意图;
20.图6是高音膜的示意图。
具体实施方式
21.以下实施例对本申请进行说明,但本申请并不受这些实施例所限制。对本申请的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换,而不脱离本申请方案的精神,其均应涵盖在本申请请求保护的技术方案范围当中。
22.实施例一:本实施例公开了一种如图1、图2、图3和图4所示的共磁路全频扬声器,包括如图5所示的铁心中柱1、套设在所述铁心中柱1外侧的磁钢2、设于所述磁钢2一侧的华司3以及设于所述磁钢2另一侧的底板4,所述华司3 上设有套接于所述铁心中柱1外的华司套接口31,所述底板4上设有套接于所述铁心中柱1外的底板套接口41,所述华司套接口31的内侧壁与所述铁心中柱 1之间形成低音磁间隙32,所述低音磁间隙32内设有音圈33,所述底板套接口 41的内侧壁与所述铁心中柱1之间形成高音磁间隙42,所述铁心中柱1内设有沿其轴向贯穿所述铁心中柱1的内腔14,所述内腔14在铁心中柱1靠近所述华司3的一端形成第一内腔口141,所述内腔14在铁心中柱1远离所述华司3的一端形成第二内腔口142,所述铁心中柱1靠近所述华司3的一端设有号角5,所述号角5的内侧与所述第一内腔口141相通,所述铁心中柱1远离所述华司3 的一端设有位置与所述第二内腔口142相对应的高音膜6,高音膜6如图6所示,所述高音膜6上设有延伸入所述高音磁间隙42的高音膜环61,所述华司3上固定有盆架8,所述盆架8内设有环绕所述号角5和所述音圈33设置的纸盆9和弹波10。本申请的上述结构中,实现了在一磁路结构中同时设置有低音磁间隙和高音磁间隙,可实现高低音共用同一磁路系统结构,从而实现一个扬声器可同时覆盖高低频段。
23.进一步地,为了方便底板4与铁心中柱1的安装,所述铁心中柱1包括环形安装凸沿11,所述底板4上设有供所述环形安装凸沿11安装的底板安装台阶 43。
24.进一步地,为了有效形成低音磁间隙32和高音磁间隙42,所述环形安装凸沿11的
一侧设有第一柱体部12,所述环形安装凸沿11的另一侧设有第二柱体部13,所述华司套接口31的内侧壁与所述第一柱体部12之间形成所述低音磁间隙32,所述底板套接口41的内侧壁与所述第二柱体部13之间形成所述高音磁间隙42。
25.进一步地,为了方便安装,所述高音膜6固定在所述底板4上。
26.进一步地,为了提高高音频段的发音效果,所述内腔14的内径自靠近所述底板4的一端至靠近所述华司3的一端由小渐大。为了保证高音发音质量,所述第二内腔口142内设有端盖7,所述端盖7上设有沿所述铁心中柱1轴向贯穿所述端盖7的通孔71。
27.以上所述的仅是本申请的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。
技术特征:1.一种共磁路全频扬声器,其特征在于,包括铁心中柱(1)、套设在所述铁心中柱(1)外侧的磁钢(2)、设于所述磁钢(2)一侧的华司(3)以及设于所述磁钢(2)另一侧的底板(4),所述华司(3)上设有套接于所述铁心中柱(1)外的华司套接口(31),所述底板(4)上设有套接于所述铁心中柱(1)外的底板套接口(41),所述华司套接口(31)的内侧壁与所述铁心中柱(1)之间形成低音磁间隙(32),所述低音磁间隙(32)内设有音圈(33),所述底板套接口(41)的内侧壁与所述铁心中柱(1)之间形成高音磁间隙(42),所述铁心中柱(1)内设有沿其轴向贯穿所述铁心中柱(1)的内腔(14),所述内腔(14)在铁心中柱(1)靠近所述华司(3)的一端形成第一内腔口(141),所述内腔(14)在铁心中柱(1)远离所述华司(3)的一端形成第二内腔口(142),所述铁心中柱(1)靠近所述华司(3)的一端设有号角(5),所述号角(5)的内侧与所述第一内腔口(141)相通,所述铁心中柱(1)远离所述华司(3)的一端设有位置与所述第二内腔口(142)相对应的高音膜(6),所述高音膜(6)上设有延伸入所述高音磁间隙(42)的高音膜环(61)。2.根据权利要求1所述的一种共磁路全频扬声器,其特征在于,所述铁心中柱(1)包括环形安装凸沿(11),所述底板(4)上设有供所述环形安装凸沿(11)安装的底板安装台阶(43)。3.根据权利要求2所述的一种共磁路全频扬声器,其特征在于,所述环形安装凸沿(11)的一侧设有第一柱体部(12),所述环形安装凸沿(11)的另一侧设有第二柱体部(13),所述华司套接口(31)的内侧壁与所述第一柱体部(12)之间形成所述低音磁间隙(32),所述底板套接口(41)的内侧壁与所述第二柱体部(13)之间形成所述高音磁间隙(42)。4.根据权利要求1所述的一种共磁路全频扬声器,其特征在于,所述高音膜(6)固定在所述底板(4)上。5.根据权利要求1所述的一种共磁路全频扬声器,其特征在于,所述第二内腔口(142)内设有端盖(7),所述端盖(7)上设有沿所述铁心中柱(1)轴向贯穿所述端盖(7)的通孔(71)。6.根据权利要求1所述的一种共磁路全频扬声器,其特征在于,所述内腔(14)的内径自靠近所述底板(4)的一端至靠近所述华司(3)的一端由小渐大。7.根据权利要求1所述的一种共磁路全频扬声器,其特征在于,所述华司(3)上固定有盆架(8),所述盆架(8)内设有环绕所述号角(5)和所述音圈(33)设置的纸盆(9)和弹波(10)。
技术总结本申请公开了共磁路全频扬声器,包括铁心中柱、套设在铁心中柱外的磁钢、设于磁钢一侧的华司和设于磁钢另一侧的底板,华司上设有套接于铁心中柱外的华司套接口,底板上设有套接于铁心中柱外的底板套接口,华司套接口的内侧壁与铁心中柱之间形成低音磁间隙,低音磁间隙内设有音圈,底板套接口的内侧壁与铁心中柱之间形成高音磁间隙,铁心中柱内设有沿轴向贯穿的内腔,内腔在铁心中柱靠近华司的一端形成第一内腔口,内腔在铁心中柱远离华司的一端形成第二内腔口,铁心中柱靠近华司的一端设有号角,号角的内侧与第一内腔口相通,铁心中柱远离华司的一端设有高音膜,高音膜上设有延伸入高音磁间隙的高音膜环。本申请实现扬声器可同时覆盖高低频段。时覆盖高低频段。时覆盖高低频段。
技术研发人员:王庆增
受保护的技术使用者:中山市音象电器有限公司
技术研发日:2021.12.07
技术公布日:2022/8/2