层叠结构体及层叠结构体的制造方法与流程

本实施方式涉及层叠了含有硅的材料的层叠结构体及层叠结构体的制造方法。

背景技术：

1、作为使用半导体制造工艺制造的各种mems(micro electro mechanicalsystems：微机电系统)中的一种，已知有换能器。mems的换能器包括压电元件和由该压电元件驱动的膜体，作为扬声器或麦克风例如收纳于便携式电子设备壳体等中(参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开2018/061805号。

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、mems的膜体通过蚀刻半导体基板直至获得希望厚度的膜体而形成。伴随该蚀刻，在半导体基板上同时形成排列在该半导体基板的厚度方向上的膜体和中空部。另一方面，在进行该蚀刻时，在半导体基板上，有时在隔着膜体与被蚀刻的部分(即，形成中空的部分)相反的一侧形成空腔。该空腔例如是为了将压电元件等设置于膜体而确保的空间，形成于被蚀刻的半导体基板上所安装的其它半导体基板。

3、通过蚀刻而形成的膜体非常薄。即，在通过蚀刻形成膜体时，空腔与蚀刻部之间的膜变薄，由于该膜的应力、空腔与半导体基板的外部空间之间的压力差，该膜有可能会破损。

4、本实施方式的目的在于提供一种能够在形成膜体时抑制该膜体的破损的层叠结构体及层叠结构体的制造方法。

5、用于解决问题的技术手段

6、本实施方式的一方面提供一种由含有硅的材料层叠而成的层叠结构体，其包括：框体，其具有在厚度方向上相互面向相反方向的第一面和第二面，该框体具有由所述框体支承的膜体和位于所述膜体与所述第二面之间且向所述第二面开口的中空部；和盖体，其安装在所述框体上，该盖体具有位于所述膜体之上的空腔和与所述空腔连通的开口部，该开口部形成在使所述膜体的至少一部分露出于所述层叠结构体的外部空间的位置，所述盖体包含形成于所述盖体的面向所述框体的表面的槽部，所述空腔与所述层叠结构体的外部空间经由所述槽部连通。

7、本实施方式的另一方面提供一种由含有硅的材料层叠而成的层叠结构体的制造方法，其中，以形成于盖体中的空腔面向框体的状态，将所述盖体安装于所述框体，将支承基板安装于所述盖体，以允许所述空腔与所述层叠结构体的外部空间之间的气体流动的状态，通过在所述框体的厚度方向上对面向与安装有所述盖体的第一面相反方向的所述框体的第二面进行蚀刻，来在所述框体上形成膜体。

8、发明效果

9、根据本实施方式，能够提供可在形成膜体时抑制该膜体的破损的层叠结构体及层叠结构体的制造方法。

技术特征：

1.一种由含有硅的材料层叠而成的层叠结构体，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的层叠结构体，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的层叠结构体，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，

6.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的层叠结构体，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，

11.一种由含有硅的材料层叠而成的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

14.根据权利要求11～13中任一项所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

15.根据权利要求11所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

16.根据权利要求11～15中任一项所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种层叠结构体及层叠结构体的制造方法。层叠结构体(10)包括：框体(20)，其具有在厚度方向上相互面向相反方向的第一面(20a)和第二面(20b)，该框体(20)具有由框体(20)支承的膜体(22)和位于膜体(22)与第二面(20b)之间且向第二面(20b)开口的中空部(21)；盖体(30)，其安装于框体(20)，该盖体(30)具有位于膜体(22)之上的空腔(31)和与空腔(31)连通且形成在使膜体(22)的至少一部分露出于层叠结构体(10)的外部空间的位置的开口部(32)。盖体(30)包含形成于盖体(30)的面向框体(20)的表面(背面)(30b)的槽部(41A)，空腔(31)与层叠结构体(10)的外部空间经由槽部(41A)连通。

技术研发人员：铃木达也
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13