能量检测电路的制作方法

本发明涉及电子，尤其涉及一种能量检测电路。

背景技术：

1、涉及高速差分信号传输的系统，如高速串行接口(serdes)芯片、无线局域网如车载以太网物理层(phy)芯片，以及便携射频通信设备等，往往需要低功耗模式，在没有信号传输时休眠以减低系统功耗，当检测到数据信号出现时，通过唤醒电路摆脱低功耗模式，转入正常模式，进行数据传输和交换。

2、传统的能量检测电路有两大类实现方式，一是将检测到的数据信号与参考信号通过比较器比较，判断电平来分辨是否存在数据信号。这种方式在高速数据系统中难以实现低功耗，因为高速数据要求比较器具备高带宽，高带宽需要大电流，与低功耗的需求矛盾。另一种是二极管整流的方式，这种方式的检测限为二极管导通压降或金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mos)阈值，在0.7v左右。再加上线缆传输的衰减，传统整流电路的阈值过高，难以直接用于数据信号的检测。因此，传统能量检测电路难以满足数据传输系统信号的检测需求。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种能量检测电路，用以解决现有技术中能量检测电路阈值高功耗高的问题。

2、为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种能量检测电路，包括：

3、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管；

4、第一场效应管、第三场效应管的源极分别连接差分输入信号的第一端；

5、第一场效应管、第三场效应管的栅极分别连接差分输入信号的第二端；

6、第二场效应管、第四场效应管的源极分别连接差分输入信号的第二端；

7、第二场效应管、第四场效应管的栅极分别连接差分输入信号的第一端；

8、第三场效应管的漏极和第三场效应管的衬底相连；

9、第四场效应管的漏极和第四场效应管的衬底相连；

10、第三场效应管和第四场效应管的漏极相连；

11、第一场效应管的衬底和差分输入信号的第一端相连；

12、第二场效应管的衬底和差分输入信号的第二端相连；

13、第一场效应管的漏极和第二场效应管的漏极分别连接到第一连接点。

14、在一些实施例中，所述的能量检测电路，还包括：

15、布置于差分输入信号的第一端和第一场效应管的衬底之间的第一开关；

16、布置于差分输入信号的第二端和第二场效应管的衬底之间的第二开关。

17、在一些实施例中，所述的能量检测电路，还包括：

18、布置于第一连接点和接地端之间的第三开关。

19、在一些实施例中，所述的能量检测电路，在能量检测电路启动前，第一开关、第二开关和第三开关闭合；

20、在能量检测电路开始工作时，第一开关、第二开关和第三开关断开。

21、在一些实施例中，所述的能量检测电路，还包括：

22、布置于第一连接点和接地端之间的第一电容。

23、在一些实施例中，所述的第一电容的取值范围是1～10皮法。

24、在一些实施例中，所述的第一电容的取值范围是2～3皮法。

25、在一些实施例中，所述的能量检测电路，还包括信号处理器；

26、信号处理器的输入端与第一连接点相连；

27、信号处理器的输出端输出能量检测指示信号；

28、信号处理器为反相器、场效应管或比较器。

29、在一些实施例中，所述的能量检测电路，

30、第一场效应管的宽长比的取值范围是30～100；

31、第二场效应管的宽长比的取值范围是30～100；

32、第三场效应管的宽长比为1；或，

33、第四场效应管的宽长比为1。

34、在一些实施例中，所述的能量检测电路，第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管均为pmos(positive mos)管。

35、本申请实施例提供的能量检测电路，通过使用mos管组成的两个栅交叉耦合整流结构，一方面降低了能量检测的下限，提高了唤醒电路的灵敏度，另一方面降低了能量检测电路的功耗。

技术特征：

1.一种能量检测电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的能量检测电路，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的能量检测电路，其特征在于，还包括：布置于第一连接点和接地端之间的第三开关。

4.根据权利要求3所述的能量检测电路，其特征在于，在能量检测电路启动前，第一开关、第二开关和第三开关闭合；

5.根据权利要求1所述的能量检测电路，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的能量检测电路，其特征在于，第一电容的取值范围是1～10皮法。

7.根据权利要求5所述的能量检测电路，其特征在于，第一电容的取值范围是2～3皮法。

8.根据权利要求1所述的能量检测电路，其特征在于，还包括信号处理器；

9.根据权利要求1所述的能量检测电路，其特征在于，

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的能量检测电路，其特征在于，第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管均为pmos管。

技术总结
本发明提供一种能量检测电路，涉及电子技术领域。所述电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管。第一场效应管和第二场效应管构成第一栅交叉耦合整流结构，第三场效应管和第四场效应管构成第二栅交叉耦合整流结构。通过调整第一栅交叉耦合整流结构的衬底电位，降低场效应管的阈值电压，并实现检测下限小于场效应管阈值电压的一半。一方面降低了能量检测的下限，提高了唤醒电路的灵敏度，另一方面降低了能量检测电路的功耗。

技术研发人员：杨丽丽,刘银栋,杨猛,刘耕远,赵亚琼,王利,应子罡
受保护的技术使用者：北京国科天迅科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12