麦克风的制作方法

麦克风
【技术领域】
1.本实用新型涉及电声转换领域，尤其涉及一种麦克风。


背景技术：

2.mems(微型机电系统，microelectro mechanical systems)麦克风是基于mems传感器技术制造的麦克风，具有改进的噪声消除性能、良好的射频性能及电磁干扰抑制能力，被广泛应用于智能手机、线控耳机、平板以及笔记本等各类电子产品中。
3.目前，由于大功率超声波收发器的广泛应用，导致麦克风在该声波频段出现过载引起杂音，杂音的大小与超声波收发器本身的功率大小、距离手机麦克风的距离、麦克风在该频段的灵敏度有关系。相关技术中虽然编码译码器的48khz采样会过滤24khz及以上的频率的声音，但是该杂音已经在麦克风内部产生并延伸到低频，从而引起幅值虽小但是听感明显的pop音。
4.因此，实有必要提供一种新的麦克风解决上述技术问题。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种麦克风，通过设置低通滤波电路从而可以滤除超声频段干扰。
6.为了达到上述目的，本实用新型提供了一种麦克风，包括具有收容空间的保护结构以及收容于所述收容空间内的asic芯片和mems麦克风芯片，所述麦克风还包括低通滤波电路，所述低通滤波电路连接在所述asic芯片和所述mems麦克风芯片之间，或者所述低通滤波电路集成在所述asic芯片内，所述低通滤波电路的高频截止频率大于20khz。
7.更进一步地，当所述低通滤波电路集成在所述asic芯片时，所述低通滤波电路的输入端作为所述asic芯片的输入端。
8.更进一步地，所述低通滤波电路包括rc电路。
9.更进一步地，所述低通滤波电路还包括与所述rc电路连接的运算放大电路。
10.更进一步地，所述低通滤波电路包括场效应管。
11.更进一步地，所述低通滤波电路包括双极结型晶体管。
12.更进一步地，所述低通滤波电路包括二极管。
13.更进一步地，所述保护结构上贯穿设有声孔，所述保护结构包括线路板以及与所述线路板盖接形成所述收容空间的外壳。
14.与相关技术相比，本实用新型的麦克风，包括具有收容空间的保护结构以及收容于所述保护结构内的asic芯片和mems麦克风芯片，其中所述麦克风还包括低通滤波电路，所述低通滤波电路连接在所述asic芯片和所述mems麦克风芯片之间，或者所述低通滤波电路集成在所述asic芯片内，所述低通滤波电路的高频截止频率大于20khz，由此通过低通滤波电路的作用可以滤除超声频段干扰，减少杂音，提高音频质量。
【附图说明】
15.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
16.图1为本实用新型实施例提供的麦克风的一结构示意图；
17.图2为本实用新型实施例提供的麦克风的另一结构示意图；
18.图3为本实用新型实施例提供的低通滤波电路的工作频率波形图；
19.图4为本实用新型实施例提供的麦克风在设置低通滤波电路之前和之后灵敏度随频率变化的波形图。
【具体实施方式】
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.请参阅图1，本实用新型的麦克风包括具有收容空间1a的保护结构10以及收容于所述收容空间1a内的asic芯片11和mems麦克风芯片12。进一步地，所述保护结构10上贯穿设有声孔1b，所述保护结构10包括线路板101以及与所述线路板101盖接形成所述收容空间1a的外壳102。
22.其中，所述麦克风还包括低通滤波电路13，如图1所示，所述低通滤波电路13连接在所述asic芯片11和所述mems麦克风芯片12之间。或者，如图2所示，所述低通滤波电路13集成在所述asic芯片12内，进一步地，当所述低通滤波电路13集成在所述asic芯片12内时，所述低通滤波电路13的输入端可以作为所述asic芯片12的输入端。
23.其中，如图3所示，低通滤波电路13的高频截止频率大于20khz。
24.在一些实施例中，所述低通滤波电路13包括rc电路，例如rc电路可以为一阶rc滤波电路，即采用一个电容器和一个电阻构成的滤波电路，或者rc电路也可以是多阶滤波电路。
25.进一步地，所述低通滤波电路13还可以包括与所述rc电路连接的运算放大电路。
26.在另一些实施例中，所述低通滤波电路13包括场效应管，即所述低通滤波电路13采用场效应管来实现滤波功能。
27.又或者，在另一些实施例中，所述低通滤波电路13包括双极结型晶体管，即所述低通滤波电路13采用双极结型晶体管来实现滤波功能。
28.又或者，在另一些实施例中，所述低通滤波电路13包括二极管，所述低通滤波电路13采用二极管来实现滤波功能。
29.本实用新型的实施例中，通过在所述asic芯片11和所述mems麦克风芯片12之间设置低通滤波电路13或者在所述asic芯片11内集成低通滤波电路13，由此通过低通滤波电路13的作用可以滤除超声频段干扰，减少杂音，提高音频质量。如图4所示，图4中的a图为麦克风未设置低通滤波电路13时灵敏度随频率变化的波形图，b图为麦克风设置低通滤波电路
13后灵敏度随频率变化的波形图，从a图和b图的对比可以明显看出，麦克风在设置低通滤波电路13后声音信号中的超声频段已经大大被消除，从而极大提高音频质量。
30.以上所述的仅是本实用新型的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种麦克风，包括具有收容空间的保护结构以及收容于所述收容空间内的asic芯片和mems麦克风芯片，其特征在于，所述麦克风还包括低通滤波电路，所述低通滤波电路连接在所述asic芯片和所述mems麦克风芯片之间，或者所述低通滤波电路集成在所述asic芯片内，所述低通滤波电路的高频截止频率大于20khz。2.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，当所述低通滤波电路集成在所述asic芯片时，所述低通滤波电路的输入端作为所述asic芯片的输入端。3.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述低通滤波电路包括rc电路。4.根据权利要求3所述的麦克风，其特征在于，所述低通滤波电路还包括与所述rc电路连接的运算放大电路。5.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述低通滤波电路包括场效应管。6.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述低通滤波电路包括双极结型晶体管。7.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述低通滤波电路包括二极管。8.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述保护结构上贯穿设有声孔，所述保护结构包括线路板以及与所述线路板盖接形成所述收容空间的外壳。

技术总结
本实用新型提供了一种麦克风，包括具有收容空间的保护结构以及收容于所述收容空间内的ASIC芯片和MEMS麦克风芯片，所述麦克风还包括低通滤波电路，所述低通滤波电路连接在所述ASIC芯片和所述MEMS麦克风芯片之间，或者所述低通滤波电路集成在所述ASIC芯片内，所述低通滤波电路的高频截止频率大于20KHz，由此通过设置低通滤波电路从而可以滤除超声频段干扰，减少杂音，提高音频质量。提高音频质量。提高音频质量。


技术研发人员：陈晓翔 章仰明 蔡东记 蒲景鑫 张睿
受保护的技术使用者：瑞声声学科技（深圳）有限公司
技术研发日：2022.04.20
技术公布日：2022/8/30