头戴设备的制作方法

本技术涉及电子产品，更为具体地，涉及一种头戴设备。

背景技术：

1、目前，随着vr(virtual reality，虚拟现实技术)、ar(augmented reality，增强现实)眼镜等头戴设备的发展，对发声装置的性能提出了更高的要求，既要求靠近人耳端响度高、音效好，又要求远端响度小，保持好的私密性。

2、但现有技术主要存在如下问题：

3、1)靠近人耳部分一般为侧出声结构，导致高频截止频率较低，影响高频音质，不利于整机效果调试。

4、2)远端泄漏响度较大，私密性差。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种头戴设备，以解决现有头戴设备高频音效差以及漏音等问题。

2、本实用新型提供的头戴设备，包括主体、分别设置在所述主体的两端的支架、至少在一个支架的内部设置有发声装置，其中，

3、在所述支架上设置有出声孔，所述发声装置设置在所述出声孔上，并且所述发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，其中，所述发声装置的振膜面向所述出声孔设置，并且所述发声装置的振动方向与所述支架的长度方向呈夹角设置。

4、此外，优选的结构是，所述支架包括支架主体和支架盖，所述支架盖与所述支架主体合围形成容纳发声装置的容纳空间；

5、所述支架主体包括顶壁、底壁以及连接在所述顶壁与底壁之间的侧壁，其中，所述出声孔设置在所述底壁上。

6、此外，优选的结构是，所述底壁包括平面区域和斜面区域，所述出声孔设置在所述斜面区域。

7、此外，优选的结构是，所述斜面区域为弧形，所述出声孔为弧形，所述发声装置的形状以及所述发声装置的振膜均为弧形。

8、此外，优选的结构是，在所述出声孔上设置有防尘网。

9、此外，优选的结构是，所述发声装置包括壳体、振动系统以及磁路系统，所述壳体形成用于收容所述振动系统和所述磁路系统的空腔，其中，

10、所述振动系统包括振膜和扁平音圈，其中，

11、所述振膜与所述壳体相固定，并且与所述壳体的出声通孔相对应，所述扁平音圈的一端与所述振膜抵接，所述音圈呈扁平状且沿所述振膜的长度方向延伸，所述振膜的振动方向与所述扁平音圈的轴线相垂直。

12、此外，优选的结构是，所述振膜包括位于中心位置的球顶部、设置在所述球顶部的边缘的折环部、设置在所述折环部周边的固定部，其中，所述音圈与所述球顶部连接，所述固定部与所述壳体相固定，所述折环部为凸起或者凹陷结构。

13、此外，优选的结构是，所述磁路系统包括相互平行设置的两组磁路组件以及与两组磁路组件相固定的导磁轭，其中，所述磁路系统与所述壳体相固定；

14、在两组磁路组件之间设置有磁间隙，所述扁平音圈插入在所述磁间隙中。

15、此外，优选的结构是，每组磁路组件包括层叠设置两块磁铁以及两块导磁板，磁铁与导磁板相互间隔设置，其中一块磁铁固定于所述导磁轭。

16、此外，优选的结构是，所述发声装置还包括支撑架，所述支撑架为环形结构，所述支撑架设置在两组磁路组件与所述振膜之间，形成所述振膜的振动空间。

17、从上面的技术方案可知，本实用新型提供的头戴设备，发声装置设置在支架内部的出声孔上，发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，发声装置的振膜面向出声孔设置，并且发声装置的振动方向与支架的长度方向呈夹角设置。这种设置方式不但能够提高高频音质，还能够解决远端漏音的问题，从而提高用户体验。

18、为了实现上述以及相关目的，本实用新型的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本实用新型的某些示例性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本实用新型的原理的各种方式中的一些方式。此外，本实用新型旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。

技术特征：

1.一种头戴设备，包括主体、分别设置在所述主体的两端的支架、至少在一个支架的内部设置有发声装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的头戴设备，其特征在于，

3.如权利要求1所述的头戴设备，其特征在于，

4.如权利要求2所述的头戴设备，其特征在于，

5.如权利要求1所述的头戴设备，其特征在于，

6.如权利要求5所述的头戴设备，其特征在于，

7.如权利要求5所述的头戴设备，其特征在于，

8.如权利要求7所述的头戴设备，其特征在于，

9.如权利要求7所述的头戴设备，其特征在于，

技术总结
本技术提供一种头戴设备，包括主体、分别设置在所述主体的两端的支架、至少在一个支架的内部设置有发声装置，其中，在所述支架上设置有出声孔，所述发声装置设置在所述出声孔上，并且所述发声装置的形状与所述出声孔的形状相适配，其中，所述发声装置的振膜面向所述出声孔设置，并且所述发声装置的振动方向与所述支架的长度方向呈夹角设置。利用本技术，能解决现有头戴设备高频音效差以及漏音等问题。

技术研发人员：张军,王景伟,葛连山
受保护的技术使用者：歌尔股份有限公司
技术研发日：20220426
技术公布日：2024/1/12