图像传感器的制作方法

本公开的各种实施方式涉及半导体设计技术，更具体地，涉及包括信号转换器的图像传感器。

背景技术：

1、图像感测装置是利用对光做出反应的半导体的特性来捕获图像的装置。图像感测装置可以粗略地分为电荷耦合器件(ccd)图像感测装置和互补金属氧化物半导体(cmos)图像感测装置。近来，由于cmos图像感测装置可以允许直接在单个集成电路(ic)上实现模拟控制电路和数字控制电路两者，因此cmos图像感测装置得到广泛使用。

技术实现思路

1、本公开的各种实施方式涉及用于补偿信号转换器中出现的电源噪声的图像传感器。

2、根据本公开的一个实施方式，一种图像传感器可以包括：第一比较电路，其适于将有效像素信号与斜坡信号进行比较，以通过第一比较输出端子生成第一比较信号；以及第一补偿电路，其联接到第一比较输出端子，并且适于基于第一控制信号选择性地将对应于由第一比较电路生成的电源噪声的第一补偿噪声施加到第一比较输出端子。

3、图像传感器还可以包括：第二比较电路，其联接到第一比较输出端子，并且适于将第一比较信号与参考信号进行比较，以通过第二比较输出端子生成第二比较信号；以及第二补偿电路，其联接到参考信号的输入端子，并且适于基于至少一个第二控制信号选择性地将对应于电源噪声的第二补偿噪声施加到输入端子。

4、根据本公开的一个实施方式，一种图像传感器可以包括：第一比较电路，其适于将有效像素信号与斜坡信号进行比较，以通过第一比较输出端子生成第一比较信号；第二比较电路，其联接到第一比较输出端子，并且适于将第一比较信号与参考信号进行比较，以通过第二比较输出端子生成第二比较信号；以及补偿电路，其联接到参考信号的输入端子，并且适于基于至少一个控制信号选择性地将对应于由第一比较电路生成的电源噪声的补偿噪声施加到输入端子。

5、根据本公开的一个实施方式，一种图像传感器可以包括：像素阵列，其包括分配给至少一列的暗区和分配给至少一列的有效区；信号转换器，其适于将从暗区生成的暗像素信号转换成暗像素代码，将从有效区生成的有效像素信号转换成有效像素代码，并且基于一个或更多个控制信号补偿有效像素代码；以及控制器，其适于基于暗像素代码和参考像素代码生成控制信号。

6、根据本公开的一个实施方式，一种图像传感器可以包括：第一像素组和第二像素组，第一像素组和第二像素组分别被配置为输出第一像素信号和第二像素信号；第一读出电路和第二读出电路，第一读出电路和第二读出电路分别被配置成将第一像素信号和第二像素信号转换成第一像素代码和第二像素代码；以及控制器，其被配置为将第一像素代码与参考代码进行比较以生成控制信号，其中，第二读出电路包括：第一电路，其被配置为将第二像素信号与斜坡信号进行比较以在输出节点处输出第一信号；第二电路，其被配置为将第一信号与在输入节点处输入的参考信号进行比较，以输出第二信号，第二像素代码将从第二信号生成；以及第三电路，其被配置为响应于控制信号而向输入节点和输出节点中的一个或更多个提供补偿由第一电路引起的电源噪声的噪声。

技术特征：

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一补偿电路包括：

3.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述控制器包括：

5.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述第二补偿电路包括：

7.根据权利要求5所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述控制器包括：

9.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述补偿电路包括：

11.根据权利要求9所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，所述控制器包括：

13.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述控制器包括：

15.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述信号转换器包括：

16.根据权利要求15所述的图像传感器，其中，所述补偿电路包括：

17.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述信号转换器包括：

18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述补偿电路包括：

19.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述信号转换器包括：

20.根据权利要求19所述的图像传感器，

技术总结
公开了一种图像传感器，该图像传感器包括：第一比较电路，其适于将有效像素信号与斜坡信号进行比较，以通过第一比较输出端子生成第一比较信号；以及第一补偿电路，其联接到第一比较输出端子，并且适于基于第一控制信号选择性地将对应于由第一比较电路生成的电源噪声的第一补偿噪声施加到第一比较输出端子。

技术研发人员：崔东贵
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13