发声装置和终端设备的制作方法

本发明涉及电声转换，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的终端设备。

背景技术：

1、喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。

2、相关技术中，扬声器的磁路结构多为简单规则的形状，如华司常为圆柱状或圆环状，特别是t铁中柱多为圆柱形状，这种形状的华司部分区域的导磁率很低，如果保留导磁率低的部分，又想进一步提高扬声器的性能，就会牺牲产品的重量，无法满足轻量化的需求。同时，传统扬声器中磁路系统的bl线性范围较小，扬声器在大振幅的情况下由于磁路系统的非线性，会导致扬声器失真过大、低频下潜较弱等缺点。

技术实现思路

1、本发明的主要目的是提供一种发声装置和终端设备，旨在保证bl值的情况下，增加bl的线性范围，该发声装置不仅降低磁路重量，还提高了磁隙的磁通量，有效降低失真，改善音质。

2、为实现上述目的，本发明提出一种发声装置，所述发声装置包括：

3、磁路系统，所述磁路系统包括第一磁路部分和第二磁路部分，所述第一磁路部分位于所述第二磁路部分的外侧，并配合形成磁间隙，所述第一磁路部分包括层叠设置的第一磁铁和第一华司，所述第一华司邻近所述磁间隙一侧的厚度大于所述第一华司远离所述磁间隙一侧的厚度；和

4、振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。

5、在一实施例中，所述第一华司包括首尾连接的底壁、侧壁及外壁，所述底壁面向所述第一磁铁，所述侧壁面向所述磁间隙，从邻近所述侧壁至远离所述侧壁，所述外壁至所述底壁的距离逐渐减小。

6、在一实施例中，所述侧壁的高度大于所述音圈的卷幅高度。

7、在一实施例中，定义所述侧壁的高度为h1，定义所述音圈的卷幅高度为h2；

8、其中，1.25≤h1/h2≤1.75。

9、在一实施例中，所述外壁呈弧面设置，定义所述弧面的半径为r1，定义所述侧壁的高度为h1；

10、其中，r1＝h1。

11、在一实施例中，所述外壁包括相连接的平面段和弧面段，所述平面段与所述侧壁连接，所述弧面段与所述底壁；

12、定义所述弧面段的半径为r1，定义所述侧壁的高度为h1，r1＝h1；

13、且/或，所述平面段与所述底壁平行；

14、且/或，定义所述平面段的宽度为d1，定义所述底壁的宽度为d2，0.3≤d1/d2≤0.5；

15、且/或，所述平面段和所述弧面段平滑过渡连接；

16、且/或，所述平面段与所述侧壁呈圆角连接；

17、且/或，所述弧面段与所述底壁呈圆角连接；

18、且/或，所述侧壁与所述底壁呈圆角连接。

19、在一实施例中，所述第二磁路部分包括呈夹角设置的平直部和竖直部，所述第一磁铁和所述第一华司环绕所述竖直部，并与所述竖直部间隔形成所述磁间隙，所述第一磁铁夹设于所述平直部和所述第一华司之间。

20、在一实施例中，所述第二磁路部分设有贯穿所述竖直部的通腔，所述通腔的内壁呈弧面设置。

21、在一实施例中，所述通腔的截面面积从所述通腔的一端至另一端呈逐渐减小再增大设置；

22、且/或，定义所述通腔内壁的弧面半径为r2，定义所述通腔的延伸长度为l1，r2＝l；

23、且/或，所述竖直部远离所述平直部的一端凸出所述第一华司背向所述第一磁铁的一侧，定义所述竖直部凸出的长度为l2，0.5mm≤l2≤1mm；

24、且/或，所述竖直部背向所述通腔的一侧还凸设有限位台，所述第一磁铁套设于所述竖直部，并与所述限位台限位地接。

25、在一实施例中，所述磁路系统还包括导磁轭，所述第一磁路部分和所述第二磁路部分设于所述导磁轭的一侧，所述第二磁路部分包括层叠设置的第二磁铁和第二华司。

26、在一实施例中，所述发声装置还包括盆架，所述盆架设有容腔，所述第一华司背向所述第一磁铁的一侧设有固定结构，所述第一华司通过所述固定结构与所述盆架连接，所述振膜连接于所述盆架连接，并与所述磁路系统相对。

27、本发明还提出一种终端设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

28、本发明技术方案的发声装置通过将磁路系统的第一磁路部分设置于第二磁路部分的外侧，并使得第一磁路部分和第二磁路部分配合形成供振动系统音圈悬设的磁间隙，如此音圈通电后，音圈在磁路系统的磁间隙内做切割磁感线的运动，从而带动振膜振动发声；通过将位于第二磁路部分外侧的第一磁路部分设置为层叠设置的第一磁铁和第一华司，使得第一华司邻近磁间隙一侧的厚度大于第一华司远离所述磁间隙一侧的厚度，从而取消磁路部分中华司的导磁率低的部分，以减小磁路部分的重量，从而充分利用第一磁路部分中第一华司导磁率高的部分，并搭配短音圈，可以在保证发声装置的bl值的情况下，增加发声装置的bl的线性范围，同时还能满足小型化、轻量化的设计要求。该发声装置不仅降低磁路重量，提高磁隙的磁通量，且有效降低失真，改善音质。

技术特征：

1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：

2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一华司包括首尾连接的底壁、侧壁及外壁，所述底壁面向所述第一磁铁，所述侧壁面向所述磁间隙，从邻近所述侧壁至远离所述侧壁，所述外壁至所述底壁的距离逐渐减小。

3.如权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述侧壁的高度大于所述音圈的卷幅高度。

4.如权利要求3所述的发声装置，其特征在于，定义所述侧壁的高度为h1，定义所述音圈的卷幅高度为h2；

5.如权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述外壁呈弧面设置，定义所述弧面的半径为r1，定义所述侧壁的高度为h1；

6.如权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述外壁包括相连接的平面段和弧面段，所述平面段与所述侧壁连接，所述弧面段与所述底壁；

7.如权利要求1至6中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述第二磁路部分包括呈夹角设置的平直部和竖直部，所述第一磁铁和所述第一华司环绕所述竖直部，并与所述竖直部间隔形成所述磁间隙，所述第一磁铁夹设于所述平直部和所述第一华司之间。

8.如权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述第二磁路部分设有贯穿所述竖直部的通腔，所述通腔的内壁呈弧面设置。

9.如权利要求8所述的发声装置，其特征在于，所述通腔的截面面积从所述通腔的一端至另一端呈逐渐减小再增大设置；

10.如权利要求1至6中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述磁路系统还包括导磁轭，所述第一磁路部分和所述第二磁路部分设于所述导磁轭的一侧，所述第二磁路部分包括层叠设置的第二磁铁和第二华司。

11.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置还包括盆架，所述盆架设有容腔，所述第一华司背向所述第一磁铁的一侧设有固定结构，所述第一华司通过所述固定结构与所述盆架连接，所述振膜连接于所述盆架连接，并与所述磁路系统相对。

12.一种终端设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至11中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

技术总结
本发明公开一种发声装置和终端设备，所述发声装置包括磁路系统和振动系统，所述磁路系统包括第一磁路部分和第二磁路部分，所述第一磁路部分位于所述第二磁路部分的外侧，并配合形成磁间隙，所述第一磁路部分包括层叠设置的第一磁铁和第一华司，所述第一华司邻近所述磁间隙一侧的厚度大于所述第一华司远离所述磁间隙一侧的厚度，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。本发明的发声装置旨在保证BL值的情况下，增加BL的线性范围，不仅降低磁路重量，还提高了磁隙的磁通量，有效降低失真，改善音质。

技术研发人员：孙铭君,张迪
受保护的技术使用者：潍坊歌尔丹拿电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14