光电转换像素阵列以及系统的制作方法

文档序号:37858013发布日期:2024-05-07 19:32阅读:10来源:国知局
光电转换像素阵列以及系统的制作方法

本申请涉及光电转换,具体涉及一种光电转换像素阵列以及系统。


背景技术:

1、如何提高光电转换像素阵列在弱光下的探测能力,同时避免强光下故障(例如导致电路读取电路饱和),从而保证较高的动态范围,是亟待解决的技术问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供了一种光电转换像素阵列以及光电转换系统。下面对本申请的各方面进行说明。

2、第一方面,本申请提供了一种光电转换像素阵列,所述光电转换像素阵列包括:多个光电转换像素,所述多个光电转换像素包括第一光电转换像素所述第一光电转换像素包括第一光电转换单元和第二光电转换单元,所述第一光电转换单元包括光电二极管,所述光电二极管用于将第一光电转换单元的入射光转换为电信号;其中,所述第一光电转换单元的有效感光面积与所述第二光电转换单元的有效感光面积不同。

3、在一些实施例中,所述光电转换像素阵列还包括:遮挡部,所述遮挡部位于所述第一光电转换单元的入射光的光路上,所述遮挡部用于遮挡所述第一光电转换单元接收所述入射光的光入射面。

4、在一些实施例中,所述第一光电转换单元以及所述第二光电转换单元均包括雪崩区。

5、在一些实施例中,所述第一光电转换单元的雪崩区的面积与所述第二光电转换单元的雪崩区的面积不同。

6、在一些实施例中,所述第一光电转换单元的偏置电压和所述第二光电转换单元的偏置电压相同。

7、在一些实施例中,所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元的边长不同。

8、在一些实施例中,所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元的形状不同。

9、在一些实施例中,所述第一光电转换单元的形状为八边形,所述第二光电转换单元的形状为正方形。

10、在一些实施例中,所述光电二极管为单光子雪崩光电二极管。

11、第二方面,本申请提供了一种光电转换系统,包括第一方面所述的光电转换像素阵列。

12、有效感光面积小的光电转换单元在强光下更不容易饱和。也就是说,对光电转换单元,有效感光面积大的可以用于感测弱光,有效感光面积小的可以用于感测强光。因此,本申请通过设置不同有效感光面积的光电转换单元,可以使得光电转换像素在感测强光的同时感测弱光,从而提高光电转换像素阵列的动态范围。



技术特征:

1.一种光电转换像素阵列,其特征在于,所述光电转换像素阵列包括:

2.根据权利要求1所述的光电转换像素阵列,其特征在于,所述光电转换像素阵列还包括:

3.根据权利要求1所述的光电转换像素阵列,其特征在于,所述第一光电转换单元以及所述第二光电转换单元均包括雪崩区。

4.根据权利要求3所述的光电转换像素阵列,其特征在于,

5.根据权利要求3所述的光电转换像素阵列,其特征在于,所述第一光电转换单元的偏置电压和所述第二光电转换单元的偏置电压相同。

6.根据权利要求1所述的光电转换像素阵列,其特征在于,所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元的边长不同。

7.根据权利要求1所述的光电转换像素阵列,其特征在于,所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元的形状不同。

8.根据权利要求7所述的光电转换像素阵列,其特征在于,所述第一光电转换单元的形状为八边形,所述第二光电转换单元的形状为正方形。

9.根据权利要求1所述的光电转换像素阵列,其特征在于,所述光电二极管为单光子雪崩光电二极管。

10.一种光电转换系统,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的光电转换像素阵列。


技术总结
本申请提供了一种光电转换像素阵列以及系统,光电转换像素阵列包括:多个光电转换像素,多个光电转换像素包括第一光电转换像素第一光电转换像素包括第一光电转换单元和第二光电转换单元,第一光电转换单元包括光电二极管,光电二极管用于将第一光电转换单元的入射光转换为电信号;其中,第一光电转换单元的有效感光面积与第二光电转换单元的有效感光面积不同。本申请通过设置不同有效感光面积的光电转换单元,可以在感测强光的同时感测弱光,从而提高光电转换像素阵列的动态范围。

技术研发人员:吕晨晋,谷立民,刘德胜,李佳鹏,莫良华,陈艺章
受保护的技术使用者:深圳阜时科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/6
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