本申请涉及集成电路设计领域,特别的涉及一种射频通路、射频开关及电子设备。
背景技术:
1、在集成电路领域,射频开关广泛用于实现各信号通道转换的作用。通常射频开关包括一个或多个射频信号输入端口,一个或多个射频信号输出端口,通过多条射频通路将不同的射频输入或输出端口连接或断开,实现信号通路的切换。
2、由于射频开关包含晶体管、无源器件和衬底材料等非线性器件,经射频开关传输后的射频信号会在射频端口之间产生电势差,这会导致射频端口之间产生谐波信号,谐波信号的存在可能会导致射频信号波形失真,谐波会干扰射频信号本身的接收或影响其它频段的通信。因此,希望射频开关产生的谐波信号足够小。传统的克服射频开关谐波的方法包括增加射频通路级联晶体管数目以及增大晶体管尺寸,但要付出显著增大芯片面积的代价。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的技术问题,本申请提供了一种射频通路包括一条或多条级联的单位射频通路,其中每条单位射频通路包括开关模块,其输入端配置为接收射频信号,其输出端在所述开关模块导通时配置为输出所述射频信号,所述开关模块中包括至少一个开关晶体管;所述开关模块还包括至少彼此反向串联在所述开关模块的输入端和输出端之间的相同的第一变容单元和第二变容单元;栅极偏置模块,耦合到所述开关模块的第一控制端,配置为基于其所接收到的栅极控制信号对所述开关模块的状态进行控制;体极偏置模块,耦合到所述开关模块的第二控制端,配置为基于其所接收到的体极控制信号对所述开关模块的状态进行控制;以及直流偏置单元,耦合到所述第一变容单元和所述第二变容单元之间彼此耦合的第一节点,配置为向所述第一节点提供直流偏置信号。
2、特别的,所述第一变容单元包括第一变容管,所述第二变容单元包括第二变容管,其中所述第一变容管与所述第二变容管相同,二者的正极或负极彼此耦合。
3、特别的,所述开关模块还包括钳位单元,其耦合在所述开关模块的第一控制端或第二控制端与所述第一节点之间。
4、特别的,所述钳位单元包括第一电容,其中所述第一电容的值大于所述第一变容单元和所述第二变容单元各自的最大电容值。
5、特别的,所述开关模块还包括耦合在所述开关模块的输入端和输出端之间的源漏偏置单元。
6、特别的,所述源漏偏置单元包括第一电阻,其耦合在所述开关晶体管的源极和漏极之间。
7、特别的,所述栅极偏置模块包括第二电阻,其耦合到所述开关晶体管的栅极;和/或,所述体极偏置模块包括耦合到所述开关晶体管体极的第三电阻,或第一晶体管;所述第一晶体管的栅极、体极和源/漏极中之一都耦合到所述开关晶体管的体极,所述第一晶体管源/漏极中的另一耦合到所述开关晶体管的栅极。
8、特别的,所述多条单位射频通路的栅极偏置模块彼此串联,体极偏置模块彼此串联,和/或直流偏置单元彼此串联。
9、本申请还提供了一种射频开关,包括多条如前任一所述的射频通路。
10、本申请还提供了一种电子设备,包括如前所述的射频开关。
1.一种射频通路,其特征在于,包括
2.如权利要求1所述的射频通路,其特征在于,所述第一变容单元包括第一变容管,所述第二变容单元包括第二变容管,其中所述第一变容管与所述第二变容管相同,二者的正极或负极彼此耦合。
3.如权利要求1或2所述的射频通路,其特征在于,所述开关模块还包括钳位单元,其耦合在所述开关模块的第一控制端或第二控制端与所述第一节点之间。
4.如权利要求3所述的射频通路,其特征在于,所述钳位单元包括第一电容,其中所述第一电容的值大于所述第一变容单元和所述第二变容单元各自的最大电容值。
5.如权利要求3所述的射频通路,其特征在于,所述开关模块还包括耦合在所述开关模块的输入端和输出端之间的源漏偏置单元。
6.如权利要求5所述的射频通路,其特征在于,所述源漏偏置单元包括第一电阻,其耦合在所述开关晶体管的源极和漏极之间。
7.如权利要求1所述的射频通路,其特征在于,所述栅极偏置模块包括第二电阻,其耦合到所述开关晶体管的栅极;和/或
8.如权利要求1所述的射频通路,其特征在于,所述多条单位射频通路的栅极偏置模块彼此串联,体极偏置模块彼此串联,和/或直流偏置单元彼此串联。
9.一种射频开关,其特征在于,包括多条如权利要求1-7中任一所述的射频通路。
10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求9所述的射频开关。