版图文件的传输方法与流程

本发明涉及集成电路，尤其是涉及一种版图文件的传输方法。

背景技术：

1、trench mosfet与平面mos相比具有更低的导通电阻和更高的功率密度，能承受更大的击穿电压和浪涌电流，因此被广泛应用在手机快充、电动汽车等中低压应用场景中。trench mosfet器件具有独特的器件结构和工艺流程，常作为分立器件被生产和制造。ic(integrated circuit)工艺是将一个电路中需要的晶体管，电阻，电容等电子元件制作在一片晶圆上，封装在一起形成具有一定功能的微型结构体，从而提升电路的可靠性，减小电路功耗和面积。trench mosfet与常规ic工艺结合可以提供从中低压到高压的各种类型器件结构，满足多种设计需求，此外二者作为整体进行封装，方便集成，工艺稳定，能满足更高的可靠性要求，并且能省整体的面积，降低成本。

2、pdk(process design kit，工艺设计支持包)是芯片生产公司(foundry)、eda(electronic design automatic)公司和芯片设计公司的沟通桥梁。当芯片设计公司需要采用一个芯片生产工厂新的半导体工艺时，首先就是需要一套pdk文件，pdk文件多数情况下是芯片生产工厂在eda公司的协助下完成。分立器件与ic工艺整合，需要将trenchmosfet器件加入ic平台pdk开发体系中并实现完整物理验证流程。

3、然而，trench mosfet的结构特殊，需要作为重要的ip进行保护，所以需要一种传输方法，可以先将部分版图提供给用户，另一部分在用户收到并且确认之后再替换提供。从而可以提高保密度和准确度。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种版图文件的传输方法，可以先将部分版图提供给用户，另一部分在用户收到并且确认之后再替换和提供。从而可以提高保密度和准确度。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种版图文件的传输方法，包括：

3、将mosfet版图的pdk文件分为第一部分和第二部分；

4、将第一部分pdk文件和第二部分pdk文件分别分为多个最小重复单元；

5、将所述第一部分pdk文件进行第一次传输，将所述第二部分pdk文件进行加密后隐藏；

6、获取第一次传输后的所述第一部分pdk文件；

7、根据第一次传输后的所述第一部分pdk文件的最小重复单元拼接成所需mosfet，并计算所述mosfet的面积；

8、验证所述mosfet的面积和第一次传输后的所述第一部分pdk文件包含的mosfet版图是否均符合设定值；

9、如果符合设定值，将所述第一部分pdk文件返回；

10、将返回后的所述第一部分pdk文件和隐藏的第二部分pdk文件包含的mosfet版图进行原文件替换，并将替换后的第一部分pdk文件和第二部分pdk文件进行第二次传输。

11、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，将mosfet版图的pdk文件分为第一部分和第二部分之前，还包括：

12、根据drc和lvs文件验证mosfet版图是否符合设定值。

13、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，根据drc和lvs文件验证所述mosfet的面积和第一次传输后的所述第一部分pdk文件包含的mosfet版图是否均符合设定值。

14、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，将返回后的所述第一部分pdk文件和隐藏的第二部分pdk文件包含的mosfet版图进行原文件替换之后，进行第二次传输之前，还包括：

15、根据drc和lvs文件验证替换后的mosfet版图是否符合设定值。

16、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，替换第二部分pdk文件包含的mosfet版图的方法或者替换所述第一部分pdk文件和所述第二部分文件包含的mosfet版图包括：

17、替换第二部分pdk文件包含的mosfet版图的最小重复单元或者替换所述第一部分pdk文件和所述第二部分文件包含的mosfet版图的最小重复单元。

18、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，计算所述mosfet的面积的方法包括：

19、每个最小重复单元的面积乘以相同最小重复单元的个数，以得到每个所述最小重复单元的总面积；

20、计算所有最小重复单元的总面积的和。

21、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，所述第一部分pdk文件包含的mosfet版图为前端工艺的mosfet版图。

22、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，所述第二部分pdk文件包含的mosfet版图为后端工艺的mosfet版图。

23、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，将mosfet版图制作成pdk文件的方法包括：根据mosfet版图包含的器件的端口和连接关系制作成pdk文件。

24、可选的，在所述的版图文件的传输方法中，根据第一次传输后的所述第一部分pdk文件的最小重复单元拼接成所需mosfet的方法包括：

25、挑选所需最小重复单元的类别和个数，放置在对应的位置。

26、在本发明提供的版图文件的传输方法中，包括：将mosfet版图的pdk文件分为第一部分和第二部分；将第一部分pdk文件和第二部分pdk文件均分别分为多个最小重复单元；将第一部分pdk文件进行第一次传输，将第二部分pdk文件进行加密后隐藏；获取第一次传输后的第一部分pdk文件；根据第一次传输后的第一部分pdk文件的最小重复单元拼接成所需mosfet，并计算mosfet的面积；验证mosfet的面积和第一次传输后的第一部分pdk文件包含的mosfet版图是否均符合设定值；如果符合设定值，将第一部分pdk文件返回；将返回后的所述第一部分pdk文件和隐藏的第二部分pdk文件包含的mosfet版图进行原文件替换，并将替换后的第一部分pdk文件和第二部分pdk文件进行第二次传输。本发明将mosfet版图制作成的pdk文件分为第一部分和第二部分，然后先将第一部分pdk文件的版图提供给用户，第二部分pdk文件的版图在用户收到并且确认之后再替换提供，替换后进行了验证。从而提高了保密度和准确度。

技术特征：

1.一种版图文件的传输方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，将mosfet版图的pdk文件分为第一部分和第二部分之前，还包括：

3.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，根据drc和lvs文件验证所述mosfet的面积和第一次传输后的所述第一部分pdk文件包含的mosfet版图是否均符合设定值。

4.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，将返回后的所述第一部分pdk文件和隐藏的第二部分pdk文件包含的mosfet版图进行原文件替换之后，将替换后的第一部分pdk文件和第二部分pdk文件进行第二次传输之前，还包括：

5.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，替换第二部分pdk文件包含的mosfet版图的方法或者替换所述第一部分pdk文件和所述第二部分文件包含的mosfet版图包括：

6.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，计算所述mosfet的面积的方法包括：

7.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，所述第一部分pdk文件包含的mosfet版图为前端工艺的mosfet版图。

8.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，所述第二部分pdk文件包含的mosfet版图为后端工艺的mosfet版图。

9.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，将mosfet版图制作成pdk文件的方法包括：根据mosfet版图包含的器件的端口和连接关系制作成pdk文件。

10.如权利要求1所述的版图文件的传输方法，其特征在于，根据第一次传输后的所述第一部分pdk文件的最小重复单元拼接成所需mosfet的方法包括：

技术总结
本发明提供了一种版图文件的传输方法，包括：将MOSFET版图的PDK文件分为第一部分和第二部分；PDK文件分为多个最小重复单元；将第一部分PDK文件进行第一次传输，将第二部分PDK文件进行加密后隐藏；获取第一次传输后的第一部分PDK文件；根据第一次传输后的第一部分PDK文件的最小重复单元拼接成所需MOSFET，并计算MOSFET的面积；验证MOSFET的面积和第一次传输后的第一部分PDK文件包含的MOSFET版图是否均符合设定值；如果符合设定值，将第一部分PDK文件返回；将返回后的第一部分PDK文件和隐藏的第二部分PDK文件包含的MOSFET版图进行原文件替换，并进行第二次传输。

技术研发人员：郑舒尹,赵志伟
受保护的技术使用者：芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/4/17