电致发光装置的制作方法

文档序号:8135450阅读:157来源:国知局
专利名称:电致发光装置的制作方法
技术领域
本发明涉及一种电致发光装置,该装置包括一衬底表面,该表面设有一凹凸图案,该凹凸图案包括一悬伸部分,该悬伸部分的下部被切去以用于将电致发光装置的一电极层图案化,该悬伸部分有一外边界,该外边界包括至少一个基本上直的段和位于一预定位置处的弯曲。
通常,电致发光(EL)装置是一种包括EL材料的装置,EL材料能够在一电流通过它时发光,该电流由电极提供。如果设置在各电极或者各电极层之间的EL材料或者任何其他可能存在的功能材料具有有机物或者聚合物的性质,那么将该装置分别称为有机EL装置或者聚合(物)EL装置。在本发明的上下文中,“有机”一词包括聚合。
二极管型EL装置,发光二极管使电流优先沿一个方向流过,它们通常包括设置在一空穴注入电极(也称阳极)与一电子注入电极(也称阴极)之间的EL材料。一旦施加一适当的电压,就分别由阳极和阴极将空穴和电子注入EL材料。通过EL材料内部的空穴和电子的辐射性再结合(radiative recombination)而产生光。利用不同的有机EL材料,可以改变所发光的色彩。
EL装置可以用作光源,尤其在有机类型的那些应用中,它们适用于大面积发光应用,如显示器的背照光。包括多个电致发光元件(下文亦称象素)的(有机)EL装置适于多种显示用途,如单色显示或彩色显示装置、静止图像显示、分段显示装置或者主动型或被动型矩阵显示器。有机EL装置尤其是聚合物EL装置可以做成柔性的或弯曲的,并成形为能够实现采用刚性和/或平板显示器所不能实现的显示应用。
在EP-A-892588中披露了一种分段EL显示装置形式的电致发光装置。为了将电子注入电极层图案化成可独立寻址的各段,在一衬底上设置具有一悬伸部分的分割凹凸图案。该悬伸部分为T形,因而提供一下部切去的部分。当用真空淀积法将一定量电极材料垂直于衬底淀积电极层时,电极材料并不能到达下部切去的部分,由此将电极层分割成分离的各段。该悬伸部分有一外边界,它限定了下部切去部分的外边界轮廓,由此限定各电极段的轮廓。为了提供一理想的电极层预定图案,该外边界具有基本上直的各段,而在预定位置处被弯曲。
实际上,在下部切去部分的范围内必须找到一平衡点。过大的下部切去区域可能会对EL装置后来各层的淀积有负作用,并且增大了悬伸部分顶部在一给定宽度处落下的危险,而过小的下部切去部分又使电极分开不甚可靠。无论怎样,用来将上述类型的电极层成功图案化的处理程度还是很小。由于电极层淀积过程或者提供分割凹凸图案的过程中有变化,这些变化在任何过程中都有,所以可能无法在每一个位置上成功实现电极分离,在该位置导致各电极段可能会无意中有电连接。具有这种电路结构电极的装置是有缺陷的,并且降低了生产过程的产量。
本发明的一个目的尤其在于提供一种开始段落中描述类型的电致发光装置,它使得能以一种非常可靠的方式制造电极层,并且产量高。尤其是,如果分割凹凸图案由用光图案化的材料或者可用光图案化的材料如光阻材料制成,那么还将提高可靠性、稳固性和产量。更特别的是,如果借助湿淀积法淀积EL装置的功能层如EL层,那么还可能提高产量。
根据本发明,用如开始段落中所述的电致发光装置实现该目的,其特征在于,弯曲平滑得足以使悬伸部分在一弯曲处下部切去的程度与悬伸部分的直段处基本上相同。
本申请的发明人已经发现,各电极段之间不经意的短路主要发生在悬伸部分弯曲的位置上,或者更准确地说,主要发生在悬伸部分的外边界弯曲的位置上。利用足够平滑的弯曲,沿该平滑弯曲上的各部位与一直段上的各部位十分类似,这样,将弯曲部位上的短路危险减小到直线段遭遇短路危险的水平。
显然,如果该外边界有多个弯曲,这些弯曲可以增大发生短路电极段的可能性,所以最好使这些弯曲足够平滑。
如果用一种湿淀积法如旋涂法或喷墨印刷法提供EL装置的各功能层如EL层,那么在弯曲和直段中获得基本上相同程度的下部切去部分就尤为令人关注,因为已经发现,得到这些层的流体潜伸到下部切去区15,这导致在该下部切去区中有一厚淀积物(已经发现有多达0.5μm的厚淀积物),如此进一步减小了下部切去的程度。
还须对本发明进行说明的是,将悬伸部分的外边界理解为一连续的曲线,该曲线限定了悬伸部分下部切去区的外边界,并因而通过令该外边界垂直投影到衬底表面上而限定了电极图案的轮廓。将外边界连接到支撑凹凸图案的表面上的悬伸部分各表面是悬伸部分的各侧壁。
外边界包括在一预定位置上的弯曲。“预定”一词理解为表示弯曲用于一特定目的,或者与制造过程中某些(随机的或系统的)缺陷产生的弯曲相比提供一特定技术效果。如果连接弯曲上任一侧上任意两点的每一个直线段在悬伸部分之外延伸,那么称弯曲为内弯曲,或者称弯曲段为内弯曲段。相反,如果任意一个这样的直线段在悬伸部分内延伸,那么称弯曲为外弯曲。
一种特定形式的悬伸部分是一肋形悬伸部分。这种肋形悬伸部分在每一侧上都有一侧壁。该肋形部分中一简单的弯曲是外边界有一或多或少相互平行的内弯曲和外弯曲处的弯曲。
该弯曲要足够平滑。可以例如通过对一掩膜做适当调整来调整弯曲的平滑度,该掩膜用来对制成分割凹凸图案的可用光图案化的材料图案化。
弯曲需要达到的平滑程度尤其取决于用来提供分割凹凸图案的照明设备的分辨率极限。因此,在其最广的意义上讲,不用提供具体的平滑度值,而是应根据悬伸部分下部切去的程度来限定弯曲需要达到的平滑程度。无论弯曲是否平滑得达到了所需的程度,都可以通过常规分析技术建立该程度,例如通过沿该边界在各位置上截取该分割凹凸图案各剖面的扫描电子显微照片。必要时,可以为此采用适当设计的测试结构。
在本发明的申请文件中,将在外边界位置X处下部切去的程度定义为通过将点X垂直投影到支撑悬伸部分的表面上得到的点与支撑悬伸部分的表面和位于含X处横剖面的平面中的线交点之间的距离U,该线通过X,并且接触X之外一位置或多个位置上悬伸部分的侧壁,但是不与其相交,或者在侧壁在X处基本上为直的情况下,该线与该直侧壁重合。
外边界位置X处的横剖面包括在一断面平面内,该断面包括所述位置并且有一与外边界位置X处切线方向上衬底表面(如果后者是弯曲的,那么是衬底表面的切平面)上的垂直投影相对应的法线。
根据本发明,一弯曲处下部切去的程度Ub要与一直线段处下部切去的程度Us基本上相同。本领域的那些技术人员会理解的是,短路的危险与切去程度是变化的,将基本上相同的下部切去部分与那些不同的下部切去部分分开的任何定量分界线在某种程度上是任意的。基于这种考虑,在本发明的申请文件中,将基本上相同理解为表示Ub/Us大于0.80或者优选大于0.9,或者更好的是大于0.95。
如果一弯曲不平滑,那么至少有两种方法可以使其更平滑,即,通过斜切该弯曲或者使该弯曲成圆形,或者二者结合。
对于估计短路电极段的危险来说,基于下部切去的程度对弯曲平滑度的选择是一可靠的标准。但是,它的使用需要在特定位置上截取截面,尤其是在那些可能因为弯曲会在这些位置上使衬底破裂而很麻烦的弯曲所处的位置上截取。因此,具有使用此较简单的标准是有利的。
通常,一EL装置包括设置在第一和第二电极层之间的EL层,假定要用分割凹凸图案将第二电极层图案化。可选择的是,它还可以包括诸如空穴或电子转移/注入层之类的其他层。至于减小第二电极层各段中不经意短路的危险方面,对第一电极层、EL层和空穴或电子转移/注入层的选择和对这些层材料的选择并不是关键性的。
合适的有机EL材料包括分子量小或大的有机光致发光或电致发光、荧光和磷光化合物。合适的小分子量化合物在本领域中众所周知,它们包括三-8-铝喹啉醇络合物和香豆素。这些化合物可以利用真空淀积法来应用。
优选的大分子量材料含具有基本上是共轭主干(主链)的EL聚合物,例如聚噻吩胺、聚亚苯基物、聚噻吩乙烯,或者更优选的是聚对亚苯乙烯。特别优选的是(发射蓝光的)聚(烷)芴和发射红、黄或绿光的聚对亚苯乙烯以及2-或2,5-取代聚对亚苯乙烯。
在本发明的申请文件中,“有机”一词包括聚合,而术语“聚合物”和由其衍生的添加剂包括均聚物、共聚物、三元共聚物和更高的同系物以及低聚物。
有机EL层优选有50nm-200nm的平均厚度,尤其是有60nm-150nm的平均厚度,或者优选有70nm-100nm的平均厚度。
对于空穴注入和/或空穴转移层(HTL)合适的材料包括芳香叔胺,尤其包括二元胺或者更高的同系物、聚乙烯咔唑、喹吖(二)酮、卟啉、酞花青、聚苯胺和聚-3,4-乙烯二氧噻吩。
对于电子注入和/或电子转移层(ETL)合适的材料是恶二唑基化合物和喹啉铝化合物。
如果IT0用作阳极,那么EL装置优选包括一空穴注入/转移层材料聚-3,4-乙烯二氧噻吩的50-300nm厚度层,或者一聚苯胺的50-200nm厚度层。
通常,EL装置包括一衬底。优选的是,该衬底相对于要透过的光是透明的。合适的衬底材料包括可以是柔性或非柔性的透明合成树脂、石英、陶瓷和玻璃。该衬底为凹凸图案提供支撑表面。
第一电极层可以是电子注入的,第二电极层可以是空穴注入的。优选的是,第一电极层是空穴注入的,第二电极层是电子注入的。
电子注入电极适于由具有低逸出功的金属(合金)制成,如Yb、Ca、MgAg LiAl,Ba,或者是不同层如Ba/Al或Ba/Ag电极或其他能够用一分割凹凸图案以图案化方式淀积的电极材料的层压结构。
空穴注入电极适于由具有高逸出功的金属(合金)制成,如Au、Pt、Ag。优选的是,采用一种更透明的空穴注入电极材料如铟锡氧化物(ITO)。导电的聚合物如聚苯胺(PANI)和聚-3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)也适于透明的空穴注入电极材料。优选的是,一种PANI层厚度为50-200nm,PEDOT层厚度为100-300nm。如果采用一种ITO空穴注入电极,那么第一电极优选为空穴注入电极。
在一有关方面中,本发明涉及一种如开始段落中所述的电致发光装置,其特征在于,弯曲包括一圆形段,该圆形段在一基本上平行于衬底表面的表面中,基本上在每一个位置上的曲率半径至少为1μm。
为了令弯曲足够平滑,采用具有一特定最小曲率半径的圆形段。与下部切去的程度相比,该标准在实践应用中更简单,因为它只需要在平面图内检验凹凸图案,而无需取截面。
如果外边界位于一平面内,那么在外边界一位置上的曲率半径|ρ|被定义为|(1+y’2)3/2/y”|,其中y’和y”是外边界该位置上的一阶导数和二阶导数。对于非平坦衬底表面来说,相应地,将该定义修改,定义为|(1+y’2)3/2/y”|,其中y’和y”是外边界该位置上的一阶导数和二阶导数。对于非平坦衬底表面来说,相应地修改该定义。
本领域的那些技术人员会理解的是,弯曲段成圆角的程度与短路危险之间的关系是一逐渐变化的关系,并且将圆形弯曲段与非圆弯曲段分开的任何定量分界线在某种程度上是任意的。此外,最小的曲率半径表示两方面之间的一个折衷,一方面是需要减小短路的危险,这要求弯曲尽可能平滑,因此半径要尽可能大,另一方面需要将分割凹凸图案所占的面积保持得尽可能小,因此曲率半径要尽可能小,因为凹凸图案所占的面积无助于发光且其减弱了装置的亮度。
基于这些考虑,根据本发明,一弯曲上的曲率半径至少要为1μm。优选的是,根据EL装置的应用,半径至少为2μm,或者至少为5μm、10或者甚至20μm。对于许多应用来说,例如手持式、膝上型、台式EL装置和TV应用装置,5μm的限度不够。实际上对于许多这样的应用来说,平均10、15、20μm甚至更大才合适。平均曲率半径的上限还由需要修圆的凹凸图案的最小特征尺寸确定。最小特征尺寸转而又决定用来提供凹凸图案的图案化方法的方案,由此得到合适的图案化方法的范围。在光刻法的情况下,接近式印刷所提供的分辨率即使是对于高分辨率显示器也足够了。一般地,由于图案化方法的费用随分辨率增大而升高,所以有利的是选择尽可能大的曲率半径。通常,在接近式曝光情况下的最小曲率半径为5-10μm,采用投影光刻法为2-5μm,若采用步进器(stepper)则为1-2μm。
要使曲率半径沿弯曲基本上在每一个位置上都有规定的最小值。因为曲率半径是一局部量,所以圆形段,实际是外边界的任何段可能有大曲率半径的小凹口,这在本发明中没有任何用,尤其是它们在预定位置上不构成弯曲。这些凹口可能例如因存在灰尘颗粒或生产过程条件下其他的动态或随机变化而产生。如果通过要求在基本上每一个位置上都要满足最小半径条件,达到了所考虑的条件,那么不考虑这些凹口。将术语“基本上”理解为在本申请文件中,表示外边界上所有位置中至少95%、最好是97%、更好是99%的位置符合标准。
如果不将弯曲做成圆形的,还可以将弯曲做成有斜面的。
因此,本发明的另一个方面涉及一种如开始段落中所述的电致发光装置,其特征在于,通过提供一有斜切段而将弯曲做成有斜面的,该有斜切段长度至少为2μm,并且使其与和其相连的直外边界各段之间的夹角至少为120°。
关于有斜切段与相邻的直线段构成的最小长度和最小角,要对有关圆形段的考虑加以必要的修改才能应用。另一方面,适当的情况下,可以将最小角选为例如110°、130°或140°,而最小长度可以是3μm、5μm、10μm甚或20μm。
在一优选实施例中,悬伸部分包括一用光图案化的或者一可用光图案化的材料,如光阻材料。
当用可用光图案化的材料如传统的光阻材料制造悬伸部分时,尤其能取得采用足够平滑的弯曲、有斜面的弯曲等的好处。采用可用光图案化的材料,能够以一简单的方式得到悬伸部分。这些方法的实例在EP-A-892588中给出。
在根据本发明的电致发光装置一优选实施例中,悬伸部分由一可用光图案化的负性材料或者与其等效的材料成整体形成。
由一可用光图案化的负性材料如光阻材料整体形成悬伸部分,使得能在单独一个光刻步骤中制造悬伸部分。将术语“负性”理解为表示涉及能够以一方式受到处理的任何一种可用光图案化的材料,该方式是,在处理之后,只有以图案化方式受辐照区域保留在衬底上。这种负性光阻材料在本领域中众所周知,在本发明的申请文件中,它们包括图像反转(Image-reversal)光阻材料和以一方式处理以使其表现为一负性光阻材料的任何其他光阻材料。
例如,一种在单独一个光刻步骤中制造悬伸部分的合适方法,该方法还可用于本发明申请文件之外的其他用途,为了得到悬伸部分,该方法根据具有暗的非照射区、完全照射区和中间照射区的图案照射一负性光阻材料,中间照射区设置在暗的非照射区与完全照射区之间,中间照射区所接收的照射剂量在完全照射区与暗的非照射区接收的剂量之间。当根据这样一个图案照射一负性光阻材料时,在显影之后,形成一悬伸部分,在中间照射区内形成一下部切去部分。外边界通常位于非照射区与中间照射区的边界处,可以理解为中间照射区与非照射区之间的过渡是逐渐变化的。
根据本发明的电致发光装置另一个实施例,其特征在于,悬伸部分包括n向结点,n至少是3,用来将电极层分割成n个互相分开的电极段,n向结点的外边界包括多个足够平滑的弯曲。
本发明对于包括布置成包括n向结点的悬伸部分的凹凸图案尤其有利。这些结点具有至少两个靠在一起的内弯曲。已经发现这种结构中短路的危险尤其大。一般地,结点是一3向结点,如一T结点,或者一4向结点,即,十字形结点。
本发明可用于任意种类的电致发光装置,尤其是任何电致发光显示装置。例如,该装置可以是一背照光、一静像显示器、照明图标、一广告牌或者一交通标志。合适的显示装置包括彩色或单色的被动和主动两种类型矩阵显示器。
在一具体实施例中,电致发光装置是一种分段电致发光装置。
通常,将一分段显示装置的电极层图案化,使其包括多个可独立寻址的电极段。通常但不必要的是,以一时间分隔多路传输方式对各段寻址。一般地,用具有悬伸部分的凹凸图案提供这些段中的至少一个。理想的电极层图案常常是一种复杂的形状,其包括许多弯曲的外边界段,其中一些段设置成形成n向结点。因此,如果本发明与一分段显示装置结合使用,则特别有利。
在根据本发明的电致发光装置另一个实施例中,凹凸图案包括一悬伸部分,该悬伸部分具有至少两个突起,每一个突起包括多个弯曲,每一个弯曲平滑得足以达到上述程度。
在本申请人的申请号为00204053.3(PH-NL000622)的未预先公开的欧洲专利申请中,描述了一悬伸部分的下部切去区对能得到EL装置功能层如EL层的流体层随后的淀积有反作用。已经发现这与具有条形悬伸部分的被动矩阵装置特别相关。为了防止悬伸部分有反作用,使悬伸部分有突起。但是,如果需要外边界在预定位置弯曲而弯曲不充分平滑,那么会在电极段中间引起短路。
参照下文描述的实施例说明本发明的这些和其他方面,它们将变得很明显。
附图中

图1示意性地在一透视平面图中示出了没有根据本发明的EL装置,图2示意性地示出了沿线I-I的图1所示装置的一个剖视图,图2A、2B和2C示意性地示出了悬伸部分的剖视图,图3示意性地示出了图1所示电致发光装置制造过程中的一个阶段的平面图,图4示意性地示出了在图3所示制造阶段中沿线II-II的图1所示装置的剖视图,图5示意性地示出了根据本发明的EL装置的平面图,图6示出图5平面图的局部放大图,图7示出根据本发明的EL装置中所用一分割凹凸图案另一个实施例的平面图,实施例1(未根据本发明的)参见图1和2,EL装置1有一衬底3,在衬底3上接连设有包括用来注入第一类型电荷(空穴或电子)的可独立寻址电极5a和5b的第一电极层、用来注入和/或转移第一类型电荷的电荷注入/转移层7、电致发光层9和包括用来注入第二类型电荷的可独立寻址电极11a,11b和11d的第二电极层。当向电极施加电压时,注入空穴和电子。通过空穴和电子在电致发光层9中的再结合,产生一种特定颜色的光。
为了分割第二电极层,EL装置1包括一分割凹凸图案,图中示出其悬伸部分13。悬伸部分13有下部切去区15。下部切去的程度由距离U表示。
图2A、2B和2C示出悬伸部分的其他实施例213。在图2A和2C中,悬伸部分由底座部分214支撑,底座部分214在图2C中是分割凹凸图案的一个整体部分。
悬伸部分13有一外边界13a,该外边界13a包括在预定位置上弯曲形成弯曲13b-e的直段。弯曲13b是一外弯曲,因为将该弯曲一侧上的各点与其另一侧上各点相连的段穿过凹凸图案13。类似地,弯曲13c-e是内弯曲,因为各段在凹凸图案13之外延伸。弯曲13d和13e是3向T形结点的一部分,该结点用来将电极层分割成3个互相分开的电极段11a、11b和11d。
由于有下部切去区15,所以在制造过程(以下描述一详细实例)中,悬伸部分13可以将第二电极层图案化,以将其分成不同的段11a、11b、11c和11d,从而产生可独立寻址的电极11a、11b和11d以及非功能电极材料制成的段11c。但是,由于弯曲13-b-e不足够平滑,所以存在没有理想地分开电极段的很大危险。图1中示出了弯曲13b、13d和13e的这种情况。在弯曲13b和13d处,电极段11a和11c是连接的,而在弯曲13d处,电极段11c和11d是连接的,这导致形成一导电通路,该通路将电极段11a和11d连接起来,由此形成一短路第二电极层。需要在相邻段之间如这里所示那样形成短路,但是一电极段可能会和可通过非功能段11c与其连接的任何段短路。在实际的设计中,任何表示为可独立寻址的两段都可通过凹凸图案顶部上的非功能段连接。
图3和4示意性地示出了一种电致发光装置的一个生产阶段,其用来表示短路电极问题的起因。特别是,图中示出了EL装置1生产过程中的一个阶段。图示阶段是对可得到悬伸部分13(其轮廓用虚线示出)的可用光图案化的材料进行照射。在本实例中,可用光图案化的材料是一种负性光阻材料。通过对层12经一掩膜17进行接近式图案化曝光,其中该掩膜17有开口17b,形成完全照射区域12c和非照射区域12a。由于在掩膜边缘17a有衍射效应,所以还形成中间照射区域12b,将其理解为不同区域间的过渡不是陡然而是逐渐变化的。由于所采用的负性光阻材料具有使非照射区域12a为可溶性而使完全照射区域12c为非溶解性的特性,所以中间照射区域12b具有中间溶解性,这样,在显影之后,在悬伸部分13中产生下部切去区15。通过改变图案化过程中的参数,尤其是通过改变掩膜15到层12的距离,可以实现适当的下部切去量。
参见图3,掩膜17限定悬伸部分13的轮廓。中间照射区域12b位于掩膜边缘17a与外边界13a之间。图4所示照射图案对于远离弯曲的位置来说很典型。但是,在弯曲13b-e(见图2)处,照射图案表现得与其不同。至少一个不同之处在于,在外弯曲例如弯曲13b处,中间照射区如区14b接收较少的光,相对于远离该弯曲的区来说曝光不足。在内弯曲例如弯曲13c-e处,中间照射区如区14c-e接收的光比直段的中间照射区如区12b多。此外,在衬底表面反射光的情况下,区14b-e中的干涉图案通常与区12b中建立的图案不同。由于区14b与区12b之间的照射存在差异,所以悬伸部分13直线段处下部切去的程度与弯曲位置13b-e的下部切去程度基本上不同。
这些弯曲处下部切去程度的减小使得电极无法按需要得到分割的危险增大,导致产生例如图1所示的装置。
在悬伸部分13包括一n向结点如图1和3中所示的3向T形结点的情况下,各电极段不经意连接的危险尤其很大。
作为实例,如下制造EL装置1以一传统的方式使透明的钙玻璃衬底3配有一图案化的第一ITO电极层5,该电极层具有段5a、5b。
然后,在清洁和准备好涂覆有ITO的衬底之后,将图像反转光阻材料AZ5214E(厂商是Hoechst)旋涂在该衬底上,得到一5μm厚的光阻材料层12。通过具有20μm宽开口17b的掩膜17,利用照射光417使光阻材料层12受到第一图案化方式曝光。用一距衬底50μm的掩膜进行接近式曝光,并且将35mJ/cm2的剂量传送到完全照射区12c中的光阻材料层12上。由于掩膜边缘17a处有衍射,所以提供了中间曝光区12b。然后在一温度在110°的热板上对光阻材料层12做烧硬处理达10分钟以使潜象反转(reverse),以420mJ/cm2的剂量对其作强曝光,通过浸入一显影槽中,用1∶1的AZ显影水混合物对其显影达90秒。显影之后,得到该分割凹凸图案,其有一倒梯形形式的悬伸部分13,该倒梯形顶部尺寸是24μm,底部尺寸约为20μm,由此产生一下部切去部分15,其下部切去的程度U约为4μm,下部切去的角度约为45°。
通过旋涂聚-3,4-乙烯二氧噻吩水溶液、PEDOT,(Baytron P,厂商是Bayer AG),并且对湿PEDOT层做干燥处理,淀积一电荷转移层7,从而得到厚度为150nm的层7。
随后,以1250转/分旋涂一重量百分比为0.6%的聚合物溶液,产生平均厚度为11.6μm的湿层,聚合物的分子式如下(1)所示,其中OC10表示3,7二甲辛氧基,r和1-r等于0.5并且表示具有方括号中所示结构的单元的成分比例,在甲苯中分别将r和1-r作为这些方括号所示结构的下标。 根据与WO99/21936中类似的方法合成共聚物。在对湿层做干燥处理之后,得到多个平均厚度为70nm的NRS-PPV有机EL层9。
当将具有悬伸部分13的凹凸图案用作一内置遮光板时,借助真空淀积金属蒸汽,将3nm厚的Ba和200nm厚的A1层接连淀积到EL层9的顶部上,如此形成一分割的第二电极层,该电极层包括电极段11a-d,其中电极段11a、11b和11d是可独立寻址的阴极,电极段11c是非功能性电极材料。
当多次重复使用该方法时,发现在许多情况下,所得到的装置是有缺陷的,因为那些应当是可独立寻址的电极段实际上是电连接的。该产量取决于第二电极层的所需图案,尤其是取决于其所含弯曲的数目。
(根据本发明的)实施例2图5示意性地示出了根据本发明的EL装置的平面图。
图6示出图5平面图的局部放大图。
EL装置51与EL装置1相同,尤其是沿与图1的线I-I相应的线所取的图2所示剖视图相同,不过根据本发明,其悬伸部分13的外边界13a的各弯曲13b-e足够平滑。
为了图示说明本发明,该凹凸图案包括足够平滑弯曲的各种可能。实际上,优选在整个过程中采用一个相同类型的弯曲。
圆形段18a和18b分别令外弯曲13b和内弯曲13e足够平滑,外弯曲13b的放大图示于图6中。制成圆形的程度由圆形段18a、18b上各位置的曲率半径确定,将该半径规定为位于与衬底表面平行的表面内。在本实施例中,衬底表面是与图5图形平面平行的一个平面。
图6中画出的圆在位置X和Y处与圆形段18a接触,而图5中的圆在位置Z处与圆形段18b接触。这些圆与圆形段18a在位置X和Y上有相同的切线,并且分别由曲率半径Rx和Ry表征。同样地,Z处的曲率半径为Rz。在圆形段18a和18b基本上每一个位置上的曲率半径都超过一规定的最小曲率半径,以减小电极段不经意连接的危险。
通过将最小曲率半径设定为1μm,明显减小了所述危险。通过将该值分别设定为2μm、5μm或10μm,进一步减小了该危险。对于许多应用来说,可以适当采用15μm或更大的最小值。尤其是,圆形段18a和18b可以是圆的段,因此各段有恒定的曲率。
用直线段20和直线段19分别斜切内弯曲13c和13d,直线段20与相邻的直线段有夹角20a和20b,直线段20和19与相邻的直线段有夹角19a和19b。各段20和19的长度以及这些段与相邻直线段之间的夹角分别要有一规定的最小长度和最小夹角,以减小第二电极层的电极段不经意连接的危险。
一种方便的设计标准是,段17的长度要至少是2μm,夹角至少是120°。也可以选择,在适当的时候,可以将最小夹角选为例如110°、130°或140°,而最小长度可以是3μm、5μm、10μm甚或20μm。
如果根据实施例1中所述的方法制造大量具有足够平滑弯曲的EL装置51,那么该制造过程的产量会显著增加。根据第二凹凸图案的所需图案,产量通常可以增长4倍或更大。
图7示出根据本发明的EL装置中所用一分割凹凸图案的另一个实施例的平面图。该凹凸图案尤其用于被动矩阵型电致发光显示装置中。该凹凸图案包括悬伸部分713,这些悬伸部分713允许将分开的电极段淀积在区域711a和711b中。悬伸部分713有一外边界713a,该外边界在预定位置713b和713c处弯曲,从而形成一伸长的直线部分716,直线部分716上载有与其成直角延伸的突起714和715。利用圆形段714a和715a使外弯曲713b足够平滑,而利用圆形段715b使内弯曲713c平滑,或者利用直段714b将其斜切。如果外边界713a在各弯曲(由虚线表示)处不平滑,那么各弯曲处的下部切去部分就不足,会增加各电极段711a和711b通过例如区域711a侧面上的弯曲713c、淀积在伸长部分716顶部的非功能性电极材料和另一侧上的弯曲如713c不经意连接的危险。
权利要求
1.一种电致发光装置,包括一衬底表面,该表面设有一分割凹凸图案,该凹凸图案包括一悬伸部分,该悬伸部分被下部切去以用于将电致发光装置的一电极层图案化,该悬伸部分有一外边界,该外边界包括至少一个直段和位于一预定位置处的弯曲,其特征在于,该弯曲平滑得足以使悬伸部分在一弯曲处被下部切去的程度与悬伸部分的直段处基本上相同。
2.一种电致发光装置,包括一衬底表面,该表面设有一分割凹凸图案,该凹凸图案包括一悬伸部分,该悬伸部分被下部切去以用于将电致发光装置的一电极层图案化,该悬伸部分有一外边界,该外边界包括至少一个直段和位于一预定位置处的弯曲,其特征在于,该弯曲包括一圆形段,该圆形段在一基本上平行于衬底表面的表面中,基本上在每一个位置上的曲率半径至少为1μm。
3.一种电致发光装置,包括一衬底表面,该表面设有一分割凹凸图案,该凹凸图案包括一悬伸部分,该悬伸部分被下部切去以用于将电致发光装置的一电极层图案化,该悬伸部分有一外边界,该外边界包括至少一个直段和位于一预定位置处的弯曲,其特征在于,该弯曲是通过设置一斜切段而有斜面的,该斜切段的长度至少为2μm,且和与其相连的外边界直段的夹角至少为120°。
4.如权利要求1、2或3所述的电致发光装置,其中悬伸部分包括一用光图案化的或者一可用光图案化的材料,如光阻材料。
5.如权利要求1、2、3或4所述的电致发光装置,其中悬伸部分由一种可用光图案化负性材料或与其等效的材料整体形成。
6.如权利要求1、2、3、4或5所述的电致发光装置,其特征在于,悬伸部分包括一n向结点,n至少是3,用来将电极层分割成n个互相分开的电极段,n向结点的外边界包括多个足够平滑的弯曲。
7.如权利要求6所述的电致发光装置,其中电致发光装置是一分段电致发光装置。
8.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的电致发光装置,其中凹凸图案包括一悬伸部分,该悬伸部分具有至少两个突起,每一个突起包括权利要求1、2、3、4、5、6或7中任意一项所需类型的多个弯曲。
全文摘要
一种电致发光装置(51)包括一具有悬伸部分(13)的分割凹凸图案,该图案用于将该电致发光装置(51)的电极层分割成多个可独立寻址的电极段(11a,11b,11d)。该悬伸部分(13)在预定位置处(13b,13c,13d,13e)被弯曲。如此形成的弯曲是圆形的和/或有斜面的,以便减小电极段(11a,11b,11d)无意中通过悬伸部分(13)顶部上的第二电极层段连接的危险。
文档编号H05B33/22GK1465101SQ02802284
公开日2003年12月31日 申请日期2002年4月18日 优先权日2001年5月3日
发明者L·M·J·范德谢夫特, H·里夫卡 申请人:皇家菲利浦电子有限公司
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