专利名称：一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及氮化镓MOCVD外延生长工艺，尤其是一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底。
背景技术：
作为一种具有优异光电性质的宽禁带半导体，氮化镓材料在高温、高频、大功率电子器件和蓝、紫光LD、LED等光电子器件领域有广泛的应用市场。由于很难得到较大尺寸的氮化镓单晶材料，目前主要是采用外延生长技术生长氮化镓单晶薄膜，常见的衬底是2英寸蓝宝石衬底，现有的蓝宝石衬底的几何形状带有主标志面，主标志面和衬底圆弧边缘形成钝角，蓝宝石衬底放在石墨基座的凹槽内。生长过程中，石墨基座转动带动衬底转动，衬底主标志面两侧的钝角会与石墨基座凹槽缺口形成点接触区，反复摩擦、碰撞石墨基座上的碳化硅保护层，使碳化硅保护层破坏。反应氨气从破损处沿着石墨基座向里渗透，由于里层温度比外层温度高，导致石墨基座出现由里到外的腐蚀坑，最终导致石墨基座穿孔报废。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底，该新型蓝宝石衬底可以减少衬底边缘对基座接触部分碳化硅保护层的破坏，从而延长石墨基座的使用寿命。
本实用新型的技术方案为一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底该新型衬底为完整圆形，在背面刻有晶面标志线以便于外延生长和芯片加工。
本实用新型的优点在于改用圆形衬底以后，生长过程中，石墨基座转动带动衬底转动，衬底与石墨基座凹槽边缘有接触，但衬底和石墨基座凹槽边缘接触部分变大，减少衬底边缘对接触部分碳化硅保护层的破坏，从而延长石墨基座的使用寿命。
图1为本实用新型新型蓝宝石衬底结构示意图；图2为原有衬底结构示意图；图3为现有蓝宝石衬底钝角和石墨基座凹槽缺口边缘碰撞示意图；
图4为本实用新型蓝宝石衬底和石墨基座凹槽边缘碰撞示意图。
具体实施方式
一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底，采用圆形蓝宝石衬底代替现有氮化镓外延生长的蓝宝石衬底，取消现有衬底上的主标志面，延长石墨基座使用寿命的方法。新型衬底1为完整圆形，没有主标志面，在背面刻有晶面标志线2以便于外延生长和芯片加工。改用圆形衬底以后，生长过程中，石墨基座转动带动衬底1转动，衬底1与石墨基座凹槽边缘有接触，但衬底1和石墨基座凹槽边缘接触部分变大，减少衬底1边缘对接触部分碳化硅保护层的破坏，从而延长石墨基座的使用寿命。
权利要求1.一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底，其特征在于该种用于氮化镓外延生长的蓝宝石衬底(1)形状为圆形，在背面刻有晶面标志(2)，以便于外延生长和芯片加工。
专利摘要本实用新型公开一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底，采用圆形蓝宝石衬底代替现有的氮化镓外延生长蓝宝石衬底，取消蓝宝石衬底上的主标志面，减小主标志面上的钝角部分对石墨基座凹槽缺口边缘的局部摩擦、撞击，延长石墨基座使用的寿命，降低生产成本，使工作效率进一步提高。
文档编号C30B25/18GK2685356SQ200320128260
公开日2005年3月16日 申请日期2003年12月30日 优先权日2003年12月30日
发明者王怀兵, 田洪涛, 何清华, 熊建明 申请人:江西方大福科信息材料有限公司