专利名称：准同轴传输线的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种准同轴传输线。
背景技术：
在此交叉引用的Casey等人的题为“Methods for Making MicrowaveCircuits”的专利申请，公开了制造微波电路的方法，在该微波电路中，导线被密封在普通梯形的电介质堆中。如Casey等人所公开的，微波电路可以通过在接地面(ground plane)上方沉积第一电介质，然后在第一电介质上形成导线来形成。然后在导线和第一电介质上方沉积第二电介质，藉此将导线密封在第一和第二电介质之间。最后，在第一和第二电介质层上面形成接地屏蔽层。
发明内容
本发明的一方面体现为装置，该装置包括电介质层、多个导线、多个电介质堆以及第一和第二接地屏蔽。每个所述导线被密封在所述电介质层和相应的一个所述电介质堆之间。所述第一接地屏蔽位于所述电介质层的下方，而第二接地屏蔽位于所述电介质堆的上方。
本发明的另一方面体现为一种形成传输线的方法。该方法包括在位于第一接地屏蔽上方的电介质层上沉积多个导线。然后在每一导线上方沉积电介质堆。此后，在所述电介质堆上沉积第二接地屏蔽。
本发明还公开了其他实施例。
在附图中示出了本发明的示例性实施例，其中图1示出了第一多个准同轴传输线；
图2示出了第二多个准同轴传输线，其能够以比图1中所示的准同轴传输线更大的密度形成；图3示出了图2中所示的传输线的横截面；图4示出了图3中横截面的第一替代方案，其中导电过孔耦合第一和第二接地屏蔽；图5示出了图4中所示的电介质层的平面图；图6示出了图4中所示的电介质层的第一替代平面图；图7示出了图4中所示的电介质层的第二替代平面图；图8示出了图3中横截面的第二替代方案，其中电介质堆间隔更大的距离；和图9图示了用于形成图2-4和图8中的准同轴传输线的示例性方法。
具体实施例方式
图1示出了根据在这里交叉引用的Casey等人的题为“Methods forMaking Microwave Circuits”的专利申请的教导所形成的多个准同轴传输线100、102。如在这里定义的，准同轴传输线100包括导线104，其横截面以非对称方式被屏蔽106、108。
图2和图3示出了根据在此公开的方法所形成的多个准同轴传输线200、202。图2示出了传输线200、202的立体图；而图3示出了传输线200、202的横截面。
参照图3，可以看出多个(即两个或更多)导线204、206被密封在电介质层208和多个电介质堆210、212之间。也就是说，每一个导线204、206被密封在电介质层208和电介质堆210、212中的相应一个之间。
导线204、206由第一接地屏蔽214和第二接地屏蔽216屏蔽，其中第一接地屏蔽214位于电介质层208的下方，而第二接地屏蔽216位于电介质堆210、212的上方。第一接地屏蔽214可以被沉积在衬底218上面(或可以形成衬底218)。电介质层208然后可以被沉积在第一接地屏蔽214上面。第二接地屏蔽216可以被沉积在电介质堆210、212上面。
为了向导线204、206提供较好的屏蔽效果，图3中的横截面可以如图4中所示那样进行修改。在图4中，多个导电过孔400、402、404被形成在电介质层208中。导电过孔400-404在多个导线204、206周围地点处耦合第一和第二接地屏蔽214、216。图5示出了图4中所示的电介质层208经1)在其中已经形成导电过孔400-404、500-516，以及2)在其上已经沉积了导线204、206后的示例性平面图。
图6示出了图4中所示的电介质层208的替代平面图。在图6中，多个接地衬垫(pad)602-624被沉积在电介质层208上面。接地衬垫602-624可以被放置成与导电过孔400-404、500-516接触，以提供用于将第二接地屏蔽216耦合到导电过孔400-404、500-516的更好装置。
图7示出了图4中所示的电介质层208的另一个替代平面图。在图7中，多个接地迹线700、702、704被沉积在电介质层208上面。与接地衬垫600-604相类似，接地迹线700-704可以被放置成与导电过孔400-404、500-516相接触，以提供用于将第二接地屏蔽216耦合到导电过孔400-404、500-516的更好装置。接地迹线700-704可能比接地衬垫602-624的有利之处在于它们能够沿导线204-206的整个长度方向发送接地信号。
尽管图2-4图示了彼此之间直接毗邻(即，电介质堆210、212接触或接近于接触)的电介质堆210、212，但是电介质堆210、212不需要彼此之间如此接近。然而，当电介质堆210、212彼此间隔小于电介质堆210、212中一个的宽度时，图2中所示的准同轴传输线200、202可以以比图1中所示的准同轴传输线100、102更大的密度形成。有时，在电介质堆210、212之间提供小量空间是有利的(例如，使第二接地屏蔽216更好地接触在电介质层208上形成的接地迹线700-704；见图8)。
作为示例，图2和图3中所示的电介质层208和电介质堆210、212可以是玻璃或陶瓷电介质。在一个实施例中，电介质是可以从HeraeusCermalloy公司(24 Union Hill Road，West Conshohocken，Pennsylvania，USA)获得的KQ CL-90-7858电介质(厚膜玻璃电介质)。衬底218可以是在其上沉积有金接地屏蔽214的40密耳的重叠铝陶瓷衬底。或者，衬底218可以具有玻璃、陶瓷、聚合物、金属或共他合成物。如果是金属，则衬底218自己可以充当第一接地屏蔽214。导线204、206和接地屏蔽214、216以及，如果提供的话，接地衬垫602-624和接地迹线700-704，可以通过借助于合适的模板或丝网来印刷例如DuPontQG150的厚膜导电胶来沉积。
图9示出了用来形成图2-4中所示的屏蔽传输线200、202的示例性方法900。最初，多个导线204、206被沉积902在位于第一接地屏蔽214上方的电介质层208上。然后，电介质堆210、212被沉积904在每个导线204、206的上方。此后，第二接地屏蔽216被沉积906在电介质堆210、212上方。可选地，可以在电介质层208上沉积电介质堆210、212之前(并且可以在沉积导线204、206之前)，在电介质层208中形成908多个导电过孔400-404、500-516。如图5中所示，导电过孔400-404、500-516可以接触第一接地屏蔽214，并可以形成在多个导线204、206周围的地点处。如果导电过孔400-404、500-516形成，那么电介质堆210、212和第二接地屏蔽216被优选地沉积(例如，调整大小和间隔)，以确保第二接地屏蔽216和导电过孔400-404、500-516之间的接触。另外可选地，接地衬垫600-624和/或接地迹线700-704可以被沉积910在电介质层208上面，以接触导电过孔400-404、500-516。
电介质层208和电介质堆210、212可以例如通过使用厚膜印刷工艺沉积。Casey等人的题为“Methods for Making Microwave Circuits”的专利申请中公开了一些示例性厚膜印刷工艺。根据Casey等人的方法，每一个电介质都可以通过印刷多层厚膜电介质并且随后烘干这些层来沉积。如果需要，电介质层208和/或电介质堆210、212可以进行研磨或者抛光，以调整它们的厚度。为了向导线204、206的沉积提供更光滑的表面，抛光电介质层208也是可取的。
这里公开的方法和装置在一个方面是有利的，即他们能够以较之以前可能的密度更大的密度来形成准同轴传输线200、202。
本申请涉及到John F.Casey等人的题为“Methods for MakingMicrowave Circuits”的申请、John F.Casey等人的题为“Methods forForming a Conductor on a Dielectric”的申请、以及John F.Casey等人的题为“Methods for Depositing a Thickfilm Dielectric on a Substrate”的申请。这些申请通过引用其所有公开被结合。
虽然，这里详细描述了本发明的示例性和目前优选的实施例，但可以理解，创造性思想可以以其它方式进行各种体现和应用，权利要求应当被解释为包括除了现有技术所限定的以外的这些变化。
权利要求
1.一种装置，包括a)电介质层；b)多个导线；c)多个电介质堆，其中每个所述导线被密封在所述电介质层和相应的一个所述电介质堆之间；和d)位于所述电介质层下方的第一接地屏蔽，以及位于所述电介质堆上方的第二接地屏蔽。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述第二接地屏蔽被沉积在所述电介质堆上。
3.如权利要求2所述的装置，还包括所述电介质层中的多个导电过孔；所述导电过孔在所述多个导线周围的地点处耦合所述第一和第二接地屏蔽。
4.如权利要求3所述的装置，还包括沉积在所述电介质层上的多个接地衬垫；所述接地衬垫提供用于将所述第二接地屏蔽耦合到所述导电过孔的装置。
5.如权利要求2所述的装置，还包括沉积在所述电介质层上的多个接地迹线；所述接地迹线提供用于将所述第二接地屏蔽耦合到所述导电过孔的装置。
6.如权利要求1所述的装置，其中至少一些所述电介质堆彼此间隔一定距离，该距离小于所述电介质堆中一个的宽度。
7.如权利要求1所述的装置，其中至少一些所述电介质堆彼此直接毗邻。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述电介质层和电介质堆是玻璃电介质。
9.如权利要求1所述的装置，其中所述电介质层和电介质堆是KQ电介质。
10.如权利要求9所述的装置，其中所述KQ电介质是KQ CL-90-7858电介质。
11.如权利要求1所述的装置，其中所述电介质层和电介质堆是厚膜电介质。
12.如权利要求1所述的装置，还包括衬底；所述第一接地屏蔽沉积在所述衬底上，并且所述电介质层沉积在所述第一接地屏蔽上。
13.如权利要求1所述的装置，其中所述导线和第二接地屏蔽包括DuPontQG150金。
14.如权利要求1所述的装置，其中所述电介质层、电介质堆、导线、以及第二接地屏蔽包括厚膜。
15.一种形成传输线的方法，包括a)在位于第一接地屏蔽上方的电介质层上沉积多个导线；b)在每个导线上方沉积电介质堆；和c)在所述电介质堆上沉积第二接地屏蔽。
16.如权利要求15所述的方法，还包括在沉积所述电介质堆之前，在所述电介质层中、在所述多个导线周围的地点处形成多个导电过孔；所述导电过孔接触所述第一接地屏蔽；其中沉积所述电介质堆和第二接地屏蔽，以确保所述第二接地屏蔽和导电过孔之间的接触。
17.如权利要求16所述的方法，还包括在沉积所述电介质堆之前，在所述电介质层上沉积多个接地衬垫；所述接地衬垫接触所述导电过孔。
18.如权利要求16所述的方法，还包括在沉积所述电介质堆之前，在所述电介质层上沉积多个接地迹线；所述接地迹线接触所述导电过孔。
19.如权利要求15所述的方法，其中所述电介质层和电介质堆是KQ电介质。
20.如权利要求19所述的方法，其中每个电介质通过印刷多层厚膜电介质并且随后烘干所述层来沉积。
全文摘要
本发明涉及一种准同轴传输线。在电介质层上沉积多个导线，所述电介质层位于第一接地屏蔽上方。然后，在每一导线上面沉积电介质堆。此后，第二接地屏蔽被沉积在所述电介质堆上面。准同轴传输线因此形成。沉积在所述电介质堆“下面”的所述导线可以以比密封在电介质堆“内部”的导线更大的密度沉积。例如，通过所述电介质层中的导电过孔来耦合所述第一和第二接地屏蔽，可以提供所述导线的额外的屏蔽。
文档编号H05K1/02GK1645668SQ20041007045
公开日2005年7月27日 申请日期2004年8月2日 优先权日2004年1月20日
发明者刘易斯·R·达夫, 约翰·F·凯西 申请人:安捷伦科技有限公司