专利名称：有机电致发光装置及其制造方法、电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法以及电子设备。
背景技术：
近年来，对代替液晶显示器的且作为自发发光型显示器而使用有机物的发光装置的研发正在加速。在将这种有机物用作发光材料的有机电致发光装置(本说明书中称为有机EL装置)的制造方法中，众所周知有使用真空蒸镀法的方法、使用喷墨法(液滴喷出法)等湿式成膜法的方法。使用真空蒸镀法的方法是在隔着掩模使基板和蒸镀源对向配置的状态下，使低分子类发光材料气化，形成与掩模图形相对应的发光层(例如参照专利文献1)。对此，使用喷墨法的方法是按照位图(bitmap)等图形数据，喷出(涂敷)含有高分子类发光材料的液体材料，形成与该位形相对应的发光层。
在这种喷墨法中，能够高分辨率地喷出、涂敷直径为μm级的液滴，所以可以形成高清晰图形。另外，因为只对规定图形喷出液体材料，所以具有不浪费材料，且能在低成本情况下制造有机EL装置的优点。
另外，作为进行喷墨法的前工序，一般周知有在基板上相对形成疏液部和亲液部的方法。例如，都知道对疏液性的树脂绝缘层和亲液性的氧化硅层进行层叠的方法。另外，近年来，周知的方法是在整个基板上形成自我组织化膜的疏液膜，隔着掩模实施紫外线照射以部分除去疏液膜，从而形成亲液图形(例如参照专利文献2)。在上述任意方法中，使喷出到疏液部的液体材料朝向亲液部流动，在该亲液部滞留液体材料成为可能。
接着，对在层叠形成亲液部以及疏液部之后使用喷墨法制造的有机EL装置进行说明。
图11(a)是有机EL装置的主要部分截面图。在图11(a)中，符号300表示像素电极，符号301表示氧化硅层(亲液部)，符号302表示树脂绝缘层(疏液部)，符号303表示空穴注入层，符号304表示发光层，符号305表示阴极。这里，空穴注入层303和发光层304是通过使用喷墨法涂敷液体材料而形成的，所以具有和树脂绝缘层302的接触面，进而，通过干燥液体材料中的溶剂而形成，所以中央部xc发生薄膜化，在端部x1、x2处成为厚膜化的膜厚外形(截面形状)。
但问题是，当测量如上所述形成的发光层304的亮度分布时，如图11(b)所示，端部x1、x2的亮度降低，中央部xc的亮度增高，造成亮度不均匀。而且，当使发光层304长时间发光时，如图11(c)所示，亮度劣化不断进行，中央部xc的亮度低于端部x1、x2。
这种亮度的不均匀化不只是降低发光寿命，还不能显示需要的发光颜色。
而且，当为了实现中央部xc以及端部x1、x2的膜厚均匀化而使树脂绝缘层302薄膜化时，设置在像素电极300下方的薄膜晶体管和阴极305之间产生寄生电容，从而出现串扰。另外，薄膜晶体管受到寄生电容的影响，由此无法得到正常的开关特性，降低显示品位。
另外，薄膜晶体管和阴极305之间的寄生电容增加的影响是指增大信号线或扫描线的电容负荷，增大信号线或扫描线的驱动电路的负荷。如果这些驱动电路的驱动能力相同，则难以传递信号线或扫描线的信号，影响开关元件的动作。
专利文献1特开平9-204985号公报；专利文献2特开2002-237383号公报。
发明内容
本发明正是鉴于上述的课题而首创的发明，其目的在于提供一种有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法以及电子设备，通过使空穴注入层或发光层等的截面外形均匀化而实现亮度分布的均匀化，进而控制薄膜晶体管等开关元件和阴极之间的寄生电容以获得到良好显示特性。
为了达到上述目的，本发明采用下面的构成。
本发明的有机电致发光装置，包括形成在基板上的扫描线以及信号线、形成在该扫描线和该信号线的交叉部附近的开关元件、按照该开关元件的动作而发光的发光功能层、和在该发光功能层的相互之间形成的第1和第2绝缘层，其特征在于，所述第2绝缘层形成在与所述发光功能层未接触的位置，同时至少形成在与所述扫描线、所述信号线、以及所述开关元件相对应的位置；在所述第1和第2绝缘层上形成覆盖该第1和第2绝缘层的疏液性薄膜。
这里，开关元件是指按照扫描线和信号线的各电位动作的元件，主要控制发光功能层的发光/非发光状态、中间亮度的发光状态。另外，开关元件除了进行这种开关动作之外，也作为对扫描线以及信号线所赋予的信号进行处理的信号处理电路或补偿电路的元件发挥功能。
另外，发光功能层是指采用液滴喷出法在电极上涂敷形成的空穴注入层或发光层等。
根据本发明，由于至少在与扫描线、信号线、以及开关元件相对应的位置形成第2绝缘层，所以能够大幅度降低针对该扫描线、信号线、以及开关元件的寄生电容，从而能够抑制寄生电容的影响。因此，能够防止寄生电容引起的串扰的出现。另外，抑制扫描线和信号线的驱动电路的负荷成为可能，从而能够抑制传递扫描线和信号线的电信号的延迟或失真。由此，开关元件进行良好的开关动作，所以能够完成显示品位优良的有机EL装置。
特别地，本发明是根据下述观点完成的发明，与对发光功能层供电的驱动用晶体管相比，信号线、扫描线、以及开关元件容易受寄生电容的影响。具体地说，驱动用晶体管连接在提供稳定电位的电源线上，所以电位稳定。对此，信号线、扫描线、以及开关元件在周围的电场或寄生电容的作用下，具有比驱动用晶体管更容易产生电位变动的特性。
因此，本发明通过在对应于信号线、扫描线、以及开关元件的位置上形成第2绝缘层，降低这些布线以及元件的寄生电容，减少传递它们的电信号的延迟或失真，由此抑制寄生电容的影响，实现显示品位优良的有机EL装置。
另外，根据本发明，由于发光功能层和第2绝缘层配置在未接触的位置上，所以当使用液滴喷出法涂敷形成发光功能层的液体材料时，不出现如以往技术所示的液体材料和第2绝缘层的接触。而且，因为形成有疏液性薄膜，所以在由该疏液性薄膜覆盖的第1以及第2绝缘层上，液体材料不会蔓延。因此，能够只在疏液性薄膜的未形成部分上容纳液体材料而涂敷形成。然后，通过干燥该未形成部分的液体材料中的溶剂而形成发光功能层，所以不会蔓延至疏液性薄膜上，也不会和第2绝缘层接触，从而能够形成发光功能层。而且，能够完成这种发光功能层的膜厚外形(截面形状)的均匀化。
在上述有机EL装置上，其特征在于，进一步具备驱动元件，其按照所述开关元件的动作，发光驱动所述发光功能层；在和该驱动元件相对应的位置上形成所述第2绝缘层。
这里，驱动元件是指构成开关元件的后段侧的电路的元件，例如是指电源线、连接电源线上的驱动用晶体管、开关元件和驱动用晶体管之间的布线、保持驱动用晶体管的动作的保持电容、电源线和驱动用晶体管之间的布线等。这种驱动元件是通过任何开关元件的动作而从动工作的元件。
根据本发明，可以获得与上述有机EL装置相同的效果，同时通过在对应于驱动元件的位置上形成第2绝缘层，能够大幅度降低相对该驱动元件的寄生电容，从而能够进一步抑制寄生电容的影响。因此，能够防止寄生电容造成的串扰的出现。由此，驱动元件进行良好的动作，能够完成显示品位优良的有机EL装置。
在上述有机EL装置中，其特征在于，所述疏液性薄膜是单分子膜。
由此，能够形成由从单分子到2个分子左右的分子层构成的疏液性薄膜。另外，由此，能够通过湿式成膜法形成单分子膜。
在这种单分子膜中，优选采用偶合剂。偶合剂具有在紫外线照射下发生分解的性质，所以通过朝向全面形成的疏液性薄膜进行局部紫外线照射，能够形成规定图形的疏液性薄膜。
在上述有机EL装置中，其特征在于，所述疏液性薄膜是树脂膜。
由此，能够形成由树脂材料构成疏液性薄膜。另外。由此能够采用湿式成膜法形成树脂膜。在这种树脂材料中，可以适宜采用非感光性树脂材料和感光性树脂材料。如果使用非感光性树脂材料，能够通过使用光刻法和蚀刻法形成规定图形的疏液性薄膜。另外，如果使用感光性树脂材料，能够通过显影处理形成规定图形的疏液性薄膜。
另外，当树脂材料自身没有疏液性时，通过实施疏液处理而可以赋予疏液性，从而能够形成疏液性薄膜。
在上述有机EL装置中，其特征在于，与所述发光功能层的膜厚相比，所述疏液性薄膜的膜厚是其1.5倍以下的膜厚。
由此，在干燥发光功能层的液体材料所含的溶剂之后，能够确实可靠地防止材料向疏液性薄膜的蔓延。而且，因为膜厚在1.5倍以下，所以能够更好地平整发光功能层。
在上述有机EL装置中，其特征在于，所述疏液性薄膜连续覆盖所述第2绝缘层的侧部和所述第1绝缘层的上部。
由此，在疏液性薄膜的上面没有液体材料的蔓延，所以发光功能层的液体材料不接触第2绝缘层。因此，能够确实可靠地将第2绝缘层的侧部和发光功能层保持在未接触状态。
在上述有机EL装置中，其特征在于，所述第1绝缘层具有露出电极的开口部，在该开口部接触配置有所述电极和所述发光功能层。
由此，发光功能层和电极在开口部发生接触，所以刚好能够从电极向发光功能层注入载流子。另外，第1绝缘层优选材料自身具有亲液性，此时有利于在电极上润湿扩展发光功能层的液体材料。
本发明还提供一种有机EL装置的制造方法，所述有机EL装置包括形成在基板上的扫描线以及信号线、形成在该扫描线以及该信号线交叉部附近的开关元件、按照该开关元件的动作进行发光的发光功能层、和在该发光功能层的相互之间形成的第1以及第2绝缘层，其特征在于，所述制造方法具有在和所述发光功能层未接触的位置上、且至少在与所述扫描线、所述信号线、以及开关元件对应的位置上形成所述第2绝缘层的工序、和形成覆盖所述第1以及第2绝缘层的疏液性薄膜的工序。
根据本发明，至少在对应于扫描线、信号线以及开关元件的位置上形成第2绝缘层，所以能够针对该扫描线、信号线以及开关元件大幅度降低寄生电容，从而能够抑制寄生电容的影响。因此，能够防止寄生电容造成的串扰的产生。由此，开关元件进行良好的开关动作，所以能够完成显示品位优良的有机EL装置。
另外，根据本发明，以不和发光功能层接触的方式配置第2绝缘层，所以当使用液滴喷出法涂敷形成发光功能层的液体材料时，不出现如以往技术所示的液体材料和第2绝缘层的接触。而且，因为形成有疏液性薄膜，所以在由该疏液性薄膜覆盖的第1以及第2绝缘层上，液体材料不会蔓延。因此，能够只在疏液性薄膜的未形成部分上容纳液体材料而涂敷形成。然后，通过干燥该未形成部分的液体材料中的溶剂而形成发光功能层，所以不会蔓延至疏液性薄膜上，也不会和第2绝缘层接触，从而能够形成发光功能层。能够完成这种发光功能层的膜厚外形(截面形状)的均匀化。
在上述有机EL装置的制造方法中，其特征在于，形成所述疏液性薄膜的工序具有涂敷含有单分子膜材料的液体材料而在所述基板的整个面上形成单分子膜的工序、和除去所述单分子膜的一部分而露出电极的工序。
由此，能够在除电极上以外的部分上形成由单分子膜构成的疏液性薄膜。另外，通过露出电极，当在电极上涂敷液体材料时而可以只在电极上使液体材料润湿扩展，从而能够形成液体材料所含的发光功能层。
在上述有机EL装置的制造方法中，其特征在于，除去所述单分子膜的一部分而露出电极的工序，是借助具有遮光部和透光部的掩模对所述单分子膜照射紫外线。
由此，分解除去被紫外线照射的部分的单分子膜。然后，隔着掩模照射紫外线，所以在通过掩模的透光部的紫外线的作用下，能够除去单分子膜。另外，能够使位于掩模的遮光部所遮蔽的部分的单分子膜残留。即，能够按照掩模上形成的遮光部和透光部的图形除去单分子膜。
在上述有机EL装置的制造方法中，其特征在于，除去所述单分子膜的一部分而露出电极的工序，是借助具有遮光部和透光部的所述基板对所述单分子膜照射紫外线。
由此，基板自身发挥掩模的功能，所以能够进行无掩模的紫外线照射。这里，基板上的遮光部优选和扫描线、信号线、开关元件、驱动元件、第1以及第2绝缘层相对应，基板上的透光部优选和透明电极相对应。
在上述有机EL装置的制造方法中，其特征在于，形成所述疏液性薄膜的工序具有涂敷含有树脂材料的液体材料而在所述基板的整个面上形成树脂膜的工序、除去该树脂膜的一部分而露出电极的工序、和实施亲液处理以及疏液处理的工序。
由此，能够形成由树脂材料构成的疏液性薄膜。另外，因为露出电极，当在电极上涂敷液体材料时，可以只在该电极上润湿扩展液体材料。因此，能够只在电极上形成发光功能层。
另外，除去树脂膜的一部分而露出电极的工序，按照非感光性树脂材料或感光性树脂材料的种类而不同。例如，如果使用非感光性树脂材料，能够通过使用光刻法和蚀刻法除去树脂膜的一部分。另外，如果使用感光性树脂材料，能够通过显影处理除去树脂膜的一部分。另外，通过实施亲液处理以及疏液处理而使树脂膜疏液化，使电极亲液化。由此，可以不在树脂膜上涂敷液体材料，能够只在电极上润湿扩展液体材料。
本发明的电子设备，其特征在于，具备上述有机EL装置。作为这种电子设备，例如，能够例示移动电话机、移动体信息终端、钟表、文字处理器、个人电脑等信息处理装置等。另外，能够例示具有大型显示画面的电视、大型监视器等。由此，通过在电子设备的显示部采用本发明的有机EL装置，提供显示特性良好的电子设备成为可能。
图1是表示本发明的有机EL装置的布线结构的模式图。
图2是表示本发明的有机EL装置的构成的模式平面图。
图3是表示本发明的有机EL装置的主要部分的平面图。
图4是表示本发明的有机EL装置的主要部分的截面图。
图5是表示用于说明本发明的有机EL装置的制造方法的第1实施方式的图。
图6是表示用于说明本发明的有机EL装置的制造方法的第1实施方式的图。
图7是表示用于说明本发明的有机EL装置的制造方法的第1实施方式的图。
图8是表示用于说明本发明的有机EL装置的制造方法的第2实施方式的图。
图9是表示本发明的有机EL装置的发光特性的图。
图10是表示具备本发明的有机EL装置的电子设备的图。
图11是表示以往的有机EL装置的主要部分的截面图。
图中1-有机EL装置(有机电致发光装置)，11-电路部(开关元件)，20-基板，22-发光功能层，23-像素电极(电极)，24-氧化硅层(第1绝缘层)，24a-开口部，24b-上部，25-树脂绝缘层(第2绝缘层)，25a-侧部，26-疏液膜(疏液性薄膜)，101-扫描线，102-信号线，103-电源线(驱动元件)，112-开关用TFT(开关元件)，113-保持电容，123-驱动用TFT(驱动元件)，L-紫外线，M-掩模，Ma-透光部，Mb-遮光部。
具体实施例方式
下面，详细说明本发明。
其中，该实施方式表示本发明的一部分方式，且并不限定本发明，可以在本发明的技术思想的范围内任意更改。另外，在如下所示的各图中，为了让图面上的各层和各部件成为可以识别的大小，所以各层和各部件的比例尺不同。
首先，说明本发明的有机EL装置一实施方式。图1是表示本实施方式的有机EL装置的布线结构的模式图，图1中的符号1是有机EL装置。
该有机EL装置1，是将薄膜晶体管(Thin Film Transistor，下面称为TFT)用作开关元件的有源矩阵方式的装置，具有由多条扫描线101…、在相对各扫描线101交叉成直角的方向上延伸的多条信号线102…、在各信号线102上并联延伸的多条电源线(驱动元件)103…构成的布线结构，在扫描线101…和信号线102…的各交点附近形成有像素区域X…。
在信号线102上连接有数据线驱动电路100，其具备移位寄存器、电平转换器、视频线以及模拟开关。另外，在扫描线101上连接有扫描线驱动电路80，其具备移位寄存器以及电平转换器。
进而，在各像素区域X设置有借助扫描线101将扫描信号提供给栅电极的开关用TFT(开关元件)112、保持借助该开关用TFT112由信号线102提供的像素信号的保持电容(驱动元件)113、将由该保持电容113保持的像素信号提供给栅电极的驱动用TFT(驱动元件)123、当借助该驱动用TFT123与电源线103电连接时从该电源线103流入驱动电流的像素电极(电极)23、和在这种像素电极23和阴极50之间夹持的发光功能层22。
接着，参照图2～图4，说明本实施方式的有机EL装置1的具体形态。这里，图2是表示有机EL装置1的构成的模式平面图。图3是表示用于说明有机EL装置1中的像素区域X的电路构成的放大平面图。图4是沿图2的A-A’线主要部分的截面图。另外，图4(a)是以R(红)、G(绿)、B(篮)各种颜色发光的发光功能层22R、22G、22B附近的截面图，图4(b)是详细表示一个发光功能层22附近的截面放大图，图4(c)是图3所示的像素区域X的截面图，是依据实际尺寸的放大图。
首先，参照图2，说明有机EL装置1的构成。
如图2所示，本实施方式的有机EL装置1具备具备透光性和电绝缘性的基板20、连接在开关用TFT112上的像素电极23以矩阵形配置在基板20上而成的像素区域X(参照图1)、配置在像素区域X周围且连接在各像素电极上的电源线103…、至少位于像素区域X上且俯视大致呈矩形的像素部3(图2中的一点划线框内)。其中，在本实施方式中，像素部3被划分成中央部分的实际显示区域4(图中两点划线框内)、配置在实际显示区域4周围的虚设区域5(一点划线以及两点划线之间的区域)。
在实际显示区域4上，具有各像素电极的显示区域R、G、B有规则地配置在A-A’方向上。
另外，在实际显示区域4的图2中两侧配置有扫描线驱动电路80、80。该扫描线驱动电路80、80是位于虚设区域5的下侧而设置的。
另外，在实际显示区域4的图2中上方侧配置检查电路90，该检查电路90是配置在虚设区域5的下层侧而设置的。该检查电路90是用于检查有机EL装置1的工作状况的电路，例如具备向外部输出检查结果的检查信息输出机构(未图示)，其构成为以能够对制造过程中或出厂时的显示装置的品质、缺陷进行检查。
借助驱动电压导通部(未图示)以及驱动电压导通部(未图示)，从规定的电源部对扫描线驱动电路80以及检查电路90施加驱动电压。另外，对这些扫描线驱动电路80以及检查电路90的驱动控制信号和驱动电压，借助驱动控制信号导通部(未图示)以及驱动电压导通部(未图示)从负责该有机EL装置1的工作控制的规定的主驱动器等而被发送和施加。其中，此时的驱动控制信号是指来自主驱动器等的指令信号，该指令信号等与扫描线驱动电路80以及检查电路90输出信号时的控制有关。
接着，参照图3，对像素区域X的电路构成进行说明。
如图3所示，像素区域X以设置在基板20上的TFT112、123、像素电极23、以及保持电容113为主体而构成。在上述构成部件中，开关用TFT112、驱动用TFT123和保持电容113构成该像素区域X中的电路部。
开关用TFT112具有栅电极112g、源区域112s和漏区域112d。源区域112s和漏区域112d形成在由多晶硅等构成的半导体层上。然后，在与源区域112s和漏区域112d之间的栅电极112g对向的区域上，形成未图示的沟道区域，该沟道区域通过栅电极112g的电场作用，对源区域112s和漏区域112d之间的导通状态进行开关控制。栅电极112g是分支扫描线101而形成的，以将扫描线驱动电路80的扫描信号提供给栅电极112g。另外，在TFT112中，源区域112s和信号线102、漏区域112d和漏电极DR分别借助接触孔C进行电连接。
驱动用TFT123是以栅电极123g、源区域123s和漏区域123d为主体而构成的。源区域123s和漏区域123d形成在由多晶硅等构成的半导体层上。然后，在源区域123s和漏区域123d之间形成未图示的沟道区域，该沟道区域通过栅电极123g的电场作用，对源区域123s和漏区域123d之间的导通状态进行开关控制。栅电极123g借助接触孔C和漏电极DR进行电连接，并和沿着电源线123延伸的电容电极104一体化形成同一部件。另外，漏区域123s和电源线103借助接触孔C进行电连接，漏区域123d和像素电极23借助接触孔C和图示略的漏电极进行电连接。这里，漏电极是指埋入设置在形成于层间绝缘膜上的接触孔C中的中继导电部件。
保持电容113形成在电源线103和电容电极104对向配置的区域。电容电极104与栅电极123g以及漏电极DR电连接，所以借助漏区域112d保持所提供的图像信号，同时向栅电极123g提供该保持的图像信号。
而且，在像素电极23的上方顺次层叠氧化硅层(第1绝缘层)24、树脂绝缘层(第2绝缘层)25、以及疏液膜(疏液性薄膜)26(后述)。这里，氧化硅层24具有开口部24a，疏液膜26具有开口部26a。由此，像素电极23成为在该开口部24a、26a露出的状态，后述的发光功能层22和像素电极23接触。而且，如本发明的特征点所示，树脂绝缘层25的位置、和扫描线101、信号线102以及开关用TFT112的位置相互对应，且它们在俯视情况下是相互重叠形成的。另外，在本实施方式中，驱动用TFT123和保持电容113成为与树脂绝缘层25不重叠的状态。
在具备这种TFT的有机EL装置1中，当对扫描线101驱动而使开关用TFT112处于打开状态时，此时的信号线102的电位由保持电容113保持，按照该保持电容113的状态，确定驱动用TFT123的打开、关闭状态。然后，借助驱动用TFT123的沟道使电流从电源线103流到像素电极23，进而借助发光功能层22使电流流到阴极50。于是，发光功能层22按照流经它的电流量而发光。
接着，参照图4，对截面构造进行说明。
如图4(a)所示，有机EL装置1是借助未图示的密封树脂将基板20和密封基板30贴合起来而成的装置。在用基板20、密封基板30以及密封树脂围绕的区域，吸收水分和氧气的收气剂45贴附在密封基板30的内面。另外，在该空间部填充氮气而成为氮气填充层46。在这种构成的基础上，抑制水分和氧气渗透到有机EL装置1内部，由此有机EL装置成为实现其长寿命化的装置。
作为基板20，在是所谓顶端发射型有机EL装置的情况下，是从作为该基板20的对向侧的密封基板30一侧将发射光取出的构成，所以透明基板以及不透明基板都能够使用。作为不透明基板，例如，除了对氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属片实施了表面氧化等绝缘处理的基板之外，还可以举出热固化性树脂、热塑性树脂等。
另外，在是所谓底端发射型有机EL装置的情况下，是从基板20一侧将发射光取出的构成，作为基板20，可以采用透明或半透明的基板。可以举例为玻璃、石英、树脂(塑料、塑料薄膜)等，特别优选使用玻璃基板。其中，在本实施方式中，作为从基板20一侧将发射光取出的底端发射型，所以作为基板20使用透明或半透明的基板。
作为密封基板30，例如能够采用具有电绝缘性以及阻气性的板状部件。另外，密封树脂也优选具有电绝缘性以及阻气性，例如由热固化性树脂或紫外线固化性树脂构成的树脂，特别优选由热固化性树脂中的一种的环氧树脂构成。
另外，在基板20上形成由电路部(开关元件)11。如图1所示，该电路部11具备扫描线101、信号线102、开关用TFT112、驱动用TFT123、以及保持电容113。另外，该电路部11可以具备如由4个或5个晶体管构成的信号处理电路。在该电路部11中，实现在每个像素区域中设置TFT或补偿发光功能层22的动作散差的补偿电路，或电流编程方式的电路、电压编程方式的电路、电压比较方式的电路、子帧(subframe)方式的电路等信号处理电路的构成成为可能。另外，如上所述，在电路部11中，扫描线101、信号线102以及开关用TFT112的位置与树脂绝缘层25的位置相对应，如图3所示，以俯视相互重叠的方式形成。另外，即使在信号处理电路形成在电路部11的情况下，该信号处理电路与树脂绝缘层25相对应而形成。
而且，在与开关用TFT112相对应的上方的位置上，层叠设置有氧化硅层24和树脂绝缘层25。而且，以覆盖氧化硅层24和树脂绝缘层25的方式形成有疏液膜26。
氧化硅层24是邻接像素电极23而配置的，同时形成有使像素电极23的一部分露出来的开口部24a。而且，该氧化硅层24相对液体材料具有亲液性。在本实施方式中，采用作为无机材料的SiO2，但也可以采用其他的无机材料或有机材料的各种材料。
树脂绝缘层25形成在氧化硅层24的上部，同时形成在与后述的发光功能层22未接触的位置。作为该树脂绝缘层25的材料，采用丙烯或聚酰亚胺等有机材料。另外，树脂绝缘层25的膜厚优选约2μm。其中，如图4(b)所示，树脂绝缘层25的侧部25a大致垂直于基板20的平面，但该侧部25a也可以按规定角度倾斜。
疏液膜26是以覆盖氧化硅层24和树脂绝缘层25的方式而形成的。而且，疏液膜26没有形成在氧化硅层24的开口部24a上。即，在像素电极23的露出部23a上没有形成疏液膜26。另外，疏液膜26和树脂绝缘层25的侧部25a连续地覆盖氧化硅层24的上部24b。
这种疏液膜26是将全氟烷基三甲氧基硅烷作为材料的单分子膜。然后，其膜厚优选单分子～2个分子左右。此外，在本实施方式中，采用有机硅烷偶合剂，但偶合剂优选含有硅烷类，是钛类、硅烷类等金属的烷基化物，将芳香族置换成疏液性的基团如烷基、芳基、或者它们而成的氟化物。
其中，本实施方式中的疏液膜26的“疏液性”是指至少与构成氧化硅层24的材料(本实施方式中为SiO2)等材料相比，疏液性更高。
像素电极23在本例中为底端发射型且由透明导电材料形成。作为透明导电材料优选ITO，但除此之外，能够使用例如氧化铟·氧化锌类非晶质透明导电膜(Indium Zinc OxideIZO(注册商标))(出光兴产社制)等。其中，在本实施方式中使用ITO。另外，在为顶端发射型的情况下，没有必要特别采用具备透光性的材料，例如也能够在ITO的下层侧设置Al等而用作反射层。然后，如图4(a)所示，在像素电极23的露出部23a上形成有发光功能层22R、22G、22B。这里，发光功能层22R、22G、22B发出RGB各颜色的光。
然后，如图4(b)所示，发光功能层22是从像素电极23一侧开始层叠空穴注入层70、发光层60、电子注入层65而形成的构成。空穴注入层70是将来自像素电极23的空穴注入/输送到发光层60的层膜。电子注入层65是将来自后述的阴极50的电子注入/输送到发光层60的层膜。发光层60是通过注入的空穴和电子结合而发光的层膜。这里，发光层60是按照发光功能层22R、22G、22B而由不同的材料形成。
作为空穴注入层70的形成材料，特别优选使用3，4-聚乙烯二羟基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)的分散液，即，使3，4-聚乙烯二羟基噻吩分散至作为分散介质的聚苯乙烯磺酸中，进而将其分散在水中的分散液。
其中，作为空穴注入层70的形成材料，并不限于上述材料而可以使用各种材料。例如，可以使用将聚苯乙烯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔或其衍生物等分散至适宜的分散介质如上述的聚苯乙烯磺酸中而成的材料等。
作为用于形成发光层60的材料，可以使用可以发出荧光或磷光的公知发光材料。另外，在本实施方式中，为了进行全色显示，其发光波长频带分别与光的三原色相对应而形成。即，在发光功能层22R上设置发光波长频带与红色相对应的发光层60，在发光功能层22G上设置发光波长频带与绿色相对应的发光层60，在发光功能层22B上设置发光波长频带与蓝色相对应的发光层60。通过具备这种RGB三个发光层的发光功能层22，构成1个像素，按灰度让它们发光，由此有机EL装置1整体成为全彩色显示。
作为发光层60的形成材料，具体地说，优选使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对苯撑乙烯撑衍生物(PPV)、聚苯撑衍生物(PP)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷类等。另外，在这些高分子材料中也能够掺杂使用紫苏烯类色素、香豆素类色素、若丹明类色素等高分子类材料，红荧烯、紫苏烯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖酮等低分子材料。
在本实施方式中，作为红色发光层60的形成材料使用MEHPPV(聚(3-甲氧基6-(3-乙基己基)对苯撑乙烯撑)，作为绿色发光层60的形成材料使用聚二辛基芴和F8BT(二辛基芴和苯并噻重氮的交替共聚物)的混合溶液，作为蓝色发光层60的形成材料使用聚二辛基芴。另外，作为蓝色发光层60的形成材料，可以使用聚芴类或聚对苯撑类的共轭类高分子。
另外，关于这些各发光层60，对其厚度没有特别限定，尽管每个颜色的厚度也有所改变，但例如蓝色发光层60的厚度优选60～70nm左右。
电子注入层65是形成在发光层60上的层。该电子注入层65的材料可以根据发光功能层22R、22G、22B的各种材料而进行适宜选择。作为具体的材料，优选使用LiF(氟化锂)、NaF(氟化钠)、KF(氟化钾)、RbF(氟化铷)、CsF(氟化铯)等碱金属的氟化物，或Li2O(氧化锂)、Na2O(氧化钠)等碱金属的氧化物。另外，作为该电子注入层65的厚度，优选0.5nm～10nm左右。
阴极50具有比发光区域4和虚设区域5的总面积更大的面积，并以分别覆盖它们的方式形成，是由设置在电子注入层65上的低功函数的金属所构成的第1阴极、设置在该第1阴极上的并保护该第1阴极的第2阴极而构成。作为形成第1阴极的低功函数的金属，特别优选功函数在3.0eV以下的金属，具体地优选使用Ca(功函数2.6eV)、Sr(功函数2.1eV)、Ba(功函数2.5eV)。第2阴极覆盖第1阴极并保护其免受氧气或水分等的侵害，同时提高整个阴极50的导电性。作为该第2阴极的形成材料，如果是化学稳定且功函数相对较低的材料，则没有特别限制，可以使用任何材料例如金属或合金等，具体地优选使用Al(铝)或Ag(银)等。
其中，上述构成的有机EL装置1具有底端发射型构造，但并不限于此。该有机EL装置1在从密封基板30一侧将发射光取出的所谓顶端发射型中也可以应用。
当为顶端发射型有机EL装置的情况下，是从作为基板30对向侧的密封基板30一侧将发射光取出的构成，所以透明基板以及不透明基板都能够使用。作为不透明基板，除了可以举例为对氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属片实施了表面氧化等绝缘处理的基板之外，还可以举例为热固化性树脂、热塑性树脂等。
接着，参照图4(c)，就结合各部件的实际比例尺的构成对各像素区域X的截面结构进行说明。这里，图4(c)是沿着图3的E-E’的主要部分的截面图。
如图4(c)所示，疏液膜26的开口部26a和树脂绝缘层25的侧部25a之间的距离B约为10μm。另外，具体的距离B的设定值是根据在采用喷墨法(液滴喷出法)形成空穴注入层70和发光层60时液体材料中含有的溶质的比例而适宜确定的。例如，当溶质为0.5～1.0％时，优选将距离B设置成10μm，当溶质为1.0～2.0％时，优选将距离B设置成8μm，另外，当溶质不到0.5％时，优选将距离B设置成10μm以上。由此，通过很好设置距离B，采用喷墨法喷出的液滴难以接触树脂绝缘层25的侧部25a，以希望的外形来形成空穴注入层70和发光层60成为可能。
另外，空穴注入层70和发光层60的总厚度t为100nm，另外，宽D为50μm。
而且，如图3和图4(c)所示，信号线102配置在树脂绝缘层25的下侧且在俯视情况下是重叠的。另外，如图3所示，不只是信号线102，扫描线101和开关用TFT112也配置在树脂绝缘层25的下侧且在俯视情况下是重叠的。
在信号线102的侧面形成电源线103，进而与该电源线对向形成电容电极104。该电源线103和电容电极104形成在像素电极23的下层侧。
(有机EL装置的制造方法的第1实施方式)接着，参照图1～图7，对有机EL装置的制造方法的第1实施方式进行说明。
首先，如图4(a)所示，在基板20上形成电路部11。该电路部11是由扫描线101、信号线102、开关用TFT112、驱动用TFT123、电源线102、以及保持电容113构成(参照图3)。为了形成这种电路部11，优选使用公知的光刻法、蚀刻法等。另外，用于驱动用TFT123以及开关用TFT112的半导体是由漏区域、源区域、沟道区域构成，在形成该各区域时优选使用离子掺杂(ion doping)法等。
另外，在这种电路部11的形成过程中，在层叠各层膜时优选形成层间绝缘膜。然后，在电路部11的最上层的层间绝缘膜上形成接触孔，露出驱动用TFT123的漏电极。
接着，以覆盖整个基板20的方式形成作为像素电极23的导电膜。
然后，通过该导电膜形成图形，借助接触孔形成与驱动用TFT123的漏电极导通的像素电极23。
接着，形成氧化硅层24。
该氧化硅层24具有使像素电极23露出一部分的开口部24a。通过形成该开口部24a，形成像素电极23的露出部23a。由此通过形成露出部23a，来自像素电极23的空穴移动成为可能。
接着，形成树脂绝缘层25。
该树脂绝缘层25是以覆盖氧化硅层23的规定位置的方式形成的。进而，如图3所示，是以重叠在扫描线101、信号线102、以及开关用TFT112的方式而形成。
作为具体的树脂绝缘层25的形成方法，例如采用旋涂法、浸涂法等各种涂敷法对将丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等抗蚀剂溶解于溶剂中而成的材料进行涂敷，形成有机质层。接着，使用光刻技术、蚀刻技术等对有机质层形成图形，由此形成树脂绝缘层25。另外，树脂绝缘层25形成在氧化硅层24的表面上，同时远离露出部23a而形成。由此，在以后的工序中即使涂敷发光功能层22的液体材料，树脂绝缘层25也不接触液体材料。
其中，作为树脂绝缘层25的材料，可以适宜采用非感光性树脂材料或感光性树脂材料。这里，如果材料非感光性树脂材料，通过光刻技术并按照使用的掩模图形，可以形成树脂绝缘层25。另外，如果采用感光性树脂材料，不需要进行在光刻技术中使用的光致抗蚀剂的涂敷工序或蚀刻工序，可以通过显影形成树脂绝缘层25。
另外，在本实施方式中，在氧化硅层24上形成由树脂绝缘层25，但也可以位于2各像素电极23之间形成黑矩阵。这时采用金属铬由溅射法形成。
接着，形成疏液膜26。
关于该疏液膜26的形成方法，首先采用浸渍法涂敷全氟烷基三甲氧基硅烷的1％乙醇液，接着，通过用乙醇进行漂洗而在整个基板20面上形成疏液膜26。由此，形成由单分子～2个分子左右的膜厚构成的单分子膜。
接着，如图5所示，借助掩模M照射紫外线L，由此按规定图形形成单分子膜。这里，在掩模M上形成与像素电极23的露出部23a相对应的透光部Ma和除此之外的遮光部Mb。借助这种掩模M照射紫外线L，由此通过透光部Ma到达疏液膜26，分解除去单分子膜。这里，为了照射紫外线L，优选使用波长245nm的低压水银灯。由此，在除去露出部23a的部分上形成疏液膜26。由此形成的疏液膜26按连续覆盖树脂绝缘层25的侧部25a和氧化硅层24的上部24b的方式而形成。
在本实施方式中，在形成树脂绝缘层25之后形成疏液膜26，但可以对整个基板20实施疏液处理，该处理用于在形成疏液膜26之前确实可靠地使像素电极23的露出部23a具有亲液性。作为这种亲液处理，优选O2等离子体处理。
另外，在本实施方式中，采用有机硅烷偶合剂，但并不限于此。作为其他材料，优选通过钛类等金属的烷基化物将芳香族置换成疏液性基团例如烷基、芳基、或它们的材料的氟化物。
接着，形成空穴注入层70。
作为该空穴注入层70的形成方法，优选采用喷墨法。首先，如图6所示，在喷墨头H中填充含有空穴注入层70的材料的液体材料，使喷墨头H的喷嘴和位于氧化硅层24的开口部24a内的露出部23a对置，在使喷墨头H和基板20相对移动的同时，从喷嘴将控制每个液滴液量的液体材料喷出到露出部23a上。由此，含有空穴注入层70的材料的液体材料70a选择性地配置在像素电极23的露出部23a上而进行涂敷。
此时，从喷嘴喷出的液体材料70a在露出部23a上扩展，并充满于氧化硅层24的开口部24a内。另一方面，液滴在疏液膜26的上面弹开且没有附着。因此，即使液滴从规定的喷出位置错开，液滴的一部分附在疏液膜26的表面上，液滴也不会润湿该表面，另外，液滴不蔓延。因此，在疏液膜26上，弹开的液滴被引入到氧化硅层24的开口部24a内。
其中，在该空穴注入层形成工序之后，为了防止各种形成材料和形成的要素的氧化·吸湿，优选在氮气环境、氩气环境等惰性气体环境中进行。
然后，通过进行干燥处理以及热处理，蒸发液体材料70a中含有的溶剂，在像素电极23的露出部23a上形成空穴注入层70。作为空穴注入层70的形成材料，例如可以使用将上述的PEDOT:PSS溶解于异丙醇等极性溶剂而成的材料。
接着，形成发光层60。
作为该发光层60的形成方法，和上述空穴注入层70的形成一样，优选采用喷墨法。即，如图7所示，采用喷墨法将含有发光层60的材料的液体材料60a排到空穴注入层70上。这里，液滴在疏液膜26的上面弹开且没有附着。因此，即使液滴从规定的喷出位置错开，液滴的一部分附在疏液膜26的表面上，液滴也不会润湿该表面，另外，液滴不蔓延。因此，在疏液膜26上，弹开的液滴被引入到氧化硅层24的开口部24a内。液体材料60a在空穴注入层70上被配置成凸出形状。
然后，通过进行干燥处理以及热处理，蒸发液体材料70a中含有的溶剂，在空穴注入层70上形成发光层60。在发光层60的形成中，是在RGB的每个颜色上进行的。另外，通过实施这种干燥，使发光层60的上面大致平整化。
其中，在形成发光层60的工序中，为了防止空穴注入层70的再溶解，作为具有发光层60的材料的液体材料，使用相对空穴注入层70不溶解的无极性溶剂。
接着，形成电子注入层65。
在形成该电子注入层65的工序中，例如使用蒸镀法或溅射法等使碱金属的氟化物或氧化物等成膜，形成厚度2nm左右的电子注入层65。在本实施方式中是LiF成膜。其中，也可以代替LiF使NaF成膜，以形成电子注入层65。
接着，形成阴极50。
在形成该阴极50的工序中，形成在电子注入层65一侧上形成的第1阴极50a、和在该第1阴极50a的上部形成的第2阴极50b。在该工序中，和电子注入层65的形成一样，使用蒸镀法或溅射法等使低功函数的金属即Ca、Ba或Sr成膜，形成第1阴极50a。
而且，在该第1阴极50a上使用蒸镀法或溅射法等例如使Al成膜而形成第2阴极50b。然后，由此得到由第1阴极50a和第2阴极50b构成的阴极50。
其中，在上述电子注入层65的形成以及阴极50的形成工序中，空穴注入层70和发光层60不同，采用蒸镀法或溅射法等进行，所以不是只在像素电极23上选择性配置材料，而是在基板20的几乎整个面上设置材料。
如此，在形成阴极50之后，通过密封工序设置密封基板30。在该密封工序中，将收气剂45贴附在密封基板30的内侧，同时使用密封树脂40密封该密封基板30和基板20，由此完成图4(a)所示的有机EL装置1。其中，该密封工序也优选在氮气、氩气、氦气等惰性气体环境中进行。
如上所述，在本实施方式的有机EL装置1、以及有机EL装置1的制造方法中，树脂绝缘层25形成在与扫描线101、信号线102、以及开关用TFT112相对应的位置上，所以能够控制与阴极50之间的寄生电容，防止串扰的发生。而且，通过防止该寄生电容，开关用TFT112的开关特性变得良好，从而能够完成显示品位优良的有机EL装置1。
另外，发光功能层22和树脂绝缘层25配置在未接触的位置上，所以当使用液滴喷出法涂敷发光功能层22的液体材料而形成时，不会象以往技术所示那样让液体材料和树脂绝缘层25之间发生接触。而且，因为形成有疏液膜26，所以在由该疏液膜26覆盖的氧化硅层24、以及树脂绝缘层25上不会有液体材料蔓延。因此，能够只在疏液膜26的未形成部分容纳液体材料而涂敷形成。然后，通过干燥该疏液膜26的未形成部分的液体材料中的溶剂，形成发光功能层22，所以不出现在疏液膜26的蔓延，以及和树脂绝缘层25的接触，能够形成发光功能层22。而且，能够完成这种发光功能层22的膜厚外形(截面形状)的均匀化。
另外，疏液膜26是单分子至2个分子左右的膜厚的单分子膜，所以能够通过湿式成膜法形成单分子膜。进而在单分子膜中，采用偶合剂而形成，所以能够通过紫外线L的照射而形成具有规定图形的疏液膜26。
另外，疏液膜26连续地覆盖树脂绝缘层25的侧部25a和氧化硅层24的上部24b，所以在疏液膜26的上面没有液体材料的蔓延。另外，发光功能层22的液体材料和发光功能层25没有接触。因此，能够确实可靠地将树脂绝缘层25的侧部25a和发光功能层22保持在未接触状态。
另外，氧化硅层24具有露出像素电极23的开口部24a，在该开口部24a上接触配置有像素电极23和发光功能层22，所以正好能够从像素电极23朝向发光功能层22注入空穴。另外，氧化硅层24优选材料自身具亲液性，此时正好能够在氧化硅层24上润湿发光功能层22的液体材料。
另外，形成疏液膜26的工序具有涂敷含有单分子膜材料的液体材料而在整个基板20上形成单分子膜的工序、除去该单分子膜的一部分而露出像素电极23的工序，所以在除外像素电极23的部分上能够形成由单分子膜构成疏液膜26。另外，通过露出像素电极23，当在像素电极23上涂敷液体材料时，可以只在像素电极23上使液体材料润湿，从而能够形成含有液体材料的发光功能层22。
另外，通过借助掩模M对单分子膜照射紫外线L，由此除去单分子膜的一部分而露出像素电极23，所以能够分解除去被紫外线L照射的部分的单分子膜。然后，隔着掩模M照射紫外线L，所以由通过掩模M的透光部Ma的紫外线能够除去单分子膜。另外，能够在与掩模M的遮光部Mb所遮蔽的部分对应的位置上残留有单分子膜。即，能够按照掩模M所形成的遮光部Mb以及透光部Ma的图形而除去单分子膜。
其中，在上述实施方式中，示出了在每个像素区域X上具备开关用TFT112以及驱动用TFT123的2个晶体管的构成，但也可以具备更多个晶体管。例如，可以采用具备4个或5个晶体管的构成。当具备这种晶体管时，能够实现在每个像素区域中设置TFT或补偿发光功能层22的动作散差的补偿电路，或电流编程方式的电路、电压编程方式的电路、电压比较方式的电路、子帧(subframe)方式的电路等信号处理电路的构成。然后，对应于该信号处理电路的位置，以俯视重叠的方式形成树脂绝缘层25，由此，能够控制在信号处理电路中寄生电容的影响，从而能够完成显示品位优良的有机EL装置1。
另外，在上述的本实施方式中，以扫描线101、信号线102以及开关用TFT112重叠的方式形成有树脂绝缘层25，但也可以以驱动用TFT123以及保持电容123重叠的方式形成树脂绝缘层25。这里，驱动用TFT123以及保持电容113连接在恒定电位的电源线103上，所以和扫描线101、信号线102以及开关用TFT112相比，几乎能够忽视寄生电容的影响，通过以和树脂绝缘层25重叠的方式形成，由此能够进一步抑制寄生电容造成的显示特性的降低。
(有机EL装置的制造方法的第2实施方式)接着，参照图8，说明有机EL装置的制造方法的第2实施方式。
这里，只对与上述第1实施方式不同的部分进行说明。第1实施方式是隔着掩模M对疏液膜26照射紫外线L，但本实施方式不使用掩模M对疏液膜26照射紫外线L。此外，在本实施方式中，对同一构成采用同一符号，简化说明。
如图8所示，从基板20的背面侧、即没有形成氧化硅层24和树脂绝缘层25的基板20面照射紫外线L。在该紫外线L的照射工序，不使用掩模。从基板20的背面20a侧照射的紫外线L，在形成有开口部24a的部分上，透过由透明金属构成的像素电极(透光部)23，照射形成在该像素电极23上的疏液膜26并分解。另外，在形成有氧化硅层(遮光部)24的部分上，紫外线L没有照射疏液膜26上，所以疏液膜26不能分解。此外，在本实施方式中，第1绝缘层选择紫外线透过率低的材料为好，可以举例为氮化硅或SiO等。
如上所述，从基板20的背面20a侧照射紫外线L，由此能够除去在形成有开口部24a的部分上的单分子膜。另外，不需要在第1实施方式中使用的掩模M，所以能够进行无掩模的紫外线照射。
(有机EL装置的制造方法的第3实施方式)接着，对有机EL装置的制造方法的第3实施方式进行说明。
这里，只对与上述第1实施方式不同的部分进行说明。第1实施方式是采用湿式成膜法使偶合剂成膜而形成疏液膜26，但在本实施方式中，对使树脂材料成膜并形成疏液膜26的情况进行说明。在本实施方式中，对同一构成采用同一符号，简化其说明。
关于本实施方式的疏液膜26的形成方法，首先，在形成树脂绝缘层25之后，在整个基板20上形成成为疏液膜26的材料的树脂膜。这里，优选使用浸涂法成膜。另外，作为在该方法中使用的材料，例如可以采用含有丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等的液体材料。另外，可以采用非感光性树脂或感光性树脂中的任一种。进而，树脂膜的膜厚优选是空穴注入层70和发光层60的合计膜厚(发光功能层22的膜厚)的1.5倍以下。在本实施方式中，调整膜厚至0.1μm左右。
接着，除去覆盖开口部24a的绝缘膜形成疏液膜26。
这里，作为疏液膜26的材料，如果采用非感光性树脂材料，使用光刻技术并按照使用的掩模图形可以形成疏液膜26。另外，如果采用感光性树脂材料，不需要在光刻技术中使用的光致抗蚀剂的涂敷工序和蚀刻工序，可以通过显影形成疏液膜26。
接着，通过对整个面实施O2等离子体处理以及CF4等离子体处理，由此只对像素电极23的露出部23a赋予亲液性，对其他部分赋予疏液性。
如上所述，在本实施方式中，能够形成由树脂材料构成的疏液膜26。因此，即使在疏液膜26采用树脂材料的情况下，也可以获得与第1实施方式相同的效果。另外，通过树脂材料实施疏液处理而可以赋予疏液性，从而能够形成疏液膜26。
另外，疏液膜26的膜厚是与空穴注入层70和发光层60的合计膜厚相比为1.5倍以下的膜厚，所以能够确实可靠地防止材料在疏液膜26上的蔓延。进而，因为膜厚在1.5倍以下，所以能够更好地使发光功能层22平整化。
另外，在形成疏液膜26之后，具有实施亲液处理以及疏液处理的工序，所以能够对树脂膜进行疏液化，同时能够对像素电极23进行亲液化。由此，不在树脂膜上涂敷液体材料，能够只在像素电极23上润湿扩展液体材料。
(实施例)图9是表示图7所示的发光层60的亮度分布的测量结果的图。
在图9中，横轴表示发光层60的X方向上的位置，纵轴表示亮度。另外，图9中的xa、xb相当于图7中的发光层60的位置。
如图9所示，发光层60的亮度分布在xa～xb之间呈大致均匀分布。特别是与以往技术所示的亮度分布相比，成为更明亮且均匀的分布。
(电子设备)对具备上述实施方式的有机EL装置的电子设备的例子进行说明。
图10(a)是表示移动电话一例的斜视图。在图10(a)中，符号500表示移动电话主体，符号501表示具备了有机EL装置的显示部。
图10(b)是表示文字处理器、个人电脑等便携型信息处理装置一例的斜视图。在图10(b)中，符号600表示信息处理装置，符号601表示键盘等输入部，符号603表示信息处理主体，符号602表示具备了有机EL装置的显示部。
图10(c)是表示手表型电子设备一例的斜视图。在图10(c)中，符号700表示手表主体，符号701表示具备了有机EL装置的EL显示部。
如图10(a)～(c)所示的电子设备使具备上述实施方式所示的有机EL装置的设备，所以成为显示特性良好的电子设备。
作为电子设备，不限于上述电子设备，能够应用于各种电子设备。例如，能够应用于桌面型电脑、液晶投影仪、与多媒体对应的个人电脑(PC)以及工程·工作站(EWS)、寻呼机、文字处理器、电视机、取景器型或监视器直视型磁带录像机、电子记事本、电子台式计算机、导航装置、POS终端、具备触摸屏的装置等电子设备。
权利要求
1.一种有机电致发光装置，包括形成在基板上的扫描线以及信号线、形成在该扫描线和该信号线的交叉部附近的开关元件、按照该开关元件的动作而发光的发光功能层、和在该发光功能层的相互之间形成的第1和第2绝缘层，其特征在于，所述第2绝缘层形成在与所述发光功能层未接触的位置，同时至少形成在与所述扫描线、所述信号线、以及所述开关元件相对应的位置；在所述第1和第2绝缘层上形成覆盖该第1和第2绝缘层的疏液性薄膜。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，进一步具备驱动元件，其按照所述开关元件的动作，发光驱动所述发光功能层；在和该驱动元件相对应的位置上形成所述第2绝缘层。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述疏液性薄膜是单分子膜。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述单分子膜是耦合剂。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述疏液性薄膜是树脂膜。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述树脂膜的表面已被实施疏液处理。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，与所述发光功能层的膜厚相比，所述疏液性薄膜的膜厚是其1.5倍以下的膜厚。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述疏液性薄膜连续覆盖所述第2绝缘层的侧部和所述第1绝缘层的上部。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第1绝缘层具有露出电极的开口部，在该开口部接触配置有所述电极和所述发光功能层。
10.一种有机电致发光装置的制造方法，所述有机电致发光装置包括形成在基板上的扫描线以及信号线、形成在该扫描线以及该信号线交叉部附近的开关元件、按照该开关元件的动作进行发光的发光功能层、和在该发光功能层的相互之间形成的第1以及第2绝缘层，其特征在于，所述制造方法具有在和所述发光功能层未接触的位置上、且至少在与所述扫描线、所述信号线、以及开关元件对应的位置上形成所述第2绝缘层的工序、和形成覆盖所述第1以及第2绝缘层的疏液性薄膜的工序。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，形成所述疏液性薄膜的工序具有涂敷含有单分子膜材料的液体材料而在所述基板的整个面上形成单分子膜的工序、和除去所述单分子膜的一部分而露出电极的工序。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，除去所述单分子膜的一部分而露出电极的工序，是借助具有遮光部和透光部的掩模对所述单分子膜照射紫外线。
13.根据权利要求11所述的有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，除去所述单分子膜的一部分而露出电极的工序，是借助具有遮光部和透光部的所述基板对所述单分子膜照射紫外线。
14.根据权利要求10所述的有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，形成所述疏液性薄膜的工序具有涂敷含有树脂材料的液体材料而在所述基板的整个面上形成树脂膜的工序、除去该树脂膜的一部分而露出电极的工序、和实施亲液处理以及疏液处理的工序。
15.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1～9中任一项所述的有机电致发光装置。
全文摘要
提供一种有机电致发光装置及其制造方法以及电子设备，可以实现亮度分布的均匀化，抑制薄膜晶体管等开关元件和阴极之间的寄生电容且具有良好的显示特性。该有机电致发光装置(1)具备在基板(20)上形成的扫描线(101)以及信号线(102)、在该扫描线和该信号线的交叉部附近形成的开关元件(112)、按照该开关元件的动作而发光的发光功能层(22)、在该发光功能层的相互之间形成的第1和第2绝缘层(24)、(25)，第2绝缘层形成在与发光功能层未接触的位置，同时至少形成在与扫描线、信号线、以及开关元件相对应的位置，在第1和第2绝缘层上形成覆盖该第1和第2绝缘层的疏液性薄膜(26)。
文档编号H05B33/08GK1658714SQ20051000707
公开日2005年8月24日 申请日期2005年2月7日 优先权日2004年2月16日
发明者小林英和 申请人:精工爱普生株式会社