专利名称：利用高阻抗金属化端接降低近场电磁散射的制作方法
背景美国联邦通信委员会(FCC)被规定在2005年颁布新条例以改进对移动电话的听力受损用户的助听兼容性(HAC)。作为移动电话HAG评定的一部分，电磁场的近场分量被测量。所述分量由电场和磁场组成。
图3图示了翻盖式移动电话的典型电场分布，翻盖式移动电话具有如
图1中示出的近场扫描区域以及图2中示出的PCB外形轮廓。主导电场倾向于出现在金属化的不连贯的间断(abrupt discontinuity)处，诸如在印刷电路板(PCB)、屏蔽罐、振动器以及组装件的金属化图案的边缘处。这些间断在金属衬底上形成了朝着衬底边缘流动的集中的电流。当电流到达衬底的边缘时，出现电磁场的不期望的散射。散射场的幅度越大，它们越可能干扰助听设备。
所需要的是一种用于降低存在于移动电话设计内的金属间断处电磁散射的不期望影响的方法、装置或者设备。
概述本发明使用金属化端接(metallization termination)技术来降低在包括PCB和金属化外壳组装件的金属化区域的边缘处的电磁场散射。金属化端接技术给出了从高传导性区域到高阻抗区域的逐渐过渡。移动电话天线照射PCB，允许电流在PCB上流动。当电流到达PCB的边缘时，它们流过渐增的高阻抗区域而没有反射回来或者散射。
附图简述图1是具有指定的近场扫描区域的典型翻盖式移动电话的图示。
图2是带有描绘的样本PCB外形轮廓且示出了高场出现率区域的典型翻盖式移动电话的图示。
图3是翻盖式移动电话的指定近场扫描区域的测量电场图。
图4图示了导致移动电话内金属化区域上的高阻抗和高传导性区域的一个实施例。
图5图示了导致移动电话内金属化区域上的高阻抗和高传导性区域的另一个实施例。
图6图示了导致移动电话内金属化区域上的高阻抗和高传导性区域的又一个实施例。
图7图示了导致移动电话内金属化区域上的高阻抗和高传导性区域的再一个实施例。
详述在相关的专利申请中，使用了高阻抗半透明涂覆来衰减期望区域上的RF表面波(电磁散射)。这样的配置对于衰减近场区域中的电场是有效的。它还衰减了在那个区域中的表面电流的产生。对于改进的天线性能，可能期望允许表面电流在诸如翻盖电话的顶部的移动电话区域上流动。然而，这些电流在PCB的不连贯的间断处和其它金属化区域处产生了散射的电磁场。
作为助听兼容性(HAC)评定的部分，电磁场的近场分量被测量。这些分量包括电场和磁场。
图1是典型的翻盖式移动电话100的图示，示出了扬声器组件110周围的顶部翻盖中的并且部分地包围移动电话的显示器120的近场扫描区域130的外形轮廓。这是最关心的区域，因为它是利用助听装置的用户将最近地接近电磁散射影响的点。图2是相同的移动电话100的图示，进一步示出了关于移动电话的扬声器110的高场区域150以及下面的印刷电路板(PCB)140的外形轮廓。相对高场主要是出现在诸如PCB140的一些下面移动电话组件中的金属化间断的结果。
图3给出了图1和2的移动电话100的样本电场分布。主导电场出现在金属化的不连贯的间断处，诸如，但是不限于，印刷电路板(PCB)的边缘、屏蔽罐、扬声器、振动器的边缘、以及组装件上的金属化图案的边缘。这些间断建立了电磁散射的集中点。来自移动电话的天线的辐射激发了金属衬底上朝向衬底边缘流动的电流。当电流撞击衬底边缘时，产生散射场。
本发明利用金属化端接技术去衰减金属化区域边缘处的电磁场散射。金属化端接技术提供了从高传导性区域到高阻抗区域的逐渐过渡。移动电话天线照射PCB，允许电流在PCB上流动。当电流到达PCB的边缘时，它们流过渐增地高的阻抗区域而没有反射回来或者散射。
图4图示了导致移动电话内金属化区域400上的高阻抗和高传导性区域的本发明的一个实施例。在这个实施例中，通过变化该金属化图案420而在金属化边缘处衰减电磁散射410。当电磁波朝向金属化区域400的边缘散射410时，它们逐渐遇到电阻材料形式的更高的阻抗420。结果，呈现了一条朝向金属化区域400的边缘的更高阻抗路径。
图5图示了导致移动电话内金属化区域400上的高阻抗和高传导性区域的另一个实施例。在这个实施例中，通过控制边缘附近的电流路径，电磁散射410在金属化边缘处被衰减。诸如电阻器、电感器、或者电容器的分立元件520被用于控制阻抗。金属化带530被用于控制由散射的电磁表面波410遵循的电流路径。分立元件520实质上阻隔电流路径，由此通过要求它们用掉它们的大多数能量去通过障碍而衰减电磁波。
图6图示了导致移动电话内金属化区域400上的高阻抗和高传导性区域的又一个实施例。在这个实施例中，通过控制边缘附近的电流路径，电磁散射410类似地在金属化边缘处被衰减。这时，电容间隙620和电感线630被用于控制边缘附近的阻抗。这导致电磁波410不得不消耗足够的能量以克服障碍(电容间隙620和电感线630)，从而导致了它们的衰减。
图7图示了导致移动电话内金属化区域400上的高阻抗和高传导性区域的再一个实施例。在这个实施例中，电磁散射410再次在金属化边缘处被衰减。各种程度的传导层720被用于控制和变化边缘附近的阻抗。当来自散射电磁波的电流流向金属化区域400的边缘时，遇到逐渐更高的阻抗。
权利要求
1.一种用于衰减出现在移动电话内的金属化区域400上、由所述移动电话内的组件引起的散射电磁波410的方法，该方法包括变化所述金属化区域400的边缘附近的金属化图案420，以便于由于出现在所述金属化区域400上的散射电磁波400而导致的电流在它趋近所述金属化区域400的边缘时遇到更高的阻抗。
2.一种用于衰减出现在移动电话内的金属化区域400上、由所述移动电话内的组件引起的散射电磁波400的方法，该方法包括在所述金属化区域400的边缘附近放置分立元件520，以便于由于出现在所述金属化区域400上的散射电磁波410而导致的电流遇到由于所述金属化区域400边缘附近的分立元件520而导致的更高的阻抗。
3.权利要求2所述的方法，其中所述分立元件520包括电阻器。
4.权利要求2所述的方法，其中所述分立元件520包括电容器。
5.权利要求2所述的方法，其中所述分立元件520包括电感器。
6.权利要求2所述的方法，其中所述分立元件520包括电阻器、电容器和电感器的组合。
7.一种用于衰减出现在移动电话内的金属化区域400上、由所述移动电话内的组件引起的散射电磁波410的方法，该方法包括在所述金属化区域400的边缘附近放置电容间隙620和电感线630，以便于由于出现在所述金属化区域400上的散射电磁波410而导致的电流遇到由于所述金属化区域400的边缘附近的电容间隙620和电感线630而导致的更高的阻抗。
8.一种用于衰减出现在移动电话内的金属化区域400上、由所述移动电话内的组件引起的散射电磁波410的方法，该方法包括在所述金属化区域400的边缘附近放置多个变化的传导层720，以便于由于出现在所述金属化区域400上的散射电磁波410而导致的电流遇到由于所述金属化区域400的边缘附近的多个变化传导层720而导致的更高的阻抗。
9.一种移动电话，其衰减出现在所述移动电话内的金属化区域400上、由所述移动电话内的组件引起的散射电磁波410，所述移动电话包括所述金属化区域400的边缘附近的被变化的金属化图案420，使得由于出现在所述金属化区域400上的散射电磁波410而导致的电流在它趋近所述金属化区域400的边缘时遇到更高的阻抗。
10.一种移动电话，其衰减出现在所述移动电话内的金属化区域400上、由所述移动电话内的组件引起的散射电磁波410，所述移动电话包括放置在所述金属化区域400的边缘附近的分立元件520，以便于由于出现在所述金属化区域400上的散射电磁波410而导致的电流遇到由于在所述金属化区域400的边缘附近的分立元件520而导致的更高的阻抗。
11.权利要求10所述的移动电话，其中所述分立元件520包括电阻器。
12.权利要求10所述的移动电话，其中所述分立元件520包括电容器。
13.权利要求10所述的移动电话，其中所述分立元件520包括电感器。
14.权利要求10所述的移动电话，其中所述分立元件520包括电阻器、电容器和电感器的组合。
15.一种移动电话，其衰减出现在所述移动电话内的金属化区域400上、由所述移动电话内的组件引起的散射电磁波410，所述移动电话包括放置在所述金属化区域400的边缘附近的电容间隙620和电感线630，以便于由于出现在所述金属化区域400上的散射电磁波410而导致的电流遇到由于在所述金属化区域400的边缘附近的电容间隙620和电感线630而导致的更高的阻抗。
16.一种移动电话，其衰减出现在所述移动电话内的金属化区域400上、由所述移动电话内的组件引起的散射电磁波410，所述移动电话包括放置在所述金属化区域400边缘附近的多个变化的传导层720，以便于由于出现在所述金属化区域400上的散射电磁波410而导致的电流遇到由于在所述金属化区域400边缘附近的多个变化的传导层720而导致的更高的阻抗。
全文摘要
本发明使用金属化端接技术(420、520、620、630、720)来减少金属化区域(400)边缘处的电磁场散射(410)。金属化端接技术(420、520、620、630、720)提供了从高传导性区域到高阻抗区域的逐渐过渡。移动电话天线照射PCB，允许电流在PCB上流动。当电流到达PCB的边缘时，它们流过渐增的高阻抗区域而没有反射回来或者散射。
文档编号H05K9/00GK1981507SQ200580020846
公开日2007年6月13日 申请日期2005年3月2日 优先权日2004年8月10日
发明者G·J·海斯, S·L·D·万斯 申请人:索尼爱立信移动通讯股份有限公司