专利名称：：发光元件、发光元件的制造方法、电子设备及电子机器的制作方法
技术领域：
：本发明涉及发光元件、发光元件的制造方法、电子设备及电子机器。
背景技术：
：使用了有机半导体材料的电致发光元件(以下简称为「有机EL元件」。)被认为有望用作固体发光型的廉价的大面积全色显示元件(发光元件)，进行了大量的开发。一般来说，有机EL元件是在阴极与阳极之间具有发光层的构成，当对阴极与阳极之间施加电场时，就会从阴极侧向发光层注入电子，从阳极侧向发光层注入空穴。此时，在有机EL材料(发光层材料)的分子构造或分子的集合状态为特定的状态的情况下，上述被注入的电子与空穴不会立即结合，而是作为特别的激发状态保持一定的时间。由此，与作为通常的状态的基态相比，分子的总能量会以激发能的量增加。将保持着该特别的激发状态的电子和空穴的对称作激子(exciton)。此后，当经过上述被保持的一定时间后，激子被破坏而电子与空穴结合时，则所增加的激发能就会作为热或光向外部释放。该光释放是在发光层附近进行的，上述激发能之中的进行光释放的比例受有机EL材料的分子构造或分子的集合状态的很大影响。另外判明，在此种有机EL元件中，为了获得高发光，有效的元件构造是将由载流子(电子或空穴)的载流子输送性不同的有机半导体材料构成的有机半导体层叠层于发光层与阴极及/或阳极之间。所以，在阳极与阴极之间叠层了发光层和有机半导体层(以下将它们合并称作「有机半导体层」。)的构成的有机EL元件中，为了获得高发光效率，对有机EL材料及有机半导体材料的分子构造或分子的集合状态以及发光层及有机半导体层所叠层的数目或位置等进行了研究。但是，实际情况是，即使在此种构成的有机EL元件中，也无法像所期待的那样获得发光效率等特性的提高(例如参照专利文献1:特开平9—255774号公报。)。此外，该结果被判断是因为，由于与有机半导体材料与电极的构成材料(金属材料)的相互作用相比，有机半导体材料之间的相互作用更大，因此无法充分地获得有机半导体层与电极的密接性，在有机半导体层与电极之间无法顺利地进行载流子的传送。
发明内容本发明的目的在于，提供发光效率等特性优良的发光元件、可以制造该发光元件的发光元件的制造方法、具备该发光元件的电子设备及可靠性高的电子机器。为了实现上述目的，本发明的发光元件是具有阴极、阳极、设于上述阴极与上述阳极之间的发光层、在上述阴极与上述发光层之间以与它们双方接触的方式设置的中间层的发光元件，其特征是，上述中间层包括以金属氧化物系半导体材料为主而构成的层状的基部、和担载于该基部的至少上述发光层侧的面中并与上述发光层接触的色素。这样，就会顺利地进行经由中间层的电子从阴极向发光层的传送，形成发光效率等特性优良的发光元件。本发明的发光元件中，上述金属氧化物系半导体材料优选氧化锌及氧化镉中的至少一种。这些材料由于是电子输送能力及与色素的密接性特别优良的材料，因此可以作为金属氧化物系半导体材料合适地使用。本发明的发光元件中，上述基部由具有空孔的多孔体构成，上述色素优选担载于上述基部的上述发光层侧的面和上述空孔的内面上。这样，就可以实现基部的色素的担载量的增大。本发明的发光元件中，上述空孔最好在上述基部的厚度方向上偏置于上述发光层侧。这样，就可以更为有效地进行发光层侧的发光层与色素之间的电子的传送、阴极侧的阴极与基部之间的电子的传送。本发明的发光元件中，上述多孔体的上述基部的平均空孔率优选2060%。这样，就可以在防止基部的机械强度降低的同时，增大空孔的内面的表面积，使更多的色素附着于该内面上，并且可以使发光层更多地进入空孔内。本发明的发光元件中，上述发光层的一部分最好浸入上述空孔内。这样，色素与发光层的接触面积增大，中间层与发光层的密接性提高，并且可以更为顺利地进行它们之间的电子的传送。本发明的发光元件中，上述色素优选以连结多环系色素及连续多环系色素当中的至少一方为主。这些材料对金属氧化物系半导体材料显示出优良的亲和性，并且由于在其构造中含有很多共轭系的键，因此电子输送能力特别优良，所以可以作为色素合适地使用。本发明的发光元件中，上述连结多环系色素优选为四硫代富瓦烯、香豆素6、红荧烯、1，1，4，4一四苯基一1，3—丁二烯、2—(4一叔丁基苯基)—5—(4—联苯基)一l，3，4一噁二唑、2，5—双(1—萘基)一1，3，4一噁二唑、3—(4一联苯基)一4一苯基一5—(4一叔丁基苯基)一l，3，4一三唑及1，3—双[5—(p—4一叔丁基苯基)一l，3，4一噁二唑一2—基]苯当中的至少一种。这些材料对金属氧化物系半导体材料显示出优良的亲和性，并且由于在其构造中含有很多共轭系的键，因此电子输送能力特别优良，所以可以作为色素合适地使用。本发明的发光元件中，上述连续多环系色素优选为香豆素343、尼罗红、芘、喹吖酮及N，N'—二甲基喹吖酮当中的至少一种。这些材料对金属氧化物系半导体材料显示出优良的亲和性，并且由于在其构造中含有很多共轭系的键，因此电子输送能力特别优良，所以可以作为色素合适地使用。本发明的发光元件中，上述中间层的平均厚度优选为1500nm。这样，就可以在可靠地进行经由中间层的从阴极向发光层的电子的传送的同时，实现发光元件的薄型化。本发明的发光元件中，上述阴极优选以导电性金属氧化物为主构成。这样，就可以将阴极制成对氧或水分比较稳定的材料。由此就可以省略密封构造的形成。其结果是，可以实现发光元件的小型化及制造成本的削减等。本发明的发光元件的制造方法是具有阴极、阳极、设于上述阴极与上述阳极之间的发光层、在上述阴极与上述发光层之间以与它们双方接触的方式设置的中间层的发光元件的制造方法，其特征是，该制造方法包括在上述阴极的一方的面侧，利用电镀法形成了层状的基部后，在该基部的至少与上述阴极相反一侧的面上担载色素而设置上述中间层的工序；在上述中间层的与上述阴极相反一侧，以与上述色素接触的方式获得发光层，并且在该发光层的与上述中间层相反一侧设置上述阳极的工序。这样，就可以顺利地进行经由中间层的从阴极向发光层的电子的传送，可以制造发光效率等特性优良的发光元件。本发明的发光元件的制造方法中，在上述形成中间层的工序中，最好在使用含有有机物的镀液形成了镀层后，从该镀层中除去上述有机物，将上述基部制成具有空孔的多孔体。根据该方法，可以很容易地控制形成于基部的空孔的大小(尺寸)，并且可以形成更为微细的空孔。本发明的发光元件的制造方法中，在上述形成中间层的工序中，最好在上述基部的与上述阴极相反一侧的面和上述空孔的内面上担载上述色素。本发明的发光元件的制造方法中，上述有机物优选以具有9一苯基咕吨骨架的化合物及具有二苯基甲烷骨架的化合物当中的至少一方为主。通过使用该化合物，就可以在使有机物与金属氧化物系半导体材料一起向镀层中析出后，从该镀层中不使金属氧化物系半导体材料溶出而将有机物除去。本发明的发光元件的制造方法中，上述具有9一苯基口占吨骨架的化合物优选为2'，4'，5'，7'—四溴荧光素一2钠盐、荧光素一2钠盐、若丹明B及赤藓红中的至少一种。通过使用该化合物，就可以在使有机物与金属氧化物系半导体材料一起向镀层中析出后，从该镀层中不使金属氧化物系半导体材料溶出而将有机物除去。本发明的发光元件的制造方法中，上述具有二苯基甲烷骨架的化合物优选为结晶紫、孔雀绿及金胺O当中的至少一种。通过使用该化合物，就可以在使有机物与金属氧化物系半导体材料一起向镀层中析出后，从该镀层中将有机物除去，而不使金属氧化物系半导体材料溶出。本发明的电子设备的特征是，具备本发明的发光元件。这样，就会具备特性优良的发光元件，可以制成可靠性高的电子设备。本发明的电子设备的特征是，具备利用本发明的发光元件的制造方法制造的发光元件。这样，就会具备特性优良的发光元件，可以制成可靠性高的电子设备。本发明的电子机器的特征是，具备本发明的电子设备。这样就可以获得可靠性高的电子机器。图1是表示发光元件的第一实施方式的纵剖面图。图2是将图1所示的发光元件的各部(各层)的界面附近放大表示的图。图3是将图1所示的发光元件的中间层及发光层的界面附近进一步放大表示的图。图4是表示发光元件的第二实施方式的纵剖面图。图5是表示具备本发明的发光元件的显示器装置的实施方式的纵剖面图。图6是表示使用了本发明的电子机器的便携式(或笔记本型)个人电脑的结构的立体图。图7是表示使用了本发明的电子机器的携带电话(也包括PHS)的结构的立体图。图8是表示使用了本发明的电子机器的数码相机的结构的立体图。图9是表示在实施例1及比较例1的发光元件中测定的施加电压的值的变化与通电电流的值的变化的关系的图表。具体实施例方式下面将参照附图所示的优选实施方式对本发明的发光元件、发光元件的制造方法、电子设备及电子机器进行详细说明。<发光元件>第一实施方式》下面，对发光元件的第一实施方式进行说明。图1是表示发光元件的第一实施方式的纵剖面图，图2是将图1所示的发光元件的各部(各层)的界面附近放大表示的图，图3是将图1所示的发光元件的中间层及发光层的界面附近进一步放大表示的图。而且，以下说明中，为了说明上的方便，将图1图3中的上侧作为「上」，将下侧作为「下」进行说明。图1所示的发光元件(电致发光元件)1是具备阴极3;阳极7;在阴极3与阳极7之间由从阴极3侧开始依次叠层的中间层4、发光层5、空穴输送层6构成的叠层体9的元件。此外，发光元件1其整体被设于基板2上，并且利用密封构件8密封。基板2是成为发光元件1的支承体的构件。在发光元件1是从与基板2相反一侧取出光的结构(顶发射型)的情况下，对基板2及阴极3分别并不特别要求透明性。另外，在发光元件1是从基板2侧取出光的结构(底发射型)的情况下，在基板2及阴极3中，分别使用实质上具有透明(无色透明、着色透明、半透明)性的材料。作为基板2，例如可以使用由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、环烯烃聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯之类的树脂材料、石英玻璃、钠玻璃之类的玻璃材料等构成的透明基板、由氧化铝之类的陶瓷材料构成的基板、在不锈钢之类的金属基板的表面形成了氧化膜(绝缘膜)的基板、由不透明的树脂材料构成的基板之类的不透明基板。此种基板2的平均厚度没有特别限定，然而优选为0.110mm左右，更优选0.15mm左右。阴极3是向后述的中间层4中注入电子的电极。从注入电子的观点考虑，阴极3的构成材料通常选择功函数小的材料。但是，本发明的发光元件l中，由于在阴极3与发光层5之间，设有如后所述结构的中间层4，因此可以在金属原子之间进行阴极3与中间层4之间的电子的传送。由此，作为阴极3的构成材料，即使使用功函数大的材料，也可以从阴极3向中间层4顺利地注入电子。作为此种阴极3的构成材料，如果是采用功函数小的材料，例如可以举出氧化铈、碳酸铈的热分解物、Na、Li、Ca、Mg、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或含有它们的合金等，如果是采用功函数大的材料，例如可以举出ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZinOxide)、ln203、Sn02、含有Sb的Sn02、含有Al的ZnO等导电性金属氧化物、Au、Pt、Ag、Cu或含有它们的合金等金属、导电性金刚石等碳系物质等，可以使用它们当中的一种，或者组合使用两种以上。它们当中，作为阴极3的构成材料，特别优选使用导电性金属氧化物。由于它们是对氧或水分等的稳定性及导电性特别优良的材料，因此可以更为可靠地进行从阴极3向中间层4的电子的注入。而且，在如前所述发光元件1为底发射型的情况下，在阴极3中，可以使用实质上具有透明性的材料。即，导电性金属氧化物可以选择实质上具有透明性的材料。这样，就可以将发光层5中发出的光可靠地从基板2此种阴极3的平均厚度没有特别限定，然而优选为100500nm左右，更优选为50150nm左右。当阴极3的厚度过薄时，则电阻率升高，产生电压下降，有可能无法充分地发挥作为阴极3的功能，而当阴极3过厚时，则在发光元件1为底发射型的情况下，光的透过率明显地降低，有可能因阴极材料的种类等因素而无法适于实用。另外，阴极3的表面电阻越低越好，具体来说，优选在50Q/口以下，更优选在20Q/口以下。表面电阻的下限值没有特别限定，然而通常优选为0.1Q/口左右。但是，在发光元件l中，如图1所示，设有密封构件8。由于一般来说功函数小的材料是容易被氧化的材料，因此出于抑制或防止阴极3发生变质，老化的目的，设置该密封构件8。由此，在阴极3由导电性金属氧化物那样对于氧或水分比较稳定的材料构成的情况下，也可以省略密封构件8的形成。这样，就可以实现发光元件1的小型化及制造成本的削减。另外，在基板2由具有挠曲性的材料构成的情况下，还可以对发光元件l赋予挠曲性。而且，对于密封构件8的构成材料等，将在后面叙述。另一方面，阳极7是向后述的空穴输送层6中注入空穴的电极。作为该阳极7的构成材料，优选使用功函数大、导电性优良的材料。这样，就可以更为顺利地进行从阳极7向空穴输送层6的空穴的传送。作为此种材料，优选使用在阴极3的构成材料中所说明的材料当中功函数大的材料。此种阳极7的平均厚度没有特别限定，然而优选为10200nm左右，更优选为50150nm左右。当阳极7的厚度过薄时，则有可能无法充分地发挥作为阳极7的功能，然而当阳极7过厚时，则发光元件l的发光效率有可能降低。另夕卜，阳极7的表面电阻越低越好，具体来说，优选在100Q/口以下，更优选在50Q/口以下。表面电阻的下限值没有特别限定，然而通常优选为0.1Q/口左右。在阴极3与阳极7之间，以与阴极3和阳极7接触的方式形成有从阴极3侧开始依次叠层了中间层4、发光层5和空穴输送层6的叠层体9。中间层4是具有将从阴极3注入的电子输送至发光层5的功能的层。本发明的发光元件l中，在该中间层4的构成中具有特征。艮口，如图3所示，中间层4包括以金属氧化物系半导体材料为主而构成的层状的基部41;担载于该基部41的发光层5侧的面和基部41所具备的空孔4a的内面上的、与发光层5接触的色素42。这里，由于阴极3与基部41主要由无机系材料构成，因此基部41就会对阴极3发挥优良的密接性。这样，就可以减小阴极3与基部41的界面附近的电阻，可以顺利地进行从阴极3向基部41的电子的注入。另外，由于色素42担载于基部41的发光层5侧，因此可以将注入到基部41的电子向色素42顺利地移动。另外，由于色素42与发光层5相互接触，都主要由有机系材料构成，因此色素42就会对发光层5发挥优良的密接性。这样，就可以顺利地进行从色素42向发光层5的电子的注入。基于如上所述的情况，通过在阴极3与发光层5之间设置此种构成的中间层4，中间层4对阴极3及发光层5都可以发挥优良的密接性，从而可以顺利地将从阴极3注入的电子输送至发光层5。虽然该基部41也可以是致密体，然而优选如图2及图3所示那样为多孔体。这样，不仅可以使基部41的上侧的面，即中间层4与发光层5接触的一侧的面担载色素42，而且还可以使空孔4a的内面也担载色素42，可以实现色素42的担载量的增大。另外，发光层5也可以进入(浸入)空孔4a地形成。基于此种情况，色素42与基部41及发光层5的接触面积增大，中间层4与发光层5的密接性提高，并且可以更为顺利地进行经由色素42的、在基部41与发光层5之间的、即中间层4与发光层5之间的电子的传送。另外，空孔4a虽然也可以如图2所示，均匀地存在于基部41中，但是优选偏置于基部41的上侧的构成，g卩，优选在基部41的厚度方向上偏置于发光层5侧的构成。换言之，优选在基部41的厚度方向上，发光层5侧的空孔率高于阴通过在基部41的厚度方向上，满足此种关系地设置空孔4a，就可以在发光层5侧增高发光层5与色素42的存在比率，降低金属氧化物系半导体材料(基部41)的存在比率，在阴极3侧，增高金属氧化物系半导体材料的存在比率，降低发光层5与色素42的存在比率。其结果是，可以更为有效地进行发光层5侧的发光层5与色素42之间、阴极3侧的阴极3与金属氧化物系半导体材料(基部41)之间的电子的传送。另外，通过将阴极3侧设为由致密体构成，就可以更为可靠地防止发光层5的一部分与阴极3接触。这样，就可以理想地阻止在阴极3与发光层5接触的区域和与中间层4接触的区域之间产生电子的注入效率的差别的情况。其结果是，可以可靠地防止发光元件l中的颜色不均的发生。此种基部41在其机械强度(膜强度)不会明显降低的范围内，最好平均空孔率尽可能地大，具体来说，优选为2060%左右，更优选3050%左右。这样，就可以在防止基部41的机械强度降低的同时，增大空孔4a的内面的表面积，在该内面上附着更多的色素42，并且可以使发光层5更多地进入空孔4a内。作为金属氧化物系半导体材料，只要是电子输送能力优良、可以担载色素42的材料即可，没有特别限定，然而例如可以举出氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、氧化锡(Sn02)、ScV04、YV04、LaV04、NdV04、EuV04、GdV04、ScNb04、ScTa04、YNb04、YTa04、ScP04、ScAs04、ScSb04、ScBi04、YP04、YSb04、BV04、A1V04、GaV04、InV04、T1V04、InNb04、InTa04，可以使用它们当中的一种，也可以组合使用两种以上，然而在它们当中，特别优选以氧化锌及氧化镉当中的至少一方作为主成分的材料。由于这些材料的电子输送能力及与色素42的密接性特别优良，因此优选。另外，作为色素42,只要是电子输送能力优良、可以担载于基部41的材料即可，没有特别限定，然而例如优选以连结多环系色素及连续多环系色素当中的至少一方作为主成分。由于这些材料对于金属氧化物系半导体材料显示出优良的亲和性，并且在其构造中含有很多共轭系的键，因此电子输送能力特别优良，所以优选。具体来说，作为连结多环系色素，例如可以举出以下述化学式(O下述化学式(8)表示的四硫代富瓦烯、香豆素6、红荧烯、1，1，4，4一四苯基一l，3—丁二烯、2—(4一叔丁基苯基)一5—(4一联苯基)一1，3，4—噁二唑、2，5—双(l一萘基)一l，3，4一噁二唑、3—(4—联苯基)一4一苯基一5—(4一叔丁基苯基)—1，3，4一三唑及1，3—双[5—(p—4一叔丁基苯基)—1，3，4一噁二唑一2—基]苯等。这些材料是更为明显地发挥如前所述的特性的材料。(1)四硫代富瓦烯<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(1)(2)香豆素6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(2)(3)红荧烯<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(3)(4)1，1，4，4一四苯基一1，3—丁二硒(TPB)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(4)(5)2—(4一叔丁基苯基)一5—(4—联苯基)一l，3，4一噁二唑(PBD)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(5)(6)2，5—双(l一萘基)一l，3，4一噁二唑(BND)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(6)(7)3—(4一联苯基)一4—苯基一5—(4一叔丁基苯基)—1，3，4一三唑(BND)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(7)(8)1，3—双[5—(p—4—叔丁基苯基)—1，3，4一噁二唑一2—基]苯(BND)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(8)另外，作为连续多环系色素，例如可以举出以下述化学式(9)下述化学式(13)表示的香豆素343、尼罗红、茈、喹吖酮及N，N，一二甲基喹吖酮等。这些材料是更为明显地发挥如前所述的特性的材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(9)香豆素343<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(10)尼罗红<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>此种色素42向基部41上的担载量没有特别限定，然而在每lcn^的中间层4中，优选为1X10—"1X1(TVo1左右，更优选为1X10—1G1X10^mol左右。通过在基部41中担载该量的色素42，就可以提高色素42与发光层5的密接性，即提高中间层4与发光层5的密接性，可以更为顺利地进行中间层4与发光层5之间的电子的传送。其结果是，发光元件1的发光效率变得更为优良。此种中间层4的厚度(平均)没有特别限定，然而优选为1500nm左右，更优选为5100nm左右。这样，就可以在可靠地进行经由中间层4的从阴极3向发光层5的电子的传送的同时，实现发光元件1的薄型化。空穴输送层6是具有将从阳极7注入的空穴输送至发光层5的功能的层。空穴输送层6的构成材料只要是具有空穴输送能力的材料即可，然而优选如下所示的以各种低分子的空穴输送材料、各种高分子的空穴输送材料作为基本构造的共轭系的化合物。共轭系的化合物由于其特有的电子云的拓宽所造成的性质，而可以极为顺利地输送空穴，因此空穴输送能力特别优良。而且，由于通过使用低分子的空穴输送材料可以获得致密的空穴输送层6，因此空穴输送层6的空穴输送效率提高。另外，由于当在空穴输送层6中使用高分子的空穴输送材料时，就可以比较容易地溶解于溶剂中，因此可以容易地进行利用喷墨印刷法或旋转涂覆印刷法等各种涂布法的空穴输送层6的形成。另外，通过将低分子的空穴输送材料与高分子的空穴输送材料组合使用，就可以获得能够利用喷墨印刷法等各种涂布法容易地形成致密并且空穴输送效率优良的空穴输送层6的效果。作为低分子的空穴输送材料，可以举出1，l一双(4一二一对三氨基苯基)环己烷、1，l，一双(4一二一对甲苯基氨基苯基)一4一苯基一环己垸之类的芳基环垸烃系化合物，4，4，，4"一三甲基三苯基胺、N，N，，N，，N，一四苯基一1，l'一联苯基一4，4'—二胺、N，N'—二苯基一N，N'—双(3—甲基苯基)一l，l，一联苯基一4，4，一二胺(TPD1)、N，N，一二苯基—N，N，一双(4一甲氧基苯基)一l，1，一联苯基一4，4，一二胺(TPD2)、N，N，，N，，N，一四(4一甲氧基苯基)一l，l，一联苯基一4，4，一二胺(TPD3)、N，N，一二(l一萘基)—N,N，一二苯基—1，r一联苯基一4，4'一二胺(a—NPD)、TPTE之类的芳基胺系化合物、N，N，N，，N'—四苯基对苯二胺、N，N，N，，N，一四(对甲苯基)一对苯二胺、N，N，N，，N，一四(间甲苯基)一间苯二胺(PDA)之类的苯二胺系化合物，咔唑、N一异丙基咔唑、N—苯基咔唑之类的咔唑系化合物，芪、4一二一对甲苯基氨基芪之类的芪系化合物，OxZ之类的噁唑系化合物，三苯基甲烷m—MTDATA之类的三苯基甲烷系化合物，1一苯基一3—(对二甲基氨基苯基)吡唑啉之类的吡唑啉系化合物，苯炔(benzine)(环己二烯)系化合物，三唑之类的三唑系化合物，咪唑之类的咪唑系化合物，1，3，4一噁二唑、2，5—二(4一二甲基氨基苯基)一l，3，4一噁二唑之类的噁二唑系化合物，蒽、9一(4一二乙基氨基苯乙烯基)蒽之类的蒽系化合物、芴酮、2，4，7—三硝基一9一芴酮、2，7—双(2—羟基一3—(2—氯苯基氨基甲酰基)一l一萘基偶氮基)芴酮之类的芴酮系化合物，聚苯胺之类的苯胺系化合物，硅垸系化合物，聚噻吩、聚(噻吩亚乙烯)之类的噻吩系化合物，聚(2，2'—噻吩基吡咯)、1，4一dithioketo—3，6—二苯基吡咯一(3，4一c)吡咯基吡咯之类的吡咯系化合物，florene之类的florene系化合物、卟啉、金属四苯基卟啉之类的卟啉系化合物、喹吖酮之类的喹吖酮系化合物，酞菁、铜酞菁、四(叔丁基)铜酞菁、铁酞菁之类的金属或非金属的酞菁系化合物，铜萘菁、氧钒基萘菁、单氯镓萘菁之类的金属或非金属的萘菁系化合物，N，N，一二(萘一l一基)一N，N'—二苯基一联苯胺、N，N，N，，N'—四苯基联苯胺之类的联苯胺系化合物等，可以使用它们中的一种，或者组合使用两种以上。这些物质都具有高空穴输送能力。作为高分子的空穴输送材料，可以作为在主链或侧链具有上述单体或低聚物(低分子的空穴输送材料)化合物的预聚物或聚合物(高分子的空穴输送材料)使用。作为其他的空穴输送材料，例如也可以使用聚(3，4一次乙二氧基噻吩/苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)之类的聚(噻吩/苯乙烯磺酸)系化合物等高分子的空穴输送材料。该材料具有高空穴输送能力。此种空穴输送层6的平均厚度没有特别限定，然而优选为10150nm左右，更优选50100nm左右。当空穴输送层6的厚度过薄时，则有可能产生针孔，然而当空穴输送层6过厚时，则会成为空穴输送层6的光的透过率变差的原因，发光元件1的发光颜色的色度(色相)有可能发生变化。当对阴极3与阳极7之间通电(施加电压)时，则电子就会经由中间层4而在发光层5中移动，另外空穴在空穴输送层6中移动，主要在发光层5的空穴输送层6侧的界面附近由电子和空穴生成exdton(激子)。该exciton在一定时间后复合，而在此时，就会将因上述激子生成而蓄积的激发能主要作为荧光或磷光等光释放出来。这就是电致发光。作为该发光层5的构成材料，只要是可以在施加电压时从阴极3侧注入电子，另外从阳极7侧注入空穴，提供电子与空穴复合的场所的材料，无论是何种材料都可以。此种发光材料中，有如下所示的各种低分子的发光材料、各种高分子的发光材料，可以使用它们当中的至少一种。而且，由于通过使用低分子的发光材料，就可以获得致密的发光层5，因此发光层5的发光效率提高。另外，由于通过使用高分子的发光材料，就可以比较容易地溶解于溶剂中，因此可以容易地进行利用喷墨印刷法等各种涂布法的发光层5的形成。另外，通过将低分子的发光材料与高分子的发光材料组合使用，就可以兼具使用低分子的发光材料及高分子的发光材料的效果，即，可以获得能够利用喷墨印刷法等各种涂布法容易地形成致密并且发光效率优良的发光层5的效果。作为低分子的发光材料，例如可以举出二苯乙烯基苯(DSB)、二氨基二苯乙烯基苯(DADSB)之类的苯系化合物，萘、尼罗红之类的萘系化合物，菲之类的菲系化合物，菽、6—硝基翁之类的蒽系化合物，菲、N，N，一双(2,5—二一叔丁基苯基)一3，4，9，10—菲一二羧基酰亚胺(BPPC)之类的芘系化合物、晕苯之类的晕苯系化合物，蒽、双苯乙烯基蒽之类的蒽系化合物，芘之类的芘系化合物，4一(二一氰基亚甲基)一2—甲基一6—(对二甲基氨基苯乙烯基)一4H—吡喃(DCM)之类的吡喃系化合物，吖啶之类的吖啶系化合物，芪之类的芪系化合物、2，5—二苯并二唑噻吩之类的噻吩系化合物，苯并噁唑之类的噁唑系化合物，苯并咪唑之类的苯并咪唑系化合物，2，2，一(对亚苯基二亚乙烯基)一双苯并噻唑之类的苯并噻唑系化合物，二苯乙烯基(1，4一二苯基一1，3—丁二烯)、四苯基丁二烯之类的丁二烯系化合物，萘二甲酰亚胺之类的萘二甲酰亚胺系化合物，香豆素之类的香豆素系化合物，紫环酮(perynone)之类的紫环酮系化合物，噁二唑之类的噁二唑系化合物，醛连氮系化合物，1，2，3，4，5—五苯基一1，3—环戊二烯(PPCP)之类的环戊二烯系化合物，喹吖酮、喹吖酮红之类的喹吖酮系化合物，吡咯并吡啶、噻二唑并吡锭之类的吡啶系化合物，2，2'，7，7'—四苯基一9，9'一螺二芴之类的螺化合物，酞菁(H2Pc)、铜酞菁之类的金属或非金属的酞菁系化合物，florene之类的florene系化合物，(8—羟基喹啉)铝(Alq3)、三(4一甲基一8—羟基喹啉)铝(III)(Almq3)、(8—羟基喹啉)锌(Znq2)、(1，IO—菲咯啉)一三一(4，4,4一三氟一1一(2—噻吩基)一丁垸一l，3—dionate)铕(III)(Eu(TTA)3(phen))、fac-tris(2—苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)、(2，3，7，8，12，13，17，18—八乙基一21H，23H—卟啉)钼(II)之类的各种金属络合物等。作为高分子的发光材料，例如可以举出反式聚乙炔、顺式聚乙炔、聚(二一苯基乙炔)(PDPA)、聚(烷基、苯基乙炔)(PAPA)之类的聚乙炔系化合物，聚(对苯亚乙烯基)(PPV)、聚(2，5—二垸氧基一对亚苯基亚乙烯基)(RO—PPV)、氰基取代—聚(对苯亚乙烯基)(CN—PPV)、聚(2—二甲基辛基甲硅垸基一对亚苯基亚乙烯基)(DMOS-PPV)、聚(2一甲氧基一5—(2'—乙基己氧基)一对亚苯基亚乙烯基)(MEH—PPV)之类的聚对亚苯基亚乙烯系化合物，聚(3—烷基噻吩)(PAT)、聚(氧基丙烯)三醇(POPT)之类的聚噻吩系化合物，聚(9，9一二烷基芴)(PDAF)、a，"一双[N,N，一二(甲基苯基)氨基苯基]一聚[9,9一双(2—乙基己基)芴一2，7—二基](PF2/6am4)、聚(9，9—二辛基一2，7—二亚乙烯基荷基一ortho—co(蒽一9，10—二基)之类的聚芴系化合物，聚(对亚苯基)(PPP)、聚(1，5—二烷氧基一对亚苯基)(RO—PPP)之类的聚对亚苯基系化合物，聚(N—乙烯基咔唑)(PVK)之类的聚咔唑系化合物，聚(甲基苯基硅烷)(PMPS)、聚(萘基苯基硅烷)(PNPS)、聚(联苯基苯基硅烷)(PBPS)之类的聚硅垸系化合物等。发光层5的厚度(平均)没有特别限定，然而优选为10150nm左右，更优选为50100nm左右。通过将发光层5的厚度设为上述范围，就可以有效地进行空穴与电子的复合，可以进一步提高发光层5的发光效率。而且，发光层5并不限定于像本实施方式中说明的那样的单层的形式，例如也可以是在与中间层4接触的一侧具备电子输送能力优良的电子输送层的多层的形式。通过将发光层设为此种构成，就可以进一步提高发光层中的电子输送能力。作为电子输送层的构成材料(电子输送材料)，没有特别限定，例如可以举出1，3，5—三[(3—苯基一6—三氟甲基)喹喔啉一2—基]苯(TPQ1)、1，3，5—三[(3—(4一叔丁基苯基)一6—三氟甲基}喹喔啉一2—基]苯(TPQ2)之类的苯系化合物(星爆炸(starburst)系化合物)，萘之类的萘系化合物，菲之类的菲系化合物，寇之类的遠系化合物，茈之类的茈系化合物，蒽之类的蒽系化合物，芘之类的芘系化合物，吖啶之类的吖啶系化合物，芪之类的芪系化合物，BBOT之类之类的噻吩系化合物，丁二烯之类的丁二烯系化合物，香豆素之类的香豆素系化合物，喹啉之类的喹啉系化合物，双苯乙烯基之类的双苯乙烯基系化合物、吡嗪、二苯乙烯基吡嗪之类的吡嗪系化合物，喹喔啉之类的喹喔啉系化合物，苯醌、2，5—二苯基一对苯醌之类的苯醌系化合物，萘醌之类的萘醌系化合物，蒽醌之类的蒽醌系化合物，噁二唑、2—(4一联苯基)一5—(4一叔丁基苯基)一l，3，4一噁二唑(PBD)、BMD、BND、BDD、BAPD之类的噁二唑系化合物，三唑、3，4，5—三苯基一1，2，4一三唑之类的三唑系化合物，噁唑系化合物，蒽酮之类的蒽酮系化合物，芴酮、1，3，8—三硝基芴酮(TNF)等菊酮系化合物，二苯酚合苯醌、MBDQ之类的苯酚合苯醌系化合物，芪醌、MBSQ等芪醌系化合物，蒽醌二甲垸系化合物，噻喃二氧化物系化合物，亚芴基甲烷系化合物，二苯基二氰基乙烯系化合物，florene之类的florene系化合物，酞菁、铜酞菁、铁酞菁之类的金属或非金属的酞菁系化合物，(8—羟基喹啉)铝(Alq3)、以苯并噁唑或苯并噻唑为配位基的络合物之类的各种金属络合物等，可以使用它们当中的至少一种。密封构件8被以将阴极3、中间层4、发光层5、空穴输送层6及阳极7覆盖的方式设置，具有将它们气密性地密封，阻断氧或水分的功能。通过设置密封构件8，尤其可以抑制或防止阴极3的氧化，可以获得提高发光元件1的可靠性、防止变质老化(提高耐久性)等效果。作为密封构件8的构成材料，例如可以举出Al、Au、Cr、Nb、Ta、Ti或含有它们的合金、氧化硅、各种树脂材料等。另外，密封构件8也可以制成平板状，与基板2相面对，将它们之间例如利用热固化性树脂等密封材料密封。而且，如前所述，在阴极3由导电性金属氧化物那样对氧或水分比较稳定的材料构成的情况下，也可以省略密封构件8的形成。此种发光元件1在将阴极3设为负，将阳极7设为正，施加0.5V的电压后，优选具有其电阻值达到100Q/ci^以上的特性，更优选具有达到lkQ/cr^以上的特性。该特性在发光元件中，显示出理想地防止或抑制阴极3与阳极7之间的短路(漏电)的作用，具有此种特性的发光元件1成为发光效率特别高的元件。此种发光元件1例如可以如下所示地制造。阴极形成工序首先，准备基板2，在该基板2上形成阴极3。阴极3例如可以使用等离子体CVD、热CVD、激光CVD之类的化学蒸镀法(CVD)，真空蒸镀、溅射、离子镀法等干式镀膜法，电镀、浸渍镀膜、非电镀等湿式镀膜法，火焰喷涂法、溶胶凝胶法、MOD法、金属箔的接合等来形成。中间层形成工序然后，在阴极3上形成中间层4。中间层4是通过在形成了多孔的基部41后，使之担载(附着)色素42而形成的。这里，作为形成多孔的基部41的方法，例如可以举出[I]使用含有有机物的镀液形成镀层后，从该镀层中除去有机物的方法；[n]将含有粒子状的金属氧化物系半导体材料的液状材料向阴极3上供给，在将液状材料中所含的液状成分除去后，进行烧成的方法等，然而它们当中，优选使用[I]的方法。根据该方法，形成于多孔的基部41中的空孔4a的大小(尺寸)的控制十分容易，并且可以形成更为微细的空孔4a。下面，以使用[I]的方法形成基部41而获得中间层4的情况为代表进行说明。首先，准备在含有所析出的金属氧化物系半导体材料中所含的金属的金属离子及氯化物离子的水溶液中溶解或分散了有机物的镀液。作为含有金属离子及氯化物离子的水溶液，只要是含有金属离子及氯化物离子的水溶液即可，例如可以使用含有成为金属离子及氯化物离子的离子源的金属氯化物的溶液，或组合使用含有成为金属离子源的水溶性的金属盐的溶液和含有成为氯化物离子的离子源的盐酸或水溶性的氯化物盐的溶液。另外，作为金属盐，例如可以举出金属硝酸盐、金属硫酸盐、金属磷酸盐等。作为氯化物盐，例如可以举出氯化钾、氯化钠、氯化锂、氯化铵等。镀液中的金属离子的浓度优选为0.010.5mol/L左右，更优选为0.10.3mol/L左右。另外，氯化物离子的浓度优选为0.010.5mol/L左右，更优选为0.10.3mol/L左右。通过将金属离子与氯化物离子的浓度设为该范围内，在下一工序[2A一2]中，就可以在阴极3上可靠地析出金属氧化物系半导体材料。溶解或分散于镀液中的有机物在下一工序[2A—2]中，可以与金属氧化物系半导体材料一起向镀层中析出，继而，在后续工序[2A—3]中，可以使用能够不从镀层中溶出金属氧化物系半导体材料而除去(溶出)有机物的溶液。作为此种有机物，例如优选使用具有以下述通式(14)表示的9一苯基咕吨骨架或以下述通式(15)表示的二苯基甲烷骨架的化合物。由于这些化合物在下一工序[2A—2]中可以与金属氧化物系半导体材料以均一的比例析出，因此就可以制成在基部41中均匀地形成了空孔4a的材料。作为具有9一苯基卩占吨骨架的化合物，没有特别限定，然而例如可以举出以下述化学式(16)下述化学式(19)表示的2',4'，5'，7'—四溴荧光素一2钠盐(酸性红87)、荧光素一2钠盐、罗丹明B及赤藓红等。通过使用该化合物，就可以可靠地获得如前所述的效果。(16)2，，4，，5，，7'—四溴荧光素一2钠盐(酸性红87)(16)(17)荧光素一2钠盐NaO'(17)(18)罗丹明BC00H(1B)(19)赤藓红(19〉另外，作为具有二苯基甲烷骨架的化合物，没有特别限定，然而例如可以举出以下述化学式(20)下述化学式(22)表示的结晶紫、孔雀绿及金胺O等。通过使用该化合物，就可以可靠地获得如前所述的效果。[化5]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>(20)结晶紫(21)孔雀绿NHHCi镀液中的有机物浓度虽然根据有机物的种类而略有不同，然而优选为0.010.5mmol/L左右，更优选为0.10.3mmol/L左右。这样，在后续工序[2A—3]中，就可以形成空孔4a。然后，将阴极3作为阴极设置，将由金属氧化物系半导体材料中所含的金属构成的金属板作为阳极设置，在将它们浸渍于镀液中的状态下，一边向镀液中供给氧气，一边对阴极与阳极之间施加电压。这样，在阴极3上，就会析出金属氧化物系半导体材料和有机物，形成以它们作为主材料的镀层。阴极的施加电压只要根据镀液中的金属离子及氯化物离子浓度等适当地设定即可，然而以氢还原电位计算，优选为一0.2一2.0V左右，更优选为一0.71.4V左右。这样，就可以在阴极3上可靠地形成镀层，并且可以比较容易地进行膜厚的控制。氧气的流量在每lcr^的镀层面(platedsurface)(阴极3)中，优选为0.05100sccm左右，更优选为0.530sccm左右。这样，就可以使作为金属氧化物的金属氧化物系半导体材料可靠地向阴极3上析出。另外，镀液的温度优选为20卯。C左右，更优选为5080。C左右。镀液的pH优选为1.07.0左右，更优选为4.06.0左右。通过将镀液的温度和pH设定为该范围，就可以在阴极3上可靠地形成主要由金属氧化物系半导体材料和有机物构成的镀层。而且，所得的基部41的平均空孔率与所选择的有机物及金属离子的种类或浓度的关系可以利用实验预先求得。另外，在将基部41制成致密体的情况下，在上述工序[2A—1]中，可以省略有机物向镀液中的添加。这样，就可以不析出有机物，形成主要由金属氧化物系半导体材料构成的镀膜，即形成致密性的基部41。另外，在基部41的厚度方向上，将空孔4a向形成发光层5的一侧偏置的情况下，只要将镀液中的有机物浓度与金属离子浓度的存在比设定为有机物浓度的比率随着镀层的形成而变大即可。例如，只要在镀层的形成途中向镀液中添加有机物即可。然后，将形成于阴极3上的镀层向碱溶液中浸渍。这样，有机物就从镀层中溶出(被除去)，而可以获得在原先存在该有机物的区域形成了空孔4a的基部41。作为碱溶液，没有特别限定，然而例如可以使用氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂及氢氧化铈等。碱溶液的pH没有特别限定，然而优选为8.512.0左右，更优选为9.510.5左右。这样，就可以从镀层可靠地溶出有机物。然后，在使用超纯水、二乙醚、热甲醇、丙酮、异丙醇之类的溶剂清洗了基部41后，将该溶剂除去。这样，在下一工序[2A—5]中，就可以在基部41上更为有效地担载色素42。作为除去溶剂的方法，例如可以举出利用加热的方法、真空(减压)干燥、吹送惰性气体的方法等，可以使用它们中的一种，或者组合使用两种以上。然后，在向基部41供给含有色素42的液状材料后，将液状材料干燥(脱溶剂)。这样，就可以在基部41的与阴极3相反一侧的面和空孔4a的内面担载色素42，获得中间层4。作为向基部41供给液状材料的方法，例如可以举出在液状材料中浸渍基板2、阴极3及基部41的叠层体的方法(浸渍法)；在基部41上涂布液状材料的方法(涂布法)；向基部41以喷淋状供给液状材料的方法等。液状材料中的色素42的浓度虽然根据向基部41上的担载量而略有不同，然而优选为0.010.5mol/L左右，更优选为0.10.3mol/L左右。另外，将液状材料向基部41接触(供给)的时间虽然根据色素42的种类而略有不同，然而优选为130分钟左右，更优选为210分钟左右。通过将使液状材料接触基部41的条件设定为该范围，就可以在基部41上可靠地担载色素42。作为配制液状材料的溶剂，例如可以举出各种水、甲醇、乙醇、异丙醇、乙腈、乙酸乙酯、醚、二氯甲烷、NMP(N—甲基一2—吡咯烷酮)等，可以使用它们中的一种，或者组合使用两种以上。另外，作为脱溶剂的方法，例如可以举出在大气压或减压下放置的方法；吹送空气、氮气等气体的方法等。而且，在使用浸渍法或涂布法的情况下，液状材料向基部41的供给优选在减压下进行。这样，就可以使含有色素42的液状材料可靠地到达空孔4a的内部。其结果是，可以遍布形成于基部41中的空孔4a整体地在其内面担载色素42。发光层形成工序然后，在中间层4上形成发光层5。发光层5例如可以通过将在溶剂中溶解或在分散剂中分散了如前所述的发光材料而成的发光层材料向中间层4上涂布(供给)后，除去发光层材料中所含的溶剂或分散剂而获得。另外，在上述工序[2A—5]中，基于与向基部41供给液状材料之时相同的理由，发光层材料向中间层4上的涂布(供给)优选在减压下进行。这样，就可以使发光层材料遍布中间层4所具备的空孔的整体地到达。其结果是，发光层5与色素42更为可靠地接触，从而可以更为顺利地进行发光层5与中间层4的载流子的传送。作为向中间层4上供给发光层材料的方法，可以使用各种方法，例如可以举出喷墨法、旋转涂覆法、液相雾化化学沉积法(LSMCD法)、浇注法、微型凹版印刷法、凹版印刷法、棒涂覆法、辊涂法、拉丝棒涂覆法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、微触印刷法之类的涂布法等，可以使用它们中的一种，或者组合使用两种以上。作为溶剂或分散剂，例如可以举出硝酸、硫酸、氨7K、过氧化氢、7jC、二硫化碳、四氯化碳、碳酸亚乙酯等无机溶剂，甲乙酮(MEK)、丙酮、二乙酮、甲基异丁基酮(MIBK)、甲基异丙基酮(MIPK)、环己酮等酮系溶剂，甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、二甘醇(DEG)、甘油等醇系溶剂，二乙醚、二异丙基醚、1，2—二甲氧基乙烷(DME)、1，4一二氧杂环己烷、四氢呋喃(THF)、四氢吡喃(THP)、苯甲醚、二甘醇二甲醚(diglyme)、二甘醇乙醚(卡必醇)等醚系溶剂，甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、苯基溶纤剂等溶纤剂系溶剂，己烷、戊烷、庚烷、环己烷等脂肪族烃系溶剂，甲苯、二甲苯、苯、三甲基苯、四甲基苯等芳香族烃系溶剂，吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族杂环化合物系溶剂，N，N—二甲基甲酰胺(DMF)、N，N—二甲基乙酰胺(DMA)等酰胺系溶剂，二氯甲烷、氯仿、1，2—二氛乙烷等卤素化合物系溶剂，乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸乙酯等酯系溶剂，二甲亚砜(DMSO)、环丁砜等硫化合物系溶剂，乙腈、丙腈、丙烯腈等腈系溶剂，甲酸、乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸等有机酸系溶剂之类的各种有机溶剂或含有它们的混合溶剂等。空穴输送层形成工序然后，在发光层5上形成空穴输送层6。空穴输送层6可以与发光层5相同地形成。即，空穴输送层6可以使用如前所述的空穴输送材料，利用像发光层形成工序[3A]中所说明的那样的方法来形成。阳极形成工序然后，在空穴输送层6上形成阳极7。阳极7可以利用如前所述的阴极形成工序[1A]中所说明的那样的方法，与阴极3相同地形成。[6A]密封构件形成工序然后，将阴极3、中间层4、发光层5、空穴输送层6及阳极7覆盖地形成密封构件8。密封构件8例如可以通过将由如前所述的材料构成的箱状的保护罩用各种固化性树脂(粘接剂)接合等来形成(设置)。在固化性树脂中，可以使用热固化性树脂、光固化性树脂、反应性固化树脂、厌氧性固化树脂的任意一种。经过如上所述的工序，就可以制造出发光元件l。而且，本实施方式中，虽然对在阴极3上依次叠层了中间层4、发光层5、空穴输送层6和阳极7，来制造发光元件1的情况进行了说明，然而并不限定于此种情况。即，例如也可以分别准备在阴极3上形成了中间层4的叠层体、在阳极7上依次叠层了空穴输送层6和发光层5的叠层体，通过在将中间层4与发光层5相面对的状态下，将它们接触而贴合来制造。<<第二实施方式>>下面，对发光元件的第二实施方式进行说明。图4是表示发光元件的第二实施方式的纵剖面图。而且，以下的说明中，将图4中的上侧称作「上」，将下侧称作「下」。下面，对于第二实施方式，将以与上述第一实施方式的不同点为中心进行说明，对于相同的事项将省略其说明。第二实施方式中，在阴极3与阳极7之间，不是设置像第一实施方式那样的由中间层4、发光层5和空穴输送层6构成的叠层体9，而是设置如图2所示的叠层体9"，除此以外与第一实施方式相同。该叠层体9"是在如图1所示的发光元件1所具备的叠层体9上，还具有由透明电极3'、中间层4'、发光层5'和空穴输送层6'构成的叠层体9'的材料，g卩，是将叠层体9和叠层体9'串联地连接。下面，以该叠层体9"为中心进行说明。在叠层体9上，即在空穴输送层6上，设有透明电极3'。该透明电极3'是兼具向空穴输送层6注入空穴的功能、和向中间层4'注入电子的功能的电极。另外，由于在发光元件10为顶发射型的情况下，需要使发光层5的发光向阳极7侧透过，在发光元件10为底发射型的情况下，需要使发光层5'的发光向阴极3侧透过，因此在透明电极3'的构成材料中，使用阴极3的构成材料中所说明的材料中的实质上具有透明(无色透明、着色透明、半透明)性的材料。具体来说，例如可以举出IZO(IndiumZincOxide)、ln203、Sn02、含Sb的Sn02、含Al的ZnO等透明性的导电性金属氧化物等，可以使用它们中的一种，或者组合使用两种以上。另外，叠层体9'所具备的中间层4'、发光层5'及空穴输送层6'是分别与叠层体9所具备的中间层4、发光层5及空穴输送层6相同结构的层。而且，中间层4'、发光层5'及空穴输送层6'的构成材料可以分别与中间层4、发光层5及空穴输送层6的构成材料相同，而只要是上述第一实施方式中所说明的材料所包括的材料，则也可以不同。通过将发光元件10设为此种构成，就可以从2个发光层5、5'中获得电致发光，因此可以更为稳定地进行该发光，并且可以实现发光效率的提咼0如以上说明所示的发光元件l、IO例如可以作为光源等使用。另外，通过将多个发光元件l、IO以矩阵状配置，则可以应用于显示器装置中。而且，作为显示器装置的驱动方式，没有特别限定，可以是有源矩阵方式、无源矩阵方式的任意一种。<电子设备>下面，以将具备本发明的发光元件的电子设备应用于显示器装置中的情况作为一个例子进行说明。图5是表示具备本发明的发光元件的显示器装置的实施方式的纵剖面图。图5所示的显示器装置100由基体20、设于该基体20上的多个发光元件l、IO构成。基体20具有基板21、形成于该基板21上的电路部22。电路部22具有形成于基板21上的例如由氧化硅层构成的保护层23、形成于保护层23上的驱动用TFT(开关元件)24、第一层间绝缘层25、第二层间绝缘层26。驱动用TFT24具有由硅构成的半导体层241、形成于半导体层241上的栅绝缘层242、形成于栅绝缘层242上的栅极243、源极244、漏极245。在此种电路部22上，与各驱动用TFT24对应地分别设有发光元件1、10。另外，相邻的发光元件l、10之间由第一隔壁部31及第二隔壁部32划分。本实施方式中，各发光元件l、10的阴极3构成像素电极，由配线27与各驱动用TFT24的漏极245电连接。另外，各发光元件1、10的阳极7被作为公共电极。此外，将各发光元件l、10覆盖地在基体20上接合密封构件(未图示)，将各发光元件l、IO密封。显示器装置100既可以是单色显示，也可以通过选择各发光元件1、10中所用的发光材料而实现彩色显示。<电子机器>此种显示器装置100(本发明的电子设备)可以装入各种电子机器中。图6是表示应用了本发明的电子机器的便携式(或笔记本型)的个人电脑的结构的立体图。该图中，个人电脑1100由具备键盘1102的主体部1104、具备显示部的显示单元1106构成，显示单元1106被借助合页构造部可以转动地支承在主体部1104上。该个人电脑1100中，显示单元1106所具备的显示部由上述的显示器装置100构成。图7是表示应用了本发明的电子机器的携带电话(也包括PHS)的结构的立体图。该图中，携带电话1200具备多个操作按钮1202、受话器耳承1204及送话器口承1206以及显示部。携带电话1200中，该显示部由上述的显示器装置IOO构成。图8是表示应用了本发明的电子机器的数码相机的结构的立体图。而且，该图中，对于与外部机器的连接也简单地进行了表示。这里，普通的照相机是利用被拍摄物的光像将银盐照片胶片感光，然而数码相机1300是将被拍摄物的光像利用CCD(ChargeCoupledDevice)等拍摄元件进行光电转换而生成拍摄信号(图像信号)。在数码相机1300的外壳(机壳)1302的背面，设有显示部，形成基于CCD的拍摄信号进行显示的结构，作为将被拍摄物作为电子图像来显示的取景器发挥作用。数码相机1300中，该显示部由上述的显示器装置100构成。在外壳的内部，设有电路基板1308。该电路基板1308设有能够收纳(储存)拍摄信号的存储器。另外，在外壳1302的前面侧(图示的构成中为背面侧)，设有包括光学透镜(拍摄光学系统)或CCD等的受光单元1304。当拍摄者确认显示于显示部中的被拍摄物像，按下快门按钮1306时，则该时刻的CCD的拍摄信号就被移送收纳到电路基板1308的存储器中。另外，该数码相机1300中，在外壳1302的侧面，设有视频信号输出端子1312、数据通信用的输入输出端子1314。此外，如图所示，根据需要，可以分别在视频信号输出端子1312上连接电视监视器1430，在数据通信用的输入输出端子1314上连接个人电脑1440。另外，利用规定的操作，将收纳于电路基板1308的存储器中的拍摄信号向电视监视器1430、个人电脑1440输出。而且，本发明的电子机器除了图6的个人电脑(便携式个人电脑)、图7的携带电话、图8的数码相机以外，还可以应用于例如电视机、摄像机、取景器型、监视器直视型的磁带录像机、笔记本型个人电脑、导航装置、寻呼机、电子记事簿(也包括带有通信功能的)、电子辞典、计算器、电子游戏机、文字处理器、工作站、电视电话、防范用电视监视器、电子望远镜、POS终端、具备触摸面板的机器(例如金融机构的自动存取款机、自动售货机)、医疗机器(例如电子体温计、血压计、血糖仪、心电显示装置、超声波诊断装置、内窥镜用显示装置)、鱼群探测仪、各种测定仪器、测量仪器类(例如车辆、航空器、船舶的测量仪器类)、飞行模拟器、其他的各种监视器类、投影仪等投射型显示装置等中。虽然以上基于图示的实施方式对本发明的发光元件、发光元件的制造方法、电子设备及电子机器进行了说明，然而本发明并不限定于这些。实施例下面，对本发明的具体的实施例进行说明。1.发光元件的制造在以下的各实施例及各比较例中，各制造了5个发光元件。(实施例1)一1A—首先，在平均厚度为0.5mm的透明的玻璃基板上，利用溅射法形成了平均厚度为150nrn的ITO电极(阴极)。一2A—然后，准备了以使氯化锌、氯化钾及2'，4，，5'，7，一四溴荧光素一2钠盐(酸性红87)的含量分别达到0.01mol/L、0.1mol/L及0.1mmol/L的方式配制的镀液(水溶液)。一3A—然后，在将设于石英基板上的ITO电极作为阴极，将锌基板作为阳极分别设置后，在将它们浸渍于镀液中的状态下，一边向镀液中供给氧气，一边向阴极与阳极之间施加电压。而且，施加电压时的各种条件如下所示。阴极的施加电压(以氢还原电位换算)一1.2V镀液的温度60°C镀液的pH:5.5氧流量每lcm2的ITO电极为lsccm*处理时间20分钟这样，在ITO电极上，就得到了在膜中含有酸性红87的平均厚度为100nm的氧化锌膜。一4A—然后，将该具备氧化锌膜的基板在氢氧化钾水溶液(pH-10.5)中浸渍5分钟，通过将膜中所含的酸性红87溶出，而将氧化锌膜制成具备空孔的多孔体。一5A—然后，在将氧化锌膜用超纯水清洗后，将其干燥。一6A—然后，将具备氧化锌膜的基板在0.1mol/L的香豆素343水溶液中浸渍7分钟，在膜的表面和空孔的内面担载香豆素343。—7A—然后，通过在将该氧化锌膜在氮气气氛下，以5(TCX10分钟的条件干燥后，再在减压下，以50°CX10分钟的条件干燥，而形成平均厚度为100nm的中间层。一8A—然后，在中间层上，利用旋转涂覆法涂布了聚(9，9一二辛基一2，7—二乙烯基芴基一ortho—co(蒽一9，10—二基)(重均分子量为200000)的1.7wt^二甲苯溶液后，在氮气气氛下，以10(TCX10分钟的条件干燥，继而在减压下，以10(TCX60分钟的条件干燥，形成了平均厚度为50nm的发光层。一9A—然后，在发光层上，真空蒸镀铜酞菁，形成了平均厚度为10nm的空穴输送层。一10A—然后，在空穴输送层上，利用真空蒸镀法，形成了平均厚度为300nm的Al电极(阳极)。一11A—然后，将所形成的各层覆盖地包覆聚碳酸酯制的保护罩，利用紫外线固化性树脂固定、密封，完成发光元件。(实施例2)除了在上述工序一3A—中，在施加电压后10分钟后，以使镀液中的酸性红87的浓度达到0.2mmol/L的方式进行添加以外，与上述实施例1相同地制造了发光元件。(实施例3)除了在上述工序一2A—中，配制省略了酸性红87的添加的镀液，在上述工序一3A—中，在施加电压后10分钟后，以使镀液中的酸性红87的浓度达到0.1mmoI/L的方式进行添加以外，与上述实施例1相同地制造了发光元件。(实施例4)除了在上述工序一2A—中，配制省略了酸性红87的添加的镀液，省略了上述工序一4A—和上述工序一5A—以外，与上述实施例1相同地制造了发光元件。(实施例5)除了作为色素不使用香豆素343而使用了四硫代富瓦烯以外，与上述实施例1相同地制造了发光元件。(实施例6)除了作为色素不使用香豆素343而使用了四硫代富瓦烯以外，与上述实施例2相同地制造了发光元件。(实施例7)除了作为色素不使用香豆素343而使用了四硫代富瓦烯以外，与上述实施例3相同地制造了发光元件。(实施例8)除了作为色素不使用香豆素343而使用了四硫代富瓦烯以外，与上述实施例4相同地制造了发光元件。(实施例914)除了将中间层的形成中所用的有机物、基部的构成材料及色素分别设为表1所示的物质以外，与上述实施例1相同地制造了发光元件。(实施例15)一1B—首先，除了作为有机物使用孔雀绿，作为基部的构成材料使用氧化镉，作为色素使用香豆素343以外，与上述工序一1A—上述工序一9A—相同地在玻璃基板上依次形成阴极、中间层、发光层和空穴输送层。一2B—然后，在空穴输送层上，与上述工序一1B—相同地依次形成透明电极、中间层、发光层和空穴输送层。一3B—然后，与上述工序一10A—相同地在空穴输送层上形成阳极。一4B—然后，与上述工序一11A—相同地将各层利用保护罩密封，制造了发光元件。(实施例16)除了作为色素不使用香豆素343而使用了四硫代富瓦烯以外，与上述实施例15相同地制造了发光元件。(比较例1)除了省略中间层的形成以外，与上述实施例l相同地制造了发光元件。(比较例2)除了通过利用真空蒸镀法供给3，4，5—三苯基一1，2，4一三唑来进行上述工序一2A—上述工序一7A—的中间层的形成以外，与上述实施例l相同地制造了发光元件。2.评价对各实施例及各比较例的发光元件，分别测定了通电电流(A)、发光亮度(cd/m2)、最大发光效率(lm/W)，并且测定了发光亮度达到初始值的一半的时间(减半期)。而且，这些测定是通过对Al电极与ITO电极之间施加9V的电压而进行的。此外，以比较例1中所测定的各测定值(通电电流、发光亮度、最大发光效率、减半期)作为基准值，依照以下的4段的基准分别评价了实施例1实施例16及比较例2中测定的各测定值。◎:相对于比较例1的测定值在1.50倍以上。〇相对于比较例1的测定值在1.25倍以上而小于1.50倍。相对于比较例1的测定值在l.OO倍以上而小于1.25倍。X:相对于比较例1的测定值在0.75倍以上而小于1.00倍。将这些评价结果分别表示于以下的表1中。另外，作为一个例子，在图9中给出表示实施例1及比较例1的发光元件中所测定的施加电压的值的变化与通电电流的值的变化的关系的图<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>如表1所示，各实施例的发光元件与各比较例的发光元件相比，通电电流、发光亮度、最大发光效率及减半期都可以获得更为优良的结果。由此说明，本发明的发光元件中，由于阴极与中间层的界面及中间层与发光层的界面的密接性分别提高，因此可以理想地进行经由中间层的从阴极向发光层的电子的传送。另外，在实施例2、3、6、7中可以更为明显地看到此种倾向。这可以推测是因为，因空孔向发光层侧偏置，中间层与阴极和发光层的密接性迸一步提高。根据本发明，发光元件在发光层与阴极之间具备中间层，其具有主要由金属氧化物系半导体材料构成的层状的基部、以及担载于该基部的发光层侧的面和基部所具备的空孔的内面上并与发光层接触的色素。这里，由于阴极与基部主要由无机系的材料构成，因此基部就会对阴极发挥优良的密接性。这样，就可以减小阴极与基部的界面附近的电阻，可以顺利地进行从阴极向基部的电子的注入。另外，由于色素担载于基部的发光层侧，因此可以将注入基部的电子向色素顺利地移动。另外，由于色素与发光层相互接触，都主要由有机系的材料构成，因此色素就会对发光层发挥优良的密接性。这样，就可以顺利地进行从色素向发光层的电子的注入。基于以上的情况，通过在阴极与发光层之间设置此种构成的中间层，就可以顺利地将从阴极注入的电子经由中间层输送至发光层，其结果是，发光层的发光效率提高。另外，利用本发明的发光元件的制造方法，可以制造如上所述的结构的发光元件。另外，具备此种结构的发光元件的电子设备及电子机器成为可靠性高的产品。所以，具有工业上的利用可能性。权利要求1.一种发光元件，具有阴极、阳极、设于上述阴极与上述阳极之间的发光层、和在上述阴极与上述发光层之间以与它们双方接触的方式设置的中间层，其特征是，上述中间层包括以金属氧化物系半导体材料为主而构成的层状的基部；以及担载于该基部的至少上述发光层侧的面中并与上述发光层接触的色素。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，上述金属氧化物系半导体材料是氧化锌及氧化镉中的至少一种。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，上述基部由具有空孔的多孔体构成，上述色素担载于上述基部的上述发光层侧的面和上述空孔的内面中。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，上述空孔在上述基部的厚度方向上偏置于上述发光层一侧。5.根据权利要求3所述的发光元件，其中，上述多孔体的上述基部的平均空孔率为2060%。6.根据权利要求3所述的发光元件，其中，上述发光层的一部分浸入上述空孔内。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，上述色素以连结多环系色素及连续多环系色素当中的至少一方为主。8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，上述连结多环系色素为四硫代富瓦烯、香豆素6、红荧烯、1，1，4，4一四苯基一1，3—丁二烯、2—(4一叔丁基苯基)—5—(4一联苯基)一l，3，4一噁二唑、2，5—双(l一萘基)1，3，4一噁二唑、3—(4—联苯基)一4一苯基一5—(4—叔丁基苯基)一l，3，4一三唑及1，3—双[5—(p—4—叔丁基苯基)一l，3，4一噁二唑一2—基]苯当中的至少一种。9.根据权利要求7所述的发光元件，其中，上述连续多环系色素为香豆素343、尼罗红、茈、喹吖酮及N，N'—二甲基喹吖酮当中的至少一种。10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，上述中间层的平均厚度为1500nm。11.根据权利要求l所述的发光元件，其中，上述阴极以导电性金属氧化物为主而构成。12.—种发光元件的制造方法，所述发光元件具有阴极、阳极、设于上述阴极与上述阳极之间的发光层、在上述阴极与上述发光层之间以与它们双方接触的方式设置的中间层，其特征是，所述制造方法包括在上述阴极的一方的面侧，利用电镀法形成了层状的基部后，在该基部的至少与上述阴极相反一侧的面上担载色素而设置上述中间层的工序；在上述中间层的与上述阴极相反一侧，以与上述色素接触的方式获得发光层，并且在该发光层的与上述中间层相反一侧设置上述阳极的工序。13.根据权利要求12所述的发光元件的制造方法，其中，在上述形成中间层的工序中，在使用含有有机物的镀液形成了镀层后，从该镀层中除去上述有机物，将上述基部制成具有空孔的多孔体。14.根据权利要求13所述的发光元件的制造方法，其中，在上述形成中间层的工序中，在上述基部的与上述阴极相反一侧的面和上述空孔的内面上担载上述色素。15.根据权利要求13所述的发光元件的制造方法，其中，上述有机物以具有9一苯基咕吨骨架的化合物及具有二苯基甲垸骨架的化合物当中的至少一方为主。16.根据权利要求15所述的发光元件的制造方法，其中，上述具有9一苯基卩占吨骨架的化合物为2'，4'，5'，7'—四溴荧光素一2钠盐、荧光素一2钠盐、罗丹明B及赤藓红中的至少一种。17.根据权利要求15所述的发光元件的制造方法，其中，上述具有二苯基甲垸骨架的化合物为结晶紫、孔雀绿及金胺O当中的至少一种。18.—种电子设备，其特征是，具备权利要求1所述的发光元件。19.一种电子设备，其特征是，具备利用权利要求12所述的发光元件的制造方法制造的发光元件。20.—种电子机器，其特征是，具备权利要求18所述的电子设备。全文摘要本发明提供发光效率等特性优良的发光元件、可以制造该发光元件的发光元件的制造方法、具备该发光元件的电子设备及可靠性高的电子机器。发光元件是具有阴极、阳极、设于阴极与阳极之间的发光层、在阴极与发光层之间以与它们双方接触的方式设置的中间层的发光元件，中间层包括以金属氧化物系半导体材料为主而构成的层状的基部、担载于该基部的至少发光层侧的面中并与发光层接触的色素。文档编号H05B33/10GK101194380SQ20068002071公开日2008年6月4日申请日期2006年6月9日优先权日2005年6月10日发明者上原正光申请人:精工爱普生株式会社