专利名称：多晶碳头料的清洗方法
多晶碳头料的清洗方法
技术领域：
本发明涉及太阳能硅料中多晶碳头料上石墨的处理技术领域，特别是一种多晶碳头料的清洗方法。
背景技术：
随着现代化建设的快速发展，硅材料的供应无法满足日益增长的工业要求，多晶硅在生长过程中有部分硅料上附有石墨，且在运输工程中有些许杂质附于其表面。传统的处理方法是用机械法将附在表面的石墨磨去，这样对硅的损耗降会很大，且速度很慢，严重浪费生产工时，处理不妥还会额外带来一些杂质，不能保证硅料表面杂质完全被清除。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种通过化学方法能完全除去多晶碳头料所含有的石墨杂质，同时对多晶碳头料损耗少，且对环境影响小的多晶碳头料的清洗方法。
为了达到上述目的，本发明所设计的多晶碳头料的清洗方法，主要包含以下步骤
a) 将多晶碳头料放入硫酸、高锰酸钾、硝酸钠的混合溶液中浸泡；
b) 捞出多晶碳头料后用清水冲洗干净；
c) 将多晶碳头料放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗；
d) 捞出多晶碳头料用纯水冲洗干净；
e) 对多晶碳头料进行纯水超声处理；
f) 捞出多晶碳头料，进行烘干。
其中硫酸、高锰酸钾、硝酸钠混合溶液的重量比为硫酸20份，高锰酸钾0.1份至0.5份，硝酸钠0.1份至0.5份；所述的硝酸、氢氟酸混合溶液的重量比为硝酸10至15份，氢氟酸1份。
为了达到更好的清洗效果，多晶碳头料在硫酸、高锰酸钾、硝酸钠的混合溶液中浸泡12小时以上。且所述的硫酸是浓度为98%的电子级硫酸，所述的硝酸是浓度大于等于70%的电子级硝酸，所述的氢氣酸是浓度大于等于49%的氢氟酸。
本发明所设计的多晶碳头料的清洗方法，摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法，而是采用化学清洗的方法。由于使用了化学溶液对多晶碳头料进行全面的清洗，传统的方法相比能完完全全的将多晶碳头料的上的石墨杂质去除，完全符合太阳能硅业的清洁要求，且对多晶碳头料本身的损耗很少，大大增加了原料的可利用率。且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。
图l是本实施例l流程示意图。
具体实施例方式
下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。
实施例1
如图1所示，本实施例描述的多晶碳头料的清洗方法，主要包含以下步骤在PP
曹中配置重量比98%硫酸固体高锰酸钾固体硝酸钠=20 : 0.1 : 0.1的混合液，然后将多晶碳头料小心的投入其中，浸泡24小时。在此过程中多晶碳头料中的石墨能完全被反
应掉，达到去除附在多晶碳头料上的石墨的目的；然后捞取多晶碳头料，用清水冲洗干
净后，用酸洗篮子装好后放入75%硝酸49%氢氟酸=10 : 1的混合溶液腐蚀1-3分钟，此过程可完全去除多晶碳头料表面的污物；再拿出多晶碳头料用纯水冲洗干净，放入超声波加纯水超声1-2小时后取出烘干，完成整个清洗过程。实施例2
本实施例所描述的多晶碳头料的清洗方法，其所述的硫酸、高猛酸钾、硝酸钠溶液的三种主要溶质的重量比为20 : 0.5 : 0.5，且多晶碳头料在该溶液中浸泡12个小时后即可捞取后清洗，待清洗干净后通过酸洗篮子放入重量比为70%硝酸60%氢氟酸=15 : 1
的溶液中进行腐蚀。
权利要求
1. 一种多晶碳头料的清洗方法，其特征是包括以下步骤a)将多晶碳头料放入硫酸、高锰酸钾、硝酸钠的混合溶液中浸泡；b)捞出多晶碳头料后用清水冲洗干净；c)将多晶碳头料放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗；d)捞出多晶碳头料用纯水冲洗干净；e)对多晶碳头料进行纯水超声处理；f)捞出多晶碳头料，进行烘干。
2. 根据权利要求1所述的多晶碳头料的清洗方法，其特征是所述硫酸、高锰酸钾、 硝酸钠混合溶液的重量比为硫酸20份，高锰酸钾0.1份至0.5份，硝酸钠O.l 份至0.5份；所述的硝酸、氢氟酸混合溶液的重量比为硝酸10份至15份，氢氟酸1份。
3. 根据权利要求1或2所述的多晶碳头料的清洗方法，其特征是多晶碳头料在硫 酸、高锰酸钾、硝酸钠的混合溶液中浸泡12小时以上。
4. 根据权利要求1或2所述的多晶碳头料的清洗方法，其特征是所述的硫酸是浓 度为98%的电子级硫酸，所述的硝酸是浓度大于等于70%的电子级硝酸，所述 的氢氟酸是浓度大于等于49%的氢氟酸。
5. 根据权利要求3所述的多晶碳头料的清洗方法，其特征是所述的硫酸是浓度为 98%的电子级硫酸，所述的硝酸是浓度大于等于70%的电子级硝酸，所述的氢 氟酸是浓度大于等于49%的氢氟酸。
全文摘要
本发明公开一种多晶碳头料的清洗方法，主要包含以下步骤将多晶碳头料放入硫酸、高锰酸钾、硝酸钠的混合溶液中浸泡，捞出多晶碳头料后用清水冲洗干净，将多晶碳头料放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗，捞出多晶碳头料用纯水冲洗干净，对多晶碳头料进行纯水超声处理，捞出多晶碳头料，进行烘干。本方法摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法，采用化学清洗的方法。由于使用了化学溶液对多晶碳头料进行的清洗，与传统的方法相比能的将多晶碳头料的上的石墨杂质去除，完全符合太阳能硅业的清洁要求，且对多晶碳头料本身的损耗很少，增加了原料的可利用率。且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。
文档编号C30B33/00GK101481824SQ20081016378
公开日2009年7月15日 申请日期2008年12月31日 优先权日2008年12月31日
发明者裘永恒 申请人:嘉兴嘉晶电子有限公司