专利名称：一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置和取棒装置组合件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种光伏和半导体技术领域的多晶硅棒生产结束后的转移 取棒装置，特别是涉及一种一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置和取棒装置组 合件。
背景技术：
由于硅材料的独特性质，成为现代电子工业和信息社会的基础。硅材料按 纯度划分，可分为金属硅和半导体(电子级)硅；按结构形态划分，可分为非 晶硅、多晶硅和单晶硅。其中多晶硅又分为高纯多晶硅、薄膜多晶硅、带状多
晶硅和铸造多晶硅，单晶硅分为区熔单晶硅和直拉单晶硅；多晶硅和单晶硅又 可以统称为晶体硅。金属硅是低纯度硅，是高纯多晶硅的原料；高纯多晶硅则 是铸造多晶硅、区熔单晶硅和直拉单晶硅的原料；而非晶硅薄膜和薄膜多晶硅 主要是由高纯硅垸气体或其他含硅气体分解或反应得到的。
高纯多晶硅的纯度很高， 一般要求纯度达到99. 999999%-99. 9999999%。杂 质含量要降到10—9的水平。高纯多晶硅一般是通过冶金硅通过化学或物理方法提 纯得到的。化学提纯是指通过化学反应，将硅转化为中间化合物，再利用精馏 提纯等技术提纯中间化合物，使之达到高纯度，然后再将中间化合物通入到反 应器中，通过利用化学气相沉积技术或流化床技术还原成硅，此时的高纯硅为 多晶状态，可以达到半导体工业的要求。根据中间化合物的不同，化学提纯多 晶硅可分为不同的技术路线，起共同的特点是中间化合物容易提纯。目前，
在工业中应用的技术有三氯氢硅氢还原法(中间化合物为三氯氢硅)、硅垸热
分解法(中间化合物为硅烷)和四氯化硅氢还原法(中间化合物为四氯化硅)。 流化床技术是指将高纯多晶硅粉末置于加热流化床上，通入中间化合物和高纯氢气，直接形成硅液滴，最后凝固成高纯多晶硅。
化学气相沉积法是指将置于多晶硅还原炉上的电极(我们把进行化学气相 沉积反应的反应器称为多晶硅还原炉，多晶硅还原炉主要有底板与罩子组成， 其中还原炉底板上安装有用来加热用的电极)，通过成对的电极，将置于电极上
的硅芯棒(直径约5毫米)通电加热至110(TC以上，通入中间化合物和高纯氢 气，发生还原反应，采用化学气相沉积技术生成高纯硅沉积在硅芯棒上，使硅 棒不断长大，直到硅棒的直径达到数十毫米至数百毫米。
对于采用化学气相沉积技术生产高纯多晶硅，通过化学气相沉积反应得到 高纯多晶硅棒后，存在将多晶硅棒从多晶硅还原炉底板转移到下一个生产工序 车间的过程，我们把这个过程称为取棒过程。取棒过程是一个人工操作的过程， 它涉及到操作工的安全、多晶硅棒的质量，以及多晶硅棒的生产周期。
目前传统的取棒方法为待反应完成后，将还原炉的罩子从底板处移开，
多晶硅棒暴露在环境中，用人工或机械手将硅棒底部的石墨夹头脱离反应器底 板上的电极，将硅棒一对一对的取出，然后将多晶硅棒运输到下一个生产车间。 传统的取棒方法存在着许多的缺陷，第一、传统的取棒方法是将多晶硅棒暴露 在环境中取棒的，会造起多晶硅棒被环境中的离子、二氧化碳以及其他材料污
染，影响多晶硅棒的质量；第二、传统的取棒方法要求人工或机械手一次次地 把多晶硅棒运输到下一个生产车间， 一次只能运一对，目前多晶硅氢还原炉一 般设计为24对或18对多晶硅棒，例如取棒对象为24对棒的还原炉，要求人工 或机械手需运输次数高达24次，不仅操作烦琐，而且取棒消耗时间长；第三、 因为必须等所有的多晶硅棒从还原炉底板中转移出来，才可以进行还原炉底板 清洁，进行下一炉次的反应，由于传统的取棒方法取棒时间长，这样会影响到 下一炉次的反应，即延长了生产周期；第四、由于多晶硅是一种非常锋利的材料，人工取棒时，硅棒容易产生断裂，刮伤操作人员。 发明内容
本实用新型的目的在于提供一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置和取棒装
置组合件，降低了在转移过程中多晶硅棒被污染的风险；使用本实用新型，大 大简化了生产工艺，减少了转移多晶硅棒所需时间，降低了多晶硅生产周期； 同时解决了操作工容易被多晶硅棒刮伤的危险。
一次性转移多晶硅棒减少了所需时间对技术进步的贡献是非常突出的。这 意味着多晶硅炉可以快速投入下一次的再生产中。
本实用新型的技术方案为
一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中面对分布在同轴的多个圆环
上的多根多晶硅棒，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒，再一次性取 次外圈圆环上的多晶硅棒，依次从外到里， 一圈圈地取出所有多晶硅棒。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中首先将一个取棒装置的空腔 罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板的多根多晶硅棒的外面，再通过断裂用的 接触件施加力量使得性质脆弱的多根多晶硅棒在与断裂用的接触件接触的部位 断裂，多晶硅棒落入取棒装置的空腔中，采用支撑用的接触件支撑多晶硅棒使 断裂的大块的多晶硅棒继续盛装在取棒装置的空腔中而不会滑落出空腔，最后 向上移动取棒装置离开多晶硅炉体底板，即完成一次能取出多根多晶硅棒的取 棒任务。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中首先将一个取棒装置的空腔 罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板的多根多晶硅棒的外面，断裂用的接触件 采用撞击锤，撞击锤穿过取棒装置的壁，再通过断裂用的接触件施加力量撞击 多根多晶硅棒，使得性质脆弱的多根多晶硅棒在与断裂用的接触件接触的部位断裂，多晶硅棒落入取棒装置的空腔中，采用支撑用的接触件支撑多晶硅棒使 断裂的大块的多晶硅棒继续盛装在取棒装置的空腔中而不会滑落出空腔，最后 向上移动取棒装置离开多晶硅炉体底板，即完成一次能取出多根多晶硅棒的取 棒任务。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中首先将一个取棒装置的空腔 罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板的多根多晶硅棒的外面，用断裂用的接触 件将多根多晶硅棒固定在取棒装置上，再通过断裂用的接触件施加力量使得性 质脆弱的多根多晶硅棒在与接触件接触的部位断裂，多晶硅棒落入取棒装置的 空腔中，采用支撑用的接触件支撑多晶硅棒使断裂的大块的多晶硅棒继续盛装 在取棒装置的空腔中而不会滑落出空腔，最后向上移动取棒装置离开多晶硅炉 体底板，完成一次能取出多根多晶硅棒的取棒任务。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中接触件设置在取棒装置的壁上。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中在将一个取棒装置的空腔罩 在等待取出的位于多晶硅炉体底板上的多根多晶硅棒的外面的步骤之前增加安 装导向件的步骤在多晶硅炉体底板边缘上固定有有利于取棒装置外壁准确的 上下移动的取棒导向件。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中取棒装置是由壁以及壁围绕 而成的空腔组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒的接触件。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中可以支撑断裂后的多晶硅棒 的接触件设置在取棒装置的壁上。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中断裂用的接触件设置在取棒 装置的壁上。一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中取棒装置上设置有可以与吊 车活动连接的连接件。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中取棒装置的壁之外套接有卡 箍装置。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中包括两个同心的圆筒状的内 圈和外圈，内圈和外圈之间通过若干隔离连接叶片连接；外圈和内圈和隔离连 接叶片组成了取棒装置的壁，壁围绕形成空腔，取棒装置的壁可以通过接触件 将多晶硅棒与取棒装置固定在一起。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中取棒门安装在取棒装置的壁上。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置组合件，其中包括同心的圆筒状的 半径不同的里层取棒装置、中层取棒装置、外层取棒装置；中层取棒装置位于
外层取棒装置正中；里层取棒装置位于中层取棒装置正中。
一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置组合件，其中包括同心的圆筒状的 半径不同的里层取棒装置、中层取棒装置、外层取棒装置；中层取棒装置位于 外层取棒装置正中；里层取棒装置位于中层取棒装置正中；里层取棒装置、中 层取棒装置、外层取棒装置顶部通过相应的活动连接件固定在横梁上，横梁外 连吊车。
多晶硅棒是一种非常容易断裂的物质，断裂口锋利容易划伤操作工。 由于目前的取棒方法不仅对取棒操作工的安全没有保障，而且暴露在环境 中的多晶硅棒存在被环境中的离子、二氧化碳以及其他材料污染的危险，影响 多晶硅棒的质量；取棒消耗时间长。在这一背景下，本实用新型提出的多晶硅 取棒过程都是将多晶硅棒放置在取棒器的空腔中保护起来的条件下操作的，所以消除了操作工被暴露在环境中的多晶硅棒划伤的危险，同时也解决了多晶硅
棒会被污染的问题；相对于传统的取棒方法，例如取棒对象为24对棒的还原炉， 吊车需运输次数高达24次，而使用本实用新型取棒，吊车只需运输l-8次。通 常是3-5次。
本实用新型的优点与工作原理由于经过化学气相沉积反应得到的硅棒是 呈一层一层圆周状地生长在还原炉的底板电极上的，共有三层。目前的多晶硅 还原炉一般设计为生长24对、18对多晶硅棒。以生长24对棒为例，外层有12 对硅棒，中层有8对硅棒，内层有4对硅棒。本实用新型基于这一特点，采用 了分层次取棒，就是采用本实用新型为了方便操作，所有轻的设备可以手工移 动，重的设备用吊车来移动。用吊车先把最外层的12对硅棒一次性取出，再用 吊车把中层的8对硅棒一次性取出，最后用吊车把内层的4对硅棒一次性取出。 此取棒装置满足在取棒过程中先将多晶硅棒保护起来，解决了传统的将硅棒暴 露在环境中的取棒现状。采用此取棒装置不仅安全性高，确保硅棒质量，而且 减少取棒消耗时间。
图1是取棒装置使用状态的正视图2是取棒装置使用状态的俯视图3是将取棒装置中的多晶硅棒7卸载时的示意图4是取棒装置组合件使用状态的正视图5是取棒装置组合件使用状态的俯视附图标记横梁l、连接件2、空腔3、壁4、导向件5、接触件6、多晶硅棒7、 吊车8、隔离连接叶片9、内圈IO、外圈ll、多晶硅炉体底板12、取棒门13、 外层取棒装置14、中层取棒装置15、里层取棒装置16、锤子17、操作工18、梯子19、卡车20。
具体实施方式
实施例l、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中面对分布在同轴的多个
圆环上的多根多晶硅棒7，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒7，再一 次性取次外圈圆环上的多晶硅棒7，依次从外到里， 一圈圈地取出所有多晶硅棒 7。
实施例2、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中首先将一个取棒装置的
空腔3罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板12的多根多晶硅棒7的外面，再通 过断裂用的接触件6施加力量使得性质脆弱的多根多晶硅棒7在与断裂用的接 触件6接触的部位断裂，多晶硅棒7落入取棒装置的空腔3中，采用支撑用的 接触件6支撑多晶硅棒7使断裂的大块的多晶硅棒7继续盛装在取棒装置的空 腔3中而不会滑落出空腔3，最后向上移动取棒装置离开多晶硅炉体底板12， 即完成一次能取出多根多晶硅棒7的取棒任务。
准备将等待取出的位于多晶硅炉体底板12上的多根多晶硅棒7 —次性取出 的方式可以是将最外圈圆环上的全部多根多晶硅棒7 —次性全部取出；也可 以是将次外圈圆环上的全部多根多晶硅棒7 —次性全部取出；也可以是将内圈 圆环上的全部多根多晶硅棒7 —次性全部取出；还可以是将最外圈圆环上的多 根多晶硅棒7按每相邻的两对一组或三对一组一次性全部取出；还可以是将次 外圈圆环上的多根多晶硅棒7按每相邻的两对一组或三对一组一次性全部取出； 还可以是将内圈圆环上的多根多晶硅棒7按每相邻的两对一组或三对一组一次 性全部取出。
实施例3、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中首先将一个取棒装置的 空腔3罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板12的多根多晶硅棒7的外面，断裂用的接触件6采用撞击锤，撞击锤穿过取棒装置的壁4，再通过断裂用的接触件 6施加力量撞击多根多晶硅棒7，使得性质脆弱的多根多晶硅棒7在与断裂用的 接触件6接触的部位断裂，多晶硅棒7落入取棒装置的空腔3中，采用支撑用 的接触件6支撑多晶硅棒7使断裂的大块的多晶硅棒7继续盛装在取棒装置的 空腔3中而不会滑落出空腔3，最后向上移动取棒装置离开多晶硅炉体底板12， 即完成一次能取出多根多晶硅棒7的取棒任务。其余同实施例1或2。 实施例4、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中首先将一个取棒装置的 空腔3罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板12的多根多晶硅棒7的外面，用断 裂用的接触件6将多根多晶硅棒7固定在取棒装置上，再通过断裂用的接触件6 施加力量使得性质脆弱的多根多晶硅棒7在与断裂用的接触件6接触的部位断 裂，多晶硅棒7落入取棒装置的空腔3中，采用支撑用的接触件6支撑多晶硅 棒7使断裂的大块的多晶硅棒7继续盛装在取棒装置的空腔3中而不会滑落出 空腔3，最后向上移动取棒装置离开多晶硅炉体底板12，完成一次能取出多根 多晶硅棒7的取棒任务。其余同实施例1或2。
实施例5、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中断裂用的接触件6设置 在取棒装置的壁4上。其余同实施例1或2。
实施例6、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中在将一个取棒装置的空
腔3罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板12上的多根多晶硅棒7的外面的步骤
之前增加安装导向件5的步骤在多晶硅炉体底板12边缘上固定有有利于取棒
装置外壁准确的上下移动的取棒导向件5。其余同实施例1或2。
实施例7、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中取棒装置是由壁4以及
壁4围绕而成的空腔3组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅
棒7的接触件6。实施例8、根据权利要求7所述的一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其特征 在于断裂用的接触件6设置在取棒装置的壁4上。其余同实施例7。
实施例9、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中可以支撑断裂后的多晶
硅棒7的接触件6设置在取棒装置的壁4上。其余同实施例7。
实施例10、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中取棒装置上设置有可
以与吊车8活动连接的连接件2。其余同实施例7。
实施例ll、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中取棒装置的壁4之外 套接有卡箍装置。其余同实施例7。
实施例12、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中包括两个同心的圆筒 状的内圈IO和外圈11，内圈IO和外圈11之间通过若干隔离连接叶片9连接；
外圈11和内圈IO和隔离连接叶片9组成了取棒装置的壁4，壁4围绕形成空腔 3，取棒装置的壁4可以通过接触件6将多晶硅棒7与取棒装置固定在一起。 实施例13、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其中取棒门13安装在取棒 装置的壁4上。其余同实施例7。
实施例14、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置组合件，其中包括同心的圆 筒状的半径不同的里层取棒装置16、中层取棒装置15、外层取棒装置14;中层 取棒装置15位于外层取棒装置14正中；里层取棒装置16位于中层取棒装置15 正中。其余同实施例12。
实施例15、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置组合件，其中包括同心的圆
筒状的半径不同的里层取棒装置16、中层取棒装置15、外层取棒装置14;中层 取棒装置15位于外层取棒装置14正中；里层取棒装置16位于中层取棒装置15 正中；里层取棒装置16、中层取棒装置15、外层取棒装置14顶部通过相应的 活动连接件2固定在横梁1上，横梁1外连吊车8。其余同实施例12。实施例16、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置组合件，其中包括同心的圆 筒状的半径不同的里层取棒装置16、中层取棒装置15、外层取棒装置14;中层
取棒装置15位于外层取棒装置14正中；里层取棒装置16位于中层取棒装置15 正中。其余同实施例12。
实施例17、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置组合件，其中包括同心的圆 筒状的半径不同的里层取棒装置16、中层取棒装置15、外层取棒装置14;中层 取棒装置15位于外层取棒装置14正中；里层取棒装置16位于中层取棒装置15 正中；里层取棒装置16、中层取棒装置15、外层取棒装置14顶部通过相应的 活动连接件2固定在横梁1上，横梁1外连吊车8。其余同实施例12。 实施例18、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其中面对分布在同轴的多 个圆环上的多根多晶硅棒7，先一次性取分布在最外圈圆环上的两对相邻的多晶 硅棒7，再一次性取分布在最外圈圆环上的其他两对相邻的多晶硅棒7，直到将 最外圈圆环上的多根多晶硅棒7取完；再一次性取次外圈圆环上的两对相邻的 多晶硅棒7，再一次性取分布在次外圈圆环上的其他两对相邻的多晶硅棒7，直 到将次外圈圆环上的多根多晶硅棒7取完；再一次性取内圈圆环上的两对相邻 的多晶硅棒7，再一次性取分布在内圈圆环上的其他两对相邻的多晶硅棒7，直 到将内圈圆环上的多根多晶硅棒7取完。其余同实施例l。
实施例19、围绕上述所有实施例解释工作原理
为了一次能取出多根多晶硅棒7，特别安排了本实用新型的取棒方法和取棒 装置和取棒装置的组合件。它们之间通过一次能取出多根多晶硅棒7紧密联系 在一起。符合单一性原则。
虽然在一次能取出多根多晶硅棒7的过程中涉及断裂和支撑、转移三大步 骤。但本实用新型的核心是支撑、转移。断裂可以看做是一次能取出多根多晶硅棒7的预备工作。由于多晶硅棒7可以采用人工一根一根的敲击的方式断裂， 也可以为了提高工作效率，采用类似机械控制的横向或纵向方式的撞击锤迅速 的将多晶硅棒7断裂。
本实用新型涉及的用于断裂用的接触件6可以是使用人力的撬棍、使用人 力的叉子，使用人力的小锤子，使用机械设备的撞击锤，使用机械设备的抓手， 使用机械设备的撬棍，使用机械设备的叉子。由于多晶硅棒7性质脆弱易断裂， 上述用于断裂用的接触件6都可以使得多晶硅棒7断裂，另外其他方式断裂用 的接触件6也可能使得多晶硅棒7断裂。
例如将一个取棒装置的空腔3罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板的多根 多晶硅棒7的外面，将取棒装置定位后，穿过取棒装置的壁4上的孔，使用人 力的撬棍将多晶硅棒7撬断。
例如将一个取棒装置的空腔3罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板的多根 多晶硅棒7的外面，将取棒装置定位后，使用横向撞击锤撞击多晶硅棒7，使得 性质脆弱的多根多晶硅棒在与横向撞击锤接触的部位断裂，落入取棒装置的空 腔3中。
例如将一个取棒装置的空腔3罩在等待取出的位于多晶硅炉体底板的多根 多晶硅棒7的外面，将取棒装置定位后，用机械臂将悬挂式的撞击锤吊入取棒 装置的空腔3中，使用悬挂式的撞击锤撞击多晶硅棒7，使得性质脆弱的多根多 晶硅棒在与悬挂式的撞击锤接触的部位断裂，落入取棒装置的空腔3中。
断裂完成后可以视为一次能取出多根多晶硅棒7的预备工作完成。然后进 入的下一步骤是支撑。
为了保证将断裂后的多晶硅棒7能比较好的保留在取棒装置中，需要有能 够支撑住断裂后的多晶硅棒7的部件，我们在取棒装置下部设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒7的接触件6就可以实现这一任务。
例如支撑用的接触件6可以是设置在取棒装置下部的活动底板。先将活动 底板收起来以免碰撞损坏多晶硅棒7，再将一个取棒装置的空腔3罩在等待取出 的位于多晶硅炉体底板12的多根多晶硅棒7的外面，再打开活动底板，让活动 底板将空腔3与多晶硅炉体底板12相隔离，再采用某种方式使得多根多晶硅棒 7断裂。由于活动底板将空腔3与多晶硅炉体底板12相隔离。断裂后的多根多 晶硅棒7断裂落入空腔3中。活动底板可以完成支撑的任务。
例如支撑用的接触件6可以是设置在取棒装置下部的插件，插件穿过壁4， 也可以阻挡断裂后的多根多晶硅棒7脱离空腔3。插件也可以完成支撑的任务。
例如支撑用的接触件6可以是通过机械手臂从上穿过空腔3的网筛，网筛 可以套在多晶硅棒7上，网筛一端挂在取棒装置上，网筛同样可以完成支撑的 任务。
支撑完成后。然后进入的下一步骤是转移。
由于断裂后的多根多晶硅棒7断裂落入空腔3中，有壁4的包围，再通过 吊车8将取棒装置向上吊起脱离多晶硅炉体底板12，或者机械手臂通过环绕在 壁4外的卡箍装置将取棒装置向上移动脱离多晶硅炉体底板12。都可以完成多 根多晶硅棒7的转移的任务。
我们需要强调的是空腔3中可以容纳多根多晶硅棒7，这样一来一次性转 移多根多晶硅棒7的效率远远高于传统的单根或单对的多晶硅棒7的转移方式。 而且有壁4的包围保护作用，可以避免传统转移过程中潜在的划伤操作工18的 隐患，也可以避免传统暴露式的转移过程中潜在的污染多根多晶硅棒7的隐患。
我们需要强调的是 一次性转移多根多晶硅棒7的效率提高与一次性断裂多根多晶硅棒7的效率提高都是有意义的。但一次性转移多根多晶硅棒7与一 次性断裂多根多晶硅棒7可以是分别独立采纳的，互相不干扰的技术。
当转移任务完成后，然后进入的下一步骤是后续的取出棒的过程。 例如可以通过吊车8将装有多根多晶硅棒7的取棒装置直接对准卡车的容
器的底部，缓慢开启活动底板，让多根多晶硅棒7轻便的落入卡车20的容器中。
卡车20再将多根多晶硅棒7运输到下一个车间中。
例如可以通过机械手臂和卡箍装置将装有多根多晶硅棒7的取棒装置直接
对准卡车的容器的底部，打开取棒门13，人工将多根多晶硅棒7从取棒门13中
取出并放置在卡车20的容器中。卡车20再将多根多晶硅棒7运输到下一个车间中。
操作工18可以借助梯子19、锤子17完成各种辅助工作。
本实用新型可以将直径不同的外层取棒装置14、中层取棒装置15、里层取 棒装置16组合使用， 一起完成所有位于多晶硅炉体底板12上的多根多晶硅棒7 的取棒工作。
由于多晶硅炉技术不断发展，完全可能出现与分布在外层、中层、里层三 个圆环不同的其他形式。其他形式可以是方阵排列的多根多晶硅棒7。但只要采 用不同形状的壁4去适应方阵排列的多根多晶硅棒7，并配合本实用新型的空腔 3和支撑用的接触件6，就能完成本实用新型的基本任务。
权利要求1、一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其特征在于取棒装置是由壁(4)以及壁(4)围绕而成的空腔(3)组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒(7)的接触件(6)。
2、 根据权利要求1所述的一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其特征在于 可以支撑断裂后的多晶硅棒(7)的接触件(6)设置在取棒装置的壁(4)上。
3、 根据权利要求l所述的一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其特征在于 取棒装置上设置有可以与吊车(8)活动连接的连接件(2)。
4、 根据权利要求l所述的一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其特征在于 取棒装置的壁(4)之外套接有卡箍装置。
5、 根据权利要求l所述的一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其特征在于-取棒门(13)安装在取棒装置的壁(4)上。
6、 一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置，其特征在于包括两个同心的圆筒状 的内圈(10)和外圈(11)，内圈(10)和外圈(11)之间通过若千隔离连接叶 片(9)连接；外圈(11)和内圈(10)和隔离连接叶片(9)组成了取棒装置 的壁(4)，壁(4)围绕形成空腔(3)，取棒装置的壁(4)可以通过接触件(6) 将多晶硅棒(7)与取棒装置固定在一起。
7、 根据权利要求6所述的一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置组合件，其特征 在于包括同心的圆筒状的半径不同的里层取棒装置(16)、中层取棒装置(15)、 外层取棒装置(14);中层取棒装置(15)位于外层取棒装置(14)正中；里层 取棒装置(16)位于中层取棒装置(15)正中。
8、 根据权利要求6所述的一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置组合件，其特征 在于包括同心的圆筒状的半径不同的里层取棒装置(16)、中层取棒装置(15)、外层取棒装置(14);中层取棒装置(15)位于外层取棒装置(14)正中；里层 取棒装置(16)位于中层取棒装置(15)正中；里层取棒装置(16)、中层取棒 装置(15)、外层取棒装置(14)顶部通过相应的活动连接件(2)固定在横粱 (1)上，横梁(1)外连吊车(8)。
专利摘要本实用新型涉及一种光伏和半导体技术领域的多晶硅棒生产结束后的转移取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，特别是涉及一种一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，面对分布在同轴的多个圆环上的多根多晶硅棒，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒，再一次性取次外圈圆环上的多晶硅棒，依次从外到里，一圈圈地取出所有多晶硅棒。取棒装置是由壁、空腔组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒的接触件。降低了在转移过程中多晶硅棒被污染的风险；使用本实用新型，大大简化了生产工艺，减少了转移多晶硅棒所需时间，降低了多晶硅生产周期；同时解决了操作工容易被多晶硅棒刮伤的危险。
文档编号C30B28/00GK201309980SQ200820137429
公开日2009年9月16日 申请日期2008年8月22日 优先权日2008年8月22日
发明者卡罗.保迪, 玛太罗.玛塞里, 皮艾罗.斯凯德拉 申请人:江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司