专利名称：30对棒多晶硅还原炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种生产多晶硅用的还原炉，特别是一种以提高单炉的产量和降
低能耗为目的大对棒数多晶硅还原炉。
背景技术：
多晶硅还原炉是生产多晶硅原料的关键设备，同时又是一个高耗能的设备。因此，
还原炉的设计和制造，直接影响到产品的产量、质量和生产成本。随着多晶硅市场的竟争日
趋激烈，要求多晶硅生产必须做到充分利用生产资料，提高生产效率、降低生产成本。因此，
开发大对棒数还原炉为多晶硅生产企业提高产量、质量、节省投资显得尤为重要。 现有的多晶硅还原炉结构由底盘、炉体组成，炉子主体采用不锈钢材料。底盘上设
置电极、进气口和还原尾气排气口 。从节能降耗、提高生产效率、降低生产成本考虑，其单炉
产量有待进一步提高。
发明内容本实用新型的目的是基于通过详细的设计计算，在结构设计时充分考虑还原炉的 生产效率，提高产量和产品质量，对现有多晶硅还原炉底盘和炉体的冷却腔的结构和尺寸 进行优化设计，达到提高多晶硅的产量和降低能耗，降低多晶硅生产的成本，提高产品质量 和节省投资。 本实用新型的结构特点实现了上述设计目的。本实用新型是一种30对棒多晶硅 还原炉，由底盘和炉体构成，在炉体和底盘上设有冷却水腔和冷却水进出水口 ，底盘上配有 电极、进气口和排气口 ，底盘与炉体采用紧固件连接，其特征在于 炉体上设有9个用于观察和测量温度的视孔，分上、中、下三层120°均布； 底盘上设置的电极数为30对，在底盘上分三圈在360°上均布内圈为5对电极， 中圈为IO对电极，外圈为15对电极，逐圈增加5对；底盘上设有8个进气喷嘴分二圈分布 内圈和中圈电极之间相距180。设有2个进气喷嘴，中圈和外圈电极之间在360。上均匀分 布6个进气喷嘴； 底盘中心设有还原尾气的出气口。 为了满足本高产多晶硅用还原炉的生产需要，多晶硅还原炉高度设置大于3.0 米。 本实用新型在结构设计时由于采用了在炉子底盘上采用大对数电极、均匀设置多 个进气喷嘴，使多晶硅还原炉中反应时的供料气体分布更均匀，反应更充分，多晶硅棒数量 更多，更长，生长直径更大，同时还采取了大幅度增加炉体高度和直径等措施，从而显著提 高了反应效率和单炉产量，使单炉产量提高到5-6吨。
图1是本30对多晶硅还原炉的外观示意图。[0012] 图2是炉子底盘电极、进气喷嘴和排气口分布示意图。 实施例1 如图所示，本实用新型是一种高产30对多晶硅还原炉，由底盘9和炉体5构成，底 盘与炉体采用法兰盘连接。炉体5和底盘9上设有冷却水腔夹套7，夹套上设有冷却水进出 水口。 炉体上设有9个用于观察和测量温度的视孔4，分上、中、下三层120°均布； 底盘上设置的电极数为30对，在底盘上分三圈分布内圈为5对电极，中圈为10 对电极，外圈为15对电极，逐圈增加5对电极； 底盘上设有8个进气喷嘴ll，在底盘上分二圈分布内圈和中圈电极之间设有2 个进气喷嘴，中圈和外圈电极之间均匀分布6个进气喷嘴； 底盘中心设有还原尾气的出气口 1 ; 多晶硅棒的高度设计为2500mm，，生长直径为150mm，因此，本30对棒多晶硅还原 炉的炉体高度大于3.0米。 由于本30对多晶硅还原炉采用了在炉子底盘上采用大对数电极、均匀设置多个 进气喷嘴，使多晶硅还原炉中反应时的的供料气体分布更均匀，反应更充分，多晶硅生长更 好更快，同时还采取了相应增加炉体高度和直径等措施，显著提高了多晶硅生产效率，大幅 度提高了单炉产量，使单炉产量提高到5-6吨。
权利要求30对棒多晶硅还原炉，由底盘和炉体构成，在炉体和底盘上设有冷却水腔和用于冷却水进出的进出水口，底盘上配有电极、进气口和排气口，底盘与炉体采用紧固件连接，其特征在于在炉体上设有9个用于观察和测量温度的视孔，分上、中、下三层120°均布。
2. 根据权利要求1所述的多晶硅用还原炉，其特征在于电极数为30对，在底盘上分三圈在360°上均布，内圈为5对电极，中圈为IO对电极，外圈为15对电极，底盘中心设有还原尾气的出气口 ，底盘上设有8个进气喷嘴内圈和中圈电极之间相距180°设有2个进气喷嘴，中圈和外圈电极之间在360°上均匀分布6个进气喷嘴。
3. 根据权利要求1所述的多晶硅用还原炉，其特征在于多晶硅还原炉高度大于3.0米。
4. 根据权利要求2所述的多晶硅用还原炉，其特征在于多晶硅还原炉高度大于3.0米。
专利摘要本实用新型由30对棒多晶硅还原炉由底盘和炉体构成，在结构设计时采用了在炉子底盘上采用30对大对数电极、并在底盘上均匀设置多个进气喷嘴，炉体高度大于3.0米，使多晶硅还原炉中反应时的供料气体分布更均匀，反应更充分，多晶硅棒数量更多、直径更大，硅棒高度达到2500mm，生长直径达到150mm，同时还采取了对应增加炉体高度等措施，从而显著提高了反应效率和单炉产量，使单炉产量提高到5-6吨。
文档编号C30B29/06GK201512417SQ20092024248
公开日2010年6月23日 申请日期2009年10月12日 优先权日2009年10月12日
发明者王姗 申请人:成都蜀菱科技发展有限公司