专利名称：一种高性能led恒流驱动电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及电学领域，尤其涉及电子电路，特别是一种高性能LED恒流驱动电路。
背景技术：
现有技术中，LED恒流驱动电路中的驱动MOS管采用高压工艺时，需要利用可控硅或者高压MOS管做静电放电保护(ESD保护)。采用可控硅或者高压MOS管时，工艺均较复杂，也浪费芯片面积，且驱动MOS管长期工作的可靠性不理想。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高性能LED恒流驱动电路，所述的这种高性能LED恒流驱动电路要解决现有技术中采用可控硅或者高压MOS管为LED恒流驱动电路中的驱动 MOS管做静电放电保护方法中工艺复杂、浪费芯片面积、长期工作可靠性不理想的技术问题。本发明的这种高性能LED恒流驱动电路由一个高压驱动MOS管、一个低压恒流MOS 管和一个ESD保护电路构成，其中，所述的高压驱动MOS管的源端与所述的低压恒流MOS管的漏端连接，低压恒流MOS管的源端与地电位连接，所述的ESD保护电路由低压器件构成， 所述的ESD保护电路的一端与高压驱动MOS管的漏端连接，ESD保护电路的另一端与地电位连接。进一步的，所述的ESD保护电路由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压稳压二极管构成。具体的，本发明中所述的低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压稳压二极管均采用现有技术中的公知技术，有关上述公知技术方案，本领域的技术人员均已了解，在此不再赘述。本发明的工作原理是高压驱动MOS管特有的PN结比较深，电流相对较分散，PN 结局部温度相对较不会过高；高压驱动MOS管击穿电压高，低压器件构成的ESD保护电路的击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠性， 及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路本身面积小，实现成本较低。本发明和已有技术相比较，其效果是积极和明显的。本发明利用低压器件构成的 ESD保护电路，击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠性，及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路本身面积小，实现成本较低。
图1是本发明的一种高性能LED恒流驱动电路的原理示意图。图2是本发明的一种高性能LED恒流驱动电路的一个实施例的示意图。图3是本发明的一种高性能LED恒流驱动电路的另一个实施例的示意图。
图4是本发明的一种高性能LED恒流驱动电路的又一个实施例的示意图。
具体实施例方式实施例1 如图1所示，本发明的一种高性能LED恒流驱动电路，由一个高压驱动MOS管1、一个低压恒流MOS管2和一个ESD保护电路3构成，其中，所述的高压驱动MOS管1的源端与所述的低压恒流MOS管2的漏端连接，低压恒流MOS管2的源端与地电位连接，所述的ESD 保护电路3由低压器件构成，所述的ESD保护电路3的一端与高压驱动MOS管1的漏端连接，ESD保护电路3的另一端与地电位连接。进一步的，所述的ESD保护电路3由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管1的耐压稳压二极管构成。具体的，本发明中所述的低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管1的耐压稳压二极管均采用现有技术中的公知技术，有关上述公知技术方案，本领域的技术人员均已了解，在此不再赘述。如图2所示，ESD保护电路3由一个低压MOS管构成。如图3所示，ESD保护电路3由一个低压NPN三极管构成。如图4所示，ESD保护电路3由一个低压二极管构成。本发明的工作过程是高压驱动MOS管1特有的PN结比较深，电流相对较分散，PN 结局部温度相对较不会过高；高压驱动MOS管1击穿电压高，低压器件构成的ESD保护电路 3的击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管1的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠性，及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路3本身面积小，实现成本较低。
权利要求
1.一种高性能LED恒流驱动电路，由一个高压驱动MOS管、一个低压恒流MOS管和一个 ESD保护电路构成，其特征在于所述的高压驱动MOS管的源端与所述的低压恒流MOS管的漏端连接，低压恒流MOS管的源端与地电位连接，所述的ESD保护电路由低压器件构成，所述的ESD保护电路的一端与高压驱动MOS管的漏端连接，ESD保护电路的另一端与地电位连接。
2.如权利要求1所述的一种高性能LED恒流驱动电路，其特征在于所述的ESD保护电路由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压稳压二极管构成。
全文摘要
一种高性能LED恒流驱动电路，由一个高压驱动MOS管，一个低压恒流MOS管和一个ESD保护电路构成，高压驱动MOS管的源端与低压恒流MOS管的漏端连接，低压恒流MOS管的源端与地电位连接，ESD保护电路由低压器件构成，ESD保护电路的一端与高压驱动MOS管的漏端连接，ESD保护电路的另一端与地电位连接。ESD保护电路由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压稳压二极管构成。保护电路的击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠性，及长期稳定性。低压器件构成的保护电路面积小，实现成本较低。
文档编号H05B37/02GK102202442SQ20101013079
公开日2011年9月28日 申请日期2010年3月23日 优先权日2010年3月23日
发明者张怀东 申请人:上海丰芯微电子有限公司