专利名称：采用注入隔离衬底的集成功率管的led驱动芯片的制作方法
技术领域：
本发明用于LED照明驱动电路，提出了一种采用离子注入，将控制电路和输出功率管的衬底部分隔离开来的解决方案。
背景技术：
随着LED照明驱动电路小型化和高集成度的要求，开始有趋势将输出功率管集成到芯片内部区。在常见的电路构架中，在输出管的射极上串接参考电阻，用来测流(将输出电流转化为对地电压)反馈给控制部分。然而，制作在高压工艺上的功率管，其射极往往是直接接地(与井相连)的。这严重危害测流电阻的功能和精确性。
发明内容
本发明采用离子注入，将控制电路和输出功率管的衬底部分隔离开来。其基本原理是在控制电路和输出管之间，建立一个隔离区；在这个隔离区进行与原衬井极性相反离子注入，并使其形成的井深度显著深于后者；并用更浓的注入接触此井，且在工作时予以反向偏置。这样在两个衬井之间，就基本实现了隔离，只剩下深于隔离井部分的原始硅片的漏电，而此电阻通常较大。通过选择适当的隔离区宽度，不难达到远大于测流电阻值的目的。
图1是驱动电路架构，其中A是反向二极管B是发光管阵列C是输出功率管D是测流电阻E是控制电路图2是本发明的版图架构示意图，其中X是控制电路区域Y是输出功率管电路图Z是隔离区图3是对应的硅片内剖面图
具体实施例方式本发明之电路在基本实现中，所需要形成的隔离井可以用复杂工艺中满足深度和浓度要求的注入复用。为避免浪费芯片面积，可在隔离区放置焊盘或电容。
权利要求
1.一种LED照明驱动电路的设计，采用离子注入，将控制电路和输出功率管的衬底部分隔离开来。
2.一种符合专利要求1的电路设计，其特征在于，其基本原理是在控制电路和输出管之间，建立一个隔离区；在这个隔离区进行与原衬井相反离子注入，并使其形成的井深度显著深于后者；并用更浓的注入接触此井，且在工作时予以反向偏置；这样两个衬井之间，就基本实现了隔离，只剩下深于隔离井部分的原始硅片的漏电，而此电阻通常较大。
3.一种符合专利要求1的电路设计，其特征在于，在基本实现中，所需要形成的隔离井可以用复杂工艺中满足深度和浓度要求的注入复用。
4.一种符合专利要求1的电路设计，其特征在于，在应用中为避免浪费芯片面积，可在隔离区放置焊盘或电容。
全文摘要
本发明用于LED照明驱动电路，提出了一种采用注入隔离衬底的集成功率管的LED驱动芯片，是采用离子注入，将控制电路和输出功率管的衬底部分隔离开来的解决方案。
文档编号H05B37/00GK102469641SQ20101053936
公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月10日 优先权日2010年11月10日
发明者王健伟 申请人:深圳市浩博光电有限公司