布线板用树脂组合物，布线板用树脂片，复合体，复合体的制造方法及半导体装置的制作方法

专利名称：布线板用树脂组合物，布线板用树脂片，复合体，复合体的制造方法及半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及布线板用树脂组合物、布线板用树脂片、布线所使用的复合体、复合体的制造方法及半导体装置。
背景技术：
近年来，随着电子设备的高功能化、轻量化、小型化及薄型化的要求，电子零件的高密度积层化、高密度安装化得以发展。用于这些电子机器中的印刷布线板的电路布线有高密度化的倾向，采用经积层的多层布线结构。作为形成电路布线图案的方法，通常采用对铜箔施行蚀刻的方法(减成法 (Subtractive))。通过依减成法所形成的电路厚度，具有受限于所使用铜箔厚度的特征，电路宽度的精度则依赖于蚀刻液的反应特性和所使用的蚀刻装置的能力。因而，对减成法而言，除了使用极薄金属箔的部分用途，通常认为不适合高密度化。另一方面，在积层基板和多层布线板的制造中，通常使用的方法有半加成法。该方法是，对树脂表面施行去胶渣处理而使表面粗化，在表面上形成利用钯催化剂的非电解镀铜层，进一步在该镀铜层上形成感光性抗蚀膜，经曝光、显影等工序而施行图案化后，利用电解镀铜形成电路图案，最后剥离抗蚀膜，并利用闪蚀将非电解镀铜层除去而形成微细布线的方法。(例如参照专利文献1)。当通过此方法形成微细布线时，会有因抗蚀膜的曝光 /显影精度、或因布线间的钯催化剂残渣而造成镀敷异常析出等问题，难以形成电路宽度/ 电路间隙(L/S)为ΙΟμπι/ΙΟμπι以下的微细布线。另外，在减成法及半加成法中，在树脂层表面形成凸型布线。在积层基板和多层布线板中，包括在后续工序中层叠树脂层的工序，但根据树脂组成，会有树脂嵌入性的问题发生。特别是在电路宽度/电路间隙(L/S)在ΙΟμπι/ΙΟμπι以下的微细布线区域中，若树脂嵌入性差，则难以确保绝缘可靠性。另外，还有通过划线、等离子或激光等在树脂层中形成沟槽，并对树脂表面施行去胶渣处理而使表面粗化，在表面上形成利用钯催化剂的非电解镀铜层后，利用电解镀铜形成导体，最后利用蚀刻将除沟槽部分以外的导体镀敷除去，从而形成电路的方法(例如参照专利文献2、3)。另外，作为通过树脂层连接电路布线层间的方法，有在树脂层中形成层间连接用通孔的方法(例如参照专利文献4)。在形成通孔时，将碳酸气体激光、YAG激光、准分子激光等激光照射于树脂层而形成开口后，利用导电性树脂的填充或镀敷而连接电路布线层间。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利特开平8-64930号公报专利文献2 日本专利特开平10-4253号公报专利文献3 日本专利特开2006-41029号公报
专利文献4 日本专利特开2008-274210号公报

发明内容
发明要解决的课题已知当利用划线、等离子或激光等，在树脂层中形成沟槽，并形成电路的方法时， 由于树脂层的沟槽侧壁面凹凸变大，导致形成沟槽时的精度会有问题，难以形成电路宽度/ 电路间隙(L/S)在ΙΟμπι/ΙΟμπι以下的微细布线。又，已知当利用激光形成通孔时，由于树脂层中的无机填充材料的影响、或由于树脂对激光波长的吸收性，通孔内部的树脂面凹凸会变大，导致形成通孔时的精度会有问题，难以形成20 μ m以下的通孔。鉴于上述实情，本发明提供具有在复合体的树脂层表面所形成的高密接、高可靠性及高频对应的微细布线的复合体；具有在复合体的树脂层所形成的通孔以及高密度、高可靠性、高频对应的通孔的复合体；这些复合体的制造方法；以及使用该复合体的半导体
直ο另外，本发明提供在布线板的绝缘层中使用时，利用激光加工而形成电路宽度/ 电路间隙(L/S)在10 μ m/10 μ m以下的微细布线时的沟槽加工性和微细通孔的加工性优异，且可形成与导体层(形成于该绝缘层上的导体层)之间的密接性高的绝缘层的树脂组合物、及树脂片。解决课题的方法上述目的是通过下述本发明[1] [25]达成。[1] 一种复合体，是含有树脂层和导体层的复合体，其特征在于，在上述树脂层表面设有最大宽度1 μ m以上且10 μ m以下的沟槽，并在该沟槽内部设有导体层，与该导体层接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 05 μ m以上且
0.45μπι 以下。[2] 一种复合体，是含有树脂层和导体层的复合体，其特征在于，在上述树脂层设有直径1 μ m以上且25 μ m以下的通孔，并在该通孔内部设有导体层，上述通孔内部的树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05 μ m以上且0.45 μ m以下。[3]如[2]所述的复合体，其中，进一步在上述树脂层表面设有最大宽度1 μ m以上且10 μ m以下的沟槽，并在该沟槽内部设有导体层，与该导体层接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下。[4]如[1]至[3]中任一项所述的复合体，其中，上述树脂层含有无机填充材料； 该无机填充材料中，超过2 μ m的粗粒在500ppm以下。[5]如[4]所述的复合体，其中，上述无机填充材料的平均粒径为0.05 μ m以上且
1.Ομ 以下。[6]如[1]至[5]中任一项所述的复合体，其中，上述沟槽内部的导体层截面形状为大致梯形状、半圆锥体状或三角形。[7]如[2]至[6]中任一项所述的复合体，其中，上述通孔的截面形状为大致梯形状。[8]如[1]至[7]中任一项所述的复合体，其中，上述复合体是从印刷布线板、半导体元件、金属芯布线板中选择的至少一者。
[9] 一种复合体的制造方法，是制造含有树脂层和导体层的复合体的方法，包括(A)利用激光在树脂层表面形成内部表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下的沟槽的工序；(B)利用非电解镀敷在上述树脂层表面形成导体的工序；以及(C)通过去除上述导体的一部分，从而仅在上述树脂层的上述沟槽部分形成导体
层的工序。[10]如[9]所述的复合体的制造方法，其中，在上述工序(C)之后，包括(D)在上述树脂层和上述导体层上形成其它树脂层的工序。[11] 一种复合体的制造方法，是制造含有树脂层和导体层的复合体的方法，包括(A)利用激光在树脂层形成内部表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05 μ m以上且 0. 45 μ m以下的通孔的工序；(B)利用非电解镀敷在上述树脂层表面形成导体的工序；以及(C)通过去除上述导体的一部分，从而仅在上述树脂层的通孔部分形成导体层的工序。[12]如[11]所述的复合体的制造方法，其中，上述工序㈧是利用激光在树脂层形成内部表面的算术平均粗糙度(Ra)为 0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下的通孔以及在树脂层表面形成内部表面的算术平均粗糙度 (Ra)为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下的沟槽的工序；而且上述工序(C)是通过去除上述导体的一部分，从而仅在上述树脂层的通孔和上述树脂层表面的沟槽部分形成导体层的工序。[13]如[11]或[12]所述的复合体的制造方法，其中，上述工序(C)之后，包括(D)在上述树脂层与和上述导体层上形成其它树脂层的工序。[14]如[9]至[13]中任一项所述的复合体的制造方法，其中，在上述工序㈧与上述工序(B)之间，包括利用等离子或药液施行去胶渣的工序。[15]如[9]至[14]中任一项所述的复合体的制造方法，其中，在上述工序⑶与上述工序(C)之间，还包括利用电解镀敷形成导体的工序。[16]如[9]至[15]中任一项所述的复合体的制造方法，其中，上述激光是准分子激光或YAG激光。[17]如[9]至[16]中任一项所述的复合体的制造方法，其中，上述工序(A)中，上述树脂层含有无机填充材料；该无机填充材料中，超过2 μ m的粗粒在500ppm以下。[18]如[17]所述的复合体的制造方法，其中，上述无机填充材料的平均粒径为 0. 05 μ m以上且1. Oym以下。[19]如[9]至[18]中任一项所述的复合体的制造方法，其中，上述复合体是从印刷布线板、半导体元件、金属芯布线板中选择的至少一者。[20] 一种半导体装置，其中，[1]至[8]中任一项所述的复合体是印刷布线板或金属芯布线板，并在该复合体上搭载半导体元件。[21] 一种布线板用树脂组合物，是含有无机填充材料和热固化性树脂的树脂组合物，其特征在于，上述无机填充材料中，超过2μ m的粗粒在500ppm以下。
[22]如[21]所述的布线板用树脂组合物，其中，上述无机填充材料的平均粒径为 0. 05 μ m以上且1. Oym以下。[23]如[21]或[22]所述的布线板用树脂组合物，其中，上述无机填充材料的含量为树脂组合物的10 80重量％。[24]如[21]至[23]中任一项所述的布线板用树脂组合物，其中，上述无机填充材料为球状二氧化硅。[25] 一种布线板用树脂片，其特征在于，在基材上形成由[21]至[24]中任一项所述的树脂组合物构成的树脂层而成。发明效果根据本发明，可获得具有在复合体的树脂层表面所形成的高密接、高可靠性和高频应对的微细布线的复合体；具有在复合体的树脂层所形成的高密度、高可靠性及高频应对的通孔的复合体；以及使用该复合体的半导体装置。另外，对本发明的树脂组合物及使用该树脂组合物而形成的树脂片而言，当使用于布线板的绝缘层时，可通过激光加工形成电路宽度/电路间隙(L/S)为ΙΟμπι/ΙΟμπι以下的微细布线或微细通孔，且所形成的绝缘层与导体层间的密接性高。


图1为表示本发明含有树脂层和导体层的复合体一例的示意剖视图。图2为表示本发明含有树脂层和导体层的复合体另一例的示意剖视图。图3为表示本发明含有树脂层和导体层的复合体另一例的示意剖视图。图4为本发明的树脂片。图5Α至图5F为制造本发明含有树脂层和导体层的复合体的方法之一例的示意图。图6Α至图6F为制造本发明含有树脂层和导体层的复合体的方法之另一例的示意图。图7为实施例I-I中，利用激光在绝缘层形成沟槽，并利用非电解镀敷、电解镀敷形成导体阶段的截面形状照片。图8为比较例I-I中，利用激光在绝缘层形成沟槽，并利用非电解镀敷、电解镀敷形成导体阶段的截面形状照片。
具体实施例方式本发明第一复合体，是含有树脂层和导体层的复合体，其特征在于，在上述树脂层表面设有最大宽度ι μ m以上且10 μ m以下的沟槽，且在该沟槽内部设有导体层，与该导体层接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下。另外，本发明的第二复合体，是含有树脂层和导体层的复合体，其特征在于，上述树脂层设有直径Iym以上且25 μ m以下的通孔，且在该通孔内部设有导体层，上述通孔内部的树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下。另外，本发明的复合体的制造方法，是含有树脂层和导体层的复合体的制造方法， 其特征在于，包括(A)利用激光在树脂层表面形成内部表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下的沟槽和/或在树脂层形成内部表面的算术平均粗糙度(Ra) 为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下的通孔的工序；(B)利用非电解镀敷在上述树脂层表面形成导体的工序；以及(C)通过将上述导体的一部分除去，从而仅在上述树脂层表面的沟槽部分和/或上述树脂层的通孔中形成导体层的工序。根据本发明，着眼于与导体层相接触部分的树脂层的表面粗糙度，通过将该树脂层的表面粗糙度设为特定值，能够在微细布线和微细通孔中确保导体层与树脂层间的密接性的同时，使导体层的表面凹凸变小，在超过IGHz的高频区域中，可减少因表皮效应(skin effect)所造成的传输损失。由此，可获得具有在复合体的树脂层表面所形成的高密接、高可靠性、高频对应的微细布线和/或具有在复合体的树脂层所形成的高密度、高可靠性、及高频对应的通孔的复合体。以下，针对本发明的复合体、复合体的制造方法、半导体装置、布线板用树脂组合物及树脂片，进行详细说明。首先，针对本发明的复合体进行说明。本发明的复合体含有树脂层和导体层，并作为布线板等适用。作为复合体，例如可举出由形成在基板上的树脂层和导体层构成的印刷布线板；由形成在印刷布线板上的树脂层(例如积层的层)和导体层构成的积层式多层印刷布线板；由形成在金属基板上的树脂层和导体层构成的金属芯布线板；以及，由形成在晶片表面上的树脂层和导体层所构成的半导体元件的重布线等。图1表示本发明第一复合体的一例。本发明的第一复合体100可具有基材10，是含有树脂层1和导体层2的复合体，在上述树脂层1表面设有最大宽度1 μ m以上且10 μ m 以下的沟槽3，并在该沟槽内部设有导体层2，与该导体层2接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05 μ m以上且0.45 μ m以下。此处，如图1中的51和61所示，导体层2也可以由两种以上的导体层构成。另外，所谓「沟槽宽度」，是指与沟槽的长度方向相垂直方向的截面中的上边长度。上述树脂层表面的沟槽内部所具有的导体层的最大宽度，通常是与上述沟槽的最大宽度相同。在本发明第一复合体的实施方式中，上述树脂层表面的沟槽和导体层的最大宽度为ι μ m以上、10 μ m以下。由此，可实现复合体的高密度化、高安装化及微细布线化。 此外，虽无特别的限定，但上述树脂层表面的沟槽和导体层的最大宽度优选为8 μ m以下、 更优选为6 μ m以下、特别优选为4 μ m以下。由此，可有效地发挥高密度化、高安装化的作用。另外，上述树脂层表面的沟槽深度优选为Ιμπι以上、20 μπι以下。本发明中，与上述导体层2接触的沟槽内部的上述树脂层表面的算术平均粗糙度 (Ra)为0. 05 μ m以上、0. 45 μ m以下。与导体层接触的沟槽内部的树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)，反映在沟槽内部的导体层表面的算术平均粗糙度(Ra)上。通过将树脂层的沟槽内部的表面凹凸最佳化，可在确保树脂层与导体层间的密接性的情况下，缩小导体层的表面凹凸，在超过IGHz的高频区域中，可减轻因表皮效应所造成的传输损失，可形成应对高频的微细布线。若成为高频信号，便成为导体电路表面的信号传播，但若导体层的表面凹凸过大，则传输距离延长，因而造成传送慢、传播中的损失大。又，虽无特别的限定，但算术平均粗糙度(Ra)更优选为0. 05 μ m以上且0. 30 μ m以下，特别优选为0. 1 μ m以上且0. 25 μ m 以下。由此，可有效地发挥降低高频区域中的传输损失的作用。若算术平均粗糙度(Ra)小于上述下限值，则在焊锡耐热试验、冷热循环试验等中，会有发生导体层剥离的可能性。若超过上述上限值，则存在阻碍高速信号传送、损害电可靠性的可能性。另外，本发明中，算术平均粗糙度(Ra)是根据JIS B0601定义。树脂层上所形成的沟槽表面的算术平均粗糙度(Ra)的测定，可根据JIS B0601实施，例如，可使用Veeco公司制造的WYKO NTllOO进行测定。另外，在本发明中，与上述导体层2接触的沟槽内部的上述树脂层表面的十点平均粗糙度(Rz)，优选为6.0μπι以下、更优选为4.0μπι以下。与导体层接触的沟槽内部的树脂层表面的十点平均粗糙度(Rz)，反映在沟槽内部的导体层表面的十点平均粗糙度(Rz)。 十点平均粗糙度(Rz)是测定长度内的5个最大波峰高度的平均值与5个最大波谷深度的平均值之和，因而可评价沟槽内部的导体层表面的最大凸部。若十点平均粗糙度(Rz)过大，则由于导体层的最大凸部的影响，会出现微细布线间的距离明显缩短的部位，不利于绝缘，有可靠性降低的可能性。十点平均粗糙度(Rz)更优选为4.0ym以下。由此，可有效地发挥微细布线的可靠性。另外，本发明中，十点平均粗糙度(Rz)是依照JIS Β0601定义的粗糙度。在树脂层上形成的沟槽表面的十点平均粗糙度(Rz)的测定，可根据JIS Β0601实施，例如，也可使用Veeco公司制造的WYKO NTllOO进行测定。另外，本发明复合体的上述树脂层表面的沟槽截面形状和该沟槽内部所具有的导体层的截面形状，优选为大致梯形状、半圆锥体状或三角形。由此，可形成信号响应性优异的微细布线。作为上述沟槽内部所具有的导体层，只要是导体即可，无特别的限定，优选利用镀敷来形成。作为导体层，例如优选含有铜、镍等金属。图2表示本发明第二复合体的一例。本发明的第二复合体101是可具有带导体层 11的基材10，为含有树脂层1和导体层2的复合体，在上述树脂层1上设有直径为IymW 上且25 μ m以下的通孔4，并在该通孔内部设有导体层2，而上述通孔内部的树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05 μ m以上且0.45 μ m以下。此处，如图2中的52与62所示， 导体层2也可以由两种以上的导体层构成。在本发明第二复合体的实施方式中，通孔直径为Iym以上且25μπι以下。由此， 可实现复合体的高密度化、高安装化、微细布线化。又，虽无特别的限定，但通孔直径优选为 20 μ m以下、更优选为18 μ m以下、特别优选为15 μ m以下。由此，可有效地显现出高密度化、高安装化、微细布线化的作用。若通孔直径小于上述下限值，会产生无法利用激光在树脂层中形成通孔的地方、 连接不良的情况，或者会有镀敷液的循环恶化导致无法利用镀敷形成导体的情况，存在无法连接电路布线层间的可能性。又，在焊锡耐热试验、冷热循环试验等中，会有在通孔内部的导体层与树脂之间界面发生剥离的可能性。此外，若超过上述上限值，当利用激光形成通孔时会造成通孔形状出现畸形或树脂出现龟裂的可能性，或者因对树脂加热过度，而有通孔间的绝缘可靠性降低的可能性。此外，难以实现复合体的高密度化、高安装化、微细布线化。在本发明第二复合体的实施方式中，与上述导体层2接触的通孔内部的树脂层表面算术平均粗糙度(Ra)是0.05 μ m以上且0.45 μ m以下。通过使树脂层的通孔内部的凹凸最佳化，可在确保树脂层与导体层之间密接性的情况下，减小通孔内部的树脂层表面凹凸，在超过IGHz的高频区域中，可减轻因表皮效应所造成的传输损失，且可降低通孔内部的可镀性不良和层间连接不良。此外，虽无特别的限定，但算术平均粗糙度(Ra)更优选为 0. 05 μ m以上且0. 30 μ m以下、特别优选为0. 1 μ m以上且0. 25 μ m以下。由此，可有效地显现出减轻高频区域中的传输损失以及降低通孔内部的可镀性不良和层间连接不良的作用。若通孔内部的树脂表面的算术平均粗糙度(Ra)小于上述下限值，在焊锡耐热试验、冷热循环试验等中，会有在通孔的导体与树脂的界面处发生剥离的可能性；若超过上述上限值，则存在阻碍高速信号传送，损害电可靠性的可能性，且存在造成通孔内部的可镀性不良和层间连接不良的可能性。另外，本发明复合体的通孔的截面形状优选为大致梯形状。由此，可形成信号响应性、连接可靠性及可镀性均优异的通孔。另外，作为上述通孔内部所具有的导体层，只要是导体便可，无特别的限定，优选为利用镀敷形成。导体层优选为含有例如铜、镍等金属。在本发明的第二复合体中，存在于上述树脂层表面的导体层的最大宽度也优选为 Ιμπι以上且ΙΟμπι以下。由此，可实现复合体的高密度化、高安装化。又，虽无特别的限定， 但导体层的最大宽度更优选为8 μ m以下、进一步优选为6 μ m以下、特别优选为4 μ m以下。 由此，可有效地显现出高密度化、高安装化的作用。进而，在本发明的第二复合体中，也优选在上述树脂层表面设有最大宽度为 1 μ m 10 μ m的沟槽以及在该沟槽内部设有导体层，且与该导体层接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 05 μ m 0. 45 μ m。此种复合体的例子示于图3中。本发明的第二复合体102，是可具有带导体层11的基材10，为含有树脂层1和导体层2的复合体，在上述树脂层1上设有直径为1 μ m以上且25 μ m以下的通孔4，并在该通孔内部设有导体层 2，而上述通孔内部的树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05μπι 0.45μπι。又，在上述树脂层1表面上设有最大宽度为1 μ m 10 μ m的沟槽3以及在该沟槽内部设有导体层 2，且与该导体层2接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 05 μ m 0. 45 μ m。当在第二复合体中具有此种树脂层表面的沟槽和沟槽内部的导体层时，可形成与第一复合体中所述的树脂层表面的沟槽与沟槽内部的导体层相同者。上述树脂层的厚度并无特别的限定，但优选为Iym以上且60 μπι以下、更优选为 5 μ m以上且40 μ m以下。对树脂层的厚度而言，在提升绝缘可靠性的方面考虑，优选为上述下限值以上，在实现多层印刷布线板薄膜化的方面考虑，优选为在上述上限值以下。由此， 在制造印刷布线板时，可成形填充了内层电路基板的导体层凹凸的绝缘层，而且可确保理想的绝缘层厚度。其次，针对树脂层所使用的树脂组合物进行说明。树脂层形成用树脂组合物优选含有热固性树脂。即，本发明的复合体中，具有上述沟槽和上述通孔的树脂层，优选由含有热固性树脂的树脂组合物的固化物构成。通过含有热固性树脂的固化物，可提升树脂层的耐热性。作为热固化性树脂，例如可举出苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双酚A 酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚树脂；未改性的甲阶酚醛树脂、或经桐油、亚麻仁油、核桃油等改性的油改性甲阶酚醛树脂等甲阶型酚醛树脂；联苯芳烷基型酚醛树脂等酚醛树脂；双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚Z型环氧树脂、双酚P型环氧树脂、双酚M型环氧树脂等双酚型环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；联苯型环氧树脂、联苯芳烷基型环氧树脂、芳基亚烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂、蒽型环氧树脂、苯氧基型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、降冰片烯型环氧树脂、金刚烷型环氧树脂、芴型环氧树脂等环氧树脂；尿素(urea) 树脂、三聚氰胺树脂等具有三嗪环的树脂；不饱和聚酯树脂、双马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、聚硅氧树脂、具有苯并噁嗪环的树脂、三嗪树脂、苯并环丁烯树脂、氰酸酯树脂等。其中，优选含有从环氧树脂、酚树脂、氰酸酯树脂和苯并环丁烯树脂中选出的一种以上的树脂，更优选含有环氧树脂、酚醛树脂和/或氰酸酯树脂，特别优选含有氰酸酯树脂。由此，可减小树脂层的热膨胀系数。且， 若含有氰酸酯树脂，则树脂层的电特性(低介电常数、低介电损耗)、机械强度、激光加工性 (特别是准分子激光、YAG激光加工性)等均优异。作为氰酸酯树脂，具体可举出酚醛清漆型氰酸酯树脂、双酚A型氰酸酯树脂、双酚E型氰酸酯树脂、四甲基双酚F型氰酸酯树脂等双酚型氰酸酯树脂；萘酚芳烷型氰酸酯树脂、联苯芳烷基型氰酸酯树脂、双环戊二烯型氰酸酯树脂等。其中，优选为酚醛清漆型氰酸酯树脂。酚醛清漆型氰酸酯树脂可减小树脂层的热膨胀系数，且树脂层的机械强度、电特性 (低介电常数、低介电损耗)也均优异。此外，萘酚芳烷型氰酸酯树脂、联苯芳烷基型氰酸酯树脂也是低线膨胀性、低吸水性、机械强度均优异，因而也可以优选。氰酸酯树脂的重量平均分子量并无特别的限定，但重量平均分子量优选为500 4500、特别优选为600 3000。若重量平均分子量小于上述下限值，则构成树脂层的固化物的机械强度有可能降低，进而，在制作树脂层时会发生粘性，发生树脂转印的情况等。另外， 若重量平均分子量超过上述上限值，则固化反应变快，当形成为基板(特别是电路基板) 时，会发生成型不良、或层间剥离强度降低的情况。此外，氰酸酯树脂等的重量平均分子量， 例如可利用GPC(凝胶渗透色谱法，标准物质聚苯乙烯换算)进行测定。另外，虽无特别的限定，氰酸酯树脂还包括其衍生物，可单独使用一种，也可并用具有不同重量平均分子量的两种以上，还可将一种或两种以上与它们的预聚物并用。氰酸酯树脂的含量并无特别的限定，但优选为树脂组合物总量的5 50重量％、 更优选为10 30重量％。若含量小于上述下限值，则会有热固性树脂组合物的反应性和低热膨胀性降低，或所获得制品的耐热性降低的情况，，若超过上述上限值，则会有耐湿性降低的情况。当作为热固性树脂使用氰酸酯树脂(特别是酚醛清漆型氰酸酯树脂)时，优选并用环氧树脂(实质上不含卤原子)。作为上述环氧树脂，例如可举出双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚Z型环氧树脂、双酚P型环氧树脂、双酚M型环氧树脂等双酚型环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂； 联苯型环氧树脂、二甲苯型环氧树脂、联苯芳烷基型环氧树脂等芳基亚烷基型环氧树脂；萘型环氧树脂、萘酚芳烷型环氧树脂、蒽型环氧树脂、苯氧基型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、降冰片烯型环氧树脂、金刚烷型环氧树脂、芴型环氧树脂等。作为环氧树脂，可单独使用其中的一种，也可并用具有不同重量平均分子量的两种以上，还可将一种或两种以上与它们的预聚物并用。在这些环氧树脂中，特别优选为芳基亚烷基型环氧树脂。由此，可提升吸湿焊锡耐热性和阻燃性。所谓「芳基亚烷基型环氧树脂」，是指在重复单位中具有一个以上芳基亚烷基的环氧树脂。例如，可举出二甲苯型环氧树脂、蒽型环氧树脂、联苯二亚甲基型环氧树脂、萘二亚甲基型环氧树脂、萘改性甲酚酚醛清漆环氧树脂等。其中，优选为联苯二亚甲基型环氧树脂、萘改性甲酚酚醛清漆环氧树脂、蒽型环氧树脂、萘二亚甲基型环氧树脂。此外， 萘酚芳烷型环氧树脂的低线膨胀性、低吸水性及机械强度也优异，因而优选使用。环氧树脂的含量并无特别的限定，但优选为树脂组合物总量的1 55重量％、更优选为5 40重量％。若含量小于上述下限值，则会产生氰酸酯树脂的反应性降低、或所获得制品的耐湿性降低的情况。反之，若超过上述上限值，则会有低热膨胀性、耐热性降低的情况。环氧树脂的重量平均分子量并无特别的限定，但重量平均分子量优选为500 20000、更优选为800 15000。若重量平均分子量小于上述下限值，会有在树脂层表面上发生粘性的情况，反之，若超过上述上限值，便会有焊锡耐热性降低的情况。通过将重量平均分子量设定在上述范围内，可使这些特性的平衡优异。环氧树脂的重量平均分子量例如可利用GPC进行测定。上述热固性树脂可使用一种或组合使用两种以上。通常是搭配固化剂而作为热固性树脂使用。上述热固性树脂的含量并无特别的限定，但优选为树脂层形成用树脂组合物的 20 90重量％、更优选为30 80重量％、特别优选为40 70重量％。若含量小于下限值，则有时难以形成树脂层，反之，若超过上限值，则会有树脂层强度降低的情况。本发明印刷布线板的树脂层(或树脂层形成用树脂组合物)，可含有无机填充材料。当在树脂层中含有无机填充材料时，会成为低热膨胀、高弹性、低吸水，因而，从安装可靠性、翘曲量方面考虑，是优选的。当上述无机填充材料中超过2μπι的粗粒在500ppm以下的情况下，若将该无机填充材料使用于布线板的绝缘层时，利用激光加工形成电路宽度/电路间隙(L/S)在 10 μ m/10 μ m以下的微细布线用沟槽的加工性、以及微细通孔的加工性优异，所形成的绝缘层与所形成的导体电路之间密接性也优异，因而优选。上述无机填充材料中，更优选超过 2 μ m的粗粒在300ppm以下、特别优选超过2 μ m的粗粒在5ppm以下。另外，获得超过2 μ m的粗粒在500ppm以下的无机填充材料的方法并无特别的限定。例如作为除去超过2 μ m的粗粒的方法，在有机溶剂和/或水中的浆料状态下，利用平均粒径的10倍以上的细孔径过滤器去除几次粗粒，接着利用2μπι细孔径过滤器重复实施去除超过2 μ m的粗粒的操作来获得。上述无机填充材料的粗粒径及含量的测定，可利用粒子图像解析装置(SYSMEX公司制的FPIA-3000Q进行测定。可利用超音波使无机填充材料在水中或有机溶剂中进行分散，再从所获得图像中，计算出超过2 μ m的无机填充材料的个数而测定。具体而言，利用无机填充材料的以相当于圆的直径超过2 μ m的粒子数和解析总粒子数而规定含量。其中，上述无机填充材料的最大粒径优选为2. 0 μ m以下。由此，可容易地实现上述特定树脂层的表面粗糙度，可形成绝缘可靠性高、且信号响应性优异的微细布线。此外，虽无特别的限定，但无机填充材料的最大粒径优选为1.8μπι以下、特别优选为1.5μπι以下。由此，可有效地表现出提高绝缘可靠性、信号响应性、通孔/沟槽内的可镀性、以及层间连接可靠性的作用。另外，上述无机填充材料的平均粒径优选为0.05μπι以上且LOym以下。由此， 可轻易地实现绝缘可靠性高、信号响应性优异的微细布线的形成。又，当无机填充材料的平均粒径在上述范围内时，利用激光加工形成电路宽度/电路间隙(L/S)为ΙΟμπι/ΙΟμπι以下的微细布线用沟槽的加工性、微细通孔的加工性优异，容易实现上述特定的树脂层表面粗糙度。无机填充材料的平均粒径优选为0. 05 μ m以上且0. 60 μ m以下、更优选为0. 05 μ m 以上且0. 50 μ m以下、特别优选为0. 05 μ m以上且0. 40 μ m以下。由此，可有效地显现出提高绝缘可靠性、信号响应性、通孔或沟槽内的可镀性、以及层间连接可靠性的作用。无机填充材料的平均粒径的测定，例如可通过激光衍射散射法测定。利用超声波使无机填充材料分散于水中，利用激光衍射式粒度分布测定装置(H0RIBA制的LA-500)，以体积基准制作无机填充材料的粒度分布，并通过将其中位直径作为平均粒径而进行测定。 具体而言，无机填充材料的平均粒径是由D50来规定。若上述无机填充材料超过2 μ m的粗粒量高于上述上限值，则无机填充材料会阻碍激光加工，会有出现无法在树脂层中形成沟槽的地方，或产生通孔形状畸形、或树脂出现龟裂的可能性，存在因粗粒填料的脱落而造成绝缘可靠性、可镀性降低的可能性。进而，利用激光形成通孔、沟槽的时间会变长，因而会有作业性降低的可能性。又，因激光加工后在沟槽侧壁面上所残留的无机填充材料，而导致镀敷后的导体层表面凹凸变大。由此，布线和通孔形状的精度变差，在高密度印刷布线板中会损害绝缘可靠性。且，在超过IGHz的高频区域中，因表皮效应有时会损害信号响应性。即便无机填充材料的平均粒径高于上述上限值，仍会有同样的威胁。另外，若上述无机填充材料的平均粒径小于上述下限值时，会降低树脂层的热膨胀系数/弹性模量的物理性质，有损害搭载半导体元件时的安装可靠性的可能性，且会有树脂层形成用树脂组合物中的无机填充材料分散性降低、或发生凝聚的情形、或者因树脂组合物在B-阶段状态下的柔软性降低而造成树脂薄膜化困难的可能性。上述无机填充材料并无特别的限定，例如可举例出滑石、烧成粘土、未烧成粘土、 云母、玻璃等硅酸盐；氧化钛、氧化铝、二氧化硅、熔融二氧化硅等氧化物；碳酸钙、碳酸镁、 水滑石等碳酸盐；氢氧化铝、氢氧化镁、勃姆石(boehmite)、氢氧化钙等氢氧化物；硫酸钡、 硫酸钙、亚硫酸钙等硫酸盐或亚硫酸盐；硼酸锌、偏硼酸钡、硼酸铝、硼酸钙、硼酸钠等硼酸盐；氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化碳等氮化物；钛酸锶、钛酸钡等钛酸盐等等。作为无机填充材料，可单独使用其中的一种，也可并用两种以上。其中，特别是从低热膨胀性、阻燃性及弹性模量优异的观点而言，优选为二氧化硅，更优选为熔融二氧化硅。其中，其形状最好为球状二氧化硅。当在树脂层或树脂层形成用树脂组合物中含有无机填充材料时，从可形成绝缘可靠性高、信号响应性优异的微细布线的观点而言，无机填充材料的含量为在树脂层或树脂层形成用树脂组合物中，优选为占10 80重量％、更优选为占20 70重量％、特别优选为占30 60重量％。另外，在树脂层或树脂层形成用树脂组合物中，根据需要，还可添加例如热塑性树脂等的制膜性树脂、固化促进剂、偶联剂、颜料、染料、消泡剂、流平剂、紫外线吸收剂、发泡剂、抗氧化剂、阻燃剂、离子捕捉剂等上述成分以外的添加物。其次，针对本发明的布线板用树脂组合物进行说明。本发明的布线板用树脂组合物是含有无机填充材料和热固性树脂的树脂组合物，其特征在于，上述无机填充材料中，超过2 μ m的粗粒在500ppm以下。由此，当使用于多层印刷布线板的绝缘层时，利用激光加工形成电路宽度/电路间隙(L/S)在10 μ m/10 μ m以下的微细布线用沟槽的加工性、微细通孔的加工性均优异，且所形成的绝缘层与所形成的导体电路之间密接性优异。本发明的布线板用树脂组合物适用于形成上述本发明复合体的树脂层。本发明的布线板用树脂组合物中，从能有效地显现出提高绝缘可靠性、信号响应性、通孔或沟槽内的可镀性以及层间连接可靠性的作用的观点而言，无机填充材料的最大粒径优选为2. Ομπι以下。又，从布线板的绝缘可靠性高、信号响应性优异的观点而言，上述无机填充材料的平均粒径优选为0. 05 μ m以上且1. 0 μ m以下。本发明布线板用树脂组合物中所使用的无机填充材料和热固化树脂，可优选使用与上述复合体的树脂层中所说明者相同者。又，本发明的布线板用树脂组合物中，根据需要，还可添加与上述复合体的树脂层中所说明者相同的添加物。另外，本发明的布线板用树脂组合物中，从可形成绝缘可靠性高、信号响应性优异的微细布线的观点而言，无机填充材料的含量在树脂组合物中优选为10 80重量％、更优选为20 70重量％、特别优选为30 60重量％。且，在本发明的布线板用树脂组合物中， 上述热固性树脂的含量在树脂组合物中优选为20 90重量％、更优选为30 80重量％、 特别优选为40 70重量％。若含量小于下限值，会有难以形成树脂层的情况，反之，若超过上限值，则会有树脂层强度降低的情况。其次，针对本发明布线板用树脂片进行说明。本发明的布线板用树脂片，是将由上述本发明布线板用树脂组合物所构成的树脂层形成于基材而成。图4表示本发明布线板用树脂片的示意图。布线板用树脂片30，是在基材15上形成由布线板用树脂组合物所构成的树脂层20而成。本发明布线板用树脂片的树脂层，适合用作上述本发明复合体的树脂层形成材料。上述基材15并无特别的限定，可使用高分子薄膜或金属箔。作为高分子薄膜并无特别的限定，可使用例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯树脂；氟系树脂、聚酰亚胺树脂等具有耐热性的热塑性树脂薄膜。作为金属箔并无特别的限定，可使用例如铜和/或铜系合金、铝和/或铝系合金、铁和/或铁系合金、银和/或银系合金、金和金系合金、锌和锌系合金、镍和镍系合金、锡和锡系合金等金属箔等。上述树脂层20的厚度并无特别的限定，但优选为1 μ m以上且60 μ m以下、更优选为5 μ m以上且40 μ m以下。树脂层的厚度在提升绝缘可靠性的方面考虑，优选为上述下限值以上，而在达成多层印刷布线板的薄膜化的方面，优选为在上述上限值以下。由此，在制造印刷布线板时，可形成填充了内层电路基板的导体层凹凸的绝缘层的同时，确保理想的绝缘层厚度。用作上述基材的高分子薄膜或金属箔的厚度并无特别的限定，但若使用ΙΟμπι以
14上且70 μ m以下者，则在制造树脂片30时的操作性良好，因而优选。另外，在制造本发明的树脂片30时，最好尽量减小与绝缘层接触的基材面的凹凸。由此，可使绝缘层表面均勻粗化，容易进行微细布线加工。本发明树脂片30的制造方法并无特别的限定，例如有使上述本发明树脂组合物溶解、分散于溶剂等中而制成树脂清漆，使用各种涂布装置将树脂清漆涂布于基材上后，对其进行干燥的方法；使用喷雾装置，将树脂清漆喷雾涂布于基材上之后，再将其干燥的方法等。其中，优选使用逗点涂布机、压铸模涂布机(die coater)等各种涂布装置，将树脂清漆涂布于基材上之后，再对其施行干燥的方法。由此，可有效地制造出无孔且具有均勻树脂层厚度的树脂片。优选树脂清漆所使用的溶剂对树脂组合物中的树脂成分表现出良好的溶解性，但在不致造成不良影响的范围内，也可使用弱溶剂。作为表现出良好溶解性的溶剂，例如可举出丙酮、甲乙酮、甲基异丁酮、环己酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亚砜、 乙二醇、溶纤剂系、卡必醇系等。上述树脂清漆中的固体成分含量并无特别的限定，但优选为30 80重量％、更优选为40 70重量％。其次，针对本发明复合体的制造方法进行说明。首先，在本发明复合体的制造方法中，准备树脂层。针对本发明复合体的制造方法中形成树脂层的方法进行说明。虽无特别的限定，但作为其中一例，针对在印刷布线板上形成树脂层的方法进行说明。在印刷布线板上形成树脂层的方法并无特别的限定，但优选使用上述本发明的树脂片，或者根据与上述本发明树脂片相同的方法，获得带载体膜的树脂片。通过使用例如层压机、真空压合机等，将所获得的带载体膜的树脂片热压接在印刷布线板等的基板上，由此可形成树脂层。此外，通过将树脂清漆直接涂布于基板上，也可形成树脂层。除印刷布线板以外，例如在晶片上形成树脂层时，也可通过上述制作带载体膜的树脂片并施行热压接的方法，或涂布树脂清漆的方法，可形成树脂层。树脂清漆所使用的溶剂可使用与上述本发明树脂片中所说明者相同者。另外，复合体的树脂层是在形成导体层之前和/或形成后，根据需要施行加热，使热固性树脂固化而形成。下面，使用图说明本发明复合体的制造方法，。图5A 图5F为制造本发明含有树脂层和导体层的复合体(第一实施方式)的方法之一例的示意图。本发明的复合体的制造方法是含有树脂层1和导体层2的复合体的制造方法，包括(A)利用激光5在树脂层1的表面形成内部表面的算术平均粗糙度(Ra)为 0. 05 μ m以上且0.45 μ m以下的沟槽3的工序(图5A、图5B) ； (B)利用非电解镀敷在树脂层1表面形成导体(非电解镀敷层50)的工序(图5C)；以及(C)通过去除导体70的一部分，从而仅在树脂层1的沟槽3部分形成导体层2的工序。另外，图6A 图6F为制造本发明含有树脂层和导体层的复合体(第二实施方式) 的方法之一例的示意图。本发明的复合体的制造方法，是含有树脂层1和导体层2的复合体的制造方法，包括(A)利用激光5在树脂层1形成内部表面的算术平均粗糙度(Ra)为 0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下的通孔4的工序(图6A、图6B) ； (B)利用非电解镀敷在树脂层1表面形成非电解镀敷层50的工序(图6C)；以及(C)通过去除导体70的一部分，从而仅在树脂层1的通孔4部分形成导体层2的工序。在工序(A)中，激光5优选为准分子激光或YAG激光。通过使用这些激光，可形成精度和形状优异的沟槽3和通孔4，可实现微细布线的形成与高密度化。虽无特别的限定，但准分子激光的激光波长优选为193nm、248nm、308nm，更优选为193nm、248nm。由此， 可有效地显现出能够以优异的精度和形状形成沟槽和通孔的作用。YAG激光的波长优选为 355nm。至于其它波长，会存在构成树脂层1的树脂组合物不吸收激光5，导致无法形成沟槽和通孔的可能性。激光5是通过掩模6照射于树脂层1。作为激光照射条件，选择能够在树脂层表面形成内部表面的算术平均粗糙度(Ra) 为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下的沟槽或通孔的条件。其中，更优选使树脂层的沟槽3或通孔4的内部表面算术平均粗糙度(Ra)成为0. 05 μ m以上且0. 30 μ m以下的条件，特别优选成为0. 1 μ m以上且0. 25 μ m以下的条件。由此，可有效地显现出能够提高绝缘可靠性和信号响应性，并减轻传输损失，且可降低沟槽3或通孔4内的可镀性不良和层间连接不良的作用。本发明复合体的制造方法，优选在工序(A)与工序(B)之间包含利用等离子或药液实施去胶渣的工序。由此，在利用激光5形成沟槽3或通孔4时，可去除沟槽3或通孔4 的侧壁面所残留的碳化物，可形成电可靠性高的微细布线与通孔。虽无特别的限定，等离子可使用氮等离子、氧等离子、氩等离子、四氟甲烷等离子、 或它们的混合气体的等离子。又，作为等离子的处理条件，优选是使等离子工序后的树脂层表面乃至沟槽和通孔内部表面的算术平均粗糙度(Ra)成为0.05μπι以上且0.45μπι以下的条件，同时能够充分去除沟槽3和通孔4的内部表面所残留的碳化物的条件。由此，可形成绝缘可靠性高、信号响应性优异的通孔。在超过IGHz的高频区域中，可降低因表皮效应所造成的传输损失，进而可减轻通孔内的可镀性不良与层间连接不良。此外，虽无特别的限定，等离子条件更优选为使等离子工序后的树脂层的沟槽3和通孔4的内部表面算术平均粗糙度(Ra)成为0. 05 μ m以上且0. 30 μ m以下的条件，特别优选成为0. 1 μ m以上且 0. 25 μ m以下的条件。由此，可有效地显现出提高绝缘可靠性和信号响应性，且降低传输损失，进一步减轻沟槽3和通孔4内的可镀性不良与层间连接不良的作用。虽无特别的限定，但利用药液施行的去胶渣可使用高锰酸盐、重铬酸等。又，去胶渣的处理条件优选是使去胶渣工序后的树脂层表面乃至沟槽和通孔内部表面的算术平均粗糙度(Ra)成为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下的条件，同时可充分去除沟槽3和通孔4的内部表面所残留的碳化物的条件。由此，可形成绝缘可靠性高、信号响应性佳，且降低通孔内的可镀性不良和层间连接不良效果优异的通孔。在超过IGHz的高频区域中，可减轻因表皮效应所造成的传输损失。此外，虽无特别的限定，但去胶渣条件更优选为使去胶渣工序后的树脂层的沟槽3和通孔4的内部表面算术平均粗糙度(Ra)成为0. 05μπι以上且0. 30 μ m 以下的条件、更优选为成为0. 1 μ m以上且0. 25 μ m以下的条件。由此，可有效率地显现出提高绝缘可靠性和信号响应性，且降低传输损失，进而，有效地发挥减轻沟槽3和通孔4内的可镀性不良与层间连接不良的效果。若由等离子或药液施行的去胶渣工序不充分，导致碳化物残留于沟槽3或通孔4 的内部表面时，会有降低复合体的绝缘可靠性的可能性。若由等离子或药液过度施行去胶渣工序时，则与导体层2接触的树脂层1的沟槽3或通孔4内部表面的算术平均粗糙度(Ra)会变粗，由于导体层2的表面凹凸，导致因表皮效应引起的布线的信号响应性变差，且存在沟槽3或通孔4内发生可镀性不良或层间连接不良的可能性。在本发明的工序(B)中，利用等离子或药液对树脂层施行去胶渣工序后，在树脂层1的表面形成非电解镀敷层50。非电解镀敷层50的金属种类并无特别的限定，但优选为铜、镍等。采用这些金属时，可使树脂层1与非电解镀敷层50的间密接良好。非电解镀敷层的厚度也并无特别的限定，但优选为0. 1 μ m以上且5 μ m以下左右。进而，在非电解镀敷后，利用热风干燥装置，以 150°C 200°C施行10分钟 120分钟的热处理，可使树脂层与非电解镀敷层之间密接良好。本发明复合体的制造方法中，在工序⑶与工序(C)之间，优选包含利用电解镀敷进一步形成电解镀敷层60的工序。在该工序中，可将利用激光5所形成的沟槽3或通孔4 的内部，利用电解镀敷层60来填埋。电解镀敷可使用硫酸铜电解镀敷。又，虽无特别的限定，但镀敷液中优选为含有均涂剂、聚合物、增白剂等添加剂。由此，可优先对形成于树脂层1上的沟槽3、通孔4的内部析出镀敷层，并利用电解镀敷层60进行填埋，使电解镀敷后的树脂表层上与沟槽3、通孔4 上的镀敷析出程度相同。电解镀敷层的厚度并无特别的限定，但优选距树脂层1的表面为 5 μ m以上且25 μ m以下左右。本发明的工序(C)中，通过去除利用非电解镀敷、电解镀敷所形成的导体70的一部分，从而仅在树脂层1的沟槽3、通孔4的部分形成导体层2。虽无特别的限定，但去除由电解镀敷所形成的导体70的一部分的方法，优选为化学蚀刻处理、研磨处理、抛光研磨处理等。由此，能有效地仅将树脂表层上的导体70除去，仅残留沟槽3、通孔4部分的导体层 2。由此，可制作粗电可靠性、信号响应性、以及沟槽和通孔内部的可镀性和层间连接性均优异的复合体。本发明的制造方法，可在工序(C)之后，包含⑶在树脂层1和导体层2上形成其它树脂层40的工序。本发明的工序(D)中，通过在树脂层1和导体层2上形成其它树脂层40，成为多层印刷布线板布线的各导体层被树脂层所覆盖，确保了布线间乃至通孔间的绝缘性。虽无特别的限定，作为在树脂层1与和导体层2上形成其它树脂层40的方法，是与准备上述树脂层1时相同地，例如使用真空加压式层压装置、平板压合装置等，制造带载体膜的树脂片的方法。通过重复上述工序(A)、(B)、(C)、(D)，可制作出电可靠性、信号响应性、沟槽和通孔内部的可镀性和层间连接性均优异的多层复合体。下面，针对半导体装置进行说明。本发明的半导体装置的特征在于，上述本发明的复合体为印刷布线板或金属芯布线板，并在该复合体上搭载半导体元件而成。在上述本发明印刷布线板等复合体上，安装具有焊锡凸块的半导体元件，并通过焊锡凸块，连接上述印刷布线板等复合体与半导体元件。然后，在印刷布线板等复合体与半导体元件之间填充液状密封树脂，从而制造出半导体装置。
焊锡凸块优选为由锡、铅、银、铜、铋等所构成的合金构成。半导体元件与印刷布线板等复合体的连接方法，是使用倒装芯片接合机等，对印刷布线板等复合体上的连接用电极部与半导体元件的焊锡凸块进行定位后，再使用顶回焊装置、热板、其它加热装置，将焊锡凸块加热至熔点以上，使印刷布线板等复合体与焊锡凸块熔融接合而相连接。此外，为使连接可靠性优良，也可预先在印刷布线板等复合体上的连接用电极部，形成焊锡膏等熔点较低的金属层。也可在该接合工序之前，在焊锡凸块和/或印刷布线板等复合体上的连接用电极部表层涂布助焊剂，从而提升连接可靠性。〈实施例〉以下，利用实施例与比较例说明本发明，但本发明并不仅局限于此。实施例系列I 第一实施方式的复合体和半导体装置的制造〈实施例1-1>使酚醛清漆型氰酸酯树脂(LONZA Japan股份有限公司制，PRIMASET PT-30，重量平均分子量约700)20重量份、甲氧基萘二亚甲基型环氧树脂(大日本油墨化学工业股份有限公司制，EXA-7320)35重量份、苯氧树脂(Japan Epoxy Resins公司制，JER4275) 5 重量份、及咪唑化合物[四国化成工业股份有限公司制，Curezol 1B2PZ(1-苄基-2-苯基咪唑)]0. 2重量份溶解、分散于甲乙酮中。然后，添加40重量份的无机填充材料/球状熔融二氧化硅(使用层叠型筒式过滤器(住友3M股份有限公司制)，对无机填充材料/球状熔融二氧化硅(电气化学工业股份有限公司制，SFP-20M)中最大粒径超过2.0μπι的粒子进行过滤分离而除去，从而平均粒径达到0. 4 μ m的无机填充材料/球状熔融二氧化硅40 重量份)。然后，添加偶联剂/环氧硅烷偶联剂(GE TOSHIBA SILICONE股份有限公司制， A-187)0. 2重量份，使用高速搅拌装置搅拌10分钟，制备固体成分50重量％的树脂清漆。使用逗点涂布装置，以干燥后的树脂膜厚度为40μπι的方式，将上述所获得的树脂清漆，涂布在厚度25 μ m的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜单面上，并利用160°C干燥装置，施行10分钟干燥，制得带载体层的树脂层。使该带载体层的树脂层重叠于带导体层的芯基板的表里上，使用真空加压式层压装置，以温度100°c、压力IMPa的条件，对其施行真空加热加压成型，然后，利用热风干燥装置，在180°C下进行45分钟的加热固化，获得带树脂层的基板。另外，作为双面带导体层的芯基板，使用下述基板·树脂层无卤素、芯基板、厚度0. 4mm·导体层铜箔厚度18 μ m、电路宽度/电路间隙(L/S) = 120/180 μ m、隔离孔 1 mmcp，3mmcp，缝隙 2_利用具有193nm波长的准分子激光，在带树脂层的基板双面的树脂层上，形成目标宽度 ο μ m、目标深度15 μ m的沟槽。加工条件设定如下掩模宽50 μ m的缝隙掩模频率100Hz能量500mJ/cm2扫描速度65ym/sec将已形成有沟槽的带树脂层的基板，在带载体层的状态下，浸渍于60°C膨润液(Atotech Japan 股份有限公司制，Swelling Dip kcuriganth P500) 10 分钟，进一步在 80°C高锰酸钾水溶液(Atotech Japan股份有限公司制，Concentrate Compact CP)中浸渍 20分钟后，施行中和而进行去胶渣处理。接着，将载体膜剥离后，经脱脂、赋予催化剂、活性化的工序后，形成约0. 2 μ m非电解镀铜层。接着，将非电解镀铜层为电极，以3A/dm2施行电解镀铜(奥野制药工业股份有限公司制，Top Lucina α ) 30分钟，形成树脂表层厚度约5 μ m的导体层。通过快速蚀刻处理(荏原电产公司SAC工艺)去除树脂表层上所存在的导体层， 确保布线间的绝缘。接着，以温度200°C、60分钟的条件，使绝缘树脂层完全固化。最后，在电路表面形成阻焊层(TAIYO INK制造股份有限公司制，PSR4000/ AUS308)，制得4层印刷布线板。〈实施例1-2>除利用具有MSnm波长的准分子激光，在带树脂层的基板的树脂层上，形成宽 10 μ m、深15 μ m的沟槽以外，其它与实施例1_1相同地操作，制得4层印刷布线板。〈实施例1-3>除利用具有355nm波长的YAG激光，在带树脂层的基板的树脂层上，形成宽10 μ m、 深15 μ m的沟槽以外，其它与实施例I-I相同地操作，制得4层印刷布线板。< 比较例 1-1>除了将通用的环氧树脂系积层材料(GX-13，Ajinomoto股份有限公司制，无机填充材料最大粒径2. 5 μ m，无机填充材料超过2 μ m的粗粒为SOOOppm，无机填充材料的平均粒径0.5μπι)用作树脂层以外，其它与实施例I-I相同地操作，制得4层印刷布线板。< 比较例 1-2>除了将通用的环氧树脂系积层材料(GX-13，Ajinomoto股份有限公司制，无机填充材料最大粒径2. 5 μ m，无机填充材料超过2 μ m的粗粒为SOOOppm，无机填充材料的平均粒径0. 5 μ m)用作树脂层，并利用具有355nm波长的YAG激光在带树脂层的基板的树脂层上形成宽ΙΟμπκ深15 μ m沟槽的外，其它与实施例I-I相同地操作，制得4层印刷布线板。〈评价内容〉纵向切断由各实施例和比较例所获得的多层布线板，并利用显微镜观察切断面， 求出导体层最大宽度和导体层截面形状。又，形成于树脂层的沟槽表面的算术平均粗糙度 (Ra)，是将导体层蚀刻去除后，根据JIS B0601，并使用Veeco公司制WIO NTllOO进行测定。所获得结果如表1所示。此外，关于实施例I-I和比较例1-1，将利用激光在树脂层中形成沟槽，并通过非电解镀敷/电解镀敷形成导体的阶段的截面形状照片，分别示于图7、 图8。[表1]
权利要求
1.一种复合体，是含有树脂层和导体层的复合体，其特征在于，在上述树脂层表面设有最大宽度Iym以上且10 μ m以下的沟槽，并在该沟槽内部设有导体层，与该导体层接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度Ra为0. 05 μ m以上且0.45μπι 以下。
2.一种复合体，是含有树脂层和导体层的复合体，其特征在于，在上述树脂层设有直径1 μ m以上且25 μ m以下的通孔，并在该通孔内部设有导体层， 上述通孔内部的树脂层表面的算术平均粗糙度Ra为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下。
3.如权利要求2所述的复合体，其特征在于，在上述树脂层表面还设有最大宽度Ιμπι 以上且10 μ m以下的沟槽，并在该沟槽内部设有导体层，与该导体层接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度Ra为0. 05 μ m以上且0. 45 μ m以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的复合体，其特征在于，上述树脂层含有无机填充材料，该无机填充材料中超过2 μ m的粗粒在500ppm以下。
5.如权利要求4所述的复合体，其中，上述无机填充材料的平均粒径为0.05 μ m以上且1.Ομ 以下。
6.如权利要求1至5中任一项所述的复合体，其特征在于，上述沟槽内部的导体层的截面形状为大致梯形状、半圆锥体状或三角形状。
7.如权利要求2至6中任一项所述的复合体，其特征在于，上述通孔的截面形状为大致梯形状。
8.如权利要求1至7中任一项所述的复合体，其特征在于，上述复合体是从印刷布线板、半导体元件、金属芯布线板中选择的至少一者。
9.一种复合体的制造方法，是制造含有树脂层和导体层的复合体的方法，其特征在于， 包括(A)利用激光在树脂层表面形成内部表面的算术平均粗糙度Ra为0.05 μ m以上且 0. 45 μ m以下的沟槽的工序；(B)利用非电解镀敷在上述树脂层表面形成导体的工序；以及(C)通过去除上述导体的一部分，从而仅在上述树脂层的上述沟槽部分形成导体层的工序。
10.如权利要求9所述的复合体的制造方法，其特征在于，在上述工序(C)之后，包含(D)在上述树脂层和上述导体层上形成其它树脂层的工序。
11.一种复合体的制造方法，是制造含有树脂层和导体层的复合体的方法，其特征在于，包括(A)利用激光在树脂层形成内部表面的算术平均粗糙度Ra为0.05 μ m以上且0. 45 μ m 以下的通孔的工序；(B)利用非电解镀敷在上述树脂层表面形成导体的工序；以及(C)通过去除上述导体的一部分，从而仅在上述树脂层的通孔部分形成导体层的工序。
12.如权利要求11所述的复合体的制造方法，其特征在于，上述工序(A)是利用激光，在树脂层形成内部表面的算术平均粗糙度Ra为0. 05μπι以上且0. 45 μ m以下的通孔和在树脂层表面形成内部表面的算术平均粗糙度Ra为0. 05 μ m 以上且0. 45 μ m以下的沟槽的工序；而且上述工序(C)是通过去除上述导体的一部分，从而仅在上述树脂层的通孔和上述树脂层表面的沟槽部分形成导体层的工序。
13.如权利要求11或12所述的复合体的制造方法，其特征在于，上述工序(C)之后，包含(D)在上述树脂层和上述导体层上形成其它树脂层的工序。
14.如权利要求9至13中任一项所述的复合体的制造方法，其特征在于，在上述工序(A)与上述工序(B)之间，包含利用等离子或药液实施去胶渣的工序。
15.如权利要求9至14中任一项所述的复合体的制造方法，其特征在于，在上述工序(B)与上述工序(C)之间，还包含利用电解镀敷形成导体的工序。
16.如权利要求9至15中任一项所述的复合体的制造方法，其特征在于，上述激光为准分子激光或YAG激光。
17.如权利要求9至16中任一项所述的复合体的制造方法，其特征在于，上述工序(A) 中，上述树脂层含有无机填充材料，且该无机填充材料中超过2 μ m的粗粒在500ppm以下。
18.如权利要求17所述的复合体的制造方法，其特征在于，上述无机填充材料的平均粒径为0. 05 μ m以上且1. 0 μ m以下。
19.如权利要求9至18中任一项所述的复合体的制造方法，其特征在于，上述复合体是从印刷布线板、半导体元件、金属芯布线板中选择的至少一者。
20.一种半导体装置，其特征在于，权利要求1至8中任一项所述的复合体为印刷布线板或金属芯基板，并在该复合体上搭载半导体元件而成。
21.—种布线板用树脂组合物，是含有无机填充材料和热固性树脂的树脂组合物，其特征在于，上述无机填充材料中超过2 μ m的粗粒在500ppm以下。
22.如权利要求21所述的布线板用树脂组合物，其特征在于，上述无机填充材料的平均粒径为0. 05 μ m以上且1. 0 μ m以下。
23.如权利要求21或22所述的布线板用树脂组合物，其特征在于，上述无机填充材料的含量为树脂组合物的10 80重量％。
24.如权利要求21至23中任一项所述的布线板用树脂组合物，其特征在于，上述无机填充材料为球状二氧化硅。
25.—种布线板用树脂片，其特征在于，在基材上形成由权利要求21至24中任一项所述的树脂组合物构成的树脂层而成。
全文摘要
本发明提供具有在复合体的树脂层上所形成的高密接、高可靠性、高频对应的微细布线或通孔的复合体、复合体的制造方法和半导体装置，以及可提供此种复合体的树脂组合物及树脂片。本发明的复合体含有树脂层和导体层，其特征在于，在上述树脂层表面设有最大宽度1μm以上且10μm以下的沟槽，在该沟槽内部设有导体层，与该导体层接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05μm以上且0.45μm以下，和/或在上述树脂层设有直径1μm以上且25μm以下的通孔，在该通孔内部设有导体层，且上述通孔内部的树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05μm以上且0.45μm以下。本发明的树脂组合物含有无机填充材料和热固性树脂，其特征在于，上述无机填充材料中2μm以上的粗粒在500ppm以下。本发明的树脂片是将由该树脂组合物构成的树脂层形成于基材而成。
文档编号H05K3/10GK102318452SQ201080007539
公开日2012年1月11日 申请日期2010年2月8日 优先权日2009年2月12日
发明者三井保明, 伊藤有香, 原英贵, 大东范行, 小野塚伟师, 金田研一 申请人:住友电木株式会社