专利名称：具有馈线屏蔽装置的供电装置及其基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种屏蔽馈线电场为目的具有馈线屏蔽装置的供电装置及其基板处
理装置。
背景技术：
通常，制造半导体元件、显示装置以及薄膜太阳能电池，需要经过在基板上沉积特定物质的薄膜沉积工序、使用感光性物质曝光或隐蔽薄膜选择区域的拍摄工序、去除所选区域的薄膜工序，进行图样的蚀刻工序等。这些工序中，薄膜电镀工序和蚀刻工序等是在优化成真空状态的基板处理装置内进行。通常来讲，薄膜电镀工序或蚀刻工序的关键是，通过等离子放电向基板均勻供应活性化或离子化的工程气体。但是，为了等离子放电采用一体型板电极或分为多数的分割电极时，由于各种因素难以维持反应空间内部等离子密度的均勻性。
发明内容
技术问题为了解决上述的现有技术问题，防止馈线向外部释放电场或受到外部电场的影响为目的，本发明旨在于提供具有屏蔽馈线装置的供电装置及其基板处理装置。所述屏蔽馈线装设置于连接RF电源和等离子源极的馈线。本发明的另一个目的在于提供，在馈线和屏蔽装置之间形成空间，并安装将馈线所散发的热量排放到外部的循环装置的基板处理装置。技术方案为了实现上述本发明的目的之一，本发明提供一种基板处理装置，包括腔室盖子和腔室机身结合以提供反应空间的工序腔室，设置在所述工序腔室内部的源极，向所述源极供应RF电源的RF电源，连结所述源极和所述RF电源的馈线以及包围住所述馈线且屏蔽所述馈线。所述基板处理装置，其特征在于，所述馈线和所述屏蔽装置之间形成有空间，还包括循环所述空间内空气的循环装置。所述基板处理装置，其特征在于，还包括连结所述屏蔽装置和所述腔室盖子的接地线。所述基板处理装置，其特征在于，所述源极包括结合到所述腔室盖子的多个等离子源极，并且所述多个等离子源极与RF电源并联。所述基板处理装置，其特征在于，所述馈线包括连结到所述RF电源的主馈线；从所述主馈线分支出的多个子馈线；连结到所述子馈线的多个连接线；以及连结所述多个连接线和所述多个等离子源极的多个馈杆，所述屏蔽装置包括屏蔽所述多个子馈线的第一屏蔽罩；以及屏蔽所述多个连接线和所述多个馈杆的多个第二屏蔽罩。所述基板处理装置，其特征在于，垂直于所述多个等离子源极长轴方向且经过所述主馈线的直线为准，所述多个馈杆对称地两列排列，其中，所述多个馈杆分别连接所述多个等离子源极的两端。所述基板处理装置，其特征在于，所述主馈线和所述多个连接线垂直于所述腔室盖子，所述多个子馈线平行于所述腔室盖子，还包括支撑所述多个子馈线的多个支撑装置。所述基板处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽罩包括下方部件和上方部件，其中，所述下方部件位于所述多个子馈线的下方，所述上方部件位于所述多个子馈线的上方且与所述下方部件结合。所述基板处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽罩包括下方部件和上方部件，其中，所述下方部件位于所述多个子馈线的下方，所述上方部件位于所述多个子馈线的上方且与所述下方部件结合。所述基板处理装置，其特征在于，所述下方部件包括所述多个子馈线所处的第一容纳部，沿着所述第一容纳部的外缘形成的第一隔板部，结合于所述第二屏蔽罩的连接部， 以及用来支撑所述多个子馈线的支撑装置所贯通的贯通孔，所述上方部件包括位于所述多个子馈线上方的平台部，以及循环孔，其中所述循环孔连接有所述馈线释放的热量排放到外部的循环装置。所述基板处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽罩是多个部分组装而形成。所述基板处理装置，其特征在于，所述多个第二屏蔽罩分别包括导管，形成有中空且所述多个连接线分别容纳在所述中空内；通行部，由所述导管的上部一部分切割而形成；连接部，设置在所述通行部的两侧且连结到所述第一屏蔽罩；以及连通部，由所述导管的下部一部分切割而形成。为了实现上述本发明的目的之一，本发明提供一种向设置在工序腔室内部的源极供应RF电源的供电装置，包括向所述源极供应RF电源的RF电源，连结所述源极和所述RF 电源的馈线，以及包围住所述馈线且屏蔽所述馈线电场的屏蔽装置。所述供电装置，其特征在于，所述馈线和所述屏蔽装置之间形成有空间，还包括 循环所述空间内空气的循环装置。有益效果本发明的基板处理装置安装了包围住连接RF电源和等离子源极的馈线的屏蔽装置，可以防止馈线向外部释放电场或受到外部电场的影响。由于馈线不受外部电场的影响， 可以确保反应空间内部的等离子密度均勻性，由此可以均勻地处理基板。通过馈线向等离子电极施加RF电源时，馈线会释放热量。馈线所散发的热量积累时，会影响到施加到等离子电极的RF电力强度。因此，为了排放馈线所散发的热量，馈线和屏蔽装置之间设置循环空间，并通过循环装置将循环空间的空气排放到外部，防止馈线所散发的热量汇聚在馈线和屏蔽装置之间。
图1为示出根据本发明一实施例的基板处理装置的截面图；图2为示出根据本发明一实施例的等离子源极的布局图；图3为示出根据本发明一实施例的供电装置详细图4为示出根据本发明一实施例的馈线立体图；图5为示出根据本发明一实施例的支撑装置截面立体图；图6为示出图示根据本发明一实施例的馈线和等离子源极连接的截面图；图7为示出根据本发明一实施例的屏蔽装置拆卸立体图；图8为示出根据本发明一实施例的供电装置的部分平面图；图9为示出根据本发明一实施例的供电装置截面立体图；图11以及图12为示出未安装屏蔽装置时，基板上电磁场的分布图以及曲线图；图13以及14为示出安装屏蔽罩时，基板上电磁场的分布图以及曲线图。
具体实施例方式以下对本发明的优选实施例来进行说明，但是本发明并不限于下述的实施方式， 在不偏离本发明的详细说明和附图范围内，本领域普通技术人员可进行各种变化和修改， 前述的变化及修改对本领域的技术人员是显而易见的。图1为根据本发明一实施例的基板处理装置截面图。本发明的基板处理装置110包括，工序腔室112、用作源极的多个等离子源极114、 供电装置122、多个凸出部170、气体分配装置118以及基板安置装置116。基板处理装置 110还可以包括，供气管172、边缘帧(edge frame) 120、闸阀(未图示)以及排气口 124。工序腔室112通过腔室盖子11 和腔室机身112b的结合，提供反应空间。腔室盖子11 和腔室机身112b安装有0型圈(o-ring) 112c,以便维持气密性。作为源极使用的多个等离子源极114，结合在腔室盖子112a，并且源极114与工序腔室112内部对应。多个等离子源极114和腔室盖子11 之间安装有多个绝缘装置162。 多个绝缘装置162将多个等离子源极114和腔室盖子11 进行电气绝缘。通过设置多个绝缘装置162，并且利用螺钉等固定装置，结合多个等离子源极114和腔室盖子11加。基板安置装置116在工序腔室112内部，与多个等离子源极114面对面安排，并且作为等离子接地电极使用。不仅基板安置装置116可以作为等离子接地电极使用，还有多个凸出部170、腔室盖子11 以及腔室机身112b都可以作为等离子接地电极使用。基板安置装置116包括，基板支撑板116a和支承轴116b。其中，基板支撑板116a配置有基板164， 基板支撑板116a面积大于基板164，支承轴116b升降基板支撑板116a。基板支撑板116a 还可以内置，用来提高基板164温度的加热装置(heater) 166。基板处理装置110上，基板安置装置116与工序腔室112 —样接地。尽管没有图示，根据基板处理工艺条件，基板安置装置116上可以连接单独的RF电源或维持电浮动(floating)状态。多个等离子源极114和基板安置装置116之间会形成有等离子放电空间。气体供应到等离子放电空间时，工程气体在多个等离子源极114和基板安置装置116之间被激活或离子化，被供应到位于基板安置装置116上的基板164。由此，在基板164上可以进行沉积薄膜或蚀刻薄膜等的基板处理工序。各个等离子源极114和基板安置装置116之间的第一间隔与各个凸出部170和基板安置装置116之间的第二间隔相同。由于腔室盖子11 和各个多个等离子源极114之间设置有多个绝缘装置162，所以各个等离子源极114的第一厚度小于各个凸出部170的第二厚度。并且，各个凸出部170的厚度，与各个等离子电极114和多个绝缘装置162之和相同。为了防止由于驻波(standing wave)效果基板164处理不均勻，排列比RF波的波长更小宽度的多个等离子源极114。由于多个等离子电极114的各个宽度小于RF波的波长，所以能防止定态波效果，在反应空间内可以维持等离子密度的均勻性。供电装置122向多个等离子源极114分别施加RF电源。供电装置122包括，供应 RF电源的RF电源126 ；阻抗整合为目的的匹配器130 ；连接到多个等离子源极114的馈线 160 ；以及屏蔽馈线160的屏蔽装置150。多个等离子源极114通过馈线160与RF电源1 并联，并且多个等离子源极114和RF电源1 之间设置有阻抗整合为目的的匹配器130。RF电源1 可以采用等离子发生效率好的20-50MHZ频段的甚高频(very high frequency :VHF)。馈线160是由贯通腔室盖子11 和多个绝缘装置162，分别连接到多个等离子源极114的多个子馈线160b，以及将多个子馈线160b连接到RF电源126的主馈线 160a构成。多个子馈线160b可以分别连接到多个等离子源极114的各个两端，或可以连接到多个等离子源极114的中央部。多个凸出部170结合到多个等离子源极114之间的腔室盖子112a。多个等离子源极114和多个凸出部170都是平行排列，与工序腔室112的侧壁相邻的腔室盖子11 的周边部可以设置有凸出部170。因此，与工序腔室112的两侧壁相邻的腔室盖子11 的各个两端，排列有凸出部170。排列在腔室盖子11 两端的两个凸出部170之间，交叉排列多个等离子源极114和凸出部170。多个凸出部170可以通过螺钉等固定装置结合到多个等离子源极114之间的腔室盖子112a，或与腔室盖子11 形成一体。腔室盖子11 和多个凸出部170电连接。腔室盖子11 可以具有长方形态，多个等离子源极114被制作成分别具有长轴和短轴的条纹(stripe)形态，且条纹之间按相同的间隔平行隔开。多个凸出部170与多个等离子源极114类似，都是制作成具有长轴和短轴的条纹(stripe)形态，相互之间按相同的间隔平行隔开。但是，多个等离子源极114和凸出部170不限制为条纹形态，根据需要可以制作成各种形态。多个等离子源极114、多个凸出部170、腔室盖子112a、腔室机身112b以及基板安置装置116分别采用铝或不锈钢等金属材质制作，多个绝缘装置162采用氧化铝等陶瓷材质。结合到腔室盖子11 的多个凸出部170以及多个等离子源极114分别形成有气体装置分配装置118。气体装置分配装置118包括，多个第一气体装置分配装置118a和多个第二气体装置分配装置118b。其中，多个第一气体装置分配装置118a分别设置到多个等离子源极114，多个第二气体装置分配装置118b分别设置到到多个凸出部170。第一和第二气体装置分配装置118a，118b分别喷射第一工程气体和第二工程气体。第一工程气体和第二工程气体可以采用相同的气源，或分别采用不同的气源。根据图1所示，多个等离子源极114和多个凸出部170分别都设置有第一气体装置分配装置118a和第二气体装置分配装置118b，但是根据需要可以在多个等离子源极114 以及多个凸出部170中的一个(种)设置气体装置分配装置118。此时，不形成多个凸出部 170也无妨。边缘帧120设置于工序腔室112的内壁，当基板安置装置116上升达到工程位置时，屏蔽基板164的周边部以防止基板164周边部形成薄膜。边缘帧120从基板164上部的周边部延长到工序腔室112的内壁附近。边缘帧120维持电气浮游状态(foating state)。 排气口 IM可以起到将反应空间的反应气体排到外部，或调节反应空间真空的功能。排气口 1 连接着真空泵(未图示)。图2为根据本发明一实施例的等离子源极的布局图。如图2所示，多个等离子源极114之间是相互隔开一定距离，平行排列。多个等离子源极114通过馈线160与RF电源126并联。馈线160和RF电源126之间设置有，阻抗整合为目的的匹配器128。馈线160包括连接RF电源126的主馈线160a、连接主馈线160a 和各个多个等离子源极114的两端的多个子馈线160b。图3为本发明实施方式相关供电装置的详细图。图3表示，与图1的工序腔室112外部相对应的，安装在腔室盖子11 上面的馈线160和屏蔽装置150。为了便于说明，用虚线表示与图1的工序腔室112内部相对应的腔室盖子11 下面结合的多个等离子源极114，省略图1的供气管172。腔室盖子11 的上面安装，容纳图1的供气管172的外壳132。供电装置122包括图1的RF电源126以及匹配器130，并且由连接到多个等离子源极114的馈线160、屏蔽馈线160的屏蔽装置150、以及支撑馈线160的支撑装置158而构成。馈线160包括，连接到图1的RF电源126的主馈线160a、从主馈线160a分支出的多个子馈线160b、连接到多个子馈线160b的多个连接线160c、以及连接多个连接线160c 和多个等离子源极114的多个馈杆160d。多个子馈线160b可以以经过主馈线160a的垂直线以及水平线为准对称形成。对称形成多个子馈线160b时，可以向多个等离子源极114均勻施加RF电源。多个等离子源极114上施加RF电源，在工序腔室112内部释放等离子时，分别连接在多个等离子源极114的多个子馈线160b之间，以及多个连接线160c之间会发生电气干扰，所以很难在与多个等离子源极114对应的图1的基板164上确保均勻的电场分布。由于不均勻的电场分布，图1的工序腔室112反应空间内的等离子分布会不均勻。不均勻的等离子分布是阻碍薄膜电镀或蚀刻均勻性的因素。为了排除各个多个子馈线160b和多个连接线160c的电气干扰，安装包围住馈线160的屏蔽装置150。屏蔽装置150包括第一屏蔽罩150a和多个第二屏蔽罩150b构成。第一屏蔽罩 150a屏蔽多个子馈线160b，多个第二屏蔽罩150b屏蔽多个连接线160c。为了更容易屏蔽与腔室盖子11 水平所处的子馈线160b，将多个子馈线160b的布局领域分割成多个领域，可以安装多个第一屏蔽罩150a。例如，将多个子馈线160b分割成多个领域时，为了更容易组装第一屏蔽罩150a，以经过主馈线160a的垂直和水平线为准，将多个子馈线160b分成四个屏蔽领域，可以安装四个第一屏蔽罩150a。第一屏蔽罩 150a的分割数量可以根据多个子馈线160b的分支次数和排列面积增减。第一屏蔽罩150a包括下方部件15 和上方部件154b。其中，下方部件15 位于多个子馈线160b下方，上方部件154b位于多个子馈线160b上方且与下方部件15 连接。第二屏蔽罩150b位于腔室盖子11 的上面，并且固定在多个第一屏蔽罩150a各自的多个下方部件15 以屏蔽多个连接线160c和多个馈杆160d。腔室盖子11 与第二屏蔽
8罩150b接触以支撑第二屏蔽罩150b。但是，第二屏蔽罩150b不与腔室盖子11 结合。第一屏蔽罩150a的上方部件154b覆盖下方部件15 和第二屏蔽罩150b的上部。 因此，下方部件15 的面积小于上方部件154b的面积。第一屏蔽罩和第二屏蔽罩150a，150b可以由与腔室盖子11 相同的传导性材质 (例如，铝)而形成。为了屏蔽馈线160，组装多个第一屏蔽罩和第二屏蔽罩150a，150b时， 多个第一和第二第二屏蔽罩150a，150b相互电连接。屏蔽装置150通过与腔室盖子11 电连接以接地。并且，为了增加屏蔽装置150的接地通道，可以在多个第二屏蔽罩150b中的一部分安装接地线156，与腔室盖子11 连接。垂直于多个等离子源极114的长轴方向且经过主馈线160a的直线为准，多个第二屏蔽罩150b在两侧对称地排列。两排的各个多个第二屏蔽罩150b中至少选择一个设置有接地线156。图4为根据本发明一实施例的馈线的立体图。图4中，为了便于说明，虚线表示与图1的工序腔室112内部相对应的腔室盖子 11 下面结合的多个等离子源极114，省略图1的供气管172。馈线160包括，主馈线160a、多个子馈线160b、多个连接线160c以及多个馈杆 160d。主馈线160a的一端连接在图1的RF电源1 且垂直于腔室盖子11 设置。从主馈线160a的另一端，平行于腔室盖子11 的方向，分支出多个子馈线160b。为了将图1的 RF电源均勻地施加到多个等离子源极114，将主馈线160a分支成多个子馈线160b。多个子馈线160b包括，多个第一分支线152a、多个第二分支线152b、多个第三分支线152c和多个第四分支线152d。其中，多个第一分支线15 是从主馈线160a分支出的，多个第二分支线152b是从多个第一分支线15 分别分支出的，多个第三分支线152c 是从多个第二分支线152b分别分支出的，多个第四分支线152d从多个第三分支线152c分别分支出的。从多个的子馈线(160b)分支出的线数可以根据需要增减。多个第一分支线、 第二分支线、第三分支线以及第四分支线152a，152b，152c, 152d与腔室盖子11 平行而设置。多个第四分支线152d分别连接于多个连接线160c。多个第一分支线、第二分支线、第三分支线和第四分支线152a，152b，152c, 152d以及多个连接线160c由板材而形成。多个连接线160c垂直于腔室盖子112a，并且通过馈杆160d分别连接在多个等离子源极114。为了连接到馈杆160d，连接线160c的端部会形成有平行于腔室盖子11 扩张的连接板156a。连接板156a形成，贯通馈杆160d，放置馈160d上端部的穿孔部(未用单独的符号标出)。馈杆160d穿过连接线160c的连接板156a上形成的穿孔部和气密板148， 固定到图1的多个等离子源极114。连接板156a直接接触气密板148。馈杆160d的下方会形成有用来固定到图1的多个等离子源极114的螺纹。图5为根据本发明一实施例的支撑装置的截面立体图。为了支撑多个子馈线160b，安装多个支撑装置158。支撑装置158位于外壳132 的上部，并且贯通图3的第一屏蔽罩150a下方部件15 以支撑多个子馈线160b。为了防止平行于腔室盖子11 的多个子馈线160b下垂，多个子馈线160b的多个分支部分别被支撑装置158支撑。支撑装置158包括，圆筒形的支撑体158a、凸出连接部158b、结合块158c、支撑棒 158d以及固定部158e。其中，支撑体158a位于外壳132上部，凸出连接部158b连接在支撑体158a且贯通第一屏蔽罩150a的下方部件IMa，结合块158c形成于凸出连接部158b 的中央，支撑棒158d插入到结合块158c且支撑子馈线160b，固定部158e固定到凸出连接部 158b0凸出连接部15 呈圆筒形，其直径小于支撑体158a的直径。结合块158c以及插入到结合块158c的支撑棒158d形成有螺纹，通过螺丝固定。固定部158e具有可容纳凸出连接部158b的中空。支撑体158a、凸出连接部158b以及固定部158e可以由绝缘材料(例如，特氟龙)而形成，支撑棒158d由铜(Cu)而形成图6为根据本发明一实施的相关馈线和等离子源极连接截面图。为了馈杆160d与等离子源极114的两端电连接，等离子源极114上形成有固定孔136a。与固定孔136a对应的腔室盖子11 以及绝缘板162上形成有引入孔136b。馈杆160d被插入到安装在连接线160c端部的连接板156a的穿孔部、固定孔136a以及引入孔136b，以结合在等离子源极114。馈杆160d结合等离子源极114时，与图1的腔室盖子 11 对应的引入孔136b内将插入，对馈杆160d和腔室盖子11 进行绝缘的绝缘材料(未图示)。为了维持气密同时与等离子源极114电连接，在馈杆160d安装0型圈，使用螺钉 184c固定气密板148和与等离子源极114对应的腔室盖子112a。固定孔136a的内侧以及与固定孔136a对应的馈杆160d形成有螺纹。气密板148采用绝缘材料，比如，陶瓷等。图7为根据本发明一实施的相关屏蔽装置的分解立体图。屏蔽装置150包括，屏蔽图2的多个子馈线160b的多个第一屏蔽罩150a，以及屏蔽图2的多个连接线160c的多个第二屏蔽罩150b。第一屏蔽罩150a由下方部件15 以及结合在下方部件15 的上方部件154b而构成。下方部件15 包括第一容纳部186a、隔板部186b、连接部186c以及贯通孔186d。 其中，第一容纳部186a设置有图4的馈线160，隔板部186b安装在第一容纳部186a外缘， 连接部186c固定在第二屏蔽罩150b，支撑装置158贯穿贯通孔186d。上方部件154b包括， 平台部188a以及将馈线160释放的热量排放到外部的循环装置(未图示)上连接的多个循环孔188b。第二屏蔽罩150b包括，导管190a、通行部190b、连接部190c以及连通部190d。其中，导管190a可以具有四角柱形状且形成有容纳连接线160c的中空，通行部190b由导管 190a的一部分切割而形成，图4的第四分支线152d穿过通行部190b，连接部190c设置于通行部190b的两侧且连接到下方部件IMa，连通部190d由导管190a的下部切割而形成。将第一屏蔽罩150a的下方部件15 结合到第二屏蔽罩150b，用第一屏蔽罩150a 的上方部件154b可以覆盖第一屏蔽罩150a的下方部件15 和第二屏蔽罩150b的上部。 因此，上方部件154b的面积可以大于下方部件15 的面积。图8为根据本发明一实施例的供电装置的部分平面图。图8是从图3中去除第一屏蔽罩150a的上方部件154b以图示多个子馈线160b、 第一屏蔽罩150a的下方部件15 以及第二屏蔽罩150b。连接线160c与第一屏蔽罩150a相邻，通过第二屏蔽罩150b的中空，连接在连接线160c的端部，与第一屏蔽罩150a面对面的方向扩展的连接板156a位于第二屏蔽罩150b 的中央。连接线160c的连接板156a和图2的等离子源极114通过馈杆160d连接。并且，为了容纳气密板148，第二屏蔽罩150b的中空尺寸可以改。连接馈杆160d和等离子源极 114时，气密板148可以维持气密。在特殊情况下，气密板148通过图7的连通部190d，可以凸出到第二屏蔽罩150b的外部。图9为根据本发明一实施例的供电装置的截面立体图。为了屏蔽馈线160，组装屏蔽装置150时，馈线160和屏蔽装置150之间形成有空间。通过馈线160向图1的多个等离子源极114供应RF电源时，馈线160会释放热量。为了防止馈线160和屏蔽装置150之间的空间内积累热量，在第一屏蔽罩150a的上方部件154b 形成多个循环孔188b，并连接向多个循环孔188b流入外部空气的循环装置(未图示)。通过多个循环孔188b流入的空气在馈线160和屏蔽装置150之间的空间内循环，通过第二屏蔽罩150b的连通部190d排放到外部。图10以及图11为未安装屏蔽装置时基板上的电磁场分布图以及曲线图，图12以及图13为安装屏蔽罩时基板上的电磁场分布图以及曲线图。图10至图13为模拟测试结果，实际连接RF电源时基板上的电磁场分布可能会有所不同。但是，根据馈线上是否安装屏蔽装置，可以预测基板上的电磁场分布，在这个层面上是有意义的数据。图10和图12中，X轴代表图2的多个等离子源极114的短轴方向距离，y轴代表图2的多个等离子源极114的长轴方向距离，ζ轴代表电场的强度。电场的强度是用单位长度的电压(v/m)表示。图10和图12中，青色表示电场的强度低，红色表示电场的强度高。图11和图13中，χ轴代表图2的多个等离子源极114的短轴方向距离，y轴代表电场的强度。图11和图13中，变更RF power值，测试了各种情况。馈线上未安装屏蔽装置时，如图10和图11所示，局部地方的电磁场峰值非常明显的不均勻。因此，由于电磁场峰值(peak)差异，难以进行均勻的基板处理。不过，馈线上安装屏蔽装置时，如图12和图13所示，整体上电磁场峰值非常均勻。由于电磁场峰值稳定， 可以进行均勻的基板处理。以上结合本发明
了本发明的实施方式。但是，本发明所属技术领域的从业者应该可以理解，还可以存在无需变更其技术思想或必备特点的其他的具体实施方式
。 因此，本发明所述的实施方式在所有方面都只是例示性的，而不只局限于此。本发明的范围是通过权利要求书划定的，并且权利要求书的意义和范围及其等价概念中导出的所有变更或变形的形态都应该被理解为属于本发明的范畴。
权利要求
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括腔室盖子和腔室机身结合以提供反应空间的工序腔室； 设置在所述工序腔室内部的源极； 向所述源极供应RF电源的RF电源； 连结所述源极和所述RF电源的馈线；以及包围住所述馈线且屏蔽所述馈线的电场的屏蔽装置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述馈线和所述屏蔽装置之间形成有空间，还包括 循环所述空间内空气的循环装置。
3.权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括 连结所述屏蔽装置和所述腔室盖子的接地线。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述源极包括结合到所述腔室盖子的多个等离子源极，并且所述多个等离子源极与RF 电源并联。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 所述馈线包括连结到所述RF电源的主馈线；从所述主馈线分支出的多个子馈线；连结到所述子馈线的多个连接线；以及连结所述多个连接线和所述多个等离子源极的多个馈杆，所述屏蔽装置包括屏蔽所述多个子馈线的第一屏蔽罩；以及屏蔽所述多个连接线和所述多个馈杆的多个第二屏蔽罩。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，垂直于所述多个等离子源极长轴方向且经过所述主馈线的直线为准，所述多个馈杆对称地两列排列，其中，所述多个馈杆分别连接所述多个等离子源极的两端。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述主馈线和所述多个连接线垂直于所述腔室盖子，所述多个子馈线平行于所述腔室盖子，还包括支撑所述多个子馈线的多个支撑装置。
8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于， 所述第一屏蔽罩包括下方部件和上方部件，其中，所述下方部件位于所述多个子馈线的下方，所述上方部件位于所述多个子馈线的上方且与所述下方部件结合。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于， 所述下方部件包括所述多个子馈线所处的第一容纳部； 沿着所述第一容纳部的外缘形成的第一隔板部；结合于所述第二屏蔽罩的连接部；以及用来支撑所述多个子馈线的支撑装置所贯通的贯通孔，所述上方部件包括位于所述多个子馈线上方的平台部；以及循环孔，所述循环孔连接有所述馈线释放的热量排放到外部的循环装置。
10.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于， 所述第一屏蔽罩是多个部分组装而形成。
11.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个第二屏蔽罩分别包括导管，形成有中空且所述多个连接线分别容纳在所述中空内； 通行部，由所述导管的上部一部分切割而形成； 连接部，设置在所述通行部的两侧且连结到所述第一屏蔽罩；以及连通部，由所述导管的下部一部分切割而形成。
12.一种供电装置，其特征在于，向设置在工序腔室内部的源极供应RF电源的供电装置，包括 向所述源极供应RF电源的RF电源； 连结所述源极和所述RF电源的馈线；以及包围住所述馈线且屏蔽所述馈线电场的屏蔽装置。
13.根据权利要求12所述的供电装置，其特征在于， 所述馈线和所述屏蔽装置之间形成有空间，还包括 循环所述空间内空气的循环装置。
全文摘要
本发明公开了一种具有馈线屏蔽装置的供电装置及其基板处理装置。基板处理装置包括腔室盖子和腔室机身结合以提供反应空间的工序腔室；设置在所述工序腔室内部的源极；向所述源极供应RF电源的RF电源；连结所述源极和所述RF电源的馈线；以及包围住馈线且屏蔽馈线电场的屏蔽装置。
文档编号H05K9/00GK102315071SQ20111018532
公开日2012年1月11日 申请日期2011年7月1日 优先权日2010年7月1日
发明者全富一, 宋明坤, 李政洛, 都在辙 申请人:周星工程有限公司