专利名称：单晶炉的上炉体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种单晶炉的上炉体，属于单晶硅的生产制造设备领域。
背景技术：
单晶硅是具有完整的点阵结构的晶体，是一种良好的半导体材料，目前被广泛用于半导体器件以及太阳能电池的制造。现有的单晶硅制造设备为单晶炉，其主要包括炉底、下炉体、上炉体、炉盖、隔离阀和副炉六大部分组成。以往的单晶炉的上炉体只有单层炉壁，而单晶炉工作过程中炉体部分长时间处于高温状态，所以炉壁很容易损坏，从而影响了上炉体的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种热量能被有效吸收，炉壁不易损坏的单晶炉上炉体。本发明的目的是这样实现的:
本发明单晶炉的上炉体，包括上炉体本体,所述上炉体本体包括内壁和外壁,所述内壁和外壁之间设有水夹层，所述水夹层内从上到下交错布置有若干栅板，相邻的两块栅板中，一块栅板的一端固定在内壁上，另一端与外壁之间留有间隙，而另一块栅板一端固定在外壁上，另一端与内壁之间留有间隙，所述外壁上开设有与水夹层相连通的进水口和出水口，所述内壁和外壁的上下两端分别连有上法兰和下法兰。与现有技术相比，本发明的有益效果是: 这种单晶炉的上炉体在水夹层内设有交错布置的栅板，可以增加水的停留时间，并且增加了水与内壁和外壁的接触面，提高了冷却降温的效果，从而有效吸收热量，使炉壁不易损坏。
图1为本发明单晶炉的上炉体的结构示意图。其中:上炉体本体1、内壁2、外壁3、水夹层4、栅板5、进水口 6、出水口 7、上法兰
8、下法兰9。
具体实施例方式参见图1，本发明涉及的单晶炉的上炉体，它包括上炉体本体1，所述上炉体本体I包括内壁2和外壁3，所述内壁2和外壁3之间设有水夹层4，所述水夹层4中通入自来水用于对上炉体降温，所述水夹层4内从上到下交错布置有若干栅板5，相邻的两块栅板5中，一块栅板5的一端固定在内壁2上,另一端与外壁3之间留有间隙,而另一块栅板5 —端固定在外壁3上，另一端与内壁2之间留有间隙，所述外壁3上开设有与水夹层4相连通的进水口 6和出水口 7，所述内壁2和外壁3的上下两端分别连有上法兰8和下法兰9，其中上法兰8用于连接上炉体上方的单晶炉隔离阀，下法兰9用于连接单晶炉下炉体。由于水夹层4内设有交错布置的栅板5，可以增加水的停留时间，并且增加了水与内壁2和外壁3的接触面， 提高了冷却降温的效果，从而有效吸收热量，使炉壁不易损坏。
权利要求
1.一种单晶炉的上炉体，其特征在于:它包括上炉体本体(1)，所述上炉体本体(I)包括内壁(2)和外壁(3)，所述内壁(2)和外壁(3)之间设有水夹层(4)，所述水夹层(4)内从上到下交错布置有若干栅板(5)，相邻的两块栅板(5)中，一块栅板(5)的一端固定在内壁(2)上,另一端与外壁(3)之间留有间隙,而另一块栅板(5) —端固定在外壁(3)上,另一端与内壁(2)之间留有间隙，所述外壁(3)上开设有与水夹层(4)相连通的进水口(6)和出水口( 7)，所述内壁(2 )和外壁(3)的上下两端分别连有上法兰(8)和下法兰(9)。
全文摘要
本发明涉及一种单晶炉的上炉体，其特征在于它包括上炉体本体(1)，所述上炉体本体(1)包括内壁(2)和外壁(3)，所述内壁(2)和外壁(3)之间设有水夹层(4)，所述水夹层(4)内从上到下交错布置有若干栅板(5)，所述外壁(3)上开设有与水夹层(4)相连通的进水口(6)和出水口(7)，所述内壁(2)和外壁(3)的上下两端分别连有上法兰(8)和下法兰(9)。这种单晶炉的上炉体在水夹层内设有交错布置的栅板，可以增加水的停留时间，并且增加了水与内壁和外壁的接触面，提高了冷却降温的效果，从而有效吸收热量，使炉壁不易损坏。
文档编号C30B29/06GK103184526SQ20111045517
公开日2013年7月3日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者汤仁兴 申请人:汤仁兴