专利名称：硅单晶生长炉的制作方法
技术领域：
硅单晶生长炉
技术领域：
本实用新型涉及一种生产单晶硅的设备，具体涉及一种硅单晶生长炉。背景技术：
硅单晶生长炉是生产单晶硅的设备，在单晶硅生长的拉晶过程中，石墨加热器始终要对坩埚内的硅料进行加热，由于石墨加热器的底部与炉底之间一般留有150mm左右的空间距离，这样就有部分热量从周围空隙中流失，造成加热功率的浪费，进而需要提高加热功率。
发明内容鉴于背景技术存在的不足，本实用新型的目的旨在提供一种能够降低拉晶过程中的加热功率、节约能源的硅单晶生长炉。本实用新型是通过以下技术方案来实现的硅单晶生长炉，包括炉筒、保温桶和设在保温桶内的石墨加热器，其特征在于所述石墨加热器的底部与炉底之间设有热反射板。所述热反射板选用碳碳复合材料。在加热器底部和炉底之间设置热反射板，可以有效地将加热器底部辐射的热量反射回去，减少热量的流失，从而可以降低加热功率，起到节约能源的效果，可以节能3-5%。 选用碳碳复合材料作为热反射板的材料，有很好的热反射效果。
图1为本实用新型的结构图具体实施方式参照附图1，这种硅单晶生长炉，包括炉筒1、保温桶2、设在保温桶2内的石墨加热器4和石英坩埚3，石墨加热器4用于拉晶过程中对石英坩埚3内的硅料进行加热，石墨加热器4的底部与炉底7之间具有150mm左右的空间距离，石墨加热器4的底部与炉底7之间设有热反射板5，热反射板5靠近石墨加热器4的底部设置，热反射板5顶面与石墨加热器4底部的距离一般控制在30-50mm左右，热反射板5通过垫柱6支在炉底7上，所述热反射板5选用碳碳复合材料。因为热反射板的设置，在拉晶过程中能有效地将石墨加热器底部辐射的热量反射回去，减少热量的流失，从而降低石墨加热器的加热功率。
权利要求1.硅单晶生长炉，包括炉筒、保温桶和设在保温桶内的石墨加热器，其特征在于所述石墨加热器的底部与炉底之间设有热反射板。
2.如权利要求1所述的硅单晶生长炉，其特征在于所述热反射板选用碳碳复合材料。
专利摘要本实用新型公开了一种硅单晶生长炉，包括炉筒、保温桶和设在保温桶内的石墨加热器，其特征在于所述石墨加热器的底部与炉底之间设有热反射板。本实用新型的结构能够降低拉晶过程中的加热功率，节约能源。
文档编号C30B15/00GK201981289SQ20112006699
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月11日 优先权日2011年3月11日
发明者李国迪, 蒋明霞, 蔡光进, 韩喆 申请人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司