专利名称：一种单晶炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及利用多晶提拉出单晶硅生产领域，具体属于一种单晶炉。
背景技术：
目前，直拉单晶炉是晶体生长设备中最重要的产品系列，用它来制作人工晶体，晶体生长速度最高，最容易实现人工控制，因此也获得了最广泛的应用。为了生长出大尺寸和高质量的单晶，人类几乎用了一切先进的手段。在单晶炉上集成了材料、机械、电气、计算机、磁多方面的高端知识和技术。硅单晶体作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件。大部分的半导体硅单晶体采用直拉法制造。一般采用如下制作方法多晶硅被装进石英坩埚内，加热熔化，然后再将熔硅降温，给予一定的过冷度。上述方法采用普通的炉子不具有保温效果，在使用过程中浪费很多热能电能。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种单晶炉，炉体内的密封性能进一步提高，能够节约多晶硅的使用量，使用单晶炉寿命延长，且生产成本降低。本实用新型的技术方案如下一种单晶炉，包括有炉体、副炉，炉体内依次设有保温层、石墨加热器、石墨坩埚， 石墨坩埚上方设有导流环，石墨坩埚下方设有锅托，副炉的顶端设有提升电动机，提升电动机下方连接有钢丝，钢丝下端连接有钼棒，钼棒下端固定有籽晶，副炉外设有油缸，副炉的侧壁与油缸的活塞杆固定连接。所述的副炉的外侧壁上转动设置有观察窗，观察窗上设有透明玻璃。所述的石墨加热器呈蛇形，石墨加热器的两端的电极分别连接有石墨电极。所述的活塞杆与副炉的侧壁之间连接有连接架。本实用新型的炉体内的密封性能进一步提高，能够节约多晶硅的使用量，使用单晶炉寿命延长，且生产成本降低。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
参见附图，一种单晶炉，包括有炉体1、副炉2，炉体1内依次设有保温层3、石墨加热器4、石墨坩埚5，石墨坩埚上方设有导流环6，石墨坩埚下方设有锅托7，副炉2的顶端设有提升电动机8，提升电动机8下方连接有钢丝9，钢丝9下端连接有钼棒10，钼棒10下端固定有籽晶12，副炉外设有油缸11，副炉的侧壁与油缸的活塞杆固定连接，副炉的外侧壁上转动设置有观察窗13，观察窗上设有透明玻璃，石墨加热器呈蛇形，石墨加热器的两端的电极分别连接有石墨电极，活塞杆与副炉的侧壁之间连接有连接架。
权利要求1.一种单晶炉，包括有炉体、副炉，其特征在于炉体内依次设有保温层、石墨加热器、 石墨坩埚，石墨坩埚上方设有导流环，石墨坩埚下方设有锅托，副炉的顶端设有提升电动机，提升电动机下方连接有钢丝，钢丝下端连接有钼棒，钼棒下端固定有籽晶，副炉外设有油缸，副炉的侧壁与油缸的活塞杆固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉，其特征在于所述的副炉的外侧壁上转动设置有观察窗，观察窗上设有透明玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉，其特征在于所述的石墨加热器呈蛇形，石墨加热器的两端的电极分别连接有石墨电极。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉，其特征在于所述的活塞杆与副炉的侧壁之间连接有连接架。
专利摘要本实用新型公开了一种单晶炉，包括有炉体、副炉，炉体内依次设有保温层、石墨加热器、石墨坩埚，石墨坩埚上方设有导流环，石墨坩埚下方设有锅托，副炉的顶端设有提升电动机，提升电动机下方连接有钢丝，钢丝下端连接有钼棒，钼棒下端固定有籽晶，副炉外设有油缸，副炉的侧壁与油缸的活塞杆固定连接。本实用新型的炉体内的密封性能进一步提高，能够节约多晶硅的使用量，使用单晶炉寿命延长，且生产成本降低。
文档编号C30B15/00GK202187078SQ20112026483
公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月25日 优先权日2011年7月25日
发明者林游辉 申请人:合肥景坤新能源有限公司