专利名称：电阻式真空高温炉水冷电极防护屏的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及熔体籽晶法单晶生长设备，尤其涉及一种电阻式真空高温炉水冷电极防护屏。
背景技术：
随着太阳能的利用以及LED产业的发展带来了单晶硅及蓝宝石单晶生长炉的大量需求，目前的单晶炉大部份以真空环境、低压大电流大功率、高温为特征，其中构成晶体炉的关键部件——电极，但是电极均为内置水冷式，并且会直接受到发热元件的辐射，是高温热损的主要原因之一。如何隔离这种辐射，大大提高高温炉热效率，将是目前急需解决的主要问题。
实用新型内容为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供一种电阻式真空高温炉水冷电极防护屏，采用难熔金属片做成防护屏组，安装在水冷电极迎向热辐射源的一面，使热辐射不能直接照射到水冷电极上，从而使电极处于较低温度，避免热能通过冷却水带走，提高高温炉热效率。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是在水冷电极下方安装若干层难熔金属片叠合构成的隔热防护屏，使炉内高温热辐射照射到该组屏片，而不能直接辐射到电极上。作为本实用新型的进一步改进，所述隔热防护屏的难熔金属片层数可以是一层或者多层。作为本实用新型的进一步改进，所述难熔金属片材质可以是钨或者钥。作为本实用新型的进一步改进，所述隔环的结构形状可以是短管、卷片、波纹板、丝环。本实用新型产生的有益效果是，避免热能通过直接辐射方式照射在水冷电极上，从而使其表面处于较低的温度环境，皮面局部热熔，避免过多热能被冷却水带走，提高高温炉热效率，能大量用于蓝宝石单晶生长炉或单晶硅炉。
以下结合附图
和该实施例对本实用新型作进一步的说明。图I为本实用新型实施例的平面图。图2为本实用新型实施例的侧视图。附图标记说明1.隔热屏片，2.侧屏，3.隔环。
具体实施方式
在图实施例中，一种电阻式真空高温炉水冷电极防护屏，防护屏主要有隔热屏片(I)、侧屏(2)、隔环(3)组成。将难熔金属片按水冷电极受辐射面的形状制成若干隔热屏片
(I)，再将若干隔热屏片(I)叠合起来且在隔热屏片之间以同种材质的隔环(3)隔离，然后通过螺栓将多层隔热屏片(I)紧固为一体，再在紧固为一体的多层隔热屏片的外围通过螺 栓固定两片同种金属材质且圆弧形状的侧屏(2)，即组成防护屏，并将其安装于水冷电极下方形成热辐射防护屏，从而隔离来自发热体的辐射。
权利要求1.一种电阻式真空高温炉水冷电极防护屏，其特征在于在水冷电极下方安装若干层难熔金属片叠合构成的隔热防护屏，使炉内高温热辐射照射到该组屏片，而不能直接辐射到电极上。
2.根据权利要求I所述的一种电阻式真空高温炉水冷电极防护屏，其特征在于隔热防护屏的难熔金属片层数可以是一层或者多层。
3.根据权利要求I所述的一种电阻式真空高温炉水冷电极防护屏，其特征在于难熔金属片材质可以是钨或者钥。
4.根据权利要求I所述的一种电阻式真空高温炉水冷电极防护屏，其特征在于隔环的结构形状可以是短管、卷片、波纹板、丝环。
专利摘要本实用新型公布了一种电阻式真空高温炉水冷电极热防护屏，其采用难熔金属材质按水冷电极受辐射面形状制成多层隔热防护屏，层与层之间以同样材质的隔环隔离，并将防护屏安装于水冷电极下方，从而隔离来自发热体的高温辐射；另外避免热能通过冷却水带走，提高高温炉热效率；其典型应用是单晶硅及蓝宝石晶体生长炉。
文档编号C30B29/20GK202595346SQ201120389940
公开日2012年12月12日 申请日期2011年10月13日 优先权日2011年10月13日
发明者刘世全, 徐家庆 申请人:刘世全