专利名称：碳化硅晶体和制造碳化硅晶体的方法
技术领域：
本发明涉及碳化硅晶体(SiC)和制造SiC晶体的方法。
背景技术：
SiC晶体具有大的能带隙，并具有最大击穿电场和大于硅(Si)的热导率，且SiC晶体具有与Si —样高的载流子迁移率，并且电子饱和漂移速度和击穿电压也高。因此，期望将其用于要求获得更高效率、更高击穿电压和更大容量的半导体器件中。在这种半导体器件中使用的SiC晶体利用表示气相生长法的升华法进行制造，如日本特开2005-008473号公报(专利文献1)、日本特开2005-314217号公报(专利文献2) 等中公开的。专利文献1公开了通过将杂质氮浓度不高于50ppm的石墨坩埚用于生长SiC晶体而使生长的SiC晶体中的氮浓度降低。专利文献2公开了一种通过使用硼浓度不高于 0. Ilppm的碳原料和硼浓度不高于0. OOlppm的硅原料来生长SiC晶体的方法。引文列表专利文献专利文献1 日本特开2005-008473号公报专利文献2 日本特开2005-314217号公报
发明内容
技术问题本发明人注意到，将研磨用SiC粉末(下文中也称为GC(绿色碳化硅))用作用于生长SiC晶体的原料。该GC含有大量杂质如铝(Al)和铁(Fe)，且难以将杂质如Al和!^e 从GC中除去。因此，在上述专利文献1的制造方法中，使用GC作为原料在生长的SiC晶体中导致高杂质浓度。同时，在上述专利文献2的制造方法中，尽管硼杂质浓度低，但是使用 GC原料作为原料在生长的SiC晶体中导致高浓度的杂质如Al和狗。当在生长的SiC晶体中的杂质如Al和!^e的浓度高时，品质因这些杂质而下降。考虑到上述问题制造了本发明，本发明的目的是提供一种能够抑制品质下降的 SiC晶体和制造SiC晶体的方法。解决问题的手段根据本发明的SiC晶体的!^e浓度不高于0. Ippm,且其Al浓度不高于lOOppm。本发明人对如下进行了专注研究应降低SiC晶体中的!^e和Al杂质的浓度范围以减小由杂质导致的对品质的影响。结果，本发明人发现，通过将狗和Al降低至上述范围， 可减小对于SiC晶体的品质的影响。因此，根据本发明的SiC晶体，可以实现抑制了品质下降的SiC晶体。在上述SiC晶体中，优选地，微管密度不高于ΙΟ/cm2。在上述SiC晶体中，优选地， 蚀坑密度不高于10000/cm2。
为了改善SiC晶体的品质，本发明人进行了专心研究，结果成功实现了微管密度和蚀坑密度的至少一种处于上述范围的SiC晶体。随后，本发明人还发现，如果微管密度和蚀坑密度的至少一种处于上述范围，则可以将SiC晶体适当地用于半导体器件。因此，通过使用其中微管密度和蚀坑密度的至少一种处于上述范围的SiC晶体，可以提高半导体器件的品质。根据本发明的制造SiC晶体的方法包括以下步骤。准备研磨用SiC粉末(GC)作为第一原料。通过利用加热使该第一原料升华，并析出SiC晶体，从而生长第一 SiC晶体。 通过粉碎所述第一 SiC晶体而形成第二原料。通过利用加热使所述第二原料升华，并析出 SiC晶体，从而生长第二 SiC晶体。本发明人注意到了作为用于制造SiC晶体的起始原料的GC，并进行了专心研究以提高通过利用GC制造的SiC晶体的品质。结果，本发明人想到，通过将利用第一原料生长的第一 SiC晶体粉碎以制造第二原料，并通过利用所述第二原料以生长第二 SiC晶体，与第一 SiC晶体相比，所述第二 SiC晶体可含有较少的杂质如！^和Al。基于这种观点，本发明使用通过将利用GC作为第一原料而生长的第一 SiC晶体粉碎而获得的材料作为第二原料， 即使使用GC作为起始原料，也可以由此降低第二 SiC晶体中的杂质浓度。由此，可抑制在制造的SiC晶体中由杂质导致的品质下降。在上述制造SiC晶体的方法中，优选地，在形成第二原料的步骤中，将所述第二原料形成为在不小于1 μ m且不大于3mm的范围内存在粒度分布的多个峰，且在所述粒度分布的每一个峰的中心开始至其士50%的范围内存在95%以上的颗粒。为了进一步提高生长的晶体的品质，本发明人进行了专心研究。结果，本发明人注意到了第二原料的粒度分布并完成了上述发明。通过实现如上的第二原料的粒度分布，可以提高坩埚中第二原料的填充率。由此，可以低成本制造第二SiC晶体。此外，可降低对第二原料的升华气体的浓度的影响，并可有效降低通过利用第二原料而生长的第二 SiC晶体的微管密度、蚀坑密度等。由此，可进一步减少生长的SiC晶体的品质下降。在上述制造SiC晶体的方法中，优选地，在形成第二原料的步骤中，形成的所述第二原料的狗浓度不高于0. Ippm,且其Al浓度不高于lOOppm。由此，可制造!^e浓度不高于0. Ippm且Al浓度不高于IOOppm的SiC晶体。在上述制造SiC晶体的方法中，所述形成第二原料的步骤优选包括用酸性溶液清洗经粉碎的第一 SiC晶体的步骤。因此，可有效地除去第一 SiC晶体中的重金属如Fe。由此可进一步降低制造的SiC 晶体中的杂质浓度。上述制造SiC晶体的方法优选进一步包括通过粉碎所述第二 SiC晶体而形成第三原料的步骤；以及通过利用加热使所述第三原料升华，并析出SiC晶体，从而生长第三 SiC晶体的步骤。本发明人想到，通过使用将生长的晶体粉碎而获得的材料作为原料并生长SiC晶体，可降低在生长的SiC晶体中的杂质浓度。因此，通过重复通过使用将生长的SiC晶体粉碎而获得的材料作为原料来生长SiC晶体的步骤，可逐渐降低在生长的SiC晶体中的杂质浓度。因此，通过将通过使用将生长的晶体粉碎而获得的材料作为原料来生长SiC晶体的步骤重复三次以上，可进一步抑制制造的SiC晶体的品质下降。
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发明效果根据本发明的SiC晶体和制造SiC晶体的方法，可抑制由杂质导致的品质下降。
图1是示意性示出本发明实施方式的SiC晶体的透视图。图2是示意性示出本发明实施方式的制造SiC晶体的方法的横截面图。图3是示意性示出本发明实施方式的制造SiC晶体的方法的横截面图。图4是用于说明本发明实施方式中第二原料的粒度分布的图。图5是示意性示出本发明实施方式的制造SiC晶体的方法的横截面图。图6是示意性示出本发明实施方式的制造SiC晶体的方法的横截面图。
具体实施例方式下面将参考附图描述本发明的实施方式。在以下附图中，对相同或相应的部分分配相同的标号，并不再对其进行重复描述。图1是示意性示出本发明实施方式的SiC晶体10的透视图。首先，参考图1描述本发明的一个实施方式中的SiC晶体10。如图1所示，SiC晶体10是例如具有圆形平面形状的衬底。SiC晶体10含有的!^e 浓度不高于0. Ippm,且Al浓度不高于lOOppm。然而，从易于实现的观点来看，更低浓度的 Fe和Al是优选的，Fe浓度例如为不低于0. 002ppm, Al浓度为例如0. 02ppm。当由此降低 Fe和Al浓度时，可以有效地抑制微管密度或蚀坑密度的增加，也可以有效地抑制电阻率的变化。Fe和Al的浓度是例如利用ICP-AES测定的值。SiC晶体10的微管密度优选不高于10/cm2，且更优选不高于2/cm2。微管密度是例如通过利用诺马斯基相差干涉显微镜，由在500°C下在氢氧化钾(KOH)熔体中浸渍1至10 分钟而蚀刻的表面中计数的贯通中空缺陷数确定的值。SiC晶体10的蚀坑密度优选不高于10000/cm2，且更优选不高于9300/cm2。蚀坑密度是例如通过利用诺马斯基相差干涉显微镜，由在500°C下在KOH熔体中浸渍1至10分钟而蚀刻的表面中计数的蚀坑数确定的值。SiC晶体10优选为单晶。尽管SiC晶体10的多型不受特别的限制，但是例如优选为 4H-SiC。接下来，参考图1至6来描述本实施方式中的制造SiC晶体10的方法。在实施方式中，利用升华法制造SiC晶体10。应注意，图2、3、5和6各自为示意性示出本实施方式的制造SiC晶体的方法的横截面图。图4是用于说明本实施方式中第二原料的粒度分布的图。首先，参考图2等描述SiC晶体制造装置的主要构造。所述制造装置包含坩埚101 和用于加热坩埚101的加热部(未示出)。将加热部设置在例如坩埚101的外周。在本实施方式中，坩埚101具有用于保持原料的下部和用作用于保持原料的下部的盖的上部。坩埚101例如由石墨制成。尽管制造装置可包含除上述之外的各种要素，但是为了便于描述，不再提供这些要素的描述和说明。
如图2中所示，准备了研磨用SiC粉末(GC)以作为第一原料17。例如，可使用市售的GC。将准备的第一原料17置于坩埚101中的下部中。随后，如图3所示，通过利用加热使第一原料17升华，并从第一原料17的气体中析出而生长第一 SiC晶体11。在通过使用GC作为原料来生长第一 SiC晶体11时，优选不设置晶种衬底。具体地，在第一原料17发生升华的温度下，利用加热部对第一原料17进行加热。 作为这种加热的结果，第一原料17升华并生成升华气体。该升华气体在设定在低于第一原料17的温度的坩埚101中，即在坩埚101中的上部中，在与第一原料相对的位置处再次固化。作为生长温度的实例，例如，将第一原料17保持在2000°C至3000°C的温度下，将与第一原料17相对的位置保持在1900°C至2200°C的温度，即低于第一原料17的温度下。 此外，优选将坩埚101中的环境压力保持为400托以下。因此，在与第一原料17相对的位置处生长第一 SiC晶体11。由此生长的第一 SiC晶体11例如为多晶。通过将第一原料17的温度设定为2000°C以上，可提高第一 SiC晶体11的生长速度。通过将第一原料17的温度设定为3000°C以下，可抑制坩埚101的损伤。尽管在生长期间，可以将生长温度保持在恒定温度下，然而在生长期间在特定速度下其也可发生变化。此外，通过将坩埚101中的环境压力设定为400托以下，可提高生长速度。随后，通过粉碎第一 SiC晶体11而形成第二原料12 (见图幻。在该步骤中，例如， 实施以下操作。具体地，将坩埚101的内部冷却至室温。随后，从坩埚101中取出生长的第一 SiC晶体11。例如使用粉碎机将该第一 SiC晶体11粉碎。应注意，粉碎方法不受特别限制。在该步骤中，如图4中所示，优选将第二原料12形成为在不小于1 μ m且不大于 3mm的范围内存在粒度分布的多个峰(图4中，A、B和C三个峰)，且在粒度分布峰A、B和 C的各个中心A1、B1和Cl开始至其士50%的范围内存在95%以上的颗粒。由于粒度分布峰A、B和C的中心Al、Bl和Cl不小于1 μ m且不大于3mm，且在粒度分布峰A、B和C的各个中心A1、B1和Cl开始至其士50%的范围内存在95%以上的颗粒，因此，当利用第二原料 12填充坩埚101时，可提高填充率。因此，缩短了通过利用该第二原料12来生长第二 SiC 晶体14的生长时间，且可以抑制对于在生长期间升华的第二原料12的气体浓度的影响。因此，可以提高通过利用该第二原料12生长的第二 SiC晶体14的品质。从这种观点来看，优选将第二原料12形成为最小粒度峰A的中心Al存在于不小于1 μ m且不大于100 μ m的范围内，最大粒度峰C的中心Cl存在于不小于200 μ m且不大于3mm的范围内。类似地，优选进一步将第二原料12形成为其峰A包含不小于10重量％ 且不大于50重量％的颗粒，峰C包含不小于30重量％且不大于80重量％的颗粒，且剩余的表示其他峰(图4中，峰B)。这里，“粒度分布峰A、B和C的各个中心A1、B1和Cl开始至其士50%的范围内存在95%以上的颗粒”是指在相对于中心Al、Bl和Cl的粒度分别为150%粒度的A2、B2和 C2与相对于中心A1、B1和Cl的粒度分别为50%粒度的A3、B3和C3之间存在第二原料12 的全部颗粒的95%以上。应注意，粒度分布峰的数目可以是2、或4以上。此外，上述“粒度分布”是例如根据JIS R6001 1998测定的值。
尽管形成具有如上粒度分布的第二原料12的方法不受特别限制，但是第二原料 12可通过例如粉碎第一 SiC晶体11，并随后进行选择以获得上述范围内的粒度分布而形成。应注意，第二原料12可通过粉碎第一 SiC晶体11以具有如上粒度分布而形成。此外，在粉碎第一 SiC晶体11之后，优选用酸性溶液清洗经粉碎的第一 SiC晶体。 尽管酸性溶液不受特别限制，但是优选使用王水。通过使用酸性溶液，尤其是王水，可除去在粉碎期间附着至第一 SiC晶体11的重金属如Fe。此外，进一步优选利用例如盐酸进行清洗。如上形成的第二原料12优选包含的!^e浓度不高于0. Ippm,且其Al浓度不高于 IOOppm0此外，将如上形成的第二原料12置于坩埚101中的下部中。随后，如图5中所示，将晶种衬底13设置在坩埚101的上部中，从而与坩埚101中的第二原料12相对。晶种衬底13的主表面可以为圆形或四边形。尽管用于晶种衬底13 的材料不受特别限制，但是从提高生长的第二 SiC晶体14的品质的观点来看，优选SiC衬底，更优选与生长的多型体(结晶多型)相同的材料，这意味着，例如，在期望生长的SiC晶体是4H-SiC的情况下，晶种衬底13也是4H-SiC。应注意，该步骤可省略。随后，如图6中所示，通过利用加热使第二原料12升华，并从第二原料12的气体中析出而生长第二 SiC晶体14。在本实施方式中，在晶种衬底13上生长第二 SiC晶体14。 第二 SiC晶体14优选为单晶。由于生长第二 SiC晶体14的方法与生长第一 SiC晶体11 的方法基本上相同，因此不再对其进行重复描述。随后，将坩埚101的内部冷却至室温。然后，从坩埚101中取出包含晶种衬底13 和第二 SiC晶体14的锭。可以将该锭用作图1所示的SiC晶体10。S卩，图1中的SiC晶体 10可通过如下制造通过使用第一原料17以生长第一 SiC晶体11 ；通过粉碎第一 SiC晶体 11以形成第二原料12 ；并通过使用第二原料12以生长第二 SiC晶体14。为了进一步减少SiC晶体10中的杂质，优选重复上述步骤。即，优选进一步实施通过粉碎第二 SiC晶体14而形成第三原料的步骤、通过加热使第三原料升华并从第三原料的气体中析出以生长第三SiC晶体的步骤。循环一次该步骤可将杂质减少例如约10%。当重复上述步骤时，降低了在生长的SiC晶体10中的杂质浓度，然而从制造优选用于半导体器件的SiC晶体的观点来看，优选重复上述步骤，直至生长的SiC晶体中的!^e 浓度不高于0. Ippm且其中的Al浓度不高于lOOppm。此外，为了可靠地制造这种SiC晶体，进一步优选通过如下来制造SiC晶体重复上述步骤直至可以制造其中狗浓度不高于 0. Ippm且Al浓度不高于IOOppm的原料，并通过使用该原料来生长SiC晶体。通过实施上述步骤，可以制造包含晶种衬底和在所述晶种衬底上形成的SiC晶体的锭。可将该锭用作图1中所示的SiC晶体10。或者，可通过从所述锭中除去晶种衬底13 而制造图1中所示的SiC晶体10。在除去的情况下，可以仅除去晶种衬底13，或者可以除去晶种衬底13以及生长的SiC晶体的一部分。除去方法不受特别限制，且可以使用例如机械除去法如切割、研削和劈开。切割是指例如通过使用线状锯至少将晶种衬底13从锭中机械除去。研削是指通过使磨石在旋转的同时接触表面，从而在厚度方向上进行研削。劈开是指沿晶体晶格面将晶体分离。应注意，可以使用化学除去法如蚀刻。在所制造的SiC晶体10具有大厚度的情况下，图1中所示的SiC晶体10可通过从生长的SiC晶体中切割多个SiC晶体片而制造。在这种情况下，可以降低用于制造一片 SiC晶体10的成本。之后，根据需要，可通过研削、研磨等将SiC晶体的一个表面或相反表面平坦化。如上所述，本实施方式中的制造SiC晶体10的方法包括准备研磨用SiC粉末作为第一原料17的步骤；通过利用加热使所述第一原料17升华，并析出SiC晶体，从而生长第一 SiC晶体11的步骤；通过粉碎所述第一 SiC晶体11而形成第二原料12的步骤；以及通过利用加热使所述第二原料12升华，并析出SiC晶体，从而生长第二 SiC晶体14的步骤。本发明人想到，通过粉碎利用第一原料17生长的第一 SiC晶体11以制造第二原料12、并通过利用第二原料12来生长第二 SiC晶体14，第二 SiC晶体14可含有比第一 SiC 晶体11更少的杂质如狗和Al。根据本实施方式中的制造SiC晶体10的方法，通过使用 GC原料作为第一原料17以生长第一 SiC晶体11，通过粉碎该第一 SiC晶体11以形成第二原料12，并且通过使用第二原料12来生长第二 SiC晶体14。因此，即使利用具有高浓度的 Fe和Al的GC作为起始原料，与第一 SiC晶体11相比，也可以降低第二 SiC晶体14中的杂质浓度。由此，可减少在制造的SiC晶体10中由杂质导致的品质下降。此外，可用于工业制造SiC晶体10的GC是易于获得的。因此，可以较低的成本制造SiC晶体10。根据本实施方式中的制造SiC晶体10的这种方法，可制造其Fe浓度不高于 0. Ippm且Al浓度不高于IOOppm的SiC晶体10。本发明人对如下进行了专心研究应降低 SiC晶体10中的!^e和Al杂质的浓度范围以减小由这些杂质导致的对品质的影响。结果， 本发明人发现，通过将狗和Al降低至上述范围，可减小对SiC晶体10的品质(例如，晶体缺陷如微管或蚀坑)的影响。因此，根据本实施方式中的SiC晶体10，可以抑制品质的下降。实施例在本实施例中，对通过使用GC作为第一原料17以生长第一 SiC晶体11、通过粉碎第一 SiC晶体11以形成第二原料12、并通过使用第二原料12以生长第二 SiC晶体14的效果进行检验。(本发明例1)在本发明例1中，基本上根据上述实施方式中制造SiC晶体的方法来制造SiC晶体。具体地，首先，准备一般市售的磨料用GC作为第一原料17。如图2中所示，将该第一原料设置在坩埚101的下部中，同时在与第一原料17的最外表面相对的坩埚101的盖中不设置任何物质。随后，通过利用加热使第一原料17升华，并从第一原料17的气体中析出，从而生长第一 SiC晶体11。这里，将坩埚101的下部、即第一原料17的温度设定为2300°C，将坩埚101的上部的温度设定为2000°C，并将坩埚101中的压力设定为1托。生长的第一 SiC 晶体11为多晶。随后，粉碎第一 SiC晶体11。通过使用粉碎机实施粉碎。之后，利用王水清洗，并进一步利用盐酸清洗经粉碎的第一 SiC晶体11。之后，如图4所示，通过使用经粉碎的第一 SiC晶体11，使得存在三个粒度分布峰A、B和C，最小粒度峰A的中心小于1 μ m,最大粒度
8峰C的中心超过3mm而形成第二原料12。此外，将第二原料12形成为在粒度分布的每一个峰的中心开始至其士50%的范围内存在95%以上的颗粒。根据JIS R60011998测定第二原料12的粒度分布。将该第二原料12设置在坩埚101中的下部中。随后，如图5中所示，准备微管密度为ΙΟ/cm2的4H_SiC以作为晶种衬底13。以与第二原料12相对的方式将该晶种衬底13设置在坩埚101中的上部中。随后，通过利用加热使该第二原料12升华，并从第二原料12的气体中析出，从而生长第二 SiC晶体14。生长第二 SiC晶体14的方法与生长第一 SiC晶体11的方法相同。通过实施上述步骤，制造了本发明例1中的SiC晶体。S卩，采用第二 SiC晶体14 作为本发明例1中的Sic晶体。(本发明例2)本发明例2中的制造SiC晶体的方法与本发明例1中的方法基本相同，然而，不同之处在于，在形成第二原料12的步骤中，形成了其最大粒度峰C的中心不小于200 μ m且不大于3mm的第二原料12。(本发明例3)本发明例3中的制造SiC晶体的方法与本发明例1中的方法基本相同，然而，不同之处在于，在形成第二原料12的步骤中，形成了其最小粒度峰A的中心不小于1 μ m且不大于100 μ m的第二原料12。(本发明例4)本发明例4中的制造SiC晶体的方法与本发明例1中的方法基本相同，然而，不同之处在于，在形成第二原料12的步骤中，形成了其最小粒度峰A的中心不小于1 μ m且不大于100 μ m,且其最大粒度峰C的中心不小于200 μ m且不大于3mm的第二原料12。(比较例1)比较例1中制造SiC晶体的方法与本发明例1中的方法基本相同，然而，不同之处在于，未实施通过粉碎第一 SiC晶体11以形成第二原料的步骤。即，采用第一 SiC晶体11 作为比较例1中的SiC晶体。(评价方法)如下测定本发明例1至4和比较例1中的SiC晶体的Al浓度、!^e浓度、微管密度和蚀坑密度。利用ICP (感应耦合等离子体)-AES (原子发射光谱法)测定Al和!^e浓度。应注意，Al检测极限为0. 02ppm,且Fe检测极限为0. 002ppm。微管密度(MPD)基于如下确定在将本发明例1至4和比较例1中的SiC晶体切片以具有与和晶种衬底13接触的面相距IOmm的面，并在500°C下在KOH熔体中浸渍1至 10分钟之后，通过利用诺马斯基相差干涉显微镜计数的在SiC晶体的蚀刻表面中的贯通中空缺陷数。此外，还计算了相对于晶种衬底13的微管密度的在晶种衬底13上生长的SiC 晶体的微管密度(表1中的晶体的MPD/晶种衬底的MPD)。蚀坑密度(EPD)基于如下确定在将本发明例1至4和比较例1中的SiC晶体切片以具有与和晶种衬底13接触的面相距IOmm的面，并在500°C下在KOH熔体中浸渍1至 10分钟之后，通过利用诺马斯基相差干涉显微镜计数的SiC晶体的蚀刻表面中的蚀坑数。下表1示出了这些结果。
权利要求
1.一种碳化硅晶体(10)，其铁浓度不高于0. lppm，且其铝浓度不高于lOOppm。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体(10)，其微管密度不高于10/cm2。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体(10)，其蚀坑密度不高于10000/cm2。
4.一种制造碳化硅晶体的方法，包括准备研磨用碳化硅粉末作为第一原料(17)的步骤；通过利用加热使所述第一原料(17)升华，并析出碳化硅晶体，从而生长第一碳化硅晶体(11)的步骤；通过粉碎所述第一碳化硅晶体(11)而形成第二原料(1 的步骤；以及通过利用加热使所述第二原料(1 升华，并析出碳化硅晶体，从而生长第二碳化硅晶体(14)的步骤。
5.根据权利要求4所述的制造碳化硅晶体的方法，其中在所述形成第二原料(1 的步骤中，将所述第二原料(12)形成为在不小于Iym且不大于3mm的范围内存在粒度分布的多个峰，且在所述粒度分布的每一个峰的中心开始至其士50%的范围内存在95%以上的颗粒。
6.根据权利要求4所述的制造碳化硅晶体的方法，其中在所述形成第二原料(1 的步骤中，形成的所述第二原料(12)的铁浓度不高于0. lppm，且其铝浓度不高于lOOppm。
7.根据权利要求4所述的制造碳化硅晶体的方法，其中所述形成第二原料(1 的步骤包括用酸性溶液清洗经粉碎的所述第一碳化硅晶体(11)的步骤。
8.根据权利要求4所述的制造碳化硅晶体的方法，进一步包括 通过粉碎所述第二碳化硅晶体(14)而形成第三原料的步骤；以及通过利用加热使所述第三原料升华，并析出碳化硅晶体，从而生长第三碳化硅晶体的步骤。
全文摘要
本发明公开了一种SiC晶体(10)，其特征在于，其Fe浓度为0.1ppm以下，且其Al浓度为100ppm以下。本发明还公开了一种制造SiC晶体的方法，包括以下步骤。准备研磨用SiC粉末作为第一原料(17)。利用加热使所述第一原料(17)升华，并析出SiC晶体，从而生长第一SiC晶体(11)。粉碎所述第一SiC晶体(11)而形成第二原料(12)。通过利用加热使所述第二原料(12)升华，并析出SiC晶体，从而生长第二SiC晶体(14)。由此可获得能够抑制品质下降的SiC晶体和制造SiC晶体的方法。
文档编号C30B23/06GK102597339SQ201180004389
公开日2012年7月18日 申请日期2011年2月25日 优先权日2010年4月26日
发明者佐佐木信 申请人:住友电气工业株式会社