薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件及其制造方法、以及有机el显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上以在Y轴方向上相互隔开间隔的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）、连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012a）连接。在绝缘层（1013）上形成开有开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016）以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。隔壁（1016）的面对开口部（1016b、1016c）的侧面部为斜面，侧面部（1016e、1016f）以与其他侧面部（1016d、1016g、1016h～1016k）相比缓和的倾斜形成。
【专利说明】薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置，尤其涉及具备有 机半导体膜的薄膜晶体管元件的制造。
【背景技术】
[0002]在液晶显示面板、有机EL显示面板中，形成有用于以子像素为单位控制发光的薄膜晶体管元件(TFT元件)。特别是使用了有机半导体层的元件的开发得到不断进展。
[0003]如图15 Ca)所示，现有技术涉及的有机TFT元件例如在基板9011上依次层叠形成有栅电极9012a、9012b、绝缘层9013、源电极9014a、9014b、漏电极(省略图示)以及有机半导体层9017a、9017b。有机半导体层9017a、9017b通过在绝缘层9013上涂敷有机半导体墨并使其干燥而形成，形成为将源电极9014a、9014b与漏电极之间填埋并且将它们之上覆
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[0004]另外，如图15(a)所示，在绝缘层9013上，为了对相邻的元件之间进行区划而设有隔壁9016。在隔壁9016开有多个开口部9016a~9016c，在开口部9016a处，在其底部露出与漏电极连接的连接布线9015，不形成有机半导体层。连接布线9015是用于对在该TFT元件的上方形成的发光元件的电极进行连接的电极。并且，在隔壁9016的开口部9016b、9016c形成有被互相区划的有机半导体层9017a、9017b。
[0005]液晶显示面板、有机EL显示面板中使用的TFT元件通过向栅电极9012a、9012b输入信号来进行发光元件部的发光控制。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献1:日本特开2009-76791号公报
【发明内容】
[0008]发明要解决的问题
[0009]然而，在现有技术涉及的TFT元件中，存在如下问题:连不希望形成有机半导体层的部分(在图15 Ca)中为开口部9016a内部)也会形成有机半导体层，会产生与其他元件(例如，发光元件部)的电连接的不良。具体而言，如图15 (b)所示，当对开于隔壁9016的开口部9016a、9016b涂覆有机半导体墨90170、90171时，有时有机半导体墨90170、90171会溢出而进入到开口部9016a。在该情况下，为了实现电连接而设置的连接布线9015之上会被有机半导体层覆盖。
[0010]尤其在液晶显示面板、有机EL显示面板中，由于对精细化的要求甚至还有将各子像素小型化的要求，随着各子像素的小型化，开口部之间的距离变短，从开口部溢出的墨容易进入到其他的开口部，因此认为容易产生如上所述的问题。
[0011]本发明是为了解决上述问题而完成的发明，目的在于提供一种在形成TFT元件中的有机半导体层时抑制向不希望的区域形成有机半导体层而具备高品质(质量)的薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。
[0012]用于解决问题的手段
[0013]因此，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件具有如下特征。
[0014]本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的特征在于，具备:栅电极；源电极及漏电极，其层叠形成在栅电极的上方，在与层叠方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置；绝缘层，其介插在栅电极与源电极及漏电极之间；隔壁，其在底部围绕源电极及漏电极各自的至少一部分，并且，表面具有拨液性；以及有机半导体层，其在由隔壁的围绕构成的第I开口部的内部，形成在源电极与漏电极之间的间隙、以及源电极及漏电极之上，与源电极及漏电极紧密接触，对于隔壁的面对第I开口部的侧面部，其一部分比其他部分倾斜相对缓和的斜面。
[0015]发明的效果
[0016]在本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件中，在对有机半导体层进行区划的隔壁处，使侧面部的一部分为倾斜比其他部分缓和(平缓)的缓倾斜侧面部。因此，在有机半导体层的形成中涂敷有机半导体墨时，能够切实地抑制墨向与第I开口部相邻的区域中的不希望形成有机半导体层的部位溢出，结果得到的本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件具有闻品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1是表示本发明实施方式I涉及的有机EL显示装置I的概略结构的示意框图。
[0018]图2是表示有机EL显示面板10的结构的一部分的示意剖视图。
[0019]图3 Ca)是表示TFT基板101的一部分结构的示意俯视图，图3 (b)是其示意剖视图。
[0020]图4 Ca)是表示有机EL显示面板10的制造方法的概略的工序流程图，图4 (b)是表示TFT基板101的形成方法的概略的工序流程图。
[0021]图5是表不TFT基板101的制造过程中的涂覆了有机半导体墨的状态的不意首Ij视图。
[0022]图6是表示TFT基板101的制造过程中的形成隔壁1016所涉及的工序的示意工序图。
[0023]图7是表示TFT基板101的制造过程中的形成隔壁1016所涉及的工序的示意工序图。
[0024]图8是表示本发明实施方式2涉及的有机EL显示面板的制造过程中的形成TFT基板101的隔壁1016所涉及的一工序的不意工序图。
[0025]图9是表示本发明实施方式3涉及的有机EL显示面板的制造过程中的形成TFT基板101的隔壁1016所涉及的一部分工序的不意工序图。
[0026]图10是表示本发明实施方式3涉及的有机EL显示面板的制造过程中的形成TFT基板101的隔壁1016所涉及的一部分工序的不意工序图。
[0027]图11是表示本发明实施方式4涉及的有机EL显示面板的结构中的TFT基板的隔壁3016的结构的示意俯视图。
[0028]图12是表示本发明实施方式5涉及的有机EL显示面板的结构中的TFT基板的隔壁4016的结构的示意俯视图。
[0029]图13 Ca)和(b)是表示TFT基板的隔壁的面对开口部的侧面部的倾斜角度的定义方式的示意图。
[0030]图14(a)是表示变形例I涉及的TFT基板的隔壁的开口部的开口形状的示意俯视图，图14 (b)是表示变形例2涉及的TFT基板的隔壁的开口部的开口形状的示意俯视图，图14 (c)是表示变形例3涉及的TFT基板的隔壁的开口部的开口形状的示意俯视图。
[0031]图15 (a)是表示现有技术涉及的有机EL显示装置的结构中的TFT基板的结构的一部分的剖视图，图15 (b)是表示现有技术涉及的TFT基板的制造过程中的涂覆有机半导体墨所涉及的工序的首Ij视图。
[0032]标号说明
[0033]1:有机EL显示装置；10:有机EL显示面板；20:驱动控制电路单元；21?24:驱动电路；25:控制电路；101 =TFT基板；102:平坦化膜；102a:接触孔；103:阳极；104:透明导电膜；105:空穴注入层；106:堤；107:空穴输送层；108:有机发光层；109:电子输送层；110 ;阴极；111:封止层；112:粘接层；113:CF 基板;501、502、503、504、505:掩模;1011、1131:基板;1012a、1012b:栅电极；1013:绝缘层;1014a、1014b、3014a、3014b、4014a、4014b:源电极;1014c、1014d、3014c、3014d、4014c、4014d:漏电极；1015,3015,4015:连接布线;1016、3016、4016:隔壁;1016a、1016b、1016c、3016a、3016b、3016c、4016a、4016b、4016c:开 Π 部；1016d、1016e、1016f、1016g、1016h、10161、1016j、1016k、3016d、3016e、3016f、3016g、4016d、4016e、4016f、4016g:侧面部;1017a、1017b:有机半导体层；1018:钝化膜;1132、滤色器(滤色片)；1133:黑底;10160、10161、10162:感光性抗蚀剂材料膜；10170,10171:有机半导体墨。
【具体实施方式】
[0034][本发明的一种方式的概要]
[0035]本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的特征在于，具备:栅电极；源电极及漏电极，其层叠形成在栅电极的上方，在与层叠方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置；绝缘层，其介插在栅电极与源电极及漏电极之间；隔壁，其在底部围绕源电极及漏电极各自的至少一部分，并且，表面具有拨液性；以及有机半导体层，其在由隔壁的围绕构成的第I开口部的内部，形成在源电极与漏电极之间的间隙、以及源电极及漏电极之上，与源电极及漏电极紧密接触，对于隔壁的面对第I开口部的侧面部，其一部分比其他部分倾斜相对缓和的斜面(以下称为“缓倾斜侧面部”)。
[0036]在本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件中，在对有机半导体层进行区划的隔壁，使侧面部的一部分为倾斜比其他部分的倾斜缓和的缓倾斜侧面部。因此，在有机半导体层的形成中涂敷有机半导体墨时，能够切实地抑制墨向与第I开口部相邻的区域中的不希望形成有机半导体层的部位溢出，结果得到本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件具有闻品质。
[0037]在此，如本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件，在隔壁的面对第I开口部的侧面部的一部分和其他部分的倾斜的缓急上设置差异的情况下，当有机半导体层的形成中涂敷了有机半导体墨时，成为偏向缓倾斜侧面部所存在的一侧的墨轮廓。这起因于隔壁的侧面部和墨的接触角、与墨的表面张力的关系。
[0038]S卩，通过使存在要抑制墨的溢出的区域的一侧的侧面部为急倾斜侧面部，使即使溢出也不发生问题的一侧的侧面部为缓倾斜侧面部，能够控制墨的表面轮廓，能够切实地抑制不希望的墨的溢出。因此，在本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件中，如上所述，能够切实地抑制墨向不希望形成有机半导体层的部位溢出，具有高品质。
[0039]另外，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的特征在于，第I开口部的内部是通过形成有机半导体层来作为沟道部发挥功能的部分，在隔壁，在相对于第I开口部隔开间隔的状态下，开有不是沟道部的第2开口部，隔壁的面对第I开口部的侧面部中，上述缓倾斜侧面部设在除了与第2开口部侧相当的部分以外的部分。
[0040]这样，在作为沟道部的第I开口部与不是沟道区域的第2开口部相邻的情况下，对第2开口部不形成有机半导体层。在该情况下，在用于构成沟道部的第I开口部，使与第2开口部侧相当的侧面部为急倾斜侧面部，使其他部分为缓倾斜侧面部，由此，在有机半导体层的形成中涂敷有机半导体墨时，能够切实地抑制墨向第2开口部溢出。由此，成为高品质的薄膜晶体管元件。
[0041]另外，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的特征在于，在隔壁处，面对第I开口部的侧面部中，缓倾斜侧面部设在与相当于第2开口部侧的部分隔着第I开口部而对向的一侧的部分。
[0042]如上所述，在用于构成沟道部的第I开口部，若使与第2开口部侧相当的侧面部为急倾斜侧面部、使与其相反侧相当的侧面部为缓倾斜侧面部，则在有机半导体层的形成中涂敷有机半导体墨时，墨偏向与第2开口部侧相反一侧。因此，能够防止墨向第2开口部溢出，能够成为高品质的薄膜晶体管元件。
[0043]另外，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的特征在于，在第2开口部的内部，形成有源电极或漏电极的至少一部分、或者与源电极或漏电极电连接的布线。
[0044]如上所述，在第2开口部的内部形成了源电极或漏电极的至少一部分、或者与源电极或漏电极电连接的布线的结构、即第2开口部作为接触部分发挥功能的情况下，必须避免电极之上被有机半导体层覆盖这一状况，而通过设置如上所述的侧面部的倾斜的缓急，能够实现这一目的。
[0045]另外，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的特征在于，在隔壁处，隔壁的面对第I开口部的侧面部中，与第2开口部侧相当的部分为比其他任何部分倾斜都陡峭的斜面。
[0046]如上所述，在面对第I开口部的侧面部，不一定需要由倾斜角度为两种的急倾斜侧面部和缓倾斜侧面部构成，也可以由三种以上的倾斜角度的不同的侧面部构成。在该情况下，也优选与第2开口部侧相当的侧面部的倾斜为最陡峭。
[0047]另外，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的特征在于，倾斜的缓急由隔壁的侧面与设置隔壁的基底层的上表面所成的角度的大小来规定。
[0048]另外，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的特征在于，隔壁的面对第I开口部的侧面部中，上述缓倾斜侧面部的倾斜角度比其他部分(急倾斜侧面部)的倾斜角度小5度以上。
[0049]此外，在上述中，“缓倾斜侧面部”的倾斜角度例如优选处于25°以上且30°以下的范围内。另外，在上述中，“急倾斜侧面部”的倾斜角度优选处于35°且以上40°以下的范围内。
[0050]本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件的特征在于，具备:上述本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件；平坦化膜，其设在薄膜晶体管元件的上方，形成有接触孔；下部电极，其形成在平坦化膜上以及平坦化膜的面对接触孔的侧面上，与漏电极或源电极电连接；上部电极，其形成在下部电极的上方；以及有机发光层，其介插在下部电极与上部电极之间。
[0051]如上所述，本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件在结构中包括上述本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件，因此，能够同样得到上述效果，具有高发光品质。
[0052]另外，本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件的特征在于，具备:上述本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件；平坦化膜，其设在薄膜晶体管元件的上方，形成有接触孔；下部电极，其沿着平坦化膜上以及接触孔的侧面上而形成，与漏电极或源电极电连接；上部电极，其形成在下部电极的上方；以及有机发光层，其介插在下部电极与上部电极之间，接触孔在其底部与第2开口部连通。
[0053]如上所述，在第2开口部作为用于进行下部电极与薄膜晶体管元件的连接的接触区域发挥功能的情况下，能够切实地抑制向电极上形成有机半导体层，由此，能够具备高发光品质。
[0054]本发明的一种方式涉及的有机EL显示装置的特征在于，具备上述本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件。
[0055]如上所述，本发明的一种方式涉及的有机EL显示装置具备上述本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件，因此，与上述同样具备高发光品质。
[0056]本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的制造方法具备如下的第I工序?第6工序。
[0057](i)第I工序，在基板上形成栅电极。
[0058]( i i )第2工序，在栅电极的上方形成绝缘层。
[0059](iii)第3工序，在绝缘层上以在与绝缘层的层厚方向交叉的方向上互相隔开间隔的状态排列设置源电极及漏电极。
[0060](iv)第4工序，在绝缘层上以将源电极之上以及漏电极之上覆盖的状态层叠感光性抗蚀剂材料。
[0061](V)第5工序，通过对层叠的感光性抗蚀剂材料进行掩模曝光并进行图案形成，形成围绕源电极及漏电极各自的至少一部分、且表面具有拨液性的隔壁。
[0062](vi)第6工序，在通过隔壁的围绕构成的第I开口部的内部涂敷有机半导体材料并使其干燥，形成与源电极及漏电极紧密接触的有机半导体层。
[0063]并且，在上述第5工序中，特征在于，形成隔壁以使得面对第I开口部的侧面部的一部分成为比其他部分倾斜相对缓和的斜面(缓倾斜侧面部)。
[0064]在本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的制造方法中，在第5工序中形成隔壁时，使面对第I开口部的侧面部的一部分为缓倾斜侧面部，因此，在涂敷了墨状的有机半导体材料时，墨成为具有偏向缓倾斜侧面部一侧的表面轮廓。由此，能切实地抑制墨向侧面部的倾斜陡峭的其他部分(急倾斜侧面部)一侧溢出，能够制造高品质的薄膜晶体管元件。[0065]另外，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的制造方法的特征在于，在上述第5工序中，形成第I开口部来作为通过对其内部形成有机半导体层而作为沟道部发挥功能的部分，还以与第I开口部隔开间隔的状态形成不是沟道部的第2开口部。并且，特征在于，将隔壁的面对第I开口部的侧面部中的上述缓倾斜侧面部设在除了与第2开口部侧相当的部分以外的部分。
[0066]如上所述，在要抑制墨向第2开口部侧溢出的情况下，通过将缓倾斜侧面部设在除了与第2开口部侧相当的侧面部以外的部分，能够切实地抑制墨向第2开口部溢出。
[0067]作为在面对第I开口部的侧面部设置缓倾斜侧面部和急倾斜侧面部的具体的方法，可以采用如下方法。
[0068](I)本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的制造方法的特征在于，在上述第5工序中，使对于要形成隔壁的面对第I开口部的侧面部中的、作为倾斜相对陡峭的斜面的上述其他部分(急倾斜侧面部)的部位的曝光量，比对于要形成缓倾斜侧面部的部位的曝光量大。
[0069](2)本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的制造方法的特征在于，在第5工序中，在对要形成面对第I开口部的侧面部的部位进行了感光性抗蚀剂材料的曝光之后，对要形成隔壁的面对第I开口部的侧面部中的上述急倾斜侧面部的部位追加进行曝光处理。
[0070](3)本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管元件的制造方法的特征在于，在上述第5工序中，使用要形成隔壁的面对第I开口部的侧面部中的上述急倾斜侧面部的部位的光透射率比要形成上述缓倾斜侧面部的部位的光透射率大的掩模，进行曝光。
[0071]在采用了上述(I)?(3)的任一种方法的情况下，都能够使侧面部切实地具有缓
急O
[0072]本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件的制造方法包括如下步骤。
[0073](I)工序A，形成薄膜晶体管元件。
[0074](II)工序B，在薄膜晶体管元件上形成开有接触孔的平坦化膜。
[0075](III)工序C，在平坦化膜上以及平坦化膜的面对接触孔的侧面上，形成与薄膜晶体管元件电连接的下部电极。
[0076](IV)工序D，在下部电极的上方形成有机发光层。
[0077](V)工序E，在有机发光层的上方形成上部电极。
[0078]并且，在本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件的制造方法中，上述(I)工序A包括如下的(i)第I工序?(vi)第6工序。
[0079](i)第I工序，在基板上形成栅电极。
[0080]( i i )第2工序，在栅电极的上方形成绝缘层。
[0081](iii)第3工序，在绝缘层上，以在与绝缘层的层厚方向交叉的方向上相互隔开间隔的状态，排列设置源电极和漏电极。
[0082](iv)第4工序，在绝缘层上，以将源电极之上和漏电极之上覆盖的状态，层叠感光性抗蚀剂材料。
[0083](V)第5工序，通过对层叠的感光性抗蚀剂材料进行掩模曝光并进行图案形成，从而形成在底部围绕源电极和漏电极各自的至少一部分、且表面具有拨液性的隔壁。[0084](vi)第6工序，在通过隔壁的围绕构成的第I开口部的内部涂覆有机半导体材料并使之干燥，形成与源电极和漏电极紧密接触的有机半导体层。
[0085]本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件的制造方法的特征在于，在上述(V)第5工序中，形成隔壁以使得面对第I开口部的侧面部的一部分成为比其他部分倾斜缓和的斜面(缓倾斜侧面部)。
[0086]如上所述，在本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件的制造方法中，在(I)工序A的(V)第5工序中，使面对第I开口部的侧面部的一部分为缓和倾斜的缓倾斜侧面部，使其他部分为陡峭倾斜的急倾斜侧面部，因此，能够与上述同样地在形成有机半导体层时，切实地抑制有机半导体墨向不希望的部位溢出。由此，能够制造高品质的有机EL显示元件。
[0087]另外，本发明的一种方式涉及的有机EL显示元件的制造方法中，特征在于，在(I)工序A的(V)第5工序中，形成第I开口部来作为通过对其内部形成有机半导体层而作为沟道部发挥功能的部分，还以与第I开口部隔开间隔的状态形成不是沟道部的第2开口部。在该情况下，将隔壁的面对第I开口部的侧面部中的上述缓倾斜侧面部设在除了与第2开口部侧相当的部分以外的部分。
[0088]在采用这样的制造方法的情况下，与上述同样，能够切实地抑制墨向不希望形成有机半导体层的第2开口部内溢出，能够制造高品质的有机EL显示元件。
[0089]此外，在上述说明中，“上方”这一用语不是指绝对的空间识别中的上方向(垂直上方)，而是根据层叠结构中的层叠顺序规定的。另外，“上方”这一用语不只适用于彼此之间隔开间隔的情况，也适用于相互紧密接触的情况。
[0090]以下，使用几个具体例说明本发明涉及的实施方式的特征和作用、效果。此外，本发明除了其本质性的特征性构成要素外，不受到以下实施方式的任何限定。
[0091][实施方式I]
[0092]1.有机EL显示装置I的整体结构
[0093]以下，使用图1说明本发明实施方式I涉及的有机EL显示装置I的结构。
[0094]如图1所示，有机EL显示装置I构成为具有有机EL显示面板10和与其连接的驱动控制电路单元20。
[0095]有机EL显示面板10是利用了有机材料的电致发光现象的面板，构成为多个有机EL元件例如呈矩阵状排列。驱动控制电路单元20包括控制电路25和4个驱动电路21?24。
[0096]在本实施方式涉及的有机EL显示装置I中，驱动控制电路单元20相对于有机EL显示面板10的配置不限于此。
[0097]2.有机EL显示面板10的结构
[0098]使用图2的示意剖视图和图3 Ca)对有机EL显示面板10的结构进行说明。
[0099]如图2所示，有机EL显示面板10具备TFT (薄膜晶体管)基板101。在TFT基板101的基板(衬底)1011之上，栅电极1012a、1012b以互相隔开间隔的状态层叠，层叠形成有绝缘层1013以将栅电极1012a、1012b之上覆盖。在绝缘层1013上，源电极1014a、1014b分别与栅电极1012a、1012b对应而设置，另外，如图3 (a)所示，分别相对于源电极1014a、1014b在Y轴方向上隔开间隔而设置有漏电极1014c、1014d。[0100]另外，如图2以及图3 (a)所示，在绝缘层1013上，相对于源电极1014a在X轴方向左侧隔开间隔而形成有连接布线1015。此外，连接布线1015从源电极1014a或者漏电极1014c延伸形成，或者与它们中的一方电连接。
[0101]如图2以及图3 (a)所示，在绝缘层1013上形成有隔壁1016，以分别围绕连接布线1015、源电极1014a和漏电极1014c、源电极1014b和漏电极1014d。换言之，如图3 (a)所示，在隔壁1016开设的3个开口部1016a、1016b、1016c中，在底部露出连接布线1015的X轴方向左侧的开口部1016a是与沟道部不同的部分，作为与阳极的接触部来发挥功能。另一方面，在底部露出源电极1014a和漏电极1014c的开口部1016b以及在底部露出源电极1014b和漏电极1014d的开口部1016c是分别作为沟道部来发挥功能的部分。
[0102]在由隔壁1016围绕的各区域中，在与源电极1014a及漏电极1014c之上相当的区域、和与源电极1014b及漏电极1014d之上相当的区域分别层叠形成有有机半导体层1017a、1017b。有机半导体层1017a形成为将源电极1014a与漏电极1014c之间的间隙以及源电极1014a、漏电极1014c各自之上填充，与这些电极1014a、1014c紧密接触。对于有机半导体层1017b，也同样形成为与电极1014b、1014d紧密接触。并且，有机半导体层1017a、1017b被由隔壁1016相互区划。
[0103]如图2所示，层叠形成有钝化膜1018以将有机半导体层1017a、1017b以及绝缘层1013之上覆盖。但是，与连接布线1015之上相当的部位被开口。
[0104]本实施方式涉及的有机EL显示面板10的TFT基板101具有如上所述的结构。
[0105]接着，如图2所示，TFT基板101上方被平坦化膜102覆盖。但是，连接布线1015之上开有接触孔102a。并且，沿着平坦化膜102的主面依次层叠形成有阳极103、透明导电膜104以及空穴注入层105。这些阳极103、透明导电膜104以及空穴注入层105也沿着平坦化膜102的面对接触孔102a的侧面而形成，阳极103与连接布线1015接触而电连接。
[0106]在空穴注入层105上形成有堤106以围绕与发光部(子像素)相当的部位。在通过堤106围绕而形成的开口部依次层叠形成有空穴输送层107、有机发光层108以及电子输送层 109。
[0107]进一步，依次层叠形成阴极110以及封止层111以将电子输送层109之上以及堤106的露出面覆盖，并与封止层111对向而配置CF (滤色片、滤色器)基板113，在其间填充粘接层112而使之互相接合。CF基板113构成为在基板1131的Z轴方向下侧主面形成有滤色片1132以及黑底1133。
[0108]3.有机EL显示面板10的构成材料
[0109]在有机EL显示面板10中，例如可以使用如下所述的材料形成各部位。
[0110](i)基板 1011
[0111]基板1011例如可以使用玻璃基板、石英基板、硅基板、硫化钥、铜、锌、铝、不锈钢、镁、铁、镍、金、银等金属基板、镓砷基等半导体基板、塑料基板等。
[0112]作为塑料基板，可以使用热塑性树脂、热固化性树脂中的任意树脂。例如可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)等聚烯烃、环状聚烯烃、改性聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚(4-甲基戊烯-1)、离聚物、丙烯酸系树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物(AS树脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、多元醇共聚物(EV0H)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚缩醛、聚苯醚、变形聚苯醚、聚芳酯、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、其他氟系树脂、苯乙烯系、聚烯烃系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、氟橡胶系、氯化聚乙烯系等各种热塑性弹性体、环氧树脂、酚树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯、硅树脂、聚氨酯等、或以它们为主的共聚物、混合体、聚合物合金等，其中可以使用一种或层叠两种以上的层叠体。
[0113](ii)栅电极 1012a、1012b
[0114]栅电极1012a、1012b例如只要是具有导电性的材料即可，不作特别限定。
[0115]作为具体的材料，例如可以举出铬、铝、钽、钥、铌、铜、银、金、白金、钼、钯、铟、镍、钕等金属或它们的合金、或者氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镓等导电性金属氧化物或铟锡复合氧化物(以下简称为“ΙΤ0”)、铟锌复合氧化物(以下简称为“ΙΖ0”)、铝锌复合氧化物(AZO )、镓锌复合氧化物(GZO )等导电性金属复合氧化物、或聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔等导电性高分子或在它们中添加了盐酸、硫酸、磺酸等酸、六氟化磷、五氟化砷、氯化铁等路易斯酸、碘等卤素原子、钠、钾等金属原子等掺杂剂的物质、或者分散有炭黑和/或金属颗粒的导电性复合材料等。另外，也可以使用包含如金属微粒子和石墨的导电性微粒的聚合物混合物。这些材料可以使用一种或组合使用两种以上。
[0116](iii)绝缘层 1013
[0117]绝缘层1013是作为栅极绝缘层发挥功能的部分，例如只要是具有绝缘性的材料即可，不作特别限定，可以使用公知的有机材料、无机材料中的任何材料。
[0118]作为有机材料，例如可以使用丙烯酸系树脂、酚醛系树脂、氟系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺系树脂、酚醛清漆系树脂等形成。
[0119]另外，作为无机材料，例如可列举出氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化锆、氧化铈、氧化锌、氧化钴等金属氧化物；氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化铈、氮化锌、氮化钴、氮化钛、氮化钽等金属氮化物；钛酸锶钡、锆钛酸铅等金属复合氧化物。这些材料可以使用一种或组合使用两种以上。
[0120]进一步，也包含用表面处理剂(ODTS OTS HMDS β PTS)等处理了其表面的材料。
[0121](iv)源电极 1014a、1014b、漏电极 1014c、1014d 以及连接布线 1105
[0122]源电极1014a、1014b、漏电极1014c、1014d以及连接布线1105可以使用用于形成栅电极1012a、1012b的上述材料来形成。
[0123](V)有机半导体层 1017a、1017b
[0124]有机半导体层1017a、1017b例如具有半导体特性，只要可溶于溶剂即可，不作特别限定。例如可以列举出聚(3-烷基噻吩)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)、聚(2，5-亚噻吩基乙烯撑)(PTV)或四噻吩(4T)、六噻吩(6T)和八噻吩等α-寡聚噻吩(a -oligothiophene)类或 2，5- 二(5，-联苯基-2’ -噻吩基)-噻吩(BPT3)、2, 5_[2，2’ - (5，5’ - 二苯基)二噻吩基]-噻吩等噻吩衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)等亚苯基亚乙烯基衍生物、聚(9，9-二辛基芴)(PF0)等芴衍生物、三烯丙基胺系聚合物、蒽、并四苯、并五苯和并六苯等并苯化合物、1，3，5-三[(3-苯基-6-三-氟甲基)喹喔啉-2-基]苯(TPQl)和1，3，5_三[{3- (4-叔丁基苯基)-6-三氟甲基}喹喔啉_2_基]苯(TPQ2)等苯衍生物、如酞菁、酞菁铜(CuPc)和酞菁铁的酞菁衍生物、如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)和三(2-苯基吡啶)合铱(Ir (ppy) 3)的有机金属化合物、如C60、噁二唑系高分子、三唑系高分子、咔唑系高分子和芴系高分子的高分子系化合物以及聚(9，9- 二辛基芴-共-双-N，N’- (4-甲氧基苯基)-双-N，N’_苯基-1,4-苯二胺)(？?1?)、聚(9，9-二辛基芴-共-苯并噻二唑)(BT)、芴-三烯丙基胺共聚物和聚(9，9-二辛基芴-共-二噻吩)(F8T2)等和芴的共聚物等。这些材料可以使用一种或组合使用两种以上。
[0125]另外，也可以使用可溶于溶剂的无机材料。
[0126](vi)钝化膜 1018
[0127]钝化膜1018例如可以使用聚乙烯醇(PVA)等水溶性树脂、氟系树脂等来形成。
[0128](vii)平坦化膜 102
[0129]平坦化膜102例如使用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸系树脂材料等有机化合物来形成。
[0130](viii)阳极 103
[0131]阳极103由包含银(Ag)或铝(Al)的金属材料构成。在顶部发射型的本实施方式涉及的有机EL显示面板10的情况下，优选其表面部具有高反射性。
[0132](ix)透明导电膜104
[0133]例如使用ITO (Indium Tin O`xide:氧化铟锡)或者 IZO (Indium Zinc Oxide:氧化铟锌)等形成透明导电膜104。
[0134](X)空穴注入层105
[0135]空穴注入层105例如是由银(Ag)、钥(Mo)、铬(Cr)、钒(V)、钨(W)、镍(Ni)、铱(Ir)等的氧化物或者PEDOT (聚噻吩(polythiophene)和聚苯乙烯磺酸酯的混合物)等导电性聚合物材料形成的层。在图2所示的本实施方式涉及的有机EL显示面板10中，假设构成由金属氧化物形成的空穴注入层105，在该情况下，与使用PEDOT等导电性聚合物材料的情况相比，具有使空穴稳定或者辅助生成空穴地对有机发光层108注入空穴的功能，具有较大的功函数。
[0136]在此，在由过渡金属的氧化物构成空穴注入层105的情况下，通过取多个氧化数，能够取得多个能级，其结果，空穴注入变得容易，能够降低驱动电压。特别是，从具有稳定注入空穴且辅助生成空穴的功能的观点出发，优选使用氧化钨(WOx)。
[0137](xi)堤 106
[0138]堤106使用树脂等有机材料来形成并具有绝缘性。作为用于形成堤106的有机材料的例子，可以列举出丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、酚醛清漆型酚醛树脂等。堤106优选具有有机溶剂耐性。进而，在制造工序中，堤106有时会被实施蚀刻处理、烘焙处理等，因此优选通过对于这些处理不会过度地变形、变质等的耐性高的材料来形成堤106。另外，为了使表面具有拨水性，也可以对表面进行氟处理。
[0139]这是因为:在使用亲液性的材料形成堤106的情况下，堤106的表面与发光层108的表面的亲液性/拨液性的差异变小，会难以使为了形成有机发光层108而包含有机物质的墨选择性地保持在堤106规定的开口部内。
[0140]进一步，关于堤106的构造，不仅可以是如图2所示的单层构造，也可以采用两层以上的多层构造。在该情况下，既可以按每层组合上述材料，也可以按每层使用无机材料和有机材料。[0141](xii)空穴输送层107
[0142]空穴输送层107使用不具备亲水基的高分子化合物来形成。例如，可以使用作为聚荷(polyfluorene)或其衍生物、或者聚丙烯胺(polyallylamine)或其衍生物等高分子化合物的不具备亲水基的材料等。
[0143](xiii)有机发光层108
[0144]如上所述，发光层108具有通过注入空穴和电子并使之复合来产生激发态而进行发光的功能。对于用于形成有机发光层108的材料，需要使用能够使用湿式印刷法进行制膜的发光性的有机材料。
[0145]具体而言，优选例如由专利公开公报(日本特开平5-163488号公报)所记载的类喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫环酮(perinone)化合物、批咯并批咯化合物、萘化合物、蒽化合物、荷化合物、突蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑
啉衍生物及批唑啉酮衍生物、若丹明化合物、M (chrysene)化合物、菲化合物、环戊二烯
化合物、化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基批喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎗化合物、噻喃鎗化合物、硒吡喃鎗化合物、碲吡喃鎗化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2，2’ -联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与III族金属的配合物、8-羟基喹啉(喔星)金属配合物、稀土类配合物等荧光物质形成。
[0146](xiv)电子输送层109
[0147]电子输送层109具有将从阴极110注入的电子向发光层108输送的功能，例如使用噁二唑衍生物(OXD )、三唑衍生物(TAZ )、菲咯啉衍生物(BCP、Bphen )等来形成。
[0148](XV)阴极 110
[0149]阴极110例如可以使用ITO (Indium Tin Oxide:氧化铟锡)或者IZO (IndiumZinc Oxide:氧化铟锌)等来形成。如本实施方式，在顶部发射型的本实施方式涉及的有机EL显示面板10的情况下，需要由光透射性的材料形成。关于光透射性，优选透射率为80%以上。
[0150]作为用于形成阴极110的材料，除了上述之外，例如，还可以使用包含碱金属、碱土类金属或者它们的卤化物的层的构造、或者将包含银的层按照该顺序层叠于上述任一层而得到的构造。在上述说明中，包含银的层既可以由银单独形成，也可以由银合金形成。另夕卜，为了实现光取出效率的提高，也可以从该包含银的层上设置透明度高的折射率调整层。
[0151](xvi)封止层 111
[0152]封止层111具有抑制发光层108等有机层暴露于水分、空气的功能，例如可以使用SiN (氮化娃)、SiON (氮氧化娃)等材料来形成。另外，也可以在使用SiN (氮化娃)、SiON(氮氧化硅)等材料形成的层上设置由丙烯酸树脂、硅树脂等树脂材料形成的封止树脂层。
[0153]在作为顶部发射型的本实施方式涉及的有机EL显示面板10的情况下，封止层111需要由光透射性的材料来形成。
[0154]4.TFT基板101中的隔壁1016的结构
[0155]使用图3对有机EL显示面板10的结构中的TFT基板101的隔壁1016及其周边的结构进行说明。
[0156]如图3 (a)和图3 (b)所示，在本实施方式涉及的有机EL显示面板10的TFT基板101中，形成有隔壁106以分别围绕连接布线1015的一部分、源电极1014a及漏电极1014c的各一部分、源电极1014b及漏电极1014d的各一部分。由此，如图3 (a)和图3 (b)所示，在隔壁1016开有3个开口部1016a、1016b、1016c。此外，在图3 (a)和图3 (b)中，对于TFT基板101中的与其他子像素相当的部位的结构，虽然没有进行图示，但为同样的结构。
[0157]在X轴方向的最左侧设置的开口部1016a的底部，露出有连接布线1015，如上所述，该连接布线1015与源电极1014a和漏电极1014c的一方(在本实施方式中为漏电极1014c)连接，另外，如图2所示，连接着阳极103。
[0158]如图3 (a)的图3 (b)所示，在X轴方向的中央的开口部1016b的底部，露出有源电极1014a和漏电极1014c的各一部分，在X轴方向右侧的开口部1016c的底部，露出有源电极1014b和漏电极1014d的各一部分。
[0159]如图3 (a)所示，在各开口部1016b、1016c内，源电极1014a、1014b与漏电极1014c、1014d以在Y轴方向上互相隔开间隔的状态配置。在开口部1016b、1016c内，如上所述，形成有有机半导体层1017a、1017b,该部分作为沟道部发挥功能。
[0160]接着，如图3 (b)所示，在本实施方式涉及的TFT基板101中，在隔壁1016的面对开口部1016a、1016b、1016c的侧面部中，使一部分侧面部的倾斜比其他侧面部的倾斜缓和(使一部分侧面部的坡度比其他侧面部的坡度小)。具体而言，在面对开口部1016b的侧面部中，开口部1016c侧的侧面部1016e的倾斜形成为比开口部1016a侧的侧面部1016d的倾斜缓和。
[0161]另外，在面对开口部1016c的侧面部中，开口部1016b侧的侧面部1016f的倾斜形成为比隔着开口部1016c对向的侧面部1016g的倾斜缓和。
[0162]进一步，如图3 (a)所示，在面对开口部1016b的侧面部中，与侧面部1016d同样，在Y轴方向上相互对向的侧面部1016h、1016i的倾斜比侧面部1016e的倾斜陡峭。另外，在面对开口部1016c的侧面部中，与侧面部1016g同样，在Y轴方向上相互对向的侧面部1016j、1016k的倾斜比侧面部1016f的倾斜陡峭。
[0163]在此，当将侧面部1016d相对于作为基底层的绝缘层1013、源电极1014a以及漏电极1014c的表面的倾斜角度设为角度Θ d、同样地将侧面部1016e的倾斜角度设为角度Θ e、将侧面部1016h的倾斜角度设为角度Θ h、将侧面部1016i的倾斜角度设为角度Θ i时，在本实施方式中，?两足如下关系。
[0164]式1: Θ d > Θ e
[0165]式2: Θ h > Θ e
[0166]式3: Θ i > Θ e
[0167]另外，当将侧面部1016f相对于作为基底层的绝缘层1013、源电极1014b以及漏电极1014d的表面的倾斜角度设为角度Θ f、同样地将侧面部1016g的倾斜角度设为角度Θ g、将侧面部1016j的倾斜角度设为角度Θ j、将侧面部1016k的倾斜角度设为角度Θ k时，满足如下关系。
[0168]式4: Θ g > Θ f[0169]式5: Θ j > Θ f[0170]式6: Θ k > Θ f
[0171]在此，优选倾斜缓和的侧面部(缓倾斜侧面部)1016e、1016f的倾斜角度Θ e、Θ f比其他侧面部(急倾斜侧面部)1016d、1016g、1016h、10161、1016j、1016k的倾斜角度Θ d、0g、0h、01、Θ j、0k 小 5 度以上。
[0172]另外，倾斜缓和的侧面部(缓倾斜侧面部)1016e、1016f的倾斜角度Θ e、Θ f例如优选处于25°以上且30°以下的范围内。进一步，倾斜陡峭的急倾斜侧面部1016d、1016g、1016h、10161、1016j、1016k 的倾斜角度 0d、0g、0h、01、Θ j、0k 例如优选处于 35° 以上且40°以下的范围内。
[0173]如上所述，在隔壁106中，在面对开口部1016a、1016b、1016c的各侧面部1016d?1016k的倾斜角度设置差异是为了在形成有机半导体层1017a、1017b时抑制有机半导体墨溢出到开口部1016a。换言之，根据在开口部1016b、1016c涂覆了有机半导体墨的差异，使得有机半导体墨的表面轮廓偏向倾斜缓和的侧面部1016e、1016f—侧。后面将对这一点进行描述。
[0174]5.有机EL显示装置I的制造方法
[0175]使用图2和图4来说明有机EL显示装置I的制造方法、特别是有机EL显示面板10的制造方法。
[0176]如图2和图4所示，首先，准备成为TFT基板101的基底的基板1011 (步骤SI)。然后，在该基板1011形成TFT (薄膜晶体管)元件，形成TFT基板101 (步骤S2)。
[0177]接着，如图2和图4所示，在TFT基板101上形成由绝缘材料形成的平坦化膜102(步骤S3)。如图2所示，在平坦化膜102中，在与TFT基板101中的连接布线1015的上方相当的部位开有接触孔102a，使其他部分的Z轴方向上表面大致平坦化。
[0178]接着，在平坦化膜102上形成阳极103 (步骤S4)。在此，如图2所示，按发光单位(子像素)区划形成阳极103，阳极103的一部分沿着接触孔102a的侧壁与TFT基板101的连接布线1015连接。
[0179]阳极103例如可以在通过溅射法或真空蒸镀法等形成金属膜之后以子像素为单位进行蚀刻来形成。
[0180]接着，形成透明导电膜104以覆盖阳极103的上表面(步骤S5)。如图2所示，透明导电膜104不仅覆盖阳极103的上表面，也覆盖其侧端面，另外，在接触孔102a内也覆盖阳极103的上表面。与上述同样，透明导电膜104通过在使用溅射法或真空蒸镀法等进行成膜之后利用蚀刻以子像素为单位进行区划来形成。
[0181]接着，在透明导电膜104上形成空穴注入层105 (步骤S6)。如图2所示，空穴注入层105形成为覆盖透明导电膜104上的整个面，但也可以形成为按每个子像素进行了区划的状态。
[0182]在由金属氧化物(例如氧化钨)形成空穴注入层105的情况下，对于金属氧化膜的形成，例如可以采用如下成膜条件:将由氩气和氧气构成的气体用作溅射装置的溅射室内的气体，该气体的总压大于2.7Pa且为7.0Pa以下，氧气分压与总压之比为50%以上且70%以下，并且靶每单位面积的投入(接入)功率密度为lW/cm2以上且2.8ff/cm2以下。
[0183]接着，形成规定各子像素的堤106 (步骤S7)。如图2所示，堤106层叠形成在空穴注入层105上。[0184]对于堤106的形成，首先在空穴注入层105上层叠形成堤106的材料层。该材料层例如使用包含丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、酚醛清漆型酚醛树脂等感光性树脂成分和氟成分的材料并通过旋涂法等来形成。在本实施方式中，作为感光性树脂材料的一个例子，可以使用日本瑞翁(zeon)株式会社制的负型感光性材料(产品编号:ZPN1168)。接着，对材料层进行图案形成(图案化)，形成与各子像素对应的开口部。对于开口部的形成，可以通过在材料层的表面配置掩模进行曝光，然后进行显影来形成该开口部。
[0185]接着，在空穴注入层105上的由堤106规定的各凹部内，依次层叠形成空穴输送层107、有机发光层108以及电子输送层109 (步骤S8?S10)。
[0186]空穴输送层107通过在用印刷法成膜由作为该空穴输送层107的构成材料的有机化合物形成的膜之后进行烧成(烧结)来形成。有机发光层108也同样通过在用印刷法成膜之后进行烧成来形成。
[0187]接着，在电子输送层109上依次层叠阴极110和封止层111 (步骤Sll、S12)。如图2所示，阴极110和封止层111形成为也覆盖堤106的顶面，形成在整个面。
[0188]接着，在封止层111上涂敷粘接树脂材料，接合预先准备的CF (滤色片、滤色器)面板(步骤S13)。如图2所示，由粘接层112接合的CF面板113在基板1031的Z轴方向下表面形成有滤色片1132和黑底1133。
[0189]如以上所述，完成作为有机EL显示元件的有机EL显示面板10。
[0190]虽然省略了图示，但在对有机EL显示面板10附设驱动控制单元20而形成了有机EL显示装置I之后(参照图1),通过实施老化(aging)处理来完成有机EL显示装置
I。对于老化处理，例如通过进行通电直到相对于处理前的空穴注入性而空穴的迁移率成为1/10以下，由此来实现该老化处理，具体而言，执行预先规定时间的通电处理，使得辉度(bri ghtness )成为实际使用时的辉度以上且其三倍以下的辉度。
[0191]接着，使用图3 (b)和图4 (b)对TFT基板101的形成方法进行说明。
[0192]如图3 (b)和图4 (b)所示，在基板1011的主面上形成栅电极1012a、1012b (步骤S21)。关于栅电极1012a、1012b的形成，可以为与上述阳极103的形成方法同样的方法。
[0193]接着，层叠形成绝缘层1013以将栅电极1012a、1012b以及基板1011之上覆盖(步骤S22)。然后，在绝缘层1013的主面上形成源电极1014a、1014b、漏电极1014c、1014d以及连接布线1015 (步骤S23)。
[0194]接着，堆积用于形成隔壁1016的抗蚀剂膜，以使得将源电极1014a、1014b、漏电极1014c、1014d、连接布线1015、以及绝缘层1013之上覆盖(步骤S24)。然后，对堆积的抗蚀剂膜实施掩模曝光和图案形成(步骤S25)，形成隔壁1016(步骤S26)。关于该部分，将在后面举出具体例来进行描述。
[0195]在形成了隔壁1016之后，对由隔壁1016规定的开口部1016b、1016c涂覆用于形成有机半导体层1017a、1017b的有机半导体墨(步骤S27)。然后，通过使之干燥(步骤S28)，能够形成有机半导体层1017a、1017b (步骤S29)。
[0196]最后，形成钝化膜1018以将除了开口部1016a之外的整体覆盖(步骤S30)，完成TFT 基板 101。
[0197]6.涂覆有机半导体墨时的表面轮廓
[0198]使用图5对在上述步骤S27中涂覆的有机半导体墨的表面轮廓进行说明。[0199]如图5所示，分别涂敷于开口部1016b和开口部1016c的有机半导体墨10170、10171各自的表面轮廓为如下的轮廓:在X轴方向上不对称而偏向开口部1016b与开口部1016c的边界部分。
[0200]这是因为:在面对开口部1016b的侧面部中，使侧面部1016e的倾斜比其他侧面部的倾斜缓和，在面对开口部1016c的侧面部中。使侧面部1016f的倾斜比其他侧面部的倾斜缓和。即，由于隔壁1016表面的拨液性在面内大致相同，所以基于隔壁1016的表面与墨10170,10171的接触角的关系、墨的表面张力的关系、以及隔壁1016的面对开口部1016b、1016c的各侧面部的倾斜角的关系，墨10170、10171的表面轮廓被规定成如图5所示。
[0201]此外，虽未图示，但关于侧面部1016h、10161、1016j、1016k，其倾斜也比侧面部1016e、1016f的倾斜陡峭(参照图3 (a))，因此，与墨10170、10171的各接触部与墨10170、10171相对于侧面部1016d、1016g的各接触形态是同样的。
[0202]7.能够实现的效果
[0203]在本实施方式涉及的有机EL显示面板10中，在TFT基板101，使隔壁1016的面对开口部1016b、1016c的侧面部中的侧面部1016e、1016f的倾斜比其他侧面部1016d、1016g?1016k的倾斜缓和。因此，如图5所示，在涂覆了有机半导体墨10170、10171时，成为如下表面轮廓:偏向作为缓倾斜侧面部的侧面部1016e、1016f—侧。
[0204]在本实施方式中，开口部1016a是在底部露出供与阳极103进行连接的连接布线1015的部位(不是沟道部的部位)，是希望抑制墨10170的溢出的区域。在本实施方式中，考虑这样的事项，如上所述通过将墨10170、10171的表面轮廓控制成如图5所示,从而能够切实地抑制向开口部1016a的不希望的墨10170、10171的溢出。此外，在本实施方式中，也想要抑制相对于开口部1016b向X轴方向右侧的不希望的墨10171的漏出。
[0205]由此，在本实施方式涉及的TFT基板101中，如上所述，能够在其制造时切实地抑制向不希望形成有机半导体层1017a、1017b的部位的墨10170、10171的溢出，具有高品质。并且，将具有这样的效果的TFT基板101作为构成要素的有机EL显示面板10、以及具备该有机EL显示面板10的有机EL显示装置I也具有高品质。
[0206]8.TFT基板101的隔壁1016的形成方法
[0207]使用图6和图7对TFT基板101中的隔壁1016的形成方法进行说明。
[0208]首先，如图6 (a)所示，准备在基板1011上形成有栅电极1012a、1012b、绝缘层1013、源电极1014a、1014b、漏电极1014c、1014d、连接布线1015的中间物。此外，在图6和图7中，省略了漏电极1014c、1014d的图示。
[0209]接着，如图6 (b)所示，例如使用旋涂法等堆积感光性抗蚀剂材料膜10160以将绝缘层1013和电极1014a?1014d、1015之上覆盖。
[0210]接着，如图6 (c)所示，在感光性抗蚀剂材料膜10160的上方配置在要形成隔壁1016的部位开有开口 501a?501d的掩模501。在该状态下通过掩模501的开口 501a?
50Id执行曝光。
[0211]接着，如图7 (a)所示，在执行了第一次曝光的感光性抗蚀剂材料膜10161的上方配置在要形成陡峭的侧面部的部位开有开口 502a?502d的掩模502。然后，在该状态下通过掩模502的开口 502a?502d执行第二次曝光。在此，陡峭的侧面部是指图3所示的侧面部 1016d、1016g ?1016k。[0212]接着，通过实施显影和烘焙，如图7 (b)所示，能够形成具有倾斜相对缓和的侧面部1016e、1016f和倾斜相对陡峭的侧面部1016d、1016g~1016k的隔壁1016。
[0213][实施方式2]
[0214]使用图8对实施方式2涉及的有机EL显示面板的制造方法进行说明。此外，本实施方式涉及的有机EL显示面板的构造与上述实施方式I是同样的，另外，除了 TFT基板101中的隔壁1016的形成方法之外，有机EL显示面板的制造方法也与上述实施方式I是同样的。
[0215]如图8所示，在堆积的感光性抗蚀剂材料膜10160的上方配置作为半色调掩模的掩模503。在掩模503设有光透射部503a~503h。其中，光透射部503a、503d、503f、503h和光透射部503b、503c、503e、503g彼此的光透射率不同。具体而言，与倾斜陡峭的侧面部1016d、1016g~1016k对应的部位的光透射部503b、503c、503e、503g的光透射率比其他光透射部503a、503d、503f、503h的光透射率高。
[0216]在配置了具有如上所述的结构的掩模503的状态下，在执行了曝光、显影之后进行烘焙，由此能够形成如图3 (b)所示的隔壁1016。即，如上述式I~式6所示的关系那样，通过光透射率被设定得大的光透射部503b、503c、503e、503g而曝光的部位的侧面部1016d、1016g~1016k的倾斜角度比通过其他光透射部503a、503d、503f、503h而曝光的部位的侧面部的倾斜角度大。
[0217]此外，之后的工序与上述实施方式I是同样的。
[0218]通过如上所述的制造方法，也能够制造上述实施方式I涉及的有机EL显示装置I。
[0219]使用这样的制造方法，也能够使面对开口部1016b、1016c的侧面部中的侧面部1016e、1016f为相对缓和的倾斜，能够得到如上所述的效果。
[0220][实施方式3]
[0221]接着，使用图9和图10对有机EL显示装置I的制造方法的其他实施方式进行说明。图9和图10表示与图6 (b)~图7 (b)所示的工序对应的工序。
[0222]如图9 (a)所示，在堆积了感光性抗蚀剂材料膜10160之后，在其上方配置掩模504。在掩模504中，与要形成隔壁106的各部位对应而开有开口 504a~504d。
[0223]然后,通过掩模504的开口 504a~504d进行第一次曝光和显影，由此如图9 (b)所示，在与开口 504a~504d各自对应的部位残留感光性抗蚀剂材料膜10162。在此，面对感光性抗蚀剂材料膜10162所规定的开口部10162a~10162c的各侧面部10162d~10162g、…都为相同的倾斜角，与图3中的侧面部1016e、1016f的倾斜角相同。
[0224]在本实施方式涉及的制造方法中，不进行该时刻的烘焙。
[0225]接着，如图10 (a)所示，在感光性抗蚀剂材料膜10162上方配置掩模505。在掩模505中，与要形成倾斜陡峭的侧面部1016d、1016g~1016k的部位对应而开有开口 505a~505d。
[0226]然后,通过开于掩模505的开口 505a~505d进行第二次曝光和显影。然后,通过进行烘焙，能够形成如图10 (b)所示的隔壁1016。
[0227]然后，通过执行与上述实施方式1、2等同样的工序，能够制造有机EL显示装置I。
[0228]使用这样的制造方法，也能够使面对开口部1016b、1016c的侧面部中的侧面部1016e、1016f为相对缓和的倾斜，能够得到如上所述的效果。[0229][实施方式4]
[0230]使用图11对本发明实施方式4涉及的有机EL显示装置的结构进行说明。此外，以下仅对作为与上述实施方式I的不同点的TFT基板中的隔壁3016的结构进行说明。
[0231]如图11所示，在本实施方式涉及的TFT基板的隔壁3016中，开有三个开口部3016a?3016c。此外，在TFT基板整体中，还开有大量的开口部，但省略了图示。
[0232]与上述实施方式I相比，本实施方式涉及的TFT基板的隔壁3016的开口部3016a?3016c的形状不同。具体而言，在上述实施方式I中，开口部1016a?1016c的开口形状为长方形，而在本实施方式中，开口部3016a?3016c的开口形状构成为各角部分具有曲率。因此，面对开口部3016a?3016c的侧面部不能明确地分为多个侧面部。
[0233]如上述实施方式I同样，在开口部3016a的底部配设有供与阳极进行连接的连接布线3015，在开口部3016b、3016c分别配设有源电极3014a、3014b和漏电极3014c、3014d。并且，与上述同样，开口部3016b、3016c是通过形成有机半导体层来作为沟道部发挥功能的部分。
[0234]在上述结构中，面对开口部3016b、3016c的侧面部中的区域3016e、3016f的倾斜比包括区域3016d、3016g的其他区域的倾斜缓和。
[0235]通过采用如上所述的结构，在本实施方式涉及的TFT基板的制造中，在涂覆有机半导体墨时，能够切实地抑制墨向开口部3016a溢出。由此，所制造的TFT基板是高品质的基板，能够使具备该TFT基板的有机EL显不面板和有机EL显不装置也是闻品质的。
[0236][实施方式5]
[0237]使用图12对本发明实施方式5涉及的有机EL显示装置的结构进行说明。此外。以下仅对作为与上述实施方式I的不同点的TFT基板中的隔壁3016的结构进行说明。
[0238]如图12所示，在本实施方式涉及的TFT基板的隔壁4016中，开有三个开口部4016a?4016c。此外，在TFT基板整体中还开有大量的开口部，但省略了图示。
[0239]与上述实施方式1、5相比，本实施方式涉及的TFT基板的隔壁4016的开口部4016a?4016c的形状不同。具体而言，在上述实施方式I中，开口部1016a?1016c的开口形状为长方形，在上述实施方式5中，开口部3016a?3016c的开口形状为圆角的(角部具有曲率的)长方形，而在本实施方式中，开口部4016a?4016c的开口形状为八边形。
[0240]与上述实施方式I同样，在开口部4016a的底部配设有供与阳极进行连接的连接布线4015，在开口部4016b、4016c分别配设有源电极4014a、4014b和漏电极4014c、4014d。并且，与上述同样，开口部4016b、4016c是通过形成有机半导体层来作为沟道部发挥功能的部分。
[0241]此外，在开口部4016b、4016c的底部，配设成源电极4014a、4016b以及漏电极4014c、4014d的整体露出。
[0242]在上述中，面对开口部4016b、4016c的侧面部中的侧面部4016e、4016f的倾斜与其他侧面部的倾斜相比是最缓和的，另外，侧面部4016h、40161、4016j、4016k的倾斜是次之缓和的。
[0243]通过采用如上所述的结构，在本实施方式涉及的TFT基板的制造中，在涂覆有机半导体墨时，能够切实地抑制墨向开口部4016a溢出。由此，所制造的TFT基板的高品质的基板，能够使具备该TFT基板的有机EL显不面板和有机EL显不装置也是闻品质的。[0244]此外，由于使侧面部4016h、40161、4016j、4016k的倾斜为侧面部4016e、4016f的倾斜与侧面部4016d、4016g、…的倾斜的中间角度，所以能够避免有机半导体层的表面形状成为歪扭(走样)的形状。
[0245][其他事项]
[0246]在上述实施方式I~5中，将用于有机EL显示面板10的TFT基板作为了一个例子，但适用对象不限于此。例如，也可以适用于液晶显示面板、场致发射显示面板等。进一步，也可以适用于电子纸等。
[0247]另外，上述实施方式I~5的各构成材料是作为一个例子示出的，可以适当进行变更。
[0248]另外，如图2所示，在上述实施方式I涉及的有机EL显示面板10中，将顶部发射型的结构作为一个例子，但也可以采用底部发射型。在该情况下，可以适当变更各使用材料和布局设计。
[0249]另外，在上述中，对TFT基板101等中的面对开口部的侧面部的倾斜角度的定义没有进行说明，但如图13 (a)所示，可以设为侧面部与基底层的主面所成的角度Θ。此外，如图13 (b)所示，在侧面部的接近开口部底的部分产生了“陷漫(夕' >)”的情况下(由双点划线包围的部分)，可以设为排除“陷漫”来考虑的情况下的倾斜角度。
[0250]另外，在上述中，对于隔壁所规定的开口部的开口形状，作为一个例子而示出了四个形状，但除此以外，也可以采用各种开口形状的开口部。例如，如图14 (a)所示可以为正方形的开口形状的开口部，如图14 (b)所示可以为如一边为圆弧状、其余三边为直线的形状，如图14 (c)所示也可以为圆形或长`[0251]另外，在上述中，作为不希望使有机半导体墨溢出的开口部，采用了用于与阳极等接触的开口部来作为一个例子，但除此以外也可以采用各种开口部。例如，在所形成的TFT发现了不良的情况下，可以采用仅在不良单元新形成TFT来进行修复的修复用开口部。
[0252]另外，在TFT基板中的隔壁的应力非常大的情况等，可能发生挖孔来缓和应力的情况。在这样的情况下，优选使墨不溢出到该应力缓和用的孔中。此外，对于应力缓和用的孔，虽然对于形成有机半导体层并没有特别问题，但原本向要形成有机半导体层的部位的墨量就会相应地减少溢出到该孔中的量，从控制有机半导体层的层厚的观点出发是不希望的。即，也考虑由于墨的溢出而对TFT的性能造成影响的情况。从这样的观点出发，优选使墨也不溢出到应力缓和用的孔中。
[0253]进一步，本发明不限于具有上述的不希望使有机半导体墨溢出的开口部的方式，也可以适用于没有不希望使有机半导体墨溢出的开口部的方式。具体而言，在相邻配置两个以上的形成有有机半导体层的开口部的方式中，也可以构成隔壁以使墨不溢出到相邻的开口部中。在该情况下，由于能够使有机半导体墨分离地存在于各开口部中来进行成膜，因此与在有机半导体墨跨过开口部之间而存在的状态下成膜的情况相比，容易降低各开口部的有机半导体层的层厚的不均，其结果，预计会具有良好的半导体特性和/或会提高材料利用率。
[0254]产业上的利用可能性
[0255]本发明用于具备有机EL显示面板等显示面板的显示装置，对于实现高精细化时品质(质量)也闻的TFT兀件的是有用的。
【权利要求】
1.一种薄膜晶体管元件，具备: 栅电极； 源电极及漏电极，其层叠形成在所述栅电极的上方，在与层叠方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置； 绝缘层，其介插在所述栅电极与所述源电极及所述漏电极之间； 隔壁，其设置成围绕所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分，并且，表面具有拨液性；以及 有机半导体层，其在由所述隔壁的围绕构成的第I开口部的内部，形成在所述源电极与所述漏电极之间的间隙、以及所述源电极及所述漏电极之上，与所述源电极及所述漏电极紧密接触， 对于所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部，其一部分为比其他部分倾斜相对缓和的斜面。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件， 所述第I开口部的内部是以形成所述有机半导体层来作为沟道部发挥功能的部分， 在所述隔壁，在相对于所述第I开口部隔开间隔的状态下，开设有不是沟道部的第2开口部， 所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中，作为所述倾斜相对缓和的斜面的所述一部分设在除了与所述第2开口部侧相当的部分以外的部分。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管元件， 在所述隔壁，所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中，作为所述倾斜相对缓和的斜面的所述一部分设在与相当于所述第2开口部侧的部分隔着所述开口部而对向的一侧的部分。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管元件， 在所述第2开口部的内部，形成有所述源电极或所述漏电极的至少一部分、或者与所述源电极和所述漏电极电连接的布线。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管元件， 在所述隔壁，所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中，与所述第2开口部侧相当的部分为与其他任何部分相比倾斜都相对陡峭的斜面。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件， 所述倾斜的缓急由所述隔壁的侧面与设置所述隔壁的基底层的上表面所成的角度的大小来规定。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件， 所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中，作为所述倾斜相对缓和的斜面的所述一部分的倾斜角度比所述其他部分的倾斜角度小5度以上。
8.—种有机EL显示元件,具备: 权利要求1~7中任一项所述的薄膜晶体管元件； 平坦化膜，其设在所述薄膜晶体管元件的上方，形成有接触孔； 下部电极，其形成在所述平坦化膜上以及所述平坦化膜的面对所述接触孔的侧面上，与所述漏电极或所述源电极电连接；上部电极，其形成在所述下部电极的上方；以及 有机发光层，其介插在所述下部电极与所述上部电极之间。
9.一种有机EL显示元件,具备: 权利要求2~5中任一项所述的薄膜晶体管元件； 平坦化膜，其设在所述薄膜晶体管元件的上方，形成有接触孔； 下部电极，其沿着所述平坦化膜上以及所述接触孔的侧面上而形成，与所述漏电极或所述源电极电连接； 上部电极，其形成在所述下部电极的上方；以及 有机发光层，其介插在所述下部电极与所述上部电极之间， 所述接触孔在其底部与所述第2开口部连通。
10.一种有机EL显示装置,具备权利要求8或9所述的有机EL显示元件。
11.一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括: 第1工序，在基板上形成栅电极； 第2工序，在栅电极的上方形成绝缘层； 第3工序，在所述绝缘层上，以在与所述绝缘层的层厚方向交叉的方向上相互隔开间隔的状态，排列设置源电极和漏电极； 第4工序，在所述绝缘层上，以将所述源电极之上和所述漏电极之上覆盖的状态，层叠感光性抗蚀剂材料； 第5工序，通过对所述层叠的感光性抗蚀剂材料进行掩模曝光并进行图案形成，从而形成围绕所述源电极和所述漏电极各自的至少一部分、且表面具有拨液性的隔壁；以及第6工序，在通过所述隔壁的围绕构成的第I开口部的内部涂覆有机半导体材料并使之干燥，形成与所述源电极和所述漏电极紧密接触的有机半导体层， 在所述第5工序中， 形成所述隔壁以使得面对所述第I开口部的侧面部的一部分成为比其他部分倾斜相对缓和的斜面。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管元件的制造方法， 在所述第5工序中， 形成所述第I开口部来作为通过对其内部形成所述有机半导体层而作为沟道部发挥功能的部分， 还以与所述第I开口部隔开间隔的状态形成不是沟道部的第2开口部， 将所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中的、作为所述倾斜相对缓和的斜面的所述一部分设在除了与所述第2开口部侧相当的部分以外的部分。
13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管元件的制造方法， 在所述第5工序中， 使对于要形成所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中的、作为所述倾斜相对陡峭的斜面的所述其他部分的部位的曝光量，比对于要形成作为所述倾斜相对缓和的斜面的所述一部分的部位的曝光量大。
14.根据权利要求11所述的薄膜晶体管元件的制造方法， 在所述第5工序中，在对要形成所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部的部位进行了所述感光性抗蚀剂材料的曝光之后，对要形成所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中的、作为所述倾斜相对陡峭的斜面的所述其他部分的部位追加进行曝光处理。
15.根据权利要求11所述的薄膜晶体管元件的制造方法， 在所述第5工序中， 使用要形成所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中的、作为所述倾斜相对陡峭的斜面的所述其他部分的部位的光透射率比要形成作为所述倾斜相对缓和的斜面的所述一部分的部位的光透射率大的掩模，进行曝光。
16.—种有机EL显示元件的制造方法,包括: 形成薄膜晶体管元件的工序； 在所述薄膜晶体管元件上形成开有接触孔的平坦化膜的工序； 在所述平坦化膜上以及所述平坦化膜的面对所述接触孔的侧面上，形成与所述薄膜晶体管元件电连接的下部电极的工序； 在所述下部电极的上方形成有机发光层的工序；以及 在所述有机发光层的上方形成上部电极的工序， 形成所述薄膜晶体管元件的工序包括: 第I工序，在基板上形成栅电极； 第2工序，在栅电极的上方形成绝缘层； 第3工序，在所述绝缘层上，以在与所述绝缘层的层厚方向交叉的方向上相互隔开间隔的状态，排列设置源电极和漏电极； 第4工序，在所述绝缘层上，以将所述源电极之上和所述漏电极之上覆盖的状态，层叠感光性抗蚀剂材料； 第5工序，通过对所述层叠的感光性抗蚀剂材料进行掩模曝光并进行图案形成，从而形成在底部围绕所述源电极和所述漏电极各自的至少一部分、且表面具有拨液性的隔壁；以及 第6工序，在通过所述隔壁的围绕构成的第I开口部的内部涂覆有机半导体材料并使之干燥，形成与所述源电极和所述漏电极紧密接触的有机半导体层， 在所述第5工序中， 形成所述隔壁以使得面对所述第I开口部的侧面部的一部分成为比其他部分倾斜缓和的斜面。
17.根据权利要求16所述的有机EL显示元件的制造方法， 在形成所述薄膜晶体管元件的工序的所述第5工序中， 形成所述第I开口部来作为通过对其内部形成所述有机半导体层而作为沟道部发挥功能的部分， 还以与所述第I开口部隔开间隔的状态形成不是沟道部的第2开口部， 将所述隔壁的面对所述第I开口部的侧面部中的、作为所述倾斜相对缓和的斜面的所述一部分设在除了与所述第2开口部侧相当的部分以外的部分。
【文档编号】H05B33/02GK103503124SQ201180070586
【公开日】2014年1月8日 申请日期:2011年6月21日 优先权日:2011年6月21日
【发明者】奥本有子, 宫本明人, 受田高明 申请人:松下电器产业株式会社