发光二极管驱动装置制造方法
【专利摘要】一种发光二极管驱动装置，用以驱动N个发光二极管串列，N个发光二极管串列串联耦接，N>1。发光二极管驱动装置包括N-1个开关单元、电流源、侦测单元与控制单元。第i个开关单元与第i+1个发光二极管串列并联耦接或是第i个开关单元与第i个发光二极管串列并联耦接，其中0<i≤N-1。电流源提供驱动电流以驱动N个发光二极管串列。侦测单元依据电流源的电压、第一参考电压与第二参考电压，以产生侦测信号。控制单元依据侦测信号而产生多个第一控制信号，以动态调整N-1个开关单元的导通数量。
【专利说明】发光二极管驱动装置【技术领域】
[0001]一种驱动装置，特别有关于一种发光二极管驱动装置。
【背景技术】
[0002]一般来说，发光二极管的驱动电路大多都是将先将交流电压转换成直流电压或电流，再利用稳定的直流电压或电流来驱动发光二极管发光，并控制发光二极管的亮度。
[0003]然而，为了导通两个或两个以上串联连接的发光二极管使二极管发光，驱动电路所提供的电压值，要大于两个或两个以上的发光二极管导通电压的总和，因此通常会选择电压值较大的电源来作为电压源，如此将造成不必要的功率消耗。另外，若是流经发光二极管的电流大小不稳定，则会影响发光二极管的亮度。因此，需要一种新的发光二极管驱动电路，能够改善发光二极管的发光品质，并消除不必要的功率消耗。
【发明内容】
[0004]鉴于以上的问题，本发明在于提供一种发光二极管驱动装置，借以减少电路使用成本及功率消耗，并具有高效能及高功率因数。
[0005]本发明揭露的一种发光二极管驱动装置，用以驱动N个发光二极管串列，N个发光二极管串列串联耦接，N为大于I的正整数。发光二极管驱动装置包括N-1个开关单元、电流源、侦测单元与控制单元。第i个开关单元与第i+Ι个发光二极管串列并联耦接或是第i个开关单元与第i个发光二极管串列并联耦接，其中0〈i ( N-10电流源耦接第I个发光二极管串列的阴极端，并提供驱动电流以驱动N个发光二极管串列。侦测单元耦接电流源，用以接收并依据电流源的电压、第一参考电压与第二参考电压，以产生侦测信号。控制单元耦接N-1个开关与侦测单元，用以接收并依据侦测信号而产生多个第一控制信号，以动态调整N-1个开关单元的导通数量。
[0006]在一实施例中，前述当侦测信号为电流源的电压大于第一参考电压时，控制单元减少N-1个开关单元的导通数量。
[0007]在一实施例中，前述当侦测信号为电流源的电压小于第二参考电压时，控制单元增加N-1个开关单元的导通数量。
[0008]在一实施例中，前述当侦测信号为电流源的电压大于第二参考电压且小于第一参考电压时，控制单元维持N-1个开关单元的导通数量。
[0009]在一实施例中，前述侦测单元包括第一比较器与第二比较器。第一比较器的第一输入端接收第一参考电压，第一比较器的第二输入端接收电流源的电压，第一比较器的输出端产生侦测信号。第二比较器的第一输入端接收第二参考电压，第二比较器的第二输入端耦接第一比较器的第二输入端，第二比较器的输出端产生侦测信号。
[0010]在一实施例中， 前述控制单元包括状态信号产生器与N-1个开关控制单元。状态信号产生器耦接侦测单元，用以接收并依据侦测信号，产生前述第一控制信号，且前述第一控制信号一对一输出至N-1个开关单元。[0011]在一实施例中，前述电流源包括运算放大器与第二晶体管。运算放大器的第一输入端接收预设电压，运算放大器的第二输入端透过电阻耦接接地端。第二晶体管的栅极端耦接运算放大器的输出端，第二晶体管的漏极端产生电流源的电压，第二晶体管的源极端耦接运算放大器的第二输入端。
[0012]在一实施例中，前述状态信号产生器更依据侦测信号而产生第二控制信号，且控制单元更包括选择单元。选择单元耦接状态信号产生器与运算放大器的第一输入端之间，用以接收第二控制信号与多个第三参考电压，且依据第二控制信号而选择第三参考电压之一作为预设电压。
[0013]本发明所揭露的发光二极管驱动装置，通过于发光二极管串列并联一个开关单元，并且控制单元依据侦测单元所产生的侦测信号以控制每一开关单元导通与否。借此，可以提高发光二极管串列的控制效能，以减少电路的使用成本及功率消耗，使得发光二极管驱动装置具有高效能及高功率因数。
[0014]有关本发明的特征与实作，兹配合附图作实施例详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为本发明的发光二极管驱动装置的方块图；
[0016]图2为本发明的工作电压VAC、第一参考电压VREFl、第二参考电压VREF2、电压VD及流经电流源的电流的波形图；
[0017]图3为本发明的发光二极管驱动装置的电路示意图；
[0018]图4为本发明的另一发光二极管驱动装置的方块图；
[0019]图5为本发明的另一工 作电压VAC、第一参考电压VREF1、第二参考电压VREF2、电压VD及流经电流源的电流的波形图；
[0020]图6为本发明的另一发光二极管驱动装置的电路示意图。
[0021]其中，附图标记:
[0022]100、400发光二极管驱动装置110_1~110_N_1开关单元
[0023]120电流源130侦测单元
[0024]140控制单元
[0025]180_180_Ν发光二极管串列
[0026]310第一比较器320第二比较器
[0027]330状态信号产生器350运算放大器
[0028]360选择单元VD 电压
[0029]VREFl第一参考电压VREF2第二参考电压
[0030]VREF3_rVREF3_M 第三参考电压
[0031]VAC工作电压
[0032]Sl_l、S2_l、S3_l、S4_l、SN_3_1、SN_2_1、SN_1_1、SN_1、Sl_2、S2_2、
[0033]S3_2、S4_2、SN_3_2、SN_2_2、SN-1_2、SN_2 曲线
[0034]Ml_l~M1_N_1、M2 晶体管 R1、R2 电阻
[0035]VF预设电压【具体实施方式】
[0036]在以下所列举的实施例中，将以相同的标号代表相同或相似的元件。
[0037]请参考“图1”所示，其为本发明的发光二极管驱动装置的方块图。本实施例的发光二极管驱动装置100用以驱动N个发光二极管串列180_1~180_N，其中N为大于I的正整数，并且发光二极管串列180_1~180_N以串联的方式耦接。举例来说，第I个发光二极管串列180_1的阳极端耦接第2个发光二极管串列180_2的阴极端、…、第N-1个发光二极管串列180_N-1的阳极端耦接第N个发光二极管串列180_N的阴极端。并且，第N个发光二极管串列180_N的阳极端接收工作电压VAC，而此工作电压VAC例如为交流电压经过桥式整流器整流后的电压。
[0038]进一步来说，每一发光二极管串列180_fl80_N&括多个串连耦接的发光二极管，而这些发光二极管的阳极端与阴极端彼此耦接，且这些发光二极管中的第一个发光二极管的阳极端作为每一发光二极管串列180_f 180_N的阳极端，这些发光二极管中的最后一个发光二极管180_l"l80_N的阴极端作为每一发光二极管串列的阴极端。并且，每一发光二极管串列180_f 180_Ν内的发光二极管的数量可视使用者的需求自行调整。
[0039]在本实施例中，发光二极管驱动装置100包括N-1个开关单元110_f 110_N_1、电流源120、侦测单元130与控制单元140。第i个开关单元与第i+Ι个发光二极管串列并联耦接，其中0〈i ( N-10举例来说，第I个开关单元110_1与第2个发光二极管串列180_2并联耦接，第2个开关单元110_2与第3个发光二极管串列180_3并联耦接、…、第N-1个开关单元110_3与第N个发光二极管串列180_N并联耦接。
[0040]电流源120耦接第I个发光二极管串列180_1的阴极端，用以提供驱动电流以驱动发光二极管串列180_f 180_N。侦测单元130耦接电流源120，用以接收电流源120的电压VD(即电流源120与第I个发光二极管串列的阴极端耦接处的电压)、第一参考电压VREFl与第二参考电压VREF2，并依据电压VD、第一参考电压VREFl与第二参考电压VREF2，以产生侦测信号。其中，电流源120的电压VD相关于电流源120的电流。
[0041]控制单元140耦接N-1个开关单元110_广110_N_1与侦测单元130，用以接收并依据侦测信号而产生多个第一控制信号，以动态调整开关单元110_f 110_N的导通或不导通。其中，当开关单元110_f 110_N-1导通时，发光二极管串列180_2~180_N会被短路而无法发光。换言之，当开关单元110_1导通时，发光二极管串列180_2会被短路而无法发光；当开关单元110_1不导通时，电流会流经发光二极管串列180_2，进而使得发光二极管串列180_2发光。
[0042]当开关单元110_2导通时，发光二极管串列180_3会被短路而无法发光；当开关单元110_2不导通时，电流会流经发光二极管串列180_3，进而使得发光二极管串列180_3发光。依此类推，其余的发光二极管串列180_180_Ν可分别依据开关单元110_3~110_N-1的导通与否而呈现不发光或是发光。借此，控制单元140可透过控制开关单元110_广110_N-1的导通与否，调整发光二极管串列180_fl80_N的串接数量。
[0043]请参考“图2”所示，其本发明的工作电压VAC、第一参考电压VREFl、第二参考电压VREF2、电压VD及流经电流源120的电流的波形图。在“图2”中，曲线Sl_l表示发光二极管串列180_1运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_f 110_N-1皆导通)；曲线S2_l表示发光二极管串列180_1与180_2运作而发光时，流经电流源120的电流(SP开关单元110_1不导通，开关单元110_2~110_N-1导通)；曲线S3_l表示发光二极管串列180_1、180_2与180_3运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_1、110_2不导通，开关单元110_3~110_N-1导通)。
[0044]曲线S4_l表示发光二极管串列180_广180_4运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_1~110_3不导通，开关单元110_4~110_N-1导通)；曲线SN_3_1表示发光二极管串列180_fl80_N-3运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_1-10_Ν-4不导通，开关单元110_Ν-3~110_Ν-1导通)；曲线SN_2_1表示发光二极管串列180_fl80_N-2运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_fll0_N-3不导通，开关单元110_N-2~110_N-1导通)。
[0045]曲线SN_1_1表示发光二极管串列180_f 180_N_1运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_f 110_N-2不导通，开关单元110_N-1导通)；曲线SN_1表示发光二极管串列180_1~180_N运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_1~110_N-1皆不导通)。
[0046]举例来说，当侦测信号为电压VD大于第一参考电压VREFl (例如18伏特)时，代表流经电流源120的电流会增加，则控制单元140会减少开关单元110_1~110_Ν-1的导通数量(亦即增加开关单元110_fll0_N-l中断开(不导通)的数量)，以增加发光二极管串列180_f 180_N的串接数量，进而增加发光二极管串列180_f 180_N中发光的数量。其中，控制单元140可例如依序增加或断开的开关单元的数量，但不以此限制本发明的实施例。
[0047]当侦测信号为电压VD小于第二参考电压VREF2 (例如2伏特)时，代表流经电流源120的电流会减少，则控制单元140会增加开关单元110_f 110_N-1的导通数量(亦即减少开关单元110_f 110_N-1中断开的数量)，以减少发光二极管串列180_广180_N的串接数量，进而减少发光二极管串列180_fl80_N*发光的数量。其中，控制单元140可例如依序减少断开的开关单元的数量，但不以此限制本发明的实施例。
[0048]当侦测信号为侦测信号为电压VD大于第二参考电压VREF2(例如2伏特)且小于第一参考电压VREFl(例如18伏特)时，代表流经电流源120的电流为可容许范围，则控制单元140会维持开关单元110_f 110_N-1的导通数量，也就是维持发光二极管串列180_f 180_N中发光的数量。
[0049]请参考“图3”所示，其为本发明的发光二极管驱动装置的电路示意图。在本实施例中，以晶体管实现开关单元110_1~110_N-1，且晶体管例如以P型晶体管来实施。然而，本发明不限于此，晶体管亦可以N型晶体管来实施。
[0050]晶体管Ml_l的源极端耦接发光二极管串列180_2的阳极端，晶体管Ml_l的漏极端耦接发光二极管串列1802的阴极端，晶体管Ml_l的栅极端耦接控制单元140。晶体管Ml_2的源极端耦接发光二极管串列180_3的阳极端，晶体管Ml_2的漏极端耦接发光二极管串列180_3的阴极端，晶体管Ml_2的栅极端耦接控制单元140。以此类推，其余晶体管M1_3~M1_N-1可参照上述说明，在此不再赘述。
[0051]当要断开晶体管Mljll_N-l时，控制单元140会施加例如高逻辑电位的第一控制信号至要断开的晶体管的栅极端。借此，控制单元140可利用施加至晶体管Ml_fMl_N-l的栅极端的电压控制晶体管为导通或断开。并且，每一晶体管
的栅极端与源极端之间配置一电阻R1，以限制流经晶体管Ml_f M1_N-1的栅极端与源极端之间的电流。
[0052]侦测单元120包括第一比较器310与第二比较器320。第一比较器310的第一输入端(例如负输入端)接收第一参考电压VREFl (例如18伏特)，第一比较器310的第二输入端(例如正输入端)接收电流源120的电压VD，第一比较器310的输出端产生侦测信号。第二比较器320的第一输入端(例如正输入端)接收第二参考电压VREF2 (例如2伏特)，第二比较器320的第二端(例如负输入端)耦接第一比较器310的第二输入端，第二比较器320的输出端产生侦测信号。
[0053]当电压VD大于第一参考电压VREFl (例如18伏特)时，第一比较器310会产生例如高逻辑电位的侦测信号，而第二比较器320例如产生低逻辑电位的侦测信号，此时侦测信号例如以“10”表示。当电压VD小于第二参考电压VREF2 (例如2伏特)时，第一比较器310会产生例如低逻辑电位的侦测信号，而第二比较器320例如产生高逻辑电位的侦测信号，此时侦测信号例如以“01”表不。当电压VD大于第二参考电压VREF2且小于第一参考电压VREFl时，则第一比较器310与第二比较器320皆产生例如低逻辑电位的侦测信号，此时侦测信号例如以“00”表示。
[0054]控制单元140包括状态信号产生器330。状态信号产生器330耦接侦测单元130，用以接收并依据侦测信号，产生前述第一控制信号。在本实施例中，第一控制信号的数量会对应N-1个开关单元110_f 110_N-1的数量，而第一控制信号例如以温度计码(Thermometer Code)的方式产生。并且,状态信号产生器330所产生的第一控制信号会一对一输出至N-1个开关单元110_1?110_N-1。
[0055]为了方便说明，假设开关单元的数量为4个，例如开关单元110_广110_4，且第一控制信号亦为4个，且以CS4、CS3、CS2、CSl表示，其中第一控制信号CSl输出至开关单元110_1，第一控制信号CS2输出至开关单元110_2，第一控制信号CS3输出至开关单元110_3，第一控制信号CS4输出至开关单元110_4。
[0056]当状态信号产生器330第一次接收到侦测信号为“10”时，状态信号产生器330对应产生第一控制信号CS4、CS3、CS2、CS1的逻辑电位例如为“0001”，使得开关单元110_1断开(不导通)，则发光二极管串列180_2导通并发光。并且，状态信号产生器330例如以上数的方式累计侦测信号为“10”的次数。此时，状态信号产生器330累计的次数例如为“I”。
[0057]接着，当状态信号产生器330第二次接收到侦测信号为“10”时，状态信号产生器330对应产生第一控制信号CS4、CS3、CS2、CSl的逻辑电位例如为“0011”，使得开关单元110_1及110_2断开(不导通)，则发光二极管串列180_2及180_3导通并发光。此时，状态信号产生器330累计的次数例如为“2”。
[0058]之后，当状态信号产生器330第三次接收到侦测信号为“10”时，状态信号产生器330对应产生第一控制信号CS4、CS3、CS2、CSl的逻辑电位例如为“0111”，使得开关单元110_1?110_3断开(不导通)，则发光二极管串列180_2?180_4导通并发光。此时，状态信号产生器330累计的次数例如为“3”。
[0059]接着，当状态信号产生器330第四次接收到侦测信号为“10”时，状态信号产生器330对应产生第一控制信号CS4、CS3、CS2、CSl的逻辑电位例如为“ 1111”，使得开关单元110_1?110_4断开(不导通)，则发光二极管串列180_2?180_5导通并发光。此时，状态信号产生器330累计的次数例如为“4”。[0060]另一方面，若此时状态信号产生器330累计的次数例如为“4”，且当状态信号产生器330第一次接收到侦测信号为“01”时，状态信号产生器330对应产生第一控制信号CS4、CS3、CS2、CSl的逻辑电位例如为“0111”，使得开关单元110_4导通，则发光二极管串列180_5被短路而无法发光。并且，状态信号产生器330例如以下数的方式累计侦测信号为“01”的次数。此时，状态信号产生器330累计的次数例如为“3”。 [0061]接着，当状态信号产生器330第二次接收到侦测信号为“01”时，状态信号产生器330对应产生第一控制信号CS4、CS3、CS2、CSl的逻辑电位例如为“0011”，使得开关单元110_4及110_3导通，则发光二极管串列180_5及180_4被短路而无法发光。此时，状态信号产生器330累计的次数例如为“2”。
[0062]之后，当状态信号产生器330第三次接收到侦测信号为“01”时，状态信号产生器330对应产生第一控制信号CS4、CS3、CS2、CSl的逻辑电位例如为“0001”，使得开关单元110_4~110_2导通，则发光二极管串列180_5~180_3被短路而无法发光。此时，状态信号产生器330累计的次数例如为“I”。
[0063]接着，当状态信号产生器330第四次接收到侦测信号为“01”时，状态信号产生器330对应产生第一控制信号CS4、CS3、CS2、CSl的逻辑电位例如为“0000”，使得开关单元110_110_4皆导通，则发光二极管串列180_5~180_2被短路而无法发光。此时，状态信号产生器330累计的次数例如为“O”。如此一来，本实施例便可依据侦测信号的状态，以准确控制开关单元110_f 110_Ν-1的导通数量，使得发光二极管串列180_2~180_Ν可依序与发光二极管串列180_1串联发光，而无须较大的工作电压VAC即可运作而发光。
[0064]电流源120包括运算放大器350与晶体管M3。运算放大器350的第一输入端(例如正输入端)接收预设电压VF，运算放大器350的第二输入端(例如负输入端)透过电阻R2耦接接地端。晶体管M3的栅极端耦接运算放大器350的输出端，晶体管M3的漏极端产生电流源120的电压VD，晶体管M3的源极端耦接运算放大器350的第二输入端。
[0065]另外，前述实施例中，电流源120是以定电流源的方式实施，但本发明不限于此。在另一实施例中，电流源120可为可调式电流源。进一步来说，控制单元140的状态信号产生器330除了依据侦测信号而产生第一控制信号外，更可同时依据侦测信号产生第二控制信号，而控制单元140还包括选择单元360。
[0066]选择单兀360稱接状态信号产生器330与运算放大器350的第一输入端之间，用以接收第二控制信号与多个第三参考电压VREF3_1~VREF3_M，且依据第二控制信号而选择第三参考电压的一作为预设电压VF，而预设电压VF会输入至运算放大器350的第一输入端，其中M为大于I的正整数。如此一来，选择单元360可在增加或减少开关单元110_110_Ν-1的导通数量的同时，进而调整(例如增加或减少)流经电流源120的电流。其中，前述第三参考电压VREF3_1~VREF3_M的电压电位彼此不同。
[0067]请参考“图4”所示，其为本发明的另一发光二极管驱动装置的方块图。本实施例的发光二极管驱动装置400亦用以驱动N个发光二极管串列180_f 180_N，其中N为大于I的正整数。并且，第N个发光二极管串列180_N的阳极端接收工作电压VAC，而此工作电压VAC例如为交流电压经过桥式整流器整流后的电压。
[0068]发光二极管驱动装置400亦包括N-1个开关单元110_广110_N_1、电流源120、侦测单元130与控制单元140。本实施例与“图1”的实施例的差别在于，“图1”的实施例的第i个开关单元与第i+Ι个发光二极管串列并联耦接，而本实施例的第i个开关单元与第i个发光二极管串列并联耦接，其中0〈i ( N-10
[0069]举例来说，在本实施例中，第I个开关单元110_1与第I个发光二极管串列180_1并联耦接，第2个开关单元110_2与第2个发光二极管串列180_2并联耦接、…、第N-1个开关单元110_3与第N-1个发光二极管串列180_N-1并联耦接。并且，开关单元110_f 110_N-1的运作，可参考“图1”的实施例的相关说明。而电流源120、侦测单元130与控制单元140的耦接关系与其相关操作，亦可参考“图1”的实施例的相关说明，故在此不再赘述。 [0070]请参考“图5”所示，其为本发明的为工作电压VAC、第一参考电压VREF1、第二参考电压VREF2、电压VD及流经电流源120的电流的波形图。在“图5”中，曲线S12表示发光二极管串列180_N运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_f 110_N-1皆导通);曲线S2_2表示发光二极管串列180_N与180_N-1运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_N-1不导通，开关单元110_f 110_N-2导通)；曲线S3_2表示发光二极管串列180_N、180_N-1与180_N-2运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_Ν-1、110_Ν-2不导通，开关单元110_1~110_N-3导通)。
[0071]曲线S4_2表示发光二极管串列180_N~180_N-3运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_N-1~110_N-3不导通，开关单元110_1~110_N-4导通)；曲线SN_3_2表示发光二极管串列180_N~180_4运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_1~110_4不导通，开关单元110_3~110_1导通);曲线SN_2_2表示发光二极管串列180_旷180_3运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_N-1~110_3不导通，开关单元110_2~110_1导通)。
[0072]曲线SN_1_2表示发光二极管串列180_N~180_2运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_N-f 110_2不导通，开关单元110_1导通)；曲线SN_2表示发光二极管串列180_f 180_N运作而发光时，流经电流源120的电流(即开关单元110_f 180_N_1皆不导通)。
[0073]并且，控制单元140以上述方式为例依序增加或减少断开的开关单元的数量，但本发明不限于此，亦可以其他顺序增加或减少断开开关单元的数量。而增加、减少或维持断开的开关单元的数量的说明可参考第“图2”的实施例的相关操作，故在此不再赘述。
[0074]请参考“图6”所示，其为本发明的另一发光二极管驱动装置的电路示意图。本实施例的发光二极管驱动装置400所包括的内部电路元件与其耦接关系，可如“图6”所示。并且，本实施例与“图3”的实施例的差异在于，“图3”的实施例的开关单元110_f 110_N-1，以一对一的方式与发光二极管串列180_2~180_N并联耦接，而本实施例开关单元110_f 110_N-1以一对一的方式与发光二极管串列180_l"l80_N-l并联I禹接。并且，本实施例的发光二极管驱动装置400的运作方式可参考“图3”的实施例的相关说明，故在此不再赘述。
[0075]本发明的实施例所揭露的发光二极管驱动装置，通过于发光二极管串列并联一个开关单元，并且控制单元依据侦测单元所产生的侦测信号以控制每一开关单元导通与否。借此，可有提高发光二极管串列的控制效能，以减少电路的使用成本及功率消耗，使得发光二极管驱动装置具有高效能及高功率因数。
【权利要求】
1.一种发光二极管驱动装置，其特征在于，用以驱动N个发光二极管串列，该N个发光二极管串列串联耦接，N为大于I的正整数，该发光二极管驱动装置包括: N-1个开关单元，第i个开关单元与第i+Ι个发光二极管串列并联耦接或是第i个开关单元与第i个发光二极管串列并联耦接，其中0〈i ( N-1 ； 一电流源，其第一端耦接第I个发光二极管串列的阴极端，并提供一驱动电流以驱动该N个发光二极管串列； 一侦测单元，耦接该电流源，用以接收并依据该电流源的一电压、一第一参考电压与一第二参考电压，以产生一侦测信号；以及 一控制单元，耦接该N-1个开关单元与该侦测单元，用以接收并依据该侦测信号而产生多个第一控制信号，以动态调整该N-1个开关单元的导通数量。
2.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其特征在于，当该侦测信号为该电流源的该电压大于该第一参考电压时，该控制单元减少该N-1个开关单元的导通数量。
3.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其特征在于，当该侦测信号为该电流源的该电压小于该第二参考电压时，该控制单元增加该N-1个开关单元的导通数量。
4.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其特征在于，当该侦测信号为该电流源的该电压大于该第二参考电压且小于该第一参考电压时，该控制单元维持该N-1个开关单元的导通数量。
5.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其特征在于，该侦测单元包括: 一第一比较器，其第一输入端接收该第一参考电压，其第二输入端接收该电流源的该电压，其输出端产生该侦测信号；以及 一第二比较器，其第一输入端接收该第二参考电压，其第二输入端稱接该第一比较器的第二输入端，其输出端产生该侦测信号。
6.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其特征在于，该控制单元包括: 一状态信号产生器，耦接该侦测单元，用以接收并依据该侦测信号，产生该些第一控制信号，且该些第一控制信号一对一输出至该N-1个开关单元。
7.如权利要求6所述的发光二极管驱动装置，其特征在于，该电流源包括: 一运算放大器，其第一输入端接收一预设电压，其第二输入端透过一电阻耦接接地端；以及 一第二晶体管，其栅极端耦接该运算放大器的输出端，其漏极端产生该电流源的该电压，其源极端耦接该运算放大器的第二输入端。
8.如权利要求7所述的发光二极管驱动装置，其特征在于，该状态信号产生器更依据该侦测信号而产生一第二控制信号，且控制单元更包括: 一选择单元，耦接该状态信号产生器与该运算放大器的第一输入端之间，用以接收该第二控制信号与多个第三参考电压，且依据该第二控制信号而选择该些第三参考电压的一作为该预设电压。
9.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其特征在于，该N个发光二极管串列包括多个串联耦接的发光二极管。
【文档编号】H05B37/02GK103582230SQ201210295480
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年8月17日 优先权日:2012年8月10日
【发明者】郑锦钟, 李彦村, 甘瑞铭 申请人:聚积科技股份有限公司