一种高沸点单晶硅片表面制绒添加剂及其使用方法

文档序号:8153838阅读:445来源:国知局
专利名称:一种高沸点单晶硅片表面制绒添加剂及其使用方法
技术领域
本发明涉及一种高沸点单晶硅片表面制绒添加剂及其使用方法,属于太阳能电池生产技术领域。
背景技术
在晶硅太阳能电池片制备过程中,为了提高太阳能电池片的性能和效率,需要在硅片表面制作绒面,形成金字塔结构,使入射光的光程增加,增加了光的吸收,降低反射率,从而提高太阳能电池的转换效率。目前,工业化单晶硅电池片的生产中主要使用湿法腐蚀,在腐蚀液里面添加氢氧化钠和异丙醇,其工艺存在以下问题①反应过程不好控制,很容易造成腐蚀过度,从而导致硅片的碎片率增加;②反应过程中随着硅酸钠的增加,制绒效果不稳定,成品率难以控制;③制绒工艺温度接近异丙醇沸点,随着反应的进行,会造成异丙醇的大量挥发,一方面由于异丙醇易燃且有毒,空气中异丙醇含量过高会产生安全隐患,同时 也会对操作人员身体健康带来隐患;另一方面随着制绒液中异丙醇的减少,就需要分批次补加,大幅度增加了生产成本,同时由于补加的量很难控制,从而影响制绒效果制绒液中加入的异丙醇量过多,就会使废水的COD明显偏高,从而加重了对环境的污染,加大了废水的处理成本。

发明内容
为解决现有技术中的上述不足,本发明提供了一种高沸点单晶硅片表面制绒添加齐U,在应用于单晶硅片制绒时,不需要使用传统工艺中的异丙醇或乙醇,可以获得优异的制绒效果,同时,添加剂沸点远高于制绒温度,生产过程中无挥发,后续添加量很小,能够大幅度降低生产成本,免除了使用异丙醇或者乙醇带来的环境污染以及对员工的危害;其组分中的海藻酸钠为高粘度物质,对金属有螯合作用,对硅片有清洁作用,且成本低廉,工艺简单,有较大的实际利用价值。为实现上述目的,本发明是通过以下技术方案实现的
一种高沸点单晶硅片表面制绒添加剂,包括以下原料组分
海藻酸钠、磷酸三钠、十二烷基硫酸钠、维生素C、碳酸丙烯酯和去离子水。所述的高沸点单晶硅片表面制绒添加剂,按质量百分比计,包括以下原料组分
海藻酸钠O. 01%-3%
磷酸三钠O. 01%-3%
十二烷基硫酸钠 O. 001%-1%
维生素CO. 1%-2%
碳酸丙烯酯O. 1%-5%
和余量的去尚子水。一种高沸点单晶硅片表面制绒添加剂使用方法,为选取适量的添加剂,在添加剂中加入适量的碱性溶液,混合反应后,制成制绒液。
所述的碱性溶液为浓度1%_10%的氢氧化钠溶液。所述的添加剂与碱性溶液的体积百分比为O. 1-5:100。所述的制绒液的温度为70°C -90°C。单晶硅在制绒液中的反应时间为600s_1500s。应用于大规模工业生产时,每批制绒后,可以根据绒面金字塔的情况,适量补加或不补加添加剂。应用于大规模工业生产时,每批制绒后,可以根据绒面金字塔的情况,适量补加或不补加氢氧化钠溶液。本发明的有益效果如下
I、本发明的单晶硅无醇制绒添加剂,利用海藻酸钠的高粘度来控制反应速度,得到大小均匀金字塔绒面。2、本发明添加剂的组分海藻酸钠对金属有螯合作用,对硅片有清洁作用,且成本低廉。3、本发明的单晶硅无醇制绒添加剂使用方法,应用于单晶硅片制绒时,无需使用传统工艺中的异丙醇或乙醇,大幅度降低生产成本的同时,免除使用异丙醇或者乙醇带来的环境污染以及对员工的危害,有较大的实际利用价值。


图I为实施例I中制得的单晶硅绒面的扫描电子显微镜图像;
图2为实施例I中制得到单晶硅绒面的反射率曲线。
具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明作进一步说明,但本发明的保护范围并不限于此。实施例I
配制无醇单晶制绒添加剂,将IOg海藻酸钠,18g磷酸三钠,2g十二烷基硫酸钠,I. 5g维生素C,25g碳酸丙烯酯溶解到IL去离子水中,得到无醇单晶制绒添加剂。将2000g氢氧化钠,IL无醇单晶制绒添加剂加入到100L去离子水中,得到制绒液。将制绒液升温到85°C,然后将太阳能电池用单晶硅片浸入制绒液中制绒,制绒时间为800s,所得的硅片经扫描电镜检测金字塔绒面大小为2-3 μ m,且大小均匀。实施例2
配制无醇单晶制绒添加剂,将15g海藻酸钠,27g磷酸三钠,3g十二烷基硫酸钠,2. 25g维生素C,37. 5g碳酸丙烯酯溶解到I. 5L去离子水中,得到无醇单晶制绒添加剂。将3000g氢氧化钠,I. 5L无醇单晶制绒添加剂加入到100L去离子水中,得到制绒液。将制绒液升温到75°C,然后将太阳能电池用单晶硅片浸入制绒液中制绒,制绒时间为1000s,所得的硅片经扫描电镜检测金字塔绒面大小为2-3 μ m,且大小均匀。实施例3
配制无醇单晶制绒添加剂,将20g海藻酸钠,36g磷酸三钠,4g十二烷基硫酸钠,3g维生素C,50g碳酸丙烯酯溶解到2L去离子水中,得到无醇单晶制绒添加剂。将4000g氢氧化钠,2L无醇单晶制绒添加剂加入到100L去离子水中,得到制绒液。将制绒液升温到70°C,然后将太阳能电池用单晶硅片浸入制绒液中制绒,制绒时间为800s,所得的硅片经扫描电镜检测金字塔绒面大小为2-3 μ m,且大小均匀。实施例4
配制无醇单晶制绒添加剂,将45g海藻酸钠,45g磷酸三钠,15g十二烧基硫酸钠,30g维生素C,75g碳酸丙烯酯溶解到I. 29L去离子水中,得到无醇单晶制绒添加剂。将2580g氢氧化钠,I. 29L无醇单晶制绒添加剂加入到100L去离子水中,得到制绒液。将制绒液升温到83°C,然后将太阳能电池用单晶硅片浸入制绒液中制绒,制绒时间为1200s,所得的硅片经扫描电镜检测金字塔绒面大小为2-3 μ m,且大小均匀。实施例5
配制无醇单晶制绒添加剂,将6g海藻酸钠,5. 4g磷酸三钠,0. 6g十二烧基硫酸钠,6g维 生素C,12g碳酸丙烯酯溶解到I. 17L去离子水中,得到无醇单晶制绒添加剂。将2340g氢氧化钠,I. 17L无醇单晶制绒添加剂加入到100L去离子水中,得到制绒液。将制绒液升温到72°C,然后将太阳能电池用单晶硅片浸入制绒液中制绒,制绒时间为830s,所得的硅片经扫描电镜检测金字塔绒面大小为2-3 μ m,且大小均匀。实施例6
配制无醇单晶制绒添加剂,将O. 02g海藻酸钠,O. 02g磷酸三钠,O. 005g十二烷基硫酸钠,2g维生素C,O. 02g碳酸丙烯酯溶解到O. IL去离子水中,得到无醇单晶制绒添加剂。将2041. 3g氢氧化钠,O. IL无醇单晶制绒添加剂加入到100L去离子水中,得到制绒液。将制绒液升温到90°C,然后将太阳能电池用单晶硅片浸入制绒液中制绒,制绒时间为600s,所得的硅片经扫描电镜检测金字塔绒面大小为2-3 μ m,且大小均匀。实施例7
配制无醇单晶制绒添加剂,将45g海藻酸钠,45g磷酸三钠,15g十二烧基硫酸钠,30g维生素C,75g碳酸丙烯酯溶解到I. 29L去离子水中,得到无醇单晶制绒添加剂。将258g氢氧化钠,I. 29L无醇单晶制绒添加剂加入到100L去离子水中,得到制绒液。将制绒液升温到90°C,然后将太阳能电池用单晶硅片浸入制绒液中制绒,制绒时间为1500s,所得的硅片经扫描电镜检测金字塔绒面大小为2-3 μ m,且大小均匀。性能测试
将上述实施例1-7中制得的单晶硅片进行反射率和腐蚀厚度测试,测试方法如下
反射率在型号为Raditech D8的标准8度绒面积分式反射率量测仪上测试;
制绒前先用天平称一下硅片,制绒后再称一下硅片,得到减重量,然后用减重量除以原重量,乘以原厚度,得到腐蚀厚度;
测试结果见下表
权利要求
1.一种高沸点单晶硅片表面制绒添加剂,其特征在于包括以下原料组分 海藻酸钠、磷酸三钠、十二烷基硫酸钠、维生素C、碳酸丙烯酯和去离子水。
2.如权利要求1所述的高沸点单晶硅片表面制绒添加剂,其特征在于按质量百分比计,包括以下原料组分 海藻酸钠O. 01%-3% 磷酸三钠O. 01%-3% 十二烷基硫酸钠 O. 001%-1% 维生素CO. 1%-2% 碳酸丙烯酯O. 1%-5% 和余量的去尚子水。
3.一种高沸点单晶硅片表面制绒添加剂使用方法,其特征在于选取适量的添加剂,在添加剂中加入适量的碱性溶液,混合反应后,制成制绒液。
4.如权利要求3所述的高沸点单晶硅片表面制绒添加剂使用方法,其特征在于所述的碱性溶液为浓度1%-10%的氢氧化钠溶液。
5.如权利要求3所述的高沸点单晶硅片表面制绒添加剂使用方法,其特征在于所述的添加剂与碱性溶液的体积百分比为O. 1-5:100。
6.如权利要求3所述的高沸点单晶硅片表面制绒添加剂使用方法,其特征在于所述的制绒液的温度为70°C -90°C。
7.如权利要求6所述的高沸点单晶硅片表面制绒添加剂使用方法,其特征在于单晶硅在制绒液中的反应时间为600s-1500s。
8.如权利要求3-7任一权利要求所述的高沸点单晶硅片表面制绒添加剂使用方法,其特征在于应用于大规模工业生产时,每批制绒后,可以根据绒面金字塔的情况,适量补加或不补加添加剂。
9.如权利要求3-7任一权利要求所述的高沸点单晶硅片表面制绒添加剂使用方法,其特征在于应用于大规模工业生产时,每批制绒后,可以根据绒面金字塔的情况,适量补加或不补加氢氧化钠溶液。
全文摘要
本发明涉及一种高沸点单晶硅片表面制绒添加剂及其实用方法,属于太阳能电池生产技术领域,按重量百分比计,其原料组分为0.01%-3%海藻酸纳、0.01%-3%磷酸三钠、0.001%-1%十二烷基硫酸钠、0.1%-2%维生素、0.1%-5%碳酸丙烯酯和余量的去离子水,添加剂在使用时需要加入氧化钠溶液制成制绒液,添加剂与氢氧化钠溶液的体积百分比为0.1-5:100,制绒液的温度为70℃-90℃,单晶硅的制绒时间为600s-1500s。本发明利用海藻酸钠的高粘度来控制反应速度,同时增大氢氧化钠浓度,得到大小均匀金字塔绒面,且海藻酸钠对金属有螯合作用,对硅片有清洁作用,且成本低廉。
文档编号C30B33/10GK102888656SQ20121036664
公开日2013年1月23日 申请日期2012年9月28日 优先权日2012年9月28日
发明者李一鸣, 张震华, 冯幼强 申请人:绍兴拓邦电子科技有限公司
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