布线电路基板的制作方法

专利名称：布线电路基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种布线电路基板，详细地说，涉及一种带电路的悬挂基板、挠性布线电路基板等布线电路基板。
背景技术：
以往，为了降低导体图案的信号线的传输损失，例如，提出一种布线电路基板，其包括:绝缘层；导体层，其被该绝缘层覆盖；接地层，其与导体层隔开间隔地配置(例如，参照日本特开2008 — 91634号公报的图8和图10。)。在日本特开2008 - 91634号公报的布线电路基板中，绝缘层包括第2绝缘层与形成于第2绝缘层之上的第3绝缘层，并且，接地层包括:下部接地层，其形成于第2绝缘层之下；侧部接地层，其与下部接地层相接触；上部接地层，其与侧部接地层连续且形成于第3绝缘层之上。在日本特开2008 - 91634号公报的布线电路基板中，第I开口部和第2开口部以相互连通的方式以相同形状分别形成于第2绝缘层和第3绝缘层，在第I开口部和第2开口部充填有侧部接地层。但是，由于日本特开2008 - 91634号公报中的第I开口部和第2开口部形成为沿厚度方向平齐，因而，侧部接地层与第I开口部之间、侧部接地层与第2开口部之间的接触面积较小。因此，侧部接地层与第2绝缘层、第3绝缘层之间的密合性较低，从而有时不能够充分地提高接地层的可靠性。

发明内容
本发明的目的在于提供一种能够提高接地层与第I绝缘层或接地层与第2绝缘层的密合性的布线电路基板。本发明提供一种布线电路基板，其特征在于，该布线电路基板包括金属支承层、形成于上述金属支承层之上的第I绝缘层、形成于上述第I绝缘层之上的导体层、以覆盖上述导体层的方式形成于上述第I绝缘层之上的第2绝缘层、形成于上述第2绝缘层之上的接地层，在上述第I绝缘层中形成有沿厚度方向贯通上述第I绝缘层的第I开口部，在上述第2绝缘层中形成有沿上述厚度方向贯通上述第2绝缘层且与上述第I开口部相对应的第2开口部，在沿厚度方向进行投影时，上述第I开口部在上述第2开口部范围内，上述接地层以与上述金属支承层的上表面接触的方式经由上述第2开口部充填到上述第I开口部内，或者，在沿厚度方向进行投影时，上述第I开口部包含上述第2开口部，上述第2绝缘层充填到上述第I开口部的周端部，上述接地层以与上述金属支承层的上表面接触的方式充填到上述第2开口部内。另外，在本发明的布线电路基板中，优选上述第I绝缘层的上述第I开口部的周侧面以相对于厚度方向倾斜的方式形成，和/或，上述第2绝缘层的上述第2开口部的周侧面以相对于厚度方向倾斜的方式形成。
另外，在本发明的布线电路基板中，优选上述第I绝缘层和/或上述第2绝缘层由感光性树脂形成。另外，在本发明的布线电路基板中，优选通过隔着光掩模对上述感光性树脂曝光，从而形成上述第I绝缘层和/或上述第2绝缘层。在本发明的布线电路基板中。在沿厚度方向进行投影时，第I开口部在第2开口部的范围内，在第2开口部内形成有第I绝缘层的台阶部。因此，当接地层以与金属支承层的上表面接触的方式经由第2开口部充填到第I开口部内时，接地层能够与第I绝缘层的台阶部相接触并紧密接合，因而，能够提高接地层与第I开口部和第2开口部中的第I绝缘层的密合性。或者，由于在沿厚度方向进行投影时，第I开口部包含第2开口部，第2绝缘层充填到第I开口部的周端部，因而，第I开口部内形成有第2绝缘层的台阶部。因此，当接地层以与金属支承层的上表面接触的方式充填到第2开口部内时，接地层能够与第2绝缘层的台阶部相接触并紧密接合，因而，能够提高接地层与第I开口部和第2开口部中的第2绝缘层的密合性。其结果，通过提高接地层与第I绝缘层或第2绝缘层的密合性，能够提高接地连接的可靠性。


图1是作为本发明的布线电路基板的一实施方式的带电路的悬挂基板的立体图。图2是图1所示的带电路的悬挂基板的后端部的放大俯视图。图3是沿图2的A — A弯曲的单点划线剖切而成的放大剖视图。图4是图2的B — B放大剖视图。图5是图2的C — C放大剖视图。图6是图2的D — D放大剖视图。图7是用于说明图3所示的带电路的悬挂基的制造方法的工序图，其中，图7的(a)表示准备金属支承层的工序，图7的(b)表示形成第I基底覆膜的工序，图7的(C)表示形成第I基底绝缘层的工序，图7的(d)表示形成导体层的工序。图8是用于接着图7继续说明图3所示的带电路的悬挂基板的制造方法的工序图，其中，图8的(e)表不形成第2基底覆I旲的工序，图8的(f)表示形成第2基底绝缘层的工序，图8的(g)表示形成接地层的工序，图8的(h)表示形成覆盖绝缘层的工序。图9是作为本发明的布线电路基板的另一实施方式的带电路的悬挂基板的支承侧接地端子(使支承侧接地端子暴露出的形态)的放大剖视图。图10是作为本发明的布线电路基板的又一实施方式的带电路的悬挂基板的支承侧接地端子(第I接地开口部包含第2接地开口部的形态)的放大剖视图。
图11是比较例I的带电路的悬挂基板的支承侧接地端子(第2接地开口部和第I接地开口部形成为相同直径的形态)的放大剖视图。图12是比较例I的带电路的悬挂基板的支承侧接地端子(第2接地开口部和第I接地开口部形成为相同直径且第2接地开口部和第I接地开口部错位的形态)，其中，图12的(a)是剖视图，图12的(b)是放大俯视图。
具体实施例方式图1表示作为本发明的布线电路基板的一实施方式的带电路的悬挂基板的立体图，图2表示图1所示的带电路的悬挂基板的后端部的放大俯视图，图3表示沿图2的A —A弯曲的单点划线剖切而成的放大剖视图，图4表示图2的B — B放大剖视图，图5表示图2的C 一 C放大剖视图，图6表示图2的D — D放大剖视图。图7是用于说明图3所示的带电路的悬挂基板的制造方法的工序图，其中，图7的(a)表示准备金属支承层的工序，图7的(b)表示形成第I基底覆膜的工序，图7的(c)表示形成第I基底绝缘层的工序，图7的Cd)表示形成导体层的工序。图8是用于接着图7继续说明图3所示的带电路的悬挂基板的制造方法的工序图，其中，图8的(e)表示形成第2基底覆膜的工序，图8的(f)表示形成第2基底绝缘层的工序，图8的(g)表示形成接地层的工序，图8的(h)表示形成覆盖绝缘层的工序。另外，在图2中，为了清楚地表示后述的导体层4和接地层6的相对配置关系，省略了覆盖绝缘层7。在图1中，带电路的悬挂基板I安装有磁头(未图示)，并且，该带电路的悬挂基板I与读写基板(未图示)相连接且搭载在硬盘驱动器(未图示)中，该读写基板用于向磁头发送写入信号和从磁头接收读出信号。该带电路的悬挂基板I由金属支承层2、导体层4和接地层6 —体地形成，该金属支承层2沿长度方向(前后方向)延伸，该导体层4和接地层6由金属支承层2支承。金属支承层2由平板状的金属箔、金属薄板构成，在金属支承层2的前端部(长度方向的一端部)形成有用于安装磁头的悬架26。导体层4将磁头与读写基板电连接。导体层4和接地层6设置为成对的信号线、接地布线(布线对30)。在带电路的悬挂基板I中设有两组布线对30。即，在后述的布线形成部10 (参照图2)中，布线对30分别设于带电路的悬挂基板I的左右方向(与长度方向正交的方向、宽度方向)两侧。在右侧的布线对(一侧布线对)30A和左侧的布线对(另一侧布线对)30B中，导体层4包括:磁头侧信号端子13，其用于与磁头的端子相连接；外部侧信号端子9，其用于与读写基板的端子(未图示)相连接；信号线8，其用于与磁头侧信号端子13和外部侧信号端子9相连接，磁头侧信号端子13、外部侧信号端子9和信号线8形成为一体。另外，在右侧的布线对30A和左侧的布线对30B中，接地层6包括:磁头侧接地端子52，其用于与磁头的端子相连接；支承侧接地端子59，其用于与金属支承层2相连接；接地布线58，其用于将磁头侧接地端子52和支承侧接地端子59连接起来，磁头侧接地端子52、支承侧接地端子59和接地布线58形成为一体。
另外，如图4所示，带电路的悬挂基板I包括:金属支承层2 ;第I基底绝缘层3，其作为绝缘层，形成于金属支承层2之上；导体层4，其形成于第I基底绝缘层3之上；第2基底绝缘层5，其作为第2绝缘层，以覆盖导体层4的方式形成于第I基底绝缘层3之上；接地层6，其形成于第2基底绝缘层5之上。另外，带电路的悬挂基板I具有覆盖绝缘层7，该覆盖绝缘层7以覆盖接地层6的方式形成于第2基底绝缘层5之上。接下来，参照图2 图6来详细说明带电路的悬挂基板I的后端部。另外，在以后的说明中，仅例示右侧的布线对30A和左侧的布线对30B之中的右侧的布线对30A来进行说明，左侧的布线对30B的说明与右侧的布线对30A的说明相同，省略左侧的布线对30B的说明。在图2中，在带电路的悬挂基板I的后端部一体地设置有布线形成部10、端子形成部12及与它们连续地形成于布线形成部10和端子形成部12之间的中间部11。如图4所示，在布线形成部10中，在金属支承层2之上形成有第I基底绝缘层3。第I基底绝缘层3以与信号线8相对应的方式层叠在金属支承层2的上表面上。在第I基底绝缘层3之上形成有信号线8。如图1所示，信号线8形成为朝向带电路的悬挂基板I的前端部以直线状延伸。如图4所示，在第I基底绝缘层3之上以覆盖信号线8的方式层叠有第2基底绝缘层5。接地布线58以在沿厚度方向(上下方向)进行投影时与信号线8相重叠的方式形成于第2基底绝缘层5之上。第2基底绝缘层5之上以覆盖接地布线58的方式层叠有绝缘层7。布线形成部10形成为与右侧的布线对30A、即，与信号线8和接地布线58在厚度方向上重叠的部分相对应的区域。如图2所示，中间部11形成为用于将布线形成部10与接下来要说明的端子形成部12连结起来的中间区域。如图5所示，在中间部11中，在金属支承层2之上形成有第I基底绝缘层3。第I基底绝缘层3层叠在金属支承层2的上表面上。中间部11的第I基底绝缘层3形成为与布线形成部10的第I基底绝缘层3 (参照图4)连续。在第I基底绝缘层3之上形成有信号线8。如图1所示，在中间部11中，信号线8形成为中途向左侧弯曲的俯视大致L字形状。如图5所示，在第I基底绝缘层3之上层叠有覆盖信号线8的第2基底绝缘层5。第2基底绝缘层5以与信号线8和接地布线58相对应的方式设置，更具体地说，第2基底绝缘层5以俯视大致L字形状(参照图2)形成于信号线8的上表面和侧面、信号线8的周围的第I基底绝缘层3的上表面上。在中间部11中，在第2基底绝缘层5之上形成有接地布线58。如图2所示，在中间部11中，接地布线58形成为中途向左侧弯曲的俯视大致L字形状。即，如图4所示，在中间部11的接地布线58中的、与布线形成部10的接地布线58呈直线状连续的弯曲前的部分配置为在俯视时(沿上下方向投影时)与中间部11的信号线
8重叠。
另一方面，如图5所示，在中间部11的接地布线58中的、与端子形成部12的接地布线58呈直线状连续的弯曲后的部分配置为在俯视时位于中间部11的信号线8的后侧。S卩，如图2所示，在中间部11中，由于信号线8在比接地布线58靠前侧的位置向宽度方向外侧弯曲，因此，接地布线58配置为，弯曲前的部分到中途为止与信号线8的弯曲前的部分全部重叠，之后的弯曲前的部分和弯曲后的部分与信号线8不重叠。S卩，如图5所示，在沿厚度方向进行投影时，接地布线58的弯曲后的部分与信号线8的弯曲后的部分并列且隔开间隔地配置在信号线8的弯曲后的部分的后侧。另外，接地布线58形成于与布线形成部10的形成有接地布线58的绝缘层(参照图4)是同一绝缘层的绝缘层之上、即形成于第2基底绝缘层5之上。另外，接地布线58形成为与接下来说明的支承侧接地端子59相连续。在第2基底绝缘层5之上形成有覆盖接地布线58的覆盖绝缘层7。如图2所示，在端子形成部12上形成有外部侧信号端子9和支承侧接地端子59，将形成有外部侧信号端子9的区域设为信号端子形成区域74，将形成有支承侧接地端子59的区域设为接地端子形成区域75。如图6所示，在信号端子形成区域74中，在金属支承层2中形成有与外部侧信号端子9相对应的支承开口部73。支承开口部73沿金属支承层2的厚度方向贯通金属支承层2，如图2所示，支承开口部73形成为在左右方向上较长的俯视大致矩形状。另外，如图6所示，在信号端子形成区域74中，在支承开口部73周围的金属支承层2之上形成有第I基底绝缘层3。在第I基底绝缘层3中形成有与支承开口部73相连通的第I基底开口部76。第I基底开口部76沿第I基底绝缘层3的厚度方向贯通第I基底绝缘层3，其形成为在俯视时与支承开口部73的形状相同。如图6所示，在第I基底开口部76的前后方向两侧的第I基底绝缘层3之上形成有外部侧信号端子9，如图2所示，外部侧信号端子9形成为沿前后方向横跨第I基底开口部76。外部侧信号端子9形成为宽度宽于信号线8的宽度的方形接线片。如图6所示，外部侧信号端子9的下表面从支承开口部73和第I基底开口部76
暴露出。在第I基底开口部76的周围的第I基底绝缘层3之上，以覆盖外部侧信号端子9的前后方向两端的方式形成有第2基底绝缘层5。在第2基底绝缘层5中形成有与第I基底开口部76相连通的第2基底开口部83。第2基底开口部83沿第2基底绝缘层5的厚度方向贯通第2基底绝缘层5，如图2所示，第2基底开口部83形成为在俯视时与第I基底开口部76的形状相同。另外，在第2基底绝缘层5之上形成有覆盖绝缘层7。在覆盖绝缘层7中形成有覆盖开口部77。覆盖开口部77沿覆盖绝缘层7的厚度方向贯通覆盖绝缘层7，如图2所示，覆盖开口部77形成为在俯视时与第2基底开口部83的形状相同。如图6所示，在信号端子形成区域74中，外部侧信号端子9形成为其下表面从支承开口部73和第I基底开口部76暴露出，其上表面从第2基底开口部83和覆盖开口部77暴露出。如图2所示，接地端子形成区域75与信号端子形成区域74并排且隔开间隔地配置在信号端子形成区域74的后侧。在接地端子形成区域75中，如图3和图6所示，在金属支承层2之上形成有第I基底绝缘层3。在第I基底绝缘层3中形成有沿厚度方向贯通第I基底绝缘层3的第I开口部即第I接地开口部78 (参照图7的(C))。如图2的虚线所示，第I接地开口部78形成为俯视大致圆形状。另外，如图3和图6所示，第I基底绝缘层3的与第I接地开口部78相面对的部分(具体而言，第I接地开口部78的周围)形成为第I台阶部15。另外，第I基底绝缘层3的第I接地开口部78的第I周侧面79形成为相对于厚度方向倾斜的倾斜面。具体而言，第I周侧面79以随着向下方去而第I接地开口部78的水平截面面积逐渐变小的(即、缩径)锥状倾斜。在第I基底绝缘层3之上形成有第2基底绝缘层5。在第2基底绝缘层5中形成有沿第2基底绝缘层5的厚度方向贯通第2基底绝缘层5且与第I接地开口部78相对应的第2开口部即第2接地开口部80。如图2的虚线所示，在沿厚度方向进行投影时，第2接地开口部80形成为包含第I接地开口部78。具体而言，第2接地开口部80形成为与第I接地开口部78具有共同中心的俯视大致圆形状。S卩，第2接地开口部80形成为在俯视时比第I接地开口部78大且与第I接地开口部78相似的形状。另外，如图3和图6所示，第2基底绝缘层5的与第2接地开口部80相面对的部分(具体而言，第2接地开口部80的周围)形成为第2台阶部16。因此，第I基底绝缘层3的第I台阶部15与第2基底绝缘层5的第2台阶部16形成为随着朝向径向内侧去而呈台阶状下降的两级台阶部。另外，第2基底绝缘层5的第2接地开口部80的第2周侧面81形成为相对于厚度方向倾斜的倾斜面。具体而言，第2周侧面81形成为以随着朝向下方去而第2接地开口部80的水平截面面积逐渐变小(即、缩径)的锥状倾斜。在第2接地开口部80周围的第2基底绝缘层5之上形成有支承侧接地端子59。在沿厚度方向进行投影时，支承侧接地端子59的外形形成为包含第I接地开口部78和第2接地开口部80的大致圆形状。并且，支承侧接地端子59的内部经由第2接地开口部80而充填到第I接地开口部78内。具体而言，支承侧接地端子59形成为:从第2基底绝缘层5的第2台阶部16朝向内侧地沿着第2基底绝缘层5的第2接地开口部80的第2周侧面81下陷，接着，在第2接地开口部80内，沿着第I基底绝缘层3的形成于第2接地开口部80的内侧的第I台阶部15的上表面延伸。接着，支承侧接地端子59沿着第I基底绝缘层3的第I接地开口部78的第I周侧面79下陷，之后，形成于第I台阶部15的内侧的金属支承层2 (从第I接地开口部78暴露出的金属支承层2)的上表面。由此，支承侧接地端子59与第I接地开口部78内的金属支承层2的上表面相接触。即，支承侧接地端子59与金属支承层2电连接。由此，接地层6接地(接地连接)。另外，在第2基底绝缘层5之上以覆盖支承侧接地端子59的方式形成有覆盖绝缘层7。另外，如图1所示，在带电路的悬挂基板I的前端部，右侧的布线对30A和左侧的布线对30B并列配置在悬架26的附近。S卩，右侧的布线对30A的磁头侧信号端子13和磁头侧接地端子52与左侧的布线对30B的磁头侧信号端子13和磁头侧接地端子52在宽度方向上并列配置且被设为与上述端子形成部12和中间部11的结构相同。另外，将带电路的悬挂基板I的中间部(前端部与后端部之间的部分、前后方向的中途部)设为与后端部的布线形成部10的结构相同。接下来，参照图7和图8来说明该带电路的悬挂基板I的制造方法。首先，在该方法中，如图7的(a)所示，准备金属支承层2。作为用于形成金属支承层2的金属材料，例如，能使用不锈钢、42合金等，优选使用不锈钢(例如，基于AISI(美国钢铁协会)标准、SUS304等)等。金属支承层2的厚度例如为10 μ m 30 μ m，优选为15 μ m 25 μ m0接着，在该方法中，如图7的(b)和图7的(C)所示，使第I基底绝缘层3以具有第I接地开口部78和第I周侧面79 (倾斜面)的方式形成于金属支承层2之上。作为用于形成第I基底绝缘层3的绝缘材料，例如，能使用聚酰亚胺树脂、聚醚腈(polyether nitrile)树脂、聚醚砜树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)树脂,聚氯乙烯树脂等树脂。在上述树脂之中，优选使用感光性树脂，更优选使用感光性聚酰亚胺树脂。为了形成第I基底绝缘层3，例如，如图7的(b)所示，首先，在金属支承层2的整个上表面上涂敷感光性树脂的溶液(清漆)并使其干燥，从而形成第I基底覆膜20。之后，隔着作为光掩模的第I灰度光掩模(日文:階調7才卜7 7 ) 14对第I基底覆膜20曝光。第I灰度光掩模14具有由第I遮光部分17、第I光半透过部分18和第I光全透过部分19构成的掩模图案。将第I光半透过部分18设定为光透过率随着从第I遮光部分17接近第I光全透过部分19而逐渐变大。并且，将第I灰度光掩模14配置在第I基底覆膜20的上侧。具体而言，使第I光全透过部分19与用于形成第I基底绝缘层3(参照图7的(C))的部分相面对，使第I光半透过部分18与用于形成第I周侧面79 (参照图7的(C))的部分相面对，使第I遮光部分17与不形成第I基底绝缘层3的部分(包括第I接地开口部78，参照图7的(C))相面对。之后，从上方隔着第I灰度光掩模14对第I基底覆膜20曝光。之后，利用显影液使与第I遮光部分17相面对的部分、即未曝光部分溶解，并且使与第I光半透过部分18相面对的部分、即曝光度被调整的半曝光部分部分溶解而显影，之后，根据需要来使其固化。由此，如图7的(d)所示，以具有第I接地开口部78和第I周侧面79的图案来形成第I基底绝缘层3。如此形成的第I基底绝缘层3的厚度例如为I μ m 25 μ m，优选为I μ m 10 μ m。
另外，第I接地开口部78的内径Dl例如为IOym 100 μ m，优选为15μπι 60 μ m0第I周侧面79与金属支承层2的上表面所成的角度(倾斜角度)α例如为0.35度 85度，优选为0.5度 45度。接着，在该方法中，如图7的(d)所示，使导体层4以上述图案形成于第I基底绝缘层3之上。作为形成导体层4的材料、例如，能使用铜、镍、金、焊锡或上述材料的合金等金属材料。在上述材料之中，优选使用铜。为了形成导体层4,例如，能使用加成法、减成法(subtractive method)等公知的图案形成法。优选使用加成法。在进行加成法时，首先，在金属支承层2和第I基底绝缘层3的整个上表面上形成未图示的第I金属薄膜(种膜(日文:種膜))。作为第I金属薄膜，能使用铜、铬、镍及铜、铬、镍的合金等金属材料。可利用溅射法、镀敷法等薄膜形成方法来形成第I金属薄膜。优选利用溅射法来形成第I金属薄膜。接着，在第I金属薄膜的表面上设置干膜抗蚀剂，通过对其进行曝光和显影来形成具有与导体层4相反图案的未图示的抗镀层。接着，在第I金属薄膜的从抗镀层暴露出来的表面上利用电解镀来形成导体层4，接着，利用蚀刻等去除抗镀层和第I金属薄膜的形成有抗镀层的部分。如此形成的导体层4的厚度例如为3 μ m 50 μ m,优选为5 μ m 15 μ m。另外，各信号线8 (参照图2)的宽度例如为ΙΟμπι 300μπι，优选为15μπι 150 μ m。另外，各磁头侧信号端子13和各外部侧信号端子9 (参照图2)的宽度例如为
10μ m 15000 μ m,优选为 30 μ m 1000 μ m。由此，如图1所示，导体层4形成为这样布线电路图案，该布线电路图案由信号线
8、外部侧信号端子9和磁头侧信号端子13 —体地形成。接着，在该方法中，如图8的(e)和图8的(f)所示，以具有第2接地开口部80和第2周侧面81的上述图案使第2基底绝缘层5形成于第I基底绝缘层3之上。作为用于形成第2基底绝缘层5的绝缘材料，使用与上述第I基底绝缘层3相同的绝缘材料。为了形成第2基底绝缘层5，例如，图8的(e)所示，在金属支承层2、第I基底绝缘层3和导体层4的整个上表面上涂敷感光性树脂的溶液(清漆)并使其干燥，从而形成第2基底覆膜21。之后，隔着作为光掩模的第2灰度光掩模22对第2基底覆膜21曝光。第2灰度光掩模22具有由第2遮光部分23、第2光半透过部分24和第2光全透过部分25构成的掩模图案。将第2光半透过部分24设定为随着从第2遮光部分23接近第2光全透过部分25而光透过率逐渐变大。并且，将第2灰度光掩模22配置在第2基底覆膜21的上侧。具体而言，使第2光全透过部分25与用于形成第2基底绝缘层5(参照图8的(f))的部分相面对，使第2光半透过部分24与用于形成第2周侧面79 (参照图8的(f))的部分相面对，使第2遮光部分23与不形成第2基底绝缘层5的部分(包括第2接地开口部80(参照图8的(f))和第2基底开口部83 (参照图2 ))相面对。之后，从上方隔着第2灰度光掩模22对第2基底覆膜21曝光。之后，利用显影液使与第2遮光部分23相面对的部分、即未曝光部分溶解，并且使与第2光半透过部分24相面对的部分、即曝光度被调整的半曝光部分部分溶解、显影，之后，根据需要来使其固化。由此，如图8的(f)所示，以具有第2接地开口部80、第2周侧面81和第2基底开口部83的图案来形成第2基底绝缘层5。如此形成的第2基底绝缘层5的厚度例如为I μπι 50 μπι，优选为1.5μπι 15 μ m0另外，与第I接地开口部78的内径Dl相比，第2接地开口部80的内径D2例如大于内径Dl，优选为内径Dl的110% 900%，具体而言，内径D2例如为20μπι 200μπι，优选为 35 μ m 100 μ m。另外，第2周侧面81与第I基底绝缘层3的上表面所成的角度(倾斜角度)β例如为0.35度 85度，优选为0.5度 45度。接着，在该方法中，如图8的(g)所示，以上述图案来形成接地层6。作为形成接地层6的材料，使用与上述导体层4相同的材料。为了形成接地层6，使用与上述相同的图案形成法，优选使用加成法。在进行加成法时，首先，在金属支承层2、第I基底绝缘层3和第2基底绝缘层5的整个上表面上形成未图示的第2金属薄膜(种膜)。作为第2金属薄膜，使用与上述相同的金属材料。使用与上述相同的薄膜形成方法来形成第2金属薄膜，优选使用溅射法。接着，在第2金属薄膜的表面上设置干膜抗蚀剂，通过对其进行曝光和显影来形成具有与接地层6相反图案的未图示的抗镀层。接着，在第2金属薄膜的从抗镀层暴露出来的表面上利用电解镀来形成接地层6，接着，利用蚀刻等去除抗镀层和第2金属薄膜的形成有抗镀层的部分。如此形成的接地层6的厚度例如为3 μ m 50 μ m,优选为5 μ m 15 μ m。另外，各接地布线58的宽度可以与信号线8的宽度相同，也可以不同，各接地布线58的宽度例如为 10 μ m 300 μ m,优选为 15 μ m 150 μ m。各支承侧接地端子59的外径例如为100 μ m 1000 μ m，优选为150 μπι 500 μπι。各磁头侧接地端子52 (参照图1)的宽度例如为ΙΟμπι 15000μπι，优选为30 μ m 1000 μ m。接着，在该方法中，如图8的(h)所示，以具有覆盖开口部77 (参照图2)的上述图案来形成覆盖绝缘层7。作为形成覆盖绝缘层7的绝缘材料，使用与上述第I基底绝缘层3相同的绝缘材料。为了形成覆盖绝缘层7，例如，在金属支承层2、第2基底绝缘层5和接地层6的整个上表面上涂敷感光性树脂的溶液(清漆)并使其干燥，从而形成覆盖覆膜(未图示)。之后，隔着光掩模对覆盖覆膜进行曝光和显影。之后，根据需要来使覆盖覆膜固化，从而使覆盖绝缘层7形成为具有覆盖开口部77的上述图案。
另外，覆盖绝缘层7的形成不限于上述方法，例如，也可以预先使树脂形成为形成有覆盖开口部77的薄膜，借助公知的粘接剂层将该薄膜粘接在金属支承层2、第2基底绝缘层5和接地层6的整个上表面上。如此形成的覆盖绝缘层7的厚度例如为2 μ m 10 μ m,优选为3 μ m 6 μ m。接着，在该方法中，如图6所示，使金属支承层2开口而形成支承开口部73，接着，使第I基底绝缘层3开口而形成第I基底开口部76。为了使金属支承层2开口，例如，能使用化学蚀刻等湿蚀刻。为了使第I基底绝缘层3开口，例如，能使用将金属支承层2用作掩模的等离子体蚀刻等干蚀刻等方法。由此，能够使外部侧信号端子9形成为飞线(flying lead)。另外，支承开口部73和第I基底开口部76的长度(长度方向的长度)例如为50 μ m 1500 μ m。之后，根据需要，在外部侧信号端子9的表面上形成未图示的金属镀层。金属镀层由金等金属材料构成，例如通过电解镀、非电解镀等镀敷形成金属镀层。金属镀层的厚度例如为0.2μηι 5μηι。另外,在磁头侧信号端子13和磁头侧接地端子52的表面上也同样形成有金属镀层。之后，通过对金属支承层2进行外形加工来形成图1所示的悬架26，能够得到带电路的悬挂基板I。并且，在该带电路的悬挂基板I中，如图3所示，在沿厚度方向进行投影时，第I接地开口部78在第2接地开口部80的范围内，在第2接地开口部80内形成有第I基底绝缘层3的第I台阶部15。因此，当支承侧接地端子59以与金属支承层2的上表面相接触的方式经由第2接地开口部80充填到第I接地开口部78内时，支承侧接地端子59能够与第I基底绝缘层3的第I台阶部15相接触且紧密接合，因而，能够提高支承侧接地端子59与第I接地开口部78和第2接地开口部80中的第I基底绝缘层3的密合性。其结果，通过提高支承侧接地端子59与第I基底绝缘层3的密合性，能够提高接地连接(接地)的可靠性。并且，第I基底绝缘层3的第I接地开口部78的第I周侧面79形成为相对于厚度方向倾斜的倾斜面，并且，第2基底绝缘层5的第2接地开口部80的第2周侧面81形成为相对于厚度方向倾斜的倾斜面。因此，与第I周侧面79和第2周侧面81形成为沿厚度方向延伸的垂直面的情况(参照图11)相比，能够使支承侧接地端子59与第I周侧面79、支承侧接地端子59与第2周侧面81之间的接触面积增大。其结果，能够进一步提高支承侧接地端子59与第I周侧面79、第2周侧面81之间的密合性。并且，在图3的实施方式中，由于支承侧接地端子59能够与由第I基底绝缘层3的第I台阶部15和第2基底绝缘层5的第2台阶部16构成的两级台阶部紧密接合，因此能够进一步提高支承侧接地端子59与第I基底绝缘层3、支承侧接地端子59与第2基底绝缘层5之间的密合性。
另外，在图7和图8的实施方式中，第I基底绝缘层3是通过隔着第I灰度光掩模14对第I基底覆膜20曝光而形成的，并且，第2基底绝缘层5是通过隔着第2灰度光掩模22对第2基底覆膜21曝光而形成的。并且，在如图11所示那样使第I接地开口部78和第2接地开口部80平齐时，SP，在以相同直径形成第I接地开口部78和第2接地开口部80时，第I遮光部分17 (参照图7的(b))的尺寸与第2遮光部分23 (参照图8的(e))的尺寸需要为相同尺寸。在这种情况下，若第2遮光部分23的位置相对于第I遮光部分17的位置略微偏移(错位)，则如图12所示，之后形成的第I接地开口部78在沿厚度方向进行投影时不会在第2接地开口部80的范围内，第I台阶部15和第2台阶部16会交叉。S卩，第2台阶部16会进入第I接地开口部78内，该进入部分92会与第I接地开口部78内的金属支承层2的上表面相接触。因此，上述错位会使支承侧接地端子59与金属支承层2的上表面接触的接触面积减少。其结果，有时不能够充分地提高接地连接的可靠性。然而，在图3的实施方式中，将第I遮光部分17的内径D I设定为小于第2遮光部分23的内径D2，以使在沿厚度方向进行投影时，第I接地开口部78在第2接地开口部80的范围内。因此，即使第2遮光部分23 (参照图8的(b))的位置相对于第I遮光部分17 (参照图7的(b))的位置发生了略微偏移(例如，10 μπι左右的错位)，之后形成的第I接地开口部78在沿厚度方向进行投影时也会在第2接地开口部80的范围内。因此，支承侧接地端子59与第I接地开口部78内的金属支承层2的上表面接触的接触面积不会因上述错位而减少。其结果，能够充分地提高接地连接的可靠性。图9是作为本发明的布线电路基板的另一实施方式的带电路的悬挂基板的支承侧接地端子(使支承侧接地端子暴露出的形态)的放大剖视图，图10是作为本发明的布线电路基板的又一实施方式的带电路的悬挂基板的支承侧接地端子(第I接地开口部包含第2接地开口部的形态)的放大剖视图。另外，对于与上述各部相对应的构件，在以后的各附图中，标注相同的附图标记并省略其详细的说明。在图3的实施方式中，在接地端子形成区域75设有覆盖绝缘层7，但是，并不限于此，例如，如图9所示，也可以不设置覆盖绝缘层7而使支承侧接地端子59暴露出。图9的实施方式能够起到与图1的实施方式同样的作用效果。另外，在图3的实施方式中，使第I接地开口部78形成为，在沿厚度方向进行投影时，第I接地开口部78在第2接地开口部80的范围内，但是，例如，如图10所示，也可以与上述相反，即，以在沿厚度方向进行投影时第2接地开口部80在第I接地开口部78的范围内的方式来形成第I基底绝缘层3和第2基底绝缘层5。在图10中，第2基底绝缘层5形成于第I基底绝缘层3的上表面，并且第2基底绝缘层5形成为:自第I基底绝缘层3的第I台阶部15沿着第I基底绝缘层3的第I周侧面79下陷，之后，突出到第I基底绝缘层3的第I接地开口部78内。具体而言，第2基底绝缘层5的突出部分93充填到第I接地开口部78的周端部。第2基底绝缘层5的突出部分93形成于金属支承层2的上表面上且形成为第2台阶部16。第2台阶部16与金属支承层2的上表面相接触。由此，接地层6接地(接地连接)。
接下来，说明图10所示的带电路的悬挂基板I的制造方法。首先，在该方法中，如图7的(a)所示，准备金属支承层2。接着，在该方法中，如图7的(b)和图7的(C)所示，使第I基底绝缘层3以具有第I接地开口部78和第I周侧面79的方式形成于金属支承层2之上。第I接地开口部78的内径Dl例如为20 μ m 200 μ m，优选为35 μ m 100 μ m。接着，在该方法中，如图7的(d)所示，使导体层4以上述图案形成于第I基底绝缘层3之上。接着，在该方法中，参照图8的(e)和图8的(f)，使第2基底绝缘层5以具有突出部分93、第2接地开口部80和第2周侧面81的上述图案形成于金属支承层2和第I基底绝缘层3之上。与第I接地开口部78的内径Dl相比，第2接地开口部80的内径D2例如小于内径D1，优选为内径Dl的10% 90%，具体而言，内径D2例如为10 μ m ΙΟΟμπι，优选为15 μ m 60 μ m0接着，在该方法中，参照图8的(g)，以上述图案形成接地层6。接着，在该方法中，参照图2，以上述图案形成覆盖绝缘层7。接着，在该方法中，如图6所示，使金属支承层2开口以形成支承开口部73，接着，使第I基底绝缘层3开口以形成第I基底开口部76。之后，根据需要，在外部侧信号端子9的表面上形成未图示的金属镀层，接着，对金属支承层2进行外形加工，如图1所示，通过形成悬架26，从而获得带电路的悬挂基板I。在图10的带电路的悬挂基板I中，在沿厚度方向进行投影时，由于第I接地开口部78包括第2接地开口部80且第2基底绝缘层5充填到第I接地开口部78的周端部，因而，在第I接地开口部78内形成有第2基底绝缘层5的第2台阶部16。因此，当支承侧接地端子59以与金属支承层2的上表面相接触的方式充填到第2接地开口部80内时，支承侧接地端子59能够与第2基底绝缘层5的第2台阶部16相接触并紧密接合，从而能够提高第I接地开口部78和第2接地开口部80内的第2基底绝缘层5与支承侧接地端子59之间的密合性。其结果，通过提高接地层6与第2基底绝缘层5的密合性，能够提高接地连接的可靠性。特别是，支承侧接地端子59没有形成于第I基底绝缘层3上，而是连续地形成于第2基底绝缘层5的上表面和侧面(包括第2周侧面79)上。即，支承侧接地端子59连续地形成于I个基底绝缘层的表面上。因此，与图3的形成于两个基底绝缘层(第I基底绝缘层3和第2基底绝缘层5)的表面上的支承侧接地端子59相比，图10的支承侧接地端子59不会从第I基底绝缘层3和第2基底绝缘层5之间的界面剥离，能够进一步提高支承侧接地端子59与第2基底绝缘层5的密合性。另外，在上述实施方式中，将以具有金属支承层2的带电路的悬挂基板为例说明了本发明的布线电路基板，但是，本发明的布线电路基板并不限于此，例如，虽然没有图示，但是，也可以使本发明的布线电路基板形成为具有作为增强层的金属支承层2的挠性布线电路基板。
实施例下面，示出实施例和比较例，并进一步具体地说明本发明，但是，本发明不限于这些实施例和比较例。实施例1第I接地开口部在第2接地开口部的范围内的形态:图3首先，准备由厚度25μπι的不锈钢(SUS304)箔构成的金属支承层(参照图7的(a))，接着，在金属支承层的整个上表面上涂敷感光性聚酰胺酸树脂的清漆并使其干燥，从而形成了第I基底覆膜(参照图7的(b))。接着，将具有上述掩模图案的第I灰度光掩模配置在第I基底覆膜的上侧，之后，隔着第I灰度光掩模对第I基底覆膜曝光，接着，对第I基底覆膜进行显影并对其进行了加热固化。由此，形成了由厚度5μπι的聚酰亚胺构成的第I基底绝缘层(参照图7的(C))。另外，在第I基底绝缘层中形成了内径(Dl) 60 μ m的俯视圆形状的第I接地开口部与倾斜角度(α) 1.15的第I周侧面(倾斜面)。接着，利用加成法使导体层形成于基底绝缘层之上。具体而言，在进行加成法时，通过溅射铬和溅射铜，在金属支承基板和第I基底绝缘层的整个上表面依次形成厚度0.03μπι的铬薄膜与厚度0.07μπι的铜薄膜，作为第I金属薄膜，接着，使具有与导体层相反图案的抗镀层形成于第I金属薄膜的表面上。接着，利用电解镀铜使厚度10 μ m的导体层形成于第I金属薄膜的从抗镀层暴露出的表面上。接着，利用化学蚀刻来去除抗镀层和第I金属薄膜的形成有抗镀层的部分(参照图7的(d))。另外，各信号线的宽度为50μπι。另外，各外部侧信号端子和各磁头侧信号端子的宽度为280 μ m。接着，在金属支承基板、第I基底绝缘层和导体层的整个上表面上涂敷感光性聚酰胺酸树脂的清漆并使其干燥，从而形成了第2基底覆膜(参照图8的(e))。接着，将具有上述掩模图案的第2灰度光掩模配置在第2基底覆膜的上侧，之后，隔着第2灰度光掩模对第2基底覆膜曝光，接着，对第2基底覆膜进行显影并对其进行了加热固化。由此，形成了由厚度5μπι的聚酰亚胺构成的第2基底绝缘层(参照图8的(f))。在第2基底绝缘层中形成了内径(D2) 100 μ m的俯视圆形状第2接地开口部与倾斜角度(β)为1.15的第2周侧面(倾斜面)，该第2接地开口部包括第I接地开口部。另夕卜，在第2基底绝缘层中形成了用于使外部侧信号端子的上表面暴露出的第2基底开口部(参照图2)。接着，利用加成法形成了接地层。在进行加成法时，通过溅射铬和溅射铜，在金属支承基板、第I基底绝缘层和第2基底绝缘层的整个上表面依次形成厚度0.03 μ m的铬薄膜与厚度0.07 μ m的铜薄膜，作为第2金属薄膜，接着，使具有与接地层相反图案的抗镀层形成于第2金属薄膜的表面上。接着，利用电解镀铜使厚度10 μ m的接地层形成于第2金属薄膜的从抗镀层暴露出的表面上。接着，利用化学蚀刻来去除抗镀层和第2金属薄膜的形成有抗镀层的部分(参照图8的(g))。支承侧接地端子形成为包含第2接地开口部的外径160 μ m的圆形状，支承侧接地端子的中央以与金属支承层的上表面相接触的方式充填到第I接地开口部内(参照图3)。
接着，在金属支承层、第2基底绝缘层和接地层的整个上表面上涂敷感光性聚酰胺酸树脂的清漆并使其干燥之后，进行曝光、显影、加热固化，从而以形成有覆盖开口部的图案形成了由厚度5μπι的聚酰亚胺构成的覆盖绝缘层(参照图8的(h))。接着，利用化学蚀刻将金属支承层开口以形成支承开口部(参照图1 )，接着，利用等离子体蚀刻将第I基底绝缘层开口以形成基底开口部，从而将外部侧信号端子设成了飞线。之后，通过对金属支承层进行外形加工来形成悬架，从而获得了带电路的悬挂基板(参照图1)。实施例2第I接地开口部包含第2接地开口部的形态:图10在第I基底绝缘层的形成过程中，将第I接地开口部的内径(Dl)变更为ΙΟΟμπι，在第2基底绝缘层的形成过程中，将第2接地开口部的内径(D2)变更为60 μ m并以使第I接地开口部包含第2接地开口部的方式形成了第2接地开口部，除此之外，利用与实施例1相同的方法获得了带电路的悬挂基板(参照图1)。比较例I在第2基底绝缘层的形成过程中，将第2接地开口部的内径(D2)变更为60 μ m，SP，将第I接地开口部的内径(Dl)与第2接地开口部的内径(D2)设成了相同直径(60 μ m)并将第I接地开口部与第2接地开口部形成为相互重叠，除此之外，利用与实施例1相同的方法获得了带电路的悬挂基板(参照图11)。评价密合件如下，对实施例1、2和比较例I的支承侧接地端子与第I基底绝缘层和第2基底绝缘层的密合性进行了评价。即，通过利用热冲击试验对导通电阻值变化率进行确认，从而评价了密合性。其结果，确认出:与比较例I的支承侧接地端子相比，实施例1和实施例2的支承侧接地端子提高了与第I基底绝缘层和第2基底绝缘层的密合性。另外，作为本发明的例示的实施方式提供了上述说明，但是上述说明只不过是例示，不能解释为用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说显而易见的本发明的变形例包含在权利要求书中。
权利要求
1.一种布线电路基板，其特征在于， 该布线电路基板包括金属支承层、形成于上述金属支承层之上的第I绝缘层、形成于上述第I绝缘层之上的导体层、以覆盖上述导体层的方式形成于上述第I绝缘层之上的第2绝缘层、形成于上述第2绝缘层之上的接地层， 在上述第I绝缘层中形成有沿厚度方向贯通上述第I绝缘层的第I开口部， 在上述第2绝缘层中形成有沿上述厚度方向贯通上述第2绝缘层且与上述第I开口部相对应的第2开口部，在沿厚度方向进行投影时，上述第I开口部在上述第2开口部范围内，上述接地层以与上述金属支承层的上表面接触的方式经由上述第2开口部充填到上述第I开口部内，或者，在沿厚度方向进行投影时，上述第I开口部包含上述第2开口部，上述第2绝缘层充填到上述第I开口部的周端部，上述接地层以与上述金属支承层的上表面接触的方式充填到上述第2开口部内。
2.根据权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于， 上述第I绝缘层的上述第I开口部的周侧面以相对于厚度方向倾斜的方式形成，和/或， 上述第2绝缘层的上述第2开口部的周侧面以相对于厚度方向倾斜的方式形成。
3.根据权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于， 上述第I绝缘层和/或上述第2绝缘层由感光性树脂形成。
4.根据权利要求3所述的布线电路基板，其特征在于， 通过隔着光掩模对上述感光性树脂曝光，从而形成上述第I绝缘层和/或上述第2绝缘层。
全文摘要
本发明提供一种布线电路基板，其包括金属支承层、第1绝缘层、导体层、第2绝缘层、接地层。在沿厚度方向投影时，第1绝缘层的第1开口部在第2绝缘层的第2开口部范围内，接地层以与金属支承层的上表面接触的方式经由第2开口部充填到第1开口部内，或者，在沿厚度方向投影时，第1开口部包含第2开口部，第2绝缘层充填到第1开口部的周端部，接地层以与金属支承层的上表面接触的方式充填到第2开口部内。
文档编号H05K1/02GK103096614SQ20121041944
公开日2013年5月8日 申请日期2012年10月26日 优先权日2011年10月27日
发明者樋口直孝, 大泽彻也 申请人:日东电工株式会社