专利名称：用于晶体生长的保温罩的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种用于晶体生长的保温罩。
背景技术：
蓝宝石具有高硬度，耐高温、耐腐蚀、透过光谱范围宽、透过率高、优良的介电性能。蓝宝石以其优良的性能广泛应用于国防、军事、科研等一系列高技术领域，同时在民用エ业上也有很广泛的应用。由于蓝宝石生长温度高(生长温度在2050度，导致单晶生长炉功率高)、温场变量多、辅助时间长(非生产时间占到整个エ序的三分之一以上)，导致生产成本过高。导模法则具有晶体生长速度快，尺寸可以精确控制，节省材料，时间和能源，提高经济效益，是最有发 展前景的蓝宝石生长方法之一。现有的晶体生长炉的保温罩的观察孔一般设置在与晶体生长炉正面观察窗正对位置，这种设计不仅降低了保温罩的保温效果，降低了炉内温场的稳定性，从而增加了晶体生长炉的加热功率,增加了能耗和成本。
实用新型内容本实用新型的目的是提供ー种用于晶体生长的保温罩，控制晶体生长炉的加热功率,降低生产成本和提高晶体质量。本实用新型的技术方案如下—种用于晶体生长的保温罩，包括有晶体生长炉，其特征在干所述的晶体生长炉上固定有叠置在一起的上、下外罩，所述上外罩的上表面设有贯通上、下外罩且通向晶体生长炉中部的通孔，所述的通孔与上、下外罩的中轴线之间具有夹角。所述的用于晶体生长的保温罩，其特征在干所述的上、下外罩采用保温材料制成。本实用新型的有益效果本实用新型结构合理，取消了原有保温罩上与炉体正面观察窗正对的观察孔，而在保温罩的上表面设置倾斜的观察孔，提升了保温罩的保温效果，増加了炉内温场的稳定性，降低了晶体生长炉的加热功率，从而达到控制晶体生长成本的目的。
图I为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
參见图1，ー种用于晶体生长的保温罩，包括有晶体生长炉1，晶体生长炉I上固定有叠置在一起的采用保温材料制成的上、下外罩3、2，上外罩3的上表面设有贯通上、下外罩3、2且通向晶体生长炉I中部的通孔4，通孔4与上、下外罩3、2的中轴线之间具有夹角。[0013]本实用新型还取消了炉体侧面的观察孔，使炉内温场更加对称，提高了 晶体质量。
权利要求1.一种用于晶体生长的保温罩，包括有晶体生长炉，其特征在于所述的晶体生长炉上固定有叠置在一起的上、下外罩，所述上外罩的上表面设有贯通上、下外罩且通向晶体生长炉中部的通孔，所述的通孔与上、下外罩的中轴线之间具有夹角。
2.根据权利要求I所述的用于晶体生长的保温罩，其特征在于所述的上、下外罩采用保温材料制成。
专利摘要本实用新型公开了一种用于晶体生长的保温罩，包括有晶体生长炉，晶体生长炉上固定有叠置在一起的上、下外罩，上外罩的上表面设有贯通上、下外罩且通向晶体生长炉中部的通孔，通孔与上、下外罩的中轴线之间具有夹角。本实用新型结构合理，取消了原有保温罩上与炉体正面观察窗正对的观察孔，而在保温罩的上表面设置倾斜的观察孔，提升了保温罩的保温效果，增加了炉内温场的稳定性，降低了晶体生长炉的加热功率，从而达到控制晶体生长成本的目的。
文档编号C30B29/20GK202482488SQ201220021309
公开日2012年10月10日 申请日期2012年1月18日 优先权日2012年1月18日
发明者李红星, 梁志安, 王愿愿, 胡高华, 贾建国, 陈怡新 申请人:鸿福晶体科技(安徽)有限公司