电路基板及其制造方法
【专利摘要】一种电路基板及其制造方法，电路基板包括基板、第一导电层、第二导电层及导电件。基板具有第一表面、相对第一表面的第二表面及至少一个贯通孔。第一导电层形成于第一表面上，而第二导电层形成于第二表面上。导电件则形成于贯通孔中，并电性连接第一导电层以及第二导电层。所述贯通孔具有第一凹部、第二凹部及通道部。第一凹部裸露于第一表面，而第二凹部裸露于第二表面，且第一凹部与第二凹部相互偏离。通道部连接于第一凹部与第二凹部之间，且通道部的内径小于第一凹部于第一表面的孔径，且该内径小第二凹部于第二表面的孔径。
【专利说明】电路基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明有关于一种电气组件及其制造方法，且特别是有关于一种电路基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来，电子产品已常见于娱乐、通讯、功率转换、网络、电脑及消费产品的领域。电子产品亦可见于军事应用、航空、汽车、工业控制器、与办公室设备。现今的电子产品讲求轻薄短小，除了需要维持高效能且稳定的质量，更必须节省空间以达到轻薄短小的目的。使用者对于系统加快处理速度(processing speed)与缩小尺寸的需求也日益增加。
[0003]为满足电子封装件微型化(Miniaturization)的封装需求，电路板亦逐渐由双层电路板演变成多层电路板(Mult1-layer board)，并可在有限的电路板空间中，运用层间连接技术(Interlayer connection)以扩大电路板上可供利用的线路布局面积。因此,需要提供电路基板，以提供可靠的层间电性连接。
【发明内容】
[0004]本发明实施例的目的在于提供一种电路基板及其制造方法，所述电路基板及其制造方法通过形成于基板的贯通孔中的导电件，以提供电性连接。
[0005]本发明实施例提供一种电路基板包括基板、第一导电层、第二导电层及导电件。基板具有第一表面、相对第一表面的第二表面及至少一个贯通孔。第一导电层形成于第一表面上，而第二导电层形成于第二表面上。导电件则形成于贯通孔中，而导电件电性连接第一导电层以及第二导电层。贯通孔具有第一凹部、第二凹部及通道部。第一凹部裸露于第一表面，而第二凹部裸露于第二表面，且第一凹部与第二凹部相互偏离。通道部连接于第一凹部与第二凹部之间，且通道部的内径小于第一凹部于第一表面的孔径，且该内径小第二凹部于第二表面的孔径。
[0006]其中，该第一凹部的侧壁与该通道部的侧壁相连接以形成第一颈部，该第一颈部位于第一参考平面上，而该第二凹部的侧壁与该通道部的侧壁相连接以形成第二颈部，该第二颈部位于第二参考平面上，其中经过该第一凹部的侧壁与通道部的连接线形成与该第一凹部相切的第一切面，该第一切面与第一参考平面的夹角大于45度；经过该第二凹部的侧壁与通道部的连接线形成与该第二凹部相切的第二切面，该第二切面与第二参考平面的夹角大于45度。
[0007]其中，该通道部的中心轴不平行于该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴。
[0008]其中，该第一凹部的中心轴平行于该第二凹部的中心轴，且该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴之间的距离介于5微米至40微米之间。
[0009]其中，该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴交错而形成的夹角介于5度至70度之间。
[0010]其中，该第一凹部的孔径自该第一表面向该第二表面的方向逐渐缩小，且该第二凹部的孔径自该第二表面向该第一表面的方向逐渐缩小。
[0011]其中，该第一凹部自该第一表面的深度以及该第二凹部自该第二表面的深度的总合不大于该第一表面与该第二表面之间的垂直距离。
[0012]其中，该第一凹部自该第一表面的深度以及该第二凹部自该第二表面的深度的总合大于该第一表面与该第二表面的垂直距离，且该第一凹部自该第一表面的深度不相等于该第二凹部自该第二表面的深度。
[0013]除此之外，本发明实施例还提供一种电路基板的制造方法，包括下列步骤。首先，形成至少一个贯通孔于初始基板上，所述贯通孔裸露于初始基板的第一表面与初始基板的第二表面。所述贯通孔具有第一凹部、第二凹部以及通道部。第一凹部裸露于第一表面，而第二凹部裸露于第二表面，且第一凹部与第二凹部相互偏离。通道部连接于第一凹部与第二凹部之间，且通道部的内径小于第一凹部于第一表面的孔径，且该内径小第二凹部于第二表面的孔径。接着，形成第一导电层于第一表面上。然后，形成第二导电层于第二表面上。最后，形成导电件于所述贯通孔中，导电件电性连接第一导电层以及第二导电层。
[0014]其中，形成所述至少一贯通孔于该初始基板上的步骤包括:
[0015]形成该第一凹部于该初始基板上，该第一凹部裸露于该第一表面；
[0016]形成该第二凹部于该初始基板上，该第二凹部裸露于该第二表面；
[0017]形成该通道部于该初始基板内，而该通道部连接于该第一凹部与该第二凹部之间。
[0018]其中，形成该通道部于该初始基板内的步骤包括从该第一凹部或该第二凹部入射激光能量束，其中此激光能量束倾斜于该第一表面或该第二表面。
[0019]综上所述，本发明实施例所提供的电路基板及其制造方法通过贯通孔的第一凹部、第二凹部与通导部，可增加第一导电层于第一表面的配置位置或第二导电层于第二表面的配置位置的设计弹性，并可提供可靠的层间电性连接。
[0020]为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅用来说明本发明，而非对本发明的权利范围作任何的限制。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1A是本发明一实施例的电路基板的剖面示意图。
[0022]图1B至图1F显示图1A中电路基板在制造过程中的剖面示意图。
[0023]图2是本发明一实施例的电路板基板的制造方法的步骤流程图。
[0024]图3A是本发明另一实施例的电路板基板的首I]面不意图。
[0025]图3B显示图3A中电路基板在制造过程中的剖面示意图。
[0026]图4A是本发明另一实施例的电路板基板的剖面示意图。
[0027]图4B显示图4A中电路基板在制造过程中的剖面示意图。
[0028]图5A是本发明另一实施例的电路板基板的首I]面不意图。
[0029]图5B显不图5A中电路基板在制造过程中的首I]面不意图。
[0030]其中，附图标记说明如下:
[0031]100、200、300、400 电路基板[0032]110 基板
[0033]111 第一表面
[0034]112 第二表面
[0035]120、220、320、420 贯通孔
[0036]121 第一凹部
[0037]101第一凹部侧壁
[0038]122 第二凹部
[0039]102第二凹部侧壁
[0040]123通道部
[0041]103通道部侧壁
[0042]LI第一颈部
[0043]L2第二颈部
[0044]130第一导电层
[0045]140第二导电层
[0046]15O导电件
[0047]SI第一参考平面
[0048]S2第二参考平面
[0049]Χ1-Χ3 中心轴
[0050]Dl~D2 距离
[0051]Gl~G6 夹角
[0052]R1~R2 孔径
[0053]Η1-Η2 深度
[0054]r 内径
【具体实施方式】
[0055]〔电路基板及其制造方法的实施例〕
[0056]请同时参照图1A至1F，图1A是本发明一实施例的电路基板100的剖面示意图，其中电路基板100包括基板110、第一导电层130、第二导电层140以及导电件150。图1B至图1F则显不图1A中电路基板100在制造过程中的首I]面不意图。
[0057]在电路基板100的制造方法中，首先，提供初始基板，并且在初始基板上形成至少一个贯通孔120 (如图1A、图1D与图1E所示)，从而形成具有贯通孔120的基板110。基板110 (或是初始基板)具有电绝缘性，且基板110的材料例如为环氧树脂、聚酰亚胺(PI，polyimide)、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂，bismaleimide triazine resin)或烯丙基化苯醚树脂(A-PPE树脂,Allylated Polyphenylene ether resin)等。于本实施例中，初始基板可作为核心层(core)，并且可以在基板110上用增层法(build-up)来交替地形成绝缘层与电路层。初始基板也可为包含加强材的纤维强化基板110，所述加强材例如为已硬化的树脂与玻璃布、玻璃不织布或芳族聚酰胺不织布等。
[0058]整体而言，初始基板的厚度与基板110的厚度(即第一表面111与第二表面112的垂直距离D2)相同，而初始基板的厚度较佳例如介于50毫米至200毫米之间，再者，初始基板的厚度更佳例如介于100毫米至150毫米之间。初始基板具有第一表面111以及相对第一表面111的第二表面112,如图1B所不,第一表面111为初始基板的上表面,而第二表面112为初始基板的下表面。
[0059]接下来，形成至少一个贯通孔120于初始基板上，而贯通孔120裸露于初始基板的第一表面111与初始基板的第二表面112。贯通孔120具有第一凹部121、第二凹部122以及通道部123。具体而言,第一凹部121裸露于第一表面111,第二凹部122裸露于第二表面112，且第一凹部121与第二凹部122相互偏离。通道部123连接于第一凹部121与第二凹部122之间，且通道部123的内径r小于第一凹部121于第一表面111的孔径Rl，且内径r小于第二凹部122于第二表面112的孔径R2。
[0060]以下将详细说明本实施例中形成贯通孔120于初始基板上的方法。如图1B所示，形成第一凹部121于初始基板上，而第一凹部121裸露于第一表面111。第一凹部121为第一表面111内凹所形成，也就是说，第一表面111内凹的区域形成第一凹部121的侧壁101。形成第一凹部121的方法例如采用激光钻孔工艺(laser drilling process),对初始基板进行钻孔，以移除部分初始基板而形成第一凹部121，其中激光能量束垂直入射第一表面111，意即激光能量束与第一表面111的夹角(即入射角)大约为90度。上述激光钻孔工艺所使用的激光可以是二氧化碳激光、紫外光亚格激光(UV-YAG laser)或是其它适当的激光。
[0061]如图1B所示，于本实施例中，第一凹部121的形状为大致半圆锥体，而第一凹部121裸露于第一表面111的形状为大致圆形，且第一凹部121的孔径自第一表面111向第二表面112的方向逐渐缩小。此外，第一凹部121于第一表面111的孔径Rl例如介于40微米至80微米之间。值得说明的是，在附图中，第一凹部121具有中心轴XI，其为虚拟直线且通过第一凹部121的裸露于第一表面111的中心点，并定义第一凹部121的延伸方向。第一凹部121自第一表面111的深度Hl介于10微米至100微米之间，详细而言，第一凹部121自第一表面111的深度Hl意即第一凹部121相对于第一表面111的最大深度。
[0062]接着，如图1C所示，形成贯通孔120于初始基板上的步骤包括形成第二凹部122于初始基板上，而第二凹部122裸露于第二表面112。第二凹部122为第二表面112内凹所形成，详细而言，第二表面112内凹的区域形成第二凹部122的侧壁102。形成第二凹部122的方法可与形成第一凹部121的方法相似,例如皆采用激光钻孔工艺(laser drillingprocess)，对初始基板进行钻孔，以移除部分初始基板而形成第二凹部122，其中激光能量束垂直入射第二表面112，意即激光能量束与第二表面112的夹角(即入射角)大约为90度。
[0063]于本实施例中，第二凹部122的形状与第一凹部121的形状相似，为大致半圆锥体，而第二凹部122裸露于第二表面112的形状亦为大致圆形，且第二凹部122的孔径自第二表面112向第一表面111的方向逐渐缩小。举例而言,第二凹部122于第二表面112的孔径R2介于40微米至80微米之间。值得说明的是，在附图中，第二凹部122也具有中心轴X2，其为虚拟直线且通过第二凹部122的裸露于第二表面112的中心点，并定义第二凹部122的延伸方向。第二凹部122自第二表面112的深度H2介于10微米至100微米之间，详细而言，第二凹部122自第二表面112的深度H2意即第二凹部122相对于第二表面112的最大深度。
[0064]值得一提的是，第一凹部121与第二凹部122相互偏离，也就是说，第一凹部121裸露于第一表面111的中心点位置在第二表面112的垂直投影不重叠于第二凹部122裸露于第二表面112的中心点位置,且第二凹部122裸露于第二表面112的中心点位置在第一表面111的垂直投影不重叠于第一凹部121裸露于第一表面111的中心点位置。举例而言，于本实施例中，第一凹部121的中心轴Xl实质上平行于第二凹部122的中心轴X2，且第一凹部121的中心轴Xl与第二凹部122的中心轴X2之间的距离Dl介于5微米至40微米之间，因此，第一凹部121与第二凹部122相互偏离，即中心轴Xl与中心轴X2不共轴(non-coaxial)。
[0065]再者，于本实施例中，第一凹部121自第一表面111的深度Hl以及第二凹部122自第二表面112的深度H2的总合不大于第一表面111与第二表面112的垂直距离D2。举例而言，第一凹部121自第一表面111的深度Hl以及第二凹部122自第二表面112的深度H2大致相等，且深度Hl与H2 二者其中之一为第一表面111与第二表面112的垂直距离D2的二分之一。
[0066]然后，请同时参考图1D与图1E，图1D与图1E显示图1A中电路基板100在制造过程中的实质上相同步骤的剖面示意图。形成通道部123于初始基板内，而通道部123连接于第一凹部121与第二凹部122之间。详细而言，可采用激光钻孔工艺，从第一凹部121或第二凹部122入射激光能量束，将第一凹部121与第二凹部122之间的部分初始基板移除而形成通道部123，以形成贯通孔120于初始基板，而完成具有贯通孔120的基板110。所述激光能量束倾斜于第一表面111或第二表面112,而激光能量束与第一表面111或第二表面112的夹角G6例如介于30度至80度之间，于本实施例中，激光能量束与第一表面111或第二表面112的夹角G6例如介于40度至60度之间。
[0067]通道部123连接于第一凹部121与第二凹部122之间，详细而言，通道部123形成于基板110内，且通道部123的一端裸露于第一凹部121的侧壁101,而通道部123的另一端裸露于第二凹部122的侧壁102。于本实施例中，通道部123的形状为大致圆柱形状，而通道部123的内径r皆相同。值得一提的是，通道部123的内径r小于第一凹部121于第一表面111的孔径IR，且内径r小于第二凹部122位于第二表面112的孔径R2。通道部123的内径r例如介于10微米至70微米之间。
[0068]通道部123具有一中心轴X3，并且通道部123的中心轴X3不平行于第一凹部121的中心轴Xl与第二凹部122的中心轴X2。于本实施例中，通道部123的中心轴X3可以与第一凹部121的中心轴Xl交错，且通道部123的中心轴X3与第二凹部122的中心轴X2交错。举例而言，通道部123的中心轴X3与第一凹部121的中心轴Xl两者交错而形成夹角G1，夹角Gl介于5度至60度之间，而通道部123的中心轴X3与第二凹部122的中心轴X2两者交错而形成夹角G2，夹角G2介于5度至60度之间。
[0069]另外，第一凹部121的侧壁101与通道部123的侧壁103相连接以形成第一颈部LI，而第二凹部122的侧壁102与通道部123的侧壁103相连接以形成第二颈部L2。第一颈部LI位于第一参考平面SI上，第二颈部L2位于第二参考平面S2上。经过第一凹部121的侧壁101与通道部123的连接线形成与第一凹部121相切的第一切面Tl，第一切面Tl与第一参考平面SI的夹角G3大于45度，例如可介于45度至80度之间；经过第二凹部122的侧壁102与通道部123的连接线形成与第二凹部122相切的第二切面T2，第二切面T2与第二参考平面S2的夹角G4大于45度,例如可介于50度至80度之间。[0070]于其它实施例中，也可采用其它移除部分初始基板的方法，例如等离子体蚀刻、化学蚀刻或机械钻孔等，以形成第一凹部121、第二凹部122或通道部123。此外，第一凹部121、第二凹部122与通道部123的大小、形状或位置是本【技术领域】中具有通常知识者可依据实际需求而设计，故本发明的实施例并不限制。
[0071]接下来，请参考图1F，形成第一导电层130于第一表面111上，并且形成第二导电层140于第二表面112上。第一导电层130与第二导电层140可通过沉积导电材料的方式形成，例如通过喷镀(spray coating)、电镀(electroplating)、无电电镀(electrolessplating)、蒸镀或派镀(sputtering)等工艺。举例而言,形成第一导电层130或第二导电层140的步骤还可包括图案化金属层
[0072]此外，也可设置图案化屏蔽(mask)于第一表面111与第二表面112上再进行导电材料的沉积，藉以形成第一导电层130与第二导电层140，其中此图案化屏蔽例如是光阻或干膜(dry film)。第一导电层130与第二导电层140的厚度依材料不同而不同，且其可由例如金属材料、合金材料、导电高分子材料或上述材料的组合沉积复数层导电材料所形成。
[0073]然后，形成导电件150于贯通孔120中，而导电件150电性连接第一导电层130以及第二导电层140。于本实施例中，如图1F所示，可将金属材料填充于贯通孔120中以形成导电件150,例如通过孔电镀工艺(plating hole process)而将金属材料填充于贯通孔120中以形成导电件150。详细而言，可将形成有贯通孔120的基板110浸溃于电镀液中，以将金属材料填充于贯通孔120中。形成导电件150的材料例如为铜、锡、银、等金属材料、合金材料、导电高分子材料或上述材料的组合沉积复数层导电材料。
[0074]另外，于上述形成第一导电层130于第一表面111上的步骤、形成第二导电层140于第二表面112上的步骤中或者形成导电件150于贯通孔120的步骤中，可先通过无电电镀工艺于第一表面111、第二表面112或者贯通孔120的内壁形成无电电镀金属层,也就是说，可于第一表面111、第二表面112、第一凹部121的侧壁101、第二凹部122的侧壁102或者通道部123的侧壁103形成无电电镀金属层。接着，可通过电镀工艺于所述无电电镀金属层上形成电镀金属层，以将金属材料填充贯通孔120而形成导电件150，并同时将第一表面111或第二表面112上的金属层增厚，以形成第一导电层130与第二导电层140。
[0075]值得一提的是，于上述通过孔电镀工艺以形成导电件150于贯通孔120的步骤中，通过第一凹部121、第二凹部122与通道部123的设计，电镀金属层可先于贯通孔120内形成。也就是说，通过孔电镀工艺以将金属材料填充于贯通孔120中以形成导电件150时，金属材料可先填满贯通孔120的通道部123，而后逐渐把贯通孔120的其余空间(即第一凹部121与第二凹部122)完全填满，以形成导电件150。如此，可减少贯通孔120内形成空洞(cavity)的机率。
[0076]在形成导电件150之后，电路基板100大致上已形成。如图1A所示的本发明的第一实施例，电路基板100包括基板110、第一导电层130、第二导电层140及导电件150。基板110具有第一表面111、相对第一表面111的第二表面112及至少一个贯通孔120。第一导电层130形成于第一表面111上,而第二导电层140形成于第二表面112上。导电件150则形成于贯通孔120中，导电件150电性连接第一导电层130以及第二导电层140。贯通孔120具有第一凹部121、第二凹部122及通道部123。第一凹部121裸露于第一表面111，而第二凹部122裸露于第二表面112，且第一凹部121与第二凹部122相互偏离。通道部123连接于第一凹部121与第二凹部122之间，且通道部123的内径r小于第一凹部121于第一表面111的孔径Rl，且内径r小于第二凹部122于第二表面112的孔径R2，进而建构成本实施例的电路基板100。
[0077]请参照图2，图2为根据本实施例的电路基板100的制造方法的步骤流程图。具体来说，首先，形成至少一个贯通孔120于初始基板上，所述贯通孔120裸露于初始基板的第一表面111与初始基板的第二表面112，所述贯通孔120具有第一凹部121、第二凹部122以及通道部123,第一凹部121裸露于第一表面111,而第二凹部122裸露于第二表面112,第一凹部121与第二凹部122相互偏离，通道部123连接于第一凹部121与第二凹部122之间，且通道部123的内径r小于第一凹部121于第一表面111的孔径R1，且内径r小于第二凹部122于第二表面112的孔径R2 (步骤S201);然后,形成第一导电层130于第一表面111上(步骤S203);接下来，形成第二导电层140于第二表面112上(步骤S205);然后，形成导电件150于所述贯通孔120中，导电件150电性连接第一导电层130以及第二导电层 140 (步骤 S207)。
[0078]依据不同产品，本实施例的电路基板100的制造方法，详细而言，上述步骤S201可包括形成第一凹部121于初始基板上，而第一凹部121裸露于第一表面111 ;并且，形成第二凹部122于初始基板上，而第二凹部122裸露于第二表面112 ;再者，形成通道部123于初始基板内，而通道部123连接于第一凹部121与第二凹部122之间。详细而言，形成通道部123于初始基板内的步骤可包括从第一凹部121或第二凹部122入射激光能量束，其中此激光能量束倾斜于第一表面111或第二表面112。
[0079]〔电路基板及其制造方法的另一实施例〕
[0080]请参照图3A与图3B，图3A是本发明另一实施例的电路基板200的剖面示意图，而图3B显示图3A中电路基板200在制造过程中的剖面示意图。本实施例的电路基板200及其制造方法与前述实施例相似之处不再描述，而以下仅针对本实施例与前述实施例之间的不同之处进行详细说明。如图3B所示，通道部123的中心轴X3平行于第一凹部121的中心轴Xl与第二凹部122的中心轴X2。详细而言，可采用激光钻孔工艺，从第一凹部121或第二凹部122入射激光能量束，其中此激光能量束垂直于第一表面111或第二表面112，将第一凹部121与第二凹部122之间的部分初始基板移除而形成通道部123，以形成贯通孔220于初始基板。也就是说，激光能量束与第一表面111或第二表面112的夹角G6大约为90度。
[0081]于本实施例中，通道部123的形状为大致圆柱形状，而通道部123的内径r例如介于40微米至80微米之间。第一切面Tl与第一参考平面SI的夹角G3大于45度，例如可介于45度至90度之间，且第二切面T2与第二参考平面S2的夹角G4大于45度，例如可介于45度至90度之间。图3A与图3B中的其余工艺细节如图1A至图1F所述，本【技术领域】具有通常知识者应可轻易推知其实施方式，在此不加赘述。
[0082]〔电路基板及其制造方法的另一实施例〕
[0083]请参照图4A与图4B，图4A是本发明另一实施例的电路基板300的剖面示意图，而图4B显不图4A中电路基板300在制造过程中的首I]面不意图。本实施例的电路基板300及其制造方法与前述实施例相似之处不再描述，而以下仅针对本实施例与前述实施例之间的不同之处进行详细说明。如图4A所示，第一凹部121的中心轴Xl与第二凹部122的中心轴X2交错而形成的夹角G5介于5度至70度之间。举例而言，形成第一凹部121的方法可例如采用激光钻孔工艺，对初始基板进行钻孔，以移除部分初始基板而形成第一凹部121，其中激光能量束倾斜入射第一表面111。形成第二凹部122的方法可例如采用激光钻孔工艺，对初始基板进行钻孔，以移除部分初始基板而形成第二凹部122，其中激光能量束垂直入射第二表面112，即激光能量束与第二表面112的夹角大约为90度。
[0084]接下来，可采用激光钻孔工艺，从第一凹部121或第二凹部122入射激光能量束，其中此激光能量束倾斜于第一表面111或第二表面112，将第一凹部121与第二凹部122之间的部分初始基板移除而形成通道部123，以形成贯通孔320于初始基板。于本实施例中，通道部123的形状为大致圆柱形状，而通道部123的内径r例如介于10微米至70微米之间。第一切面Tl与第一参考平面SI的夹角G3大于45度，例如可介于45度至90度之间，且第二切面T2与第二参考平面S2的夹角G4大于45度，例如可介于45度至90度之间。图4A与图4B中的其余工艺细节如图1A至图1F所述，本【技术领域】具有通常知识者应可轻易推知其实施方式，在此不加赘述。
[0085]〔电路基板及其制造方法的另一实施例〕
[0086]请参照图5A与图5B，图5A是本发明另一实施例的电路基板400的剖面示意图，而图5B显示图5A中电路基板400在制造过程中的剖面示意图。本实施例的电路基板400及其制造方法与前述实施例相似之处不再描述，而以下仅针对本实施例与前述实施例之间的不同之处进行详细说明。如图5所示，贯通孔420的第一凹部121自第一表面111的深度Hl以及贯通孔420的第二凹部122自第二表面112的深度H2的总合大于第一表面111与第二表面112的垂直距离D2，且第一凹部121自第一表面111的深度Hl不相等于第二凹部122自第二表面112的深度H2。举例而言，第二凹部122自第二表面112的深度H2例如为第一表面111与第二表面112的垂直距离D2的二分之一,而第一凹部121自第一表面111的深度Hl大于第二凹部122自第二表面112的深度H2。
[0087]于本实施例中，贯通孔420的通道部123的形状为大致圆柱形状，而通道部123的内径r例如介于10微米至70微米之间。第一切面Tl与第一参考平面SI的夹角G3大于45度，例如可介于45度至90度之间，且第二切面T2与第二参考平面S2的夹角G4大于45度，例如可介于45度至90度之间。图5A与图5B中的其余工艺细节如图1A至图1E所述，本【技术领域】具有通常知识者应可轻易推知其实施方式，在此不加赘述。
[0088]根据上述本发明实施例，本发明实施例提供一种电路基板100、200、300、400及其制造方法，通过形成于基板Iio的贯通孔120、220、320、420中的导电件150，以电性连接第一导电层130与第二导电层140,可缩减基板110在第一表面111与第二表面112之间的线路的路径。
[0089]本发明实施例的电路基板100、200、300、400及其制造方法通过贯通孔120、220、320,420的第一凹部121、第二凹部122与通道部123，使贯通孔120、220、320、420裸露于第一表面111的位置与裸露于第二表面112的位置相互偏离,可增加第一导电层130于第一表面111的配置位置或第二导电层140于第二表面112的配置位置的设计弹性。
[0090]再者，本发明实施例的电路基板100、200、300、400及其制造方法通过第一凹部121、第二凹部122与通道部123的设计，可减少贯通孔内形成空洞的机率，从而促使提升层间电性连接的质量。[0091]以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以限定本发明的专利保护范围。任何熟习相像技艺者，在不脱离本发明的精神与范围内，所作的更动及润饰的等效替换，仍为本发明的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种电路基板，其特征在于，包括: 基板，该基板具有第一表面、相对该第一表面的第二表面以及至少一贯通孔； 第一导电层，形成于该第一表面上； 第二导电层，形成于该第二表面上； 导电件，形成于所述至少一贯通孔中，该导电件电性连接该第一导电层以及该第二导电层； 其中，所述至少一贯通孔具有第一凹部、第二凹部以及通道部，该第一凹部裸露于该第一表面，而该第二凹部裸露于该第二表面，该第一凹部与该第二凹部相互偏离，该通道部连接于该第一凹部与该第二凹部之间，且该通道部的内径小于该第一凹部于该第一表面的孔径，且该内径小于该第二凹部于该第二表面的孔径。
2.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，该第一凹部的侧壁与该通道部的侧壁相连接以形成第一颈部，该第一颈部位于第一参考平面上，而该第二凹部的侧壁与该通道部的侧壁相连接以形成第二颈部，该第二颈部位于第二参考平面上，其中经过该第一凹部的侧壁与该通道部的连接线形成与该第一凹部相切的第一切面，该第一切面与该第一参考平面的夹角大于45度；经过该第二凹部的侧壁与该通道部的连接线形成与该第二凹部相切的第二切面，该第二切面与该第二参考平面的夹角大于45度。
3.如权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，该通道部的中心轴不平行于该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴。
4.如权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，该第一凹部的中心轴平行于该第二凹部的中心轴，且该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴之间的距离介于5微米至40微米之间。
5.如权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴交错而形成的夹角介于5度至70度之间。
6.如权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，该第一凹部的孔径自该第一表面向该第二表面的方向逐渐缩小，且该第二凹部的孔径自该第二表面向该第一表面的方向逐渐缩小。
7.如权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，该第一凹部自该第一表面的深度以及该第二凹部自该第二表面的深度的总合不大于该第一表面与该第二表面之间的垂直距离。
8.如权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，该第一凹部自该第一表面的深度以及该第二凹部自该第二表面的深度的总合大于该第一表面与该第二表面的垂直距离，且该第一凹部自该第一表面的深度不相等于该第二凹部自该第二表面的深度。
9.一种电路基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 形成至少一贯通孔于初始基板上，其中所述至少一贯通孔裸露于该初始基板的第一表面与该初始基板的第二表面，所述至少一贯通孔具有第一凹部、第二凹部以及通道部，该第一凹部裸露于该第一表面，而该第二凹部裸露于该第二表面，该第一凹部与该第二凹部相互偏离，该通道部连接于该第一凹部与该第二凹部之间，且该通道部的内径小于该第一凹部于该第一表面的孔径，且该内径小于该第二凹部于该第二表面的孔径； 形成第一导电层于该第一表面上；形成第二导电层于该第二表面上；以及 形成导电件于所述至少一贯通孔中，该导电件电性连接该第一导电层以及该第二导电层。
10.如权利要求9所述的电路基板的制造方法，其特征在于，形成所述至少一贯通孔于该初始基板上的步骤包括: 形成该第一凹部于该初始基板上，该第一凹部裸露于该第一表面； 形成该第二凹部于该初始基板上，该第二凹部裸露于该第二表面； 形成该通道部于该初始基板内，而该通道部连接于该第一凹部与该第二凹部之间。
11.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其特征在于，形成该通道部于该初始基板内的步骤包括从该第一凹部或该第二凹部入射激光能量束，其中此激光能量束倾斜于该第一表面或该第二表面。
12.如权利要求9所述的电路基板的制造方法，其特征在于，该第一凹部的侧壁与该通道部的侧壁相连接以形成第一颈部，该第一颈部位于第一参考平面上，而该第二凹部的侧壁与该通道部的侧壁相连接以形成第二颈部，该第二颈部位于第二参考平面上，经过该第一凹部的侧壁与该通道部的连接线形成与该第一凹部相切的第一切面，该第一切面与该第一参考平面的夹角大于45度；经过该第二凹部的侧壁与该通道部的连接线形成与该第二凹部相切的第二切面，该第二切面与该第二参考平面的夹角大于45度。
13.如权利要求9至12中任一项所述的电路基板的制造方法，其特征在于，该通道部的中心轴不平行于该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴。
14.如权利要求9至12中任一项所述的电路基板的制造方法，其特征在于，该第一凹部的中心轴平行于该第二凹部的中心轴，且该第一凹部的中心轴与第二凹部的中心轴之间的距离介于5微米至40微米之间。
15.如权利要求9至12中任一项所述的电路基板的制造方法，其特征在于，该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴之间的夹角介于5度至70度之间。
16.如权利要求9至12中任一项所述的电路基板的制造方法，其特征在于，该第一凹部的孔径自该第一表面向该第二表面的方向逐渐缩小，且该第二凹部的孔径自该第二表面向该第一表面的方向逐渐缩小。
17.如权利要求9至12中任一项所述的电路基板的制造方法，其特征在于，该第一凹部自该第一表面的深度以及该第二凹部自该第二表面的深度的总合不大于该第一表面与该第二表面的垂直距离。
18.如权利要求9至12中任一项所述的电路基板的制造方法，其特征在于，该第一凹部自该第一表面的深度以及该第二凹部自该第二表面的深度的总合大于该第一表面与该第二表面的垂直距离，且该第一凹部自该第一表面的深度不相等于该第二凹部自该第二表面的深度。
【文档编号】H05K3/42GK103929875SQ201310008994
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2013年1月10日 优先权日:2013年1月10日
【发明者】翁正明, 郑伟鸣, 黄瀚霈 申请人:欣兴电子股份有限公司