一种自镇流荧光的开路保护电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种自镇流荧光灯的开路保护电路，包括可控硅SCR1、双向二极管DB2、绕阻N4和整流桥BR1，其中：所述可控硅SCR1的阳极接外部电源的正极、阴极接所述外部电源的负极，控制极与所述双向二极管DB2串联后接采样电压输出端；所述绕阻N4与自镇流荧光灯的初级反馈绕阻N2耦合构成变压器，所述绕阻N4的两端接所述整流桥BR1的两个交流输入端；所述整流桥BR1的一直流输出端接所述外部电源的负极，另一直流输出端接所述可控硅的阳极。采用本发明，可以在所述自镇流荧光灯电路的负载开路时，迅速停止电路的自激振荡，达到开路保护的效果。
【专利说明】一种自镇流荧光的开路保护电路
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子领域，尤其涉及一种自镇流荧光灯的开路保护电路。
【背景技术】
[0002] 自镇流荧光灯又称节能灯，目前已广泛应用于人类的日常生活照明和工业照明 中。一般来说，自镇流突光灯电路是一种自激振荡的电路，当电路的输出端负载开路时，输 出端仍有电压输出，由于镇流电路的工作特点，负载开路时输出端的电压是正常工作电压 的数倍，可达数百伏，不仅对主电路不利，更会给操作人员带来触电的危险。
【发明内容】
[0003] 本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种自镇流荧光灯的开路保护电路 及一种自镇流荧光灯电路，可在自镇流荧光灯的负载开路时，迅速停止电路的自激振荡，达 到开路保护的效果。
[0004] 为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供的自镇流荧光灯的开路保护电路， 包括可控硅SCR1、双向二极管DB2、绕阻N4和整流桥BR1，其中：
[0005] 所述可控硅SCR1的阳极接外部电源的正极、阴极接所述外部电源的负极，控制极 与所述双向二极管DB2串联后接采样电压输出端；
[0006] 所述绕阻Μ与自镇流荧光灯的初级反馈绕阻N2耦合构成变压器，所述绕阻Μ的 两端接所述整流桥BR1的两个交流输入端；
[0007] 所述整流桥BR1的一直流输出端接所述外部电源的负极，另一直流输出端接所述 可控硅的阳极。
[0008] 在一些可行的实施方式中，所述自镇流荧光灯的开路保护电路还包括电阻R9,所 述电阻R9的两端接在所述双向二极管DB2和所述采样电压输出端之间。
[0009] 在一些可行的实施方式中，所述自镇流荧光灯的开路保护电路还包括电容C1，所 述电容C1起滤波作用，并联在所述可控硅SCR1的阳极和阴极之间。
[0010] 相应地，本发明的实施例还提供了一种自镇流荧光灯电路，包括所述自镇流荧光 灯的开路保护电路和自镇流荧光灯，其中，所述自镇流荧光灯的开路保护电路为以上所述 的电路；所述自镇流荧光灯，包括三极管Q1、三极管Q2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、双 向二极管DB1、绕阻Ν1、绕阻Ν2、绕阻Ν3、电感器L1、荧光灯Υ1、电容C2和电容C3,其中：
[0011] 所述三极管Q1的基极接所述二极管D1的负极，发射极接所述二极管D3的负极， 集电极接所述外部电源的正极；
[0012] 所述三极管Q2的基极分别接所述双向二极管DB1的一端和所述二极管D2的负 极，发射极接所述外部电源的负极，集电极接所述二极管D1的正极；
[0013] 所述二极管D1的正极与所述三极管Q2的集电极的公共节点接所述二极管D3的 负极；
[0014] 所述二极管D2的正极接所述外部电源的负极；
[0015] 所述二极管D3的正极接所述双向二极管DB1的另一端，所述二极管D3的正极与 所述双向二极管DB1的公共节点接所述外部电源的正极；
[0016] 所述绕阻N1、绕阻N2和绕阻N3构成一个高频变压器，所述绕阻N1作为所述高频 变压器的初级主绕阻，两端与所述二极管D1并联，所述绕阻N2作为所述高频变压器的初级 反馈绕阻，两端分别接所述三极管Q2的基极与所述外部电源的负极，所述绕阻N3作为所述 高频变压器的次级输出绕阻，一端接所述绕阻N1，另一端依次通过所述电容C2、所述电感 器L1与所述荧光灯Y1的一个灯丝接到所述外部电源的正极；
[0017] 所述荧光灯Y1的另一个灯丝一端通过所述电容C3接所述外部电源的正极，另一 端接所述外部电源的负极。
[0018] 在一些可行的实施方式中，所述自镇流荧光灯还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电 阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8,其中：
[0019] 所述电阻R1和所述电阻R2串联后通过所述二极管D1接到所述绕阻N1的两端， 所述电阻R1和所述电阻R2的公共节点接所述三极管Q1的基极；
[0020] 所述电阻R3和所述电阻R4串联后通过所述二极管D2接到所述绕阻N2的两端， 所述电阻R3和所述电阻R4的公共节点接所述三极管Q2的基极；
[0021] 所述电阻R5接在所述三极管Q1的发射极和所述二极管D3的负极之间；
[0022] 所述电阻R6接在所述三极管Q2的发射极和所述外部电源的负极之间；
[0023] 所述电阻R7和所述电阻R8串联在所述二极管D3和所述双向二极管DB1的公共节 点与所述外部电源的正极之间，所述电阻R7和所述电阻R8的公共节点接所述可控硅SCR1 的阳极。
[0024] 在一些可行的实施方式中，所述可控硅为单向可控硅。
[0025] 在一些可行的实施方式中，所述整流桥为所述整流桥为由四个二极管组成的单相 全波整流桥。
[0026] 本发明实施例具有如下优点或有益效果：
[0027] 本发明实施例中，当自镇流荧光灯电路的负载开路时，采样电压经过双向二极管 DB2触发可控硅SCR1，使可控硅SCR1导通，整流桥BR1的输出端和绕阻N4短路。绕阻N4 的短路进一步迫使绕阻N2和绕阻N1的端电压为零，使三极管Q1和三极管Q2截止，阻止自 镇流荧光灯电路的自激振荡，从而达到开路保护的效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0028] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。
[0029] 图1是本发明的自镇流荧光灯电路的一实施例的电路连接原理图。
[0030] 图2是本发明的自镇流荧光灯电路的另一实施例的电路连接原理图。
【具体实施方式】
[0031] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032] 请参考图1，为本发明的自镇流荧光灯电路的一实施例的电路连接原理图。如图1 所示，本发明的自镇流荧光灯电路包括自镇流荧光灯的开路保护电路和自镇流荧光灯。
[0033] 其中，自镇流荧光灯的开路保护电路包括可控硅SCR1、双向二极管DB2、绕阻Μ和 整流桥BR1，其中：可控硅SCR1的阳极接外部电源的正极、阴极接外部电源的负极，控制极 与双向二极管DB2串联后接采样电压输出端；绕阻Μ与自镇流荧光灯的初级反馈绕阻Ν2 耦合构成变压器，绕阻Ν4的两端接整流桥BR1的两个交流输入端；整流桥BR1的一直流输 出端接外部电源的负极，另一直流输出端接可控硅的阳极。
[0034] 自镇流荧光灯包括三极管Q1、三极管Q2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、双向二 极管DB1、变压器Τ1、电感器L1、荧光灯Υ1、绕阻Ν2、电容C2和电容C3，其中：所述三极管Q1 的基极接所述二极管D1的负极，发射极接所述二极管D3的负极，集电极接所述外部电源的 正极；三极管Q2的基极分别接双向二极管DB1的一端和二极管D2的负极，发射极接外部电 源的负极，集电极接二极管D1的正极；二极管D1的正极与三极管Q2的集电极的公共节点 接二极管D3的负极；二极管D2的正极接外部电源的负极；二极管D3的正极接双向二极管 DB1的另一端，二极管D3的正极与双向二极管DB1的公共节点接外部电源的正极；绕阻Ν1、 绕阻Ν2和绕阻Ν3构成一个高频变压器，绕阻Ν1作为高频变压器的初级主绕阻，两端与二 极管D1并联，绕阻Ν2作为高频变压器的初级反馈绕阻，两端分别接三极管Q2的基极与外 部电源的负极，绕阻Ν3作为高频变压器的次级输出绕阻，一端接绕阻Ν1，另一端依次通过 电容C2、电感器L1与荧光灯Υ1的一个灯丝接到外部电源的正极；荧光灯Υ1的另一个灯丝 一端通过电容C3接外部电源的正极，另一端接外部电源的负极；
[0035] 具体实现中，可控硅SCR1为单向可控硅，整流桥BR1为由四个二极管组成的单相 全波整流桥。为了达到控制绕阻Ν2和绕阻Ν1的端电压的效果，绕阻Μ的匝数应远远超过 绕阻Ν2和绕阻Ν1。
[0036] 请进一步参考图2,为本发明的自镇流荧光灯电路的另一实施例的电路连接原理 图。如图2所示，在一些可行的实施方式中，在图1的电路的基础上，还可包括下述电路结 构中的一种或者多种。
[0037] 1、自镇流荧光灯的开路保护电路还包括电阻R9,电阻R9的两端接在双向二极管 DB2和采样电压输出端之间。电阻R9用于分压，使采样电压经过后，电压值下降，使双向二 极管DB2能正常工作。
[0038] 2、自镇流荧光灯的开路保护电路还包括电容C1，电容C1用于滤波，并联在可控硅 SCR1的阳极和阴极之间。
[0039] 3、自镇流荧光灯还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻 R7和电阻R8,其中：电阻R1和电阻R2串联后通过二极管D1接到绕阻Ν1两端，电阻R1和 电阻R2的公共节点接三极管Q1的基极；电阻R3和电阻R4串联后通过二极管D2接到绕阻 Ν2的两端，电阻R3和电阻R4的公共节点接三极管Q2的基极；电阻R5接在三极管Q1的发 射极和二极管D3的负极之间；电阻R6接在三极管Q2的发射极和外部电源的负极之间；电 阻R7和电阻R8串联在二极管D3和双向二极管DB1的公共节点与外部电源的正极之间，电 阻R7和电阻R8的公共节点接可控硅SCR1的阳极。电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电 阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8均用于分压，使自镇流荧光灯的各个元件工作在合适的电 压下。
[0040] 4、自镇流荧光灯还包括电容C4和电容C5,电容C4和电容C5串联在外部电源的正 极和负极之间，电容C4和电容C5的公共节点接在荧光灯Y1的另一个灯丝和外部电源的负 极之间。电容C4和电容C5用于滤波。
[0041] 具体实现中，本发明实施例的电路的工作原理大致如下：当自镇流荧光灯的输出 端负载开路时，输出端产生高电压，采样电压输出端输出的电压也随之变高，变化后的电压 能使双向二极管DB2导通，触发可控硅SCR1，使可控硅SCR1导通，整流桥BR1的输出端和绕 阻N4短路。绕阻Μ的短路进一步迫使绕阻N2和绕阻N1的端电压为零，使三极管Q1和三 极管Q2截止，阻止自镇流荧光灯电路的自激振荡，从而达到开路保护的效果。
[0042] 以上的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式 的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之 内。
【权利要求】
1. 一种自镇流荧光灯的开路保护电路，包括可控硅SCR1、双向二极管DB2、绕阻Μ和整 流桥BR1，其中： 所述可控硅SCR1的阳极接外部电源的正极、阴极接所述外部电源的负极，控制极与所 述双向二极管DB2串联后接采样电压输出端； 所述绕阻Ν4与自镇流荧光灯的初级反馈绕阻Ν2耦合构成变压器，所述绕阻Μ的两端 接所述整流桥BR1的两个交流输入端； 所述整流桥BR1的一直流输出端接所述外部电源的负极，另一直流输出端接所述可控 硅的阳极。
2. 如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括电阻R9,所述电阻R9的两端接在所 述双向二极管DB2和所述采样电压输出端之间。
3. 如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括电容C1，并联在所述可控硅SCR1的 阳极和阴极之间。
4. 一种自镇流荧光灯电路，其特征在于，包括自镇流荧光灯的开路保护电路和自镇流 荧光灯，其中，所述自镇流荧光灯的开路保护电路为权利要求1-3中任一项所述的电路；所 述自镇流荧光灯包括三极管Q1、三极管Q2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、双向二极管 DB1、电感器L1、绕阻Ν1、绕阻Ν2、绕阻Ν3、荧光灯Υ1、电容C2和电容C3,其中： 所述三极管Q1的基极接所述二极管D1的负极，发射极接所述二极管D3的负极，集电 极接所述外部电源的正极； 所述三极管Q2的基极分别接所述双向二极管DB1的一端和所述二极管D2的负极，发 射极接所述外部电源的负极，集电极接所述二极管D1的正极； 所述二极管D1的正极与所述三极管Q2的集电极的公共节点接所述二极管D3的负极； 所述二极管D2的正极接所述外部电源的负极； 所述二极管D3的正极接所述双向二极管DB1的另一端，所述二极管D3的正极与所述 双向二极管DB1的公共节点接所述外部电源的正极； 所述绕阻Ν1、绕阻Ν2和绕阻Ν3构成一个高频变压器，所述绕阻Ν1作为所述高频变压 器的初级主绕阻，两端与所述二极管D1并联，所述绕阻Ν2作为所述高频变压器的初级反馈 绕阻，两端分别接所述三极管Q2的基极与所述外部电源的负极，所述绕阻Ν3作为所述高频 变压器的次级输出绕阻，一端接所述绕阻Ν1，另一端依次通过所述电容C2、所述电感器L1 与所述荧光灯Υ1的一个灯丝接到所述外部电源的正极； 所述荧光灯Υ1的另一个灯丝一端通过所述电容C3接所述外部电源的正极，另一端接 所述外部电源的负极。
5. 如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述自镇流荧光灯还包括电阻R1、电阻R2、 电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8,其中： 所述电阻R1和所述电阻R2串联后通过所述二极管D1接到所述绕阻Ν1的两端，所述 电阻R1和所述电阻R2的公共节点接所述三极管Q1的基极； 所述电阻R3和所述电阻R4串联后通过所述二极管D2接到所述绕阻Ν2的两端，所述 电阻R3和所述电阻R4的公共节点接所述三极管Q2的基极； 所述电阻R5接在所述三极管Q1的发射极和所述二极管D3的负极之间； 所述电阻R6接在所述三极管Q2的发射极和所述外部电源的负极之间； 所述电阻R7和所述电阻R8串联在所述二极管D3和所述双向二极管DB1的公共节点 与所述外部电源的正极之间，所述电阻R7和所述电阻R8的公共节点接所述可控硅SCR1的 阳极。
6. 如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述自镇流荧光灯还包括电容C4和电容 C5,所述电容C4和所述电容C5串联在所述外部电源的正极和负极之间，所述电容C4和所 述电容C5的公共节点接在所述荧光灯Y1的另一个灯丝和所述外部电源的负极之间。
7. 如权利要求1-6所述的电路，其特征在于，所述可控硅为单向可控硅。
8. 如权利要求1-6所述的电路，其特征在于，所述整流桥为由四个二极管组成的单相 全波整流桥。
【文档编号】H05B41/298GK104144547SQ201310166742
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2013年5月8日 优先权日:2013年5月8日
【发明者】周明杰, 管伟芳 申请人:深圳市海洋王照明工程有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司