一种覆铜板的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种覆铜板的制造方法，依次包括如下步骤：（1）提供绝缘基板，在绝缘基板中混入氮化金属纳米颗粒：（2）采用紫外激光对上述绝缘基板的表面进行照射，从而活化氮化金属纳米颗粒；（3）在活化后的绝缘基板表面形成覆铜层。
【专利说明】一种覆铜板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电路板领域，具体来说涉及一种能够增强铜箔与绝缘基底结合力的覆铜板的制造方法。
【背景技术】
[0002]覆铜板是用于形成印刷电路板的主要材料。目前，覆铜板一般都采用绝缘基板上直接镀铜的方式来形成，这种方法形成的覆铜板，金属铜与绝缘基板的结合力并不能令人满意。因此容易导致形成的铜箔发生翘起现象，从而影响覆铜板的品质。现有技术中，采用了多种方法来提高金属铜与绝缘基板的结合力，例如在绝缘基板上涂敷粘接剂并粘贴铜箔的方法，或者在铜箔上浇注树脂的方法。但是这种方法需要使用大量的粘接剂，而粘接剂通常都会导致废水废气等环保问题。
【发明内容】
:
[0003]本发明针对现有技术中，覆铜板结合力不足的缺陷，提出了一种提高金属铜与绝缘基板结合力的覆铜板制造方法，所述方法依次包括如下步骤:
[0004](I)提供绝缘基板，在绝缘基板中混入氮化金属纳米颗粒:
[0005](2)采用紫外激光对上述绝缘基板的表面进行照射，从而活化氮化金属纳米颗粒;
[0006](3)在活化后的绝缘基板表面形成覆铜层。
[0007]其中，在步骤(I)和(2)之间，对绝缘基板进行第一次清洗，例如通过去离子水冲洗或超声波振荡清洗对绝缘基板表面的污染物进行清洗，清洗后通过洁净的热风对绝缘基板进行干燥处理；
[0008]其中，在步骤(2)和(3)之间，对绝缘基板进行第二次清洗，清洗方法与第一次清洗相同；
[0009]其中，在步骤(3)之后，还可以进一步对形成镀铜层的绝缘基板进行加热处理，力口热温度为90?110°C，加热时间为20-40分钟，从而进一步增强覆铜层与绝缘基板的结合力。
[0010]其中，绝缘基板是塑料绝缘基板或陶瓷绝缘基板；氮化金属纳米颗粒是氮化铝或氮化钛纳米颗粒，其粒径范围是100纳米至500纳米,优选的范围是200纳米至350纳米。
[0011]其中，紫外激光为:波长为248nm的氟氪激光，其照射能量为180mJ/cm2，或者波长为308nm的氙氯激光，其照射能量为210mJ/cm2，或者波长为337nm的氮激光，照射能量为240mJ/cm2 ；
[0012]其中，步骤(3)中在绝缘基板表面形成覆铜层的方位为溅镀法或化学镀铜法；所述溅镀法的工艺为:将绝缘基板放置到真空溅镀腔内，在密闭的环境中将真空溅镀腔抽真空，当抽至5X l(T6torr后,通入惰性气体,使得真空腔保持在5 X l(T4torr的环境下,启动派镀铜靶材对绝缘基板进行镀铜，当所溅镀的铜箔厚度在5-30微米的范围内时，结束溅镀工艺；所述化学镀铜法的工艺为:将活化后的绝缘基板置于化学镀铜液中，在40?75°C的环境下化学镀铜2?5小时。
【具体实施方式】:
[0013]下面通过【具体实施方式】对本发明进行详细说明。
[0014]实施例1
[0015]下面介绍本发明的第一实施例；本发明提出的覆铜板的制造方法依次包括如下步骤:
[0016](I)提供绝缘基板，在绝缘基板中混入氮化金属纳米颗粒:
[0017](2)采用紫外激光对上述绝缘基板的表面进行照射，从而活化氮化金属纳米颗粒;
[0018](3)在活化后的绝缘基板表面形成覆铜层。
[0019]其中，在步骤(I)和(2)之间，对绝缘基板进行第一次清洗，例如通过去离子水冲洗或超声波振荡清洗对绝缘基板表面的污染物进行清洗，清洗后通过洁净的热风对绝缘基板进行干燥处理；
[0020]其中，在步骤(2)和(3)之间，对绝缘基板进行第二次清洗，清洗方法与第一次清洗相同；
[0021]其中，在步骤(3)之后，还可以进一步对形成镀铜层的绝缘基板进行加热处理，力口热温度为90?110°C，加热时间为20-40分钟，从而进一步增强覆铜层与绝缘基板的结合力。
[0022]其中，绝缘基板是塑料绝缘基板或陶瓷绝缘基板；氮化金属纳米颗粒是氮化铝或氮化钛纳米颗粒，其粒径范围是100纳米至500纳米,优选的范围是200纳米至350纳米。
[0023]其中，紫外激光为:波长为248nm的氟氪激光，其照射能量为180mJ/cm2，或者波长为308nm的氙氯激光，其照射能量为210mJ/cm2，或者波长为337nm的氮激光，照射能量为240mJ/cm2 ；
[0024]其中，步骤(3)中在绝缘基板表面形成覆铜层的方法为溅镀法或化学镀铜法；所述溅镀法的工艺为:将绝缘基板放置到真空溅镀腔内，在密闭的环境中将真空溅镀腔抽真空，当抽至5X l(T6torr后,通入惰性气体,使得真空腔保持在5 X l(T4torr的环境下,启动派镀铜靶材对绝缘基板进行镀铜，当所溅镀的铜箔厚度在5-30微米的范围内时，结束溅镀工艺；所述化学镀铜法的工艺为:将活化后的绝缘基板置于化学镀铜液中，在40?75°C的环境下化学镀铜2?5小时。
[0025]实施例2
[0026]下面在第二实施例中给出本发明的最优实施例:
[0027](I)提供绝缘基板，在绝缘基板中混入氮化金属纳米颗粒:
[0028](1-1)对绝缘基板进行第一次清洗，例如通过去离子水冲洗或超声波振荡清洗对绝缘基板表面的污染物进行清洗，清洗后通过洁净的热风对绝缘基板进行干燥处理；
[0029](2)采用紫外激光对上述绝缘基板的表面进行照射，从而活化氮化金属纳米颗粒;
[0030](2-2)对绝缘基板进行第二次清洗，清洗方法与第一次清洗相同；[0031](3)在活化后的绝缘基板表面形成覆铜层；
[0032](4)对形成镀铜层的绝缘基板进行加热处理，加热温度为95°C，加热时间为25分钟，从而进一步增强覆铜层与绝缘基板的结合力；
[0033]其中，绝缘基板是塑料绝缘基板或陶瓷绝缘基板；氮化金属纳米颗粒是氮化铝或氮化钛纳米颗粒，其粒径是250纳米；
[0034]其中，紫外激光是波长为337nm的氮激光，照射能量为240mJ/cm2 ；
[0035]其中，步骤(3)中在绝缘基板表面形成覆铜层的方法为溅镀法或化学镀铜法；所述溅镀法的工艺为:将绝缘基板放置到真空溅镀腔内，在密闭的环境中将真空溅镀腔抽真空，当抽至5X l(T6torr后,通入惰性气体,使得真空腔保持在5 X l(T4torr的环境下,启动派镀铜靶材对绝缘基板进行镀铜，当所溅镀的铜箔厚度在5-30微米的范围内时，结束溅镀工艺；所述化学镀铜法的工艺为:将活化后的绝缘基板置于化学镀铜液中，在40?75°C的环境下化学镀铜2?5小时。
[0036]以上实施方式已经对本发明进行了详细的介绍，但上述实施方式并非为了限定本发明的范围，本发明的保护范围由所附的权利要求限定。
【权利要求】
1.一种覆铜板的制造方法，依次包括如下步骤: (1)提供绝缘基板，在绝缘基板中混入氮化金属纳米颗粒: (2)采用紫外激光对上述绝缘基板的表面进行照射，从而活化氮化金属纳米颗粒； (3)在活化后的绝缘基板表面形成覆铜层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于: 其中，在步骤(I)和(2)之间以及步骤步骤(2)和(3)之间，分别对绝缘基板进行第一次清洗和第二次清洗，例如通过去离子水冲洗或超声波振荡清洗对绝缘基板表面的污染物进行清洗，清洗后通过洁净的热风对绝缘基板进行干燥处理； 其中，在步骤(3)之后，对形成镀铜层的绝缘基板进行加热处理，加热温度为90?110°C，加热时间为20-40分钟。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于: 其中，绝缘基板是塑料绝缘基板或陶瓷绝缘基板；氮化金属纳米颗粒是氮化铝或氮化钛纳米颗粒，其粒径范围是100纳米至500纳米,优选的范围是200纳米至350纳米；紫外激光为:波长为248nm的氟氪激光，其照射能量为180mJ/cm2，或者波长为308nm的氙氯激光，其照射能量为210mJ/cm2，或者波长为337nm的氮激光，照射能量为240mJ/cm2。
【文档编号】H05K3/38GK103813651SQ201310548772
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月7日 优先权日:2013年11月7日
【发明者】张翠 申请人:溧阳市江大技术转移中心有限公司