一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法
【专利摘要】本发明涉及一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法，该方法包括下列步骤：A、将平铺在坩埚底部的硅块料部分溶化，余少部分作为长晶用，降温至硅溶点以下，开始长晶；B、长晶初期，长晶速度控制在0.4-0.8mm/h，时间持续3-4h；C、长晶过渡期，长晶速度控制在0.8-1.2mm/h，时间持续在4-6h；D、长晶稳定期，长晶速度控制在1.0-1.4mm/h，时间持续20-24h；E、长晶收尾期，长晶速度控制在0.8-1.0mm/h，时间持续6-8h。采用本发明，控制过程增加了长晶过渡期，长晶速度由慢至快，再由快至慢，使长晶处于相对均衡状态，能减少长晶中的位错，减少杂质沉积，有效地提高了光电转换效率。据实验数据表明，位错率较原有工艺减少了20%以上。
【专利说明】—种多晶娃铸锭时的长晶控制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法。
【背景技术】
[0002]目前，多晶硅铸锭时的长晶控制方法是:先将平铺在坩埚底部的硅块料大部分溶化，余少部分作为长晶用，然后降温至硅溶点以下，开始长晶，长晶过程分长晶初期、长晶期和收尾期三个阶段，其中长晶初期的长晶速度控制在2.4-2.8mm/h,时间在2_2。5h ;长晶期的长晶速度控制在1.8-2.2mm/h,时间在20_25h ; (5)收尾期长晶速度控制在1.2-1.4mm/h,时间在8-10h，由上看出，三个阶段的长晶速度由快至慢。通过这种方法浇铸出来的多晶硅锭，由于长晶控制不均衡，造成位错多，易沉积杂质，影响多晶硅的光电转换效率。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供能使长晶过程减少位错的一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法。
[0004]本发明采取的技术方案是:一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法，其特征在于它包括下列步骤:A、将平铺在坩埚底部的硅块料部分溶化，余部分或少部分作为长晶用，然后降温至硅溶点以下，开 始长晶；B、长晶初期，长晶速度控制在0.4-0.8mm/h,时间持续3_4h ;C、长晶过渡期，长晶速度控制在0.8-1.2mm/h,时间持续在4_6h ;D、长晶稳定期，长晶速度控制在1.0-1.4mm/h,时间持续20_24h ;E、长晶收尾期，长晶速度控制在0.8-1.0mm/h,时间持续 6-8h。
[0005]采用本发明，由于控制过程增加了长晶过渡期，同时在长晶的四个过程中，长晶速度由慢至快，再由快至慢，使长晶处于相对均衡状态，因此，能减少长晶中的位错，减少杂质沉积，有效地提高了光电转换效率。据实验数据表明，位错率较原有工艺减少了 20%以上。
【具体实施方式】
[0006]下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。它包括下列步骤:
一、将平铺在坩埚底部约30mm左右的硅块料部分溶化，余8-20mm部分作为长晶用，然后降温至硅溶点以下，开始长晶；
二、长晶初期，长晶速度控制在0.4-0.8mm/h,时间持续3_4h ；
三、长晶过渡期，长晶速度控制在0.8-1.2mm/h,时间持续在4_6h ；
四、长晶稳定期，长晶速度控制在1.0-1.4mm/h,时间持续20_24h ；
长晶收尾期，长晶速度控制在0.8-1.0mm/h,时间持续6_8h。
【权利要求】
1.一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法，其特征在于它包括下列步骤:A、将平铺在坩埚底部的硅块料部分溶化，余部分或少部分作为长晶用，然后降温至硅溶点以下，开始长晶；B、长晶初期，长晶速度控制在0.4-0.8mm/h,时间持续3_4h ;C、长晶过渡期，长晶速度控制在0.8-1.2mm/h,时间持续在4_6h ;D、长晶稳定期，长晶速度控制在1.0-1.4mm/h,时间持续20-24h ;E、长晶收尾期，长晶速度控制在0.8-1.0mm/h,时间持续6_8h。
【文档编号】C30B28/06GK103696001SQ201310668942
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年12月11日 优先权日:2013年12月11日
【发明者】王土军, 徐闻韬, 徐增宏 申请人:浙江硅宏电子科技有限公司