一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，包括步骤：一、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料预热，并将铸锭炉加热温度逐步提升至T1；预热时间为6～10h，T1=1165～1185℃；二、熔化，熔化温度为T1～T5；T5=1540～1560℃；熔化过程中，向铸锭炉内充入惰性气体并将炉内气压保持在Q1，Q1=550～650mbar；三、排杂，过程如下：第11步、降压：将铸锭炉气压由Q1降至Q2，降压时间为8～12min，Q2=350～450mbar；第12步、保压；第13步、升压及降温。本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能将炉内含碳气体及时排出，并提高多晶硅铸锭质量。
【专利说明】一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺
【技术领域】
[0001]本发明属于多晶硅铸锭【技术领域】，尤其是涉及一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺。【背景技术】
[0002]光伏发电是当前最重要的清洁能源之一，具有极大的发展潜力。制约光伏行业发展的关键因素，一方面是光电转化效率低，另一方面是成本偏高。光伏硅片是生产太阳能电池和组件的基本材料，用于生产光伏硅片的多晶硅纯度必须在6N级以上(B卩非硅杂质总含量在Ippm以下)，否则光伏电池的性能将受到很大的负面影响。近几年，多晶硅片生产技术有了显著进步，多晶铸锭技术已从G4(每个硅锭重约270公斤，可切4X4=16个硅方)进步到G5 (5 X 5=25个硅方)，然后又进步到G6 (6 X 6=36个硅方)。并且，所生产多晶硅铸锭的单位体积逐步增大，成品率增加，且单位体积多晶硅铸锭的制造成本逐步降低。目前，如何制造出体积更大的多晶硅铸锭，是降低制造成本的重要措施。 [0003]实际生产过程中，太阳能多晶硅铸锭时，需使用石英坩埚来填装硅料，且将硅料投入石英坩埚后，通常情况下还需经预热、熔化(也称熔料)、长晶(也称定向凝固结晶)、退火、冷却等步骤，才能完成多晶硅铸锭过程。多晶铸锭过程中，由于铸锭炉炉腔内部的热场(一般采用石墨材料)、石英坩埚等在高温下发生反应会产生含碳气体，如CO、CO2等，含碳气体如果不及时排出去，就会进入硅熔液，导致硅熔液在定向凝固长晶过程中形成碳沉积物、SiC夹杂物等杂质或缺陷，这不仅会导致多晶硅切割工艺中增加断线事故及产生线痕不良，而且还会导致成品电池片漏电率高、转换效率低，因而需进行排杂。现如今，常用的排杂方法是在铸锭炉顶部通入惰性气体(如氩气)来排出所产生的含碳气体。但实际熔料过程中，铸锭炉内的气体并不能马上通过出气口排出热场，而是会在坩埚、护板、盖板等组成的组合结构中循环，并进入硅熔液表面，使碳元素被吸附及溶入硅熔液中，相应使Sic、Si3N4等杂质进入硅锭，从而造成生长出的硅锭的碳含量高，造成铸锭缺陷，影响切片成品率，并且最终导致电池片低效。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能将炉内含碳气体及时排出，并有效提闻多晶娃铸淀质量。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于该工艺包括以下步骤:
[0006]步骤一、预热:采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至Tl ;预热时间为6h~10h，其中T1=1165°C~1185°C ；
[0007]步骤二、熔化:采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，直至坩埚内的硅料全部熔化；熔化温度为Tl~T5 ;其中T5=1540°C~1560°C ；
[0008]本步骤中熔化过程中，向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉内气压保持在 Ql，其中 Ql=550mbar ~650mbar ；
[0009]步骤三、排杂，过程如下:
[0010]第11步、降压:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并将所述铸锭炉的气压由Ql降至Q2,降压时间为8min~12min ;其中，Q2=350mbar~45Ombar ；
[0011]第12步、保压:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并将所述铸锭炉内气压保持在Q2，保压时间为IOmin~60min ；
[0012]第13步、升压及降温:先将所述铸锭炉的气压由Q2升至Q1，再将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6，其中T6为多晶硅结晶温度且T6=1420°C~1440°C。
[0013]上述一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征是:第12步中保压时间为25min~35min。
[0014]上述一种多晶娃铸锭熔料及排杂工艺,其特征是:步骤二中Ql=600mbar,第11步中 Q2=400mbar。
[0015]上述一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征是:第13步中将所述铸锭炉的气压由Q2升至Ql的升压时间为8min~12min，将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6的降温时间为1h~2h。
[0016]上述一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征是:步骤三中排杂过程所需总时间为 2.4h ~2.6h。
[0017]上述一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征是:步骤二中待坩埚内的硅料全部熔化后，先将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，之后所述铸锭炉的加热功率开始下降，待所述铸锭炉的加热功率停止下降且持续时间t后，熔料过程完成；然后，再进入步骤三；其中t=18min ~22min。
[0018]上述一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征是:步骤一中预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率逐步升高至P1，其中Pl=70kW~80kW ;步骤二中所述坩埚内的硅料全部熔化后，对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，待所述铸锭炉的加热功率下降至P2，并保持P2不变且持续时间t后，熔料过程完成；其中，P2=35kff~45kW。
[0019]上述一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征是:步骤二中进行熔化时，过程如下:
[0020]第I步、保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在Tl，并保温0.4h~0.6h ;
[0021]第2步至第5步、升温及加压:由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由Tl逐渐提升至T2，升温时间为0.4h~0.6h ;升温过程中向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉的气压逐步提升至Ql ;其中，T2=1190°C~1210°C ；
[0022]第6步、第一次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T2逐渐提升至T3且升温时间为3.5h~4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T3=1440°C~1460°C ；
[0023]第7步:第二次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T3逐渐提升至T4且升温时间为3.5h~4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T4=1490°C~1510°C ；
[0024]第8步、第三次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T4逐渐提升至T5且升温时间为3.5h~4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T5=1540°C~1560°C ；
[0025]第9步、保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温3.5h~4.5h ;保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Ql ；[0026]第10步、持续保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温4h~8h，直至坩埚内的硅料全部熔化；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Ql。
[0027]上述一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征是:步骤一中所述铸锭炉为G5型铸锭炉。
[0028]上述一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征是--第2步至第5步中由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由Tl逐渐提升至T2时，每一步提升温度5°C~8°C，且每一步提升均需5min~12min ;第6步中进行第一次升温及保压过程中、第7步中进行第二次升温及保压过程中、第8步中进行第三次升温及保压过程中和第9步中进行保温过程中，均需对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，并确保所述铸锭炉的加热功率变化平稳。[0029]本发明与现有技术相比具有以下优点:
[0030]1、设计合理且处理工艺步骤简单，易于掌握。
[0031]2、投入成本低且实现方便。
[0032]3、使用操作方便且熔化过程结束点把握准确，熔化过程中，待坩埚内的硅料全部熔化后，控制铸锭炉的加热温度保持不变，并对铸锭炉的加热功率随时间变化的曲线(即功率曲线)进行观测；其中，待坩埚内的硅料全部熔化后，铸锭炉的功率曲线开始下降，待铸锭炉的功率曲线下降且走平20min后，熔料过程完成，之后进行长晶阶段。实际操作过程中，通过观测功率曲线便能准确确定熔料过程完成的时间点，即由熔化阶段切换到长晶阶段的切换时间点。实际操作简便，且实现方便，能准确把握由熔化阶段切换到长晶阶段的切换时机。也就是说，本发明通过延长熔料时间稳定铸锭熔料曲线，待功率曲线走平20min后再切入长晶阶段，因而能准确熔化到长晶阶段的切换时机，同时杜绝了由于熔料时间不足或熔料时间过长造成的多晶硅铸锭质量下降、成本上升等问题。并且，采用本发明对多晶硅铸锭过程中熔料至长晶的切换时机进行准确把握后，能确保长晶的质量和最终制成电池片的转换效率。
[0033]4、熔化过程分十步进行，设计合理、实现方便且使用效果好，可有效改善长晶质量，降低粘祸率，提闻太阳能电池片的转换效率，能有效提闻成品率。
[0034]5、排杂方法简单、设计合理且排杂效果好，第11步中迅速降低炉内气压，而快速降低气压有助于快速排出杂质气体，抑制含碳气体与硅熔液的接触和吸附；同时有助于进一步促进硅液的熔化。并且，第11步中迅速降低炉内气压后，第12步中保压10~60min过程中使得气体中含碳杂质不再在炉体内循环，增强了熔体和熔体表面的对流，使其充分排杂，杂质随着气流排出炉体。因而，通过本发明步骤三中的排杂工序，能有效降低炉腔内部杂质，在长晶阶段易于得到更高纯净晶体生长环境，因而能有效提高硅锭的成品率及太阳能电池片的整体转换效率，该排杂方法操作方便、实用性强，便于批量生产。因而，本发明所采用的排杂工艺能够有效降低硅锭生长过程(即长晶阶段)中的碳含量，从而使生长的硅锭有较闻的质量，并能有效减少硬质点的广生从而提闻娃淀成品率，并减少娃片切割断线率，提高太阳能电池片成品率及转换效率，该排杂方法操作方便、实用性强，便于批量生产。
[0035]综上所述，本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能将炉内含碳气体及时排出，并有效提高多晶硅铸锭质量。
[0036]下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。【专利附图】
【附图说明】
[0037]图1为本发明的工艺流程框图。
[0038]图2为采用本发明进行多晶硅铸锭时的温度及功率曲线图。
【具体实施方式】
[0039]实施例1
[0040]如图1所示的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，包括以下步骤:
[0041]步骤一、预热:采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至Tl ;预热时间为7h，其中T1=1175°C。
[0042]本实施例中，所述铸锭炉为G5型铸锭炉。并且,所述铸锭炉具体为浙江晶盛机电股份有限公司生产的G5型铸锭炉。所述坩埚为石英坩埚且其为G5坩埚，并且生产出来的多晶硅铸锭为G5锭。
[0043]实际使用时，所述石英坩埚的装料量为600kg左右。
[0044]本实施例中，所述石英坩埚的装料量为560kg。实际使用过程中，可以根据具体需要，对所述石英坩埚的装料量进行相应调整。
[0045]本实施例中，步骤一中预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率逐步升高至Pl，其中Pl=75kff0·[0046]并且，预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率以(10~15)kW/h的增长速率逐步提升至P1。
[0047]实际进行预热时，可以根据具体需要，对预热时间、预热过程中加热功率的增长速率以及Tl和Pl的取值大小进行相应调整。
[0048]步骤二、熔化:采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，熔化温度为Tl~T5 ;其中 T5=1550°C。
[0049]本步骤中熔化过程中，向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉内气压保持在Ql，其中Ql=600mbar。本实施例中，所述惰性气体为氩气。
[0050]本实施例中，待坩埚内的硅料全部熔化后，将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，之后所述铸锭炉的加热功率开始下降，待所述铸锭炉的加热功率停止下降且持续时间t后，熔料过程完成；其中t=20min。
[0051]实际进行熔化时，可以根据具体需要，对T5、t和Ql的取值大小进行相应调整。
[0052]步骤三、排杂，过程如下:
[0053]第11步、降压:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并将所述铸锭炉的气压由Ql降至Q2，降压时间为IOmin ;其中，Q2=400mbar。
[0054]第12步、保压:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并将所述铸锭炉内气压保持在Q2，保压时间为30min。
[0055]第13步、升压及降温:先将所述铸锭炉的气压由Q2升至Q1，再将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6，其中T6为多晶硅结晶温度且T6=1420°C~1440°C。
[0056]本实施例中，第13步中将所述铸锭炉的气压由Q2升至Ql的升压时间为8min~12min，将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6的降温时间为Ih~2h。
[0057]实际进行排杂时，可以根据具体需要，对降压时间、保压时间、升压时间和降温时间以及Q2的取值大小进行相应调整。
[0058]本实施例中，步骤三中排杂过程所需总时间为2.5h。
[0059]第11步进行降压时，通过减小所述惰性气体的流量进行降压；第13步进行升压时，通过增大所述惰性气体的流量进行升压。
[0060]第11步中迅速降低炉内气压，而快速降低气压有助于快速排出杂质气体，抑制含碳气体与硅熔液的接触和吸附；同时有助于进一步促进硅液的熔化。并且，第11步中迅速降低炉内气压后，第12步中保压30min过程中使得气体中含碳杂质不再在炉体内循环，增强了熔体和熔体表面的对流，使其充分排杂，杂质随着气流排出炉体。因而，通过本发明步骤三中的排杂工序，能有效降低炉腔内部杂质，在长晶阶段易于得到更高纯净晶体生长环境，因而能有效提高硅锭的成品率及太阳能电池片的整体转换效率，该排杂方法操作方便、实用性强，便于批量生产。
[0061]本实施例中，步骤二中待坩埚内的硅料全部熔化后，将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并对所述铸锭炉的加热功率随时间变化的曲线(即功率曲线)进行观测，详见图2。图2中，细实线为所述铸锭炉的加热功率随时间变化的曲线，需实线为所述铸锭炉的加热温度随时间变化的曲线，竖线为坩埚内的硅料全部熔化时的报警线。由图2可以看出，待坩埚内的硅料全部熔化后，所述铸锭炉的功率曲线开始下降，待所述铸锭炉的功率曲线下降且走平20min后，熔料过程完成，之后进入排杂阶段，待排杂阶段按成后，再进入长晶；即图2中的A点为熔料过程完成的时间点。
[0062]实际操作过程中，通过观测功率曲线便能准确确定熔料过程完成的时间点，即由熔化阶段切换到排杂阶段(其 中，排杂阶段也可看作是长晶阶段的前期工序)的切换时间点，通过本发明能准确把握由熔化阶段切换到排杂阶段，并从排杂阶段到长晶阶段的切换实际，实际操作简便，且实现方便。也就是说，通过本发明能准确掌握熔料过程的结束时间点，以解决因熔料时间不足或熔料时间过长而造成的所生产多晶硅铸锭质量下降的问题，其中熔料时间不足时，可能造成硅料熔化不够充分，造成硅锭寿命异常；而如果熔料时间过长，就会使石英坩埚长时间处于高温阶段，对氮化硅涂层可能造成损伤，造成粘埚。
[0063]本实施例中，步骤二中所述坩埚内的硅料全部熔化后，对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，待所述铸锭炉的加热功率下降至P2，并保持P2不变且持续时间t后，熔料过程完成；其中，P2=40kW。
[0064]实际进行熔化时，根据所述坩埚内装料量的不同，P2的大小相应在35kW~45kW范围内进行调整。
[0065]本实施例中，步骤二中进行熔化时，过程如下:
[0066]第I步、保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在Tl，并保温0.5h。
[0067]第2步至第5步、升温及加压:由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由Tl逐渐提升至T2，升温时间为0.5h (即第2步至第5步的总时间为0.5h);升温过程中向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉的气压逐步提升至Ql ;其中，T2=1200°C。
[0068]第2步至第5步中由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由Tl逐渐提升至T2时,每一步提升温度5°C~8°C,且每一步提升均需5min~lOmin。
[0069]第6步、第一次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T2逐渐提升至T3且升温时间为4h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T3=1450°C。[0070]第7步:第二次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T3逐渐提升至T4且升温时间为4h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T4=1500°C。
[0071]第8步、第三次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T4逐渐提升至T5且升温时间为4h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T5=1550°C。
[0072]第9步、保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温4h ;保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Ql。
[0073]第10步、持续保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温6h，直至坩埚内的硅料全部熔化；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Ql。
[0074]本实施例中，第6步中进行第一次升温及保压过程中、第7步中进行第二次升温及保压过程中、第8步中进行第三次升温及保压过程中和第9步中进行保温过程中，均需对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，并确保所述铸锭炉的加热功率变化平稳。
[0075]也就是说，第6步至第9步中进行熔化时，必须使功率曲线平稳前进，不能出现较为明显的凹凸点，这样会带来硬质点的增多。
[0076]本实施例中，第2步至第5步中进行升温及加压时，过程如下:
[0077]第2步、第一步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1175°C提升至1182°C，且升温时间为7min。
[0078]第3步、第二步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1182°C提升至1190°C，且升温时间为8min。
[0079]第4步、第三步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1190°C提升至1195°C，且升温时间为5min。
[0080]第5步、第四步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1195°C提升至1200°C，且升温时间为5min。
[0081]本实施例中，第10步中待坩埚内的硅料全部熔化且所述铸锭炉发出“熔化完成报警”后，需人工干预，对功率曲线的下降情况进行观测，待所述铸锭炉的功率曲线下降且走平20min后，熔料过程完成，之后人工干预将熔化阶段切入到长晶阶段。
[0082]本实施例中，所加工成型多晶娃铸淀的表面光洁、无杂质，无粘祸现象，少子寿命>5.0us (微秒)，硬质点比例〈0.5%，成品率为71%。使用所加工成型多晶硅铸锭制成硅片切片后线痕比例〈0.5%，太阳能电池片转换效率可提高0.1%。
[0083]实施例2
[0084]本实施例中，与实施例1不同的是:步骤一中预热时间为6h且T1=1185°C，Pl=80kff ;步骤二中 T5=1560°C, t=18min, Ql=650mbar ;第 I 步中保温时间为 0.4h ;第 2 步至第5步中T2=1210°C，升温时间为0.4h ?’第6步中T3=1460°C且升温时间为3.5h ;第7步中T4=1510°C且升温时间为3.5h ;第8步中T5=1560°C且升温时间为3.5h ;第9步中保温时间为3.5h ;第10步中保温时间为4h。
[0085]本实施例中，第2步至第5步中进行升温及加压时，过程如下:
[0086]第2步、第一步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1185°C提升至1190°C，且升温时间为5min。
[0087]第3步、第二步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1190°C提升至1195°C，且升温时间为5min。[0088]第4步、第三步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1195°C提升至1205°C，且升温时间为9min。
[0089]第5步、第四步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1205°C提升至1210°C，且升温时间为5min。
[0090]步骤三中进行排杂时，第11步中降压时间为8min且Q2=450mbar ;第12步中保压时间为60min ;第13步中升压时间为8min。
[0091]本实施例中，步骤三中排杂过程所需总时间为2.6h。
[0092]本实施例中，其余工艺步骤和工艺参数均与实施例1相同。
[0093]本实施例中，所加工成型多晶娃铸淀的表面光洁、无杂质，无粘祸现象，少子寿命>5.0us (微秒)，硬质点比例〈0.5%，成品率为71%。使用所加工成型多晶硅铸锭制成硅片切片后线痕比例〈0.5%，太阳能电池片转换效率可提高0.1%。
[0094]实施例3
[0095]本实施例中，与实施例1不同的是:步骤一中预热时间为IOh且T1=1165°C，Pl=70kff ;步骤二中 T5=1540°C, t=22min, Ql=550mbar ;第 I 步中保温时间为 0.6h ;第 2 步至第5步中T2=1190°C，升温时间为0.6h ;第6步中T3=1440°C且升温时间为4.5h ?’第7步中T4=1490°C且升温时间为4.5h ;第8步中T5=1540°C且升温时间为4.5h ;第9步中保温时间为4.5h ;第10步中保温时间为8h。
[0096]本实施例中，第2步 至第5步中进行升温及加压时，过程如下:
[0097]第2步、第一步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1165°C提升至1172°C，且升温时间为9min。
[0098]第3步、第二步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1172°C提升至1178°C，且升温时间为8min。
[0099]第4步、第三步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1178°C提升至1183°C，且升温时间为IOmin。
[0100]第5步、第四步提升:将所述铸锭炉的加热温度由1183°C提升至1190°C，且升温时间为9min。
[0101]步骤三中进行排杂时，第11步中降压时间为12min且Q2=350mbar ?’第12步中保压时间为35min ;第13步中升压时间为12min。
[0102]本实施例中，步骤三中排杂过程所需总时间为2.4h。
[0103]本实施例中，其余工艺步骤和工艺参数均与实施例1相同。
[0104]本实施例中，所加工成型多晶娃铸淀的表面光洁、无杂质，无粘祸现象，少子寿命>5.0us (微秒)，硬质点比例〈0.5%，成品率为70%。使用所加工成型多晶硅铸锭制成硅片切片后线痕比例〈0.5%，太阳能电池片转换效率可提高0.05%。
[0105]实施例4
[0106]本实施例中，与实施例1不同的是:步骤三中进行排杂时，第11步中降压时间为IOmin且Q2=380mbar ;第12步中保压时间为25min ;第13步中升压时间为lOmin。
[0107]本实施例中，步骤三中排杂过程所需总时间为2.5h。
[0108]本实施例中，其余工艺步骤和工艺参数均与实施例1相同。
[0109]本实施例中，所加工成型多晶娃铸淀的表面光洁、无杂质，无粘祸现象，少子寿命>5.0us (微秒)，硬质点比例〈0.5%，成品率为70%。使用所加工成型多晶硅铸锭制成硅片切片后线痕比例〈0.5%，太阳能电池片转换效率可提高0.1%。
[0110]实施例5
[0111]本实施例中，与实施例1不同的是:步骤三中进行排杂时，第11步中降压时间为IOmin且Q2=450mbar ;第12步中保压时间为IOmin ;第13步中升压时间为IOmin0
[0112]本实施例中，步骤三中排杂过程所需总时间为2.5h。
[0113]本实施例中，其余工艺步骤和工艺参数均与实施例1相同。
[0114]本实施例中，所加工成型多晶硅铸锭的表面光洁、无杂质，无粘埚现象，少子寿命>5.0us (微秒)，硬质点比例〈0.5%，成品率为70%。使用所加工成型多晶硅铸锭制成硅片切片后线痕比例〈0.5%，太阳能电池片转换效率可提高0.05%。
[0115]以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。·
【权利要求】
1.一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于该工艺包括以下步骤: 步骤一、预热:采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至Tl ;预热时间为6h~10h，其中T1=1165°C~1185°C ； 步骤二、熔化:采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，直至坩埚内的硅料全部熔化；熔化温度为Tl~T5 ;其中T5=1540°C~1560°C ； 本步骤中熔化过程中，向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉内气压保持在Q1，其中 Ql=550mbar ~650mbar ； 步骤三、排杂，过程如下: 第11步、降压:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并将所述铸锭炉的气压由Ql降至Q2,降压时间为 8min ~12min ;其中，Q2=350mbar ~45Ombar ； 第12步、保压:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并将所述铸锭炉内气压保持在Q2，保压时间为IOmin~60min ； 第13步、升压及降温:先将所述铸锭炉的气压由Q2升至Q1，再将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6，其中T6为多晶硅结晶温度且T6=1420°C~1440°C。
2.按照权利要求1所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于:第12步中保压时间为25min~35min。
3.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于:步骤二中 Ql=600mbar,第 11 步中 Q2=400mbar。
4.按照权利要 求1或2所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于--第13步中将所述铸锭炉的气压由Q2升至Ql的升压时间为8min~12min，将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6的降温时间为Ih~2h。
5.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于:步骤三中排杂过程所需总时间为2.4h~2.6h。
6.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于:步骤二中待坩埚内的硅料全部熔化后，先将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，之后所述铸锭炉的加热功率开始下降，待所述铸锭炉的加热功率停止下降且持续时间t后，熔料过程完成；然后，再进入步骤三；其中t=18min~22min。
7.按照权利要求6所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于:步骤一中预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率逐步升高至Pl，其中Pl=70kW~80kW ;步骤二中所述坩埚内的硅料全部熔化后，对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，待所述铸锭炉的加热功率下降至P2，并保持P2不变且持续时间t后，熔料过程完成；其中，P2=35kW~45kW。
8.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于:步骤二中进行熔化时，过程如下: 第I步、保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在Tl，并保温0.4h~0.6h ; 第2步至第5步、升温及加压:由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由Tl逐渐提升至T2，升温时间为0.4h~0.6h ;升温过程中向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉的气压逐步提升至Ql ;其中，T2=1190°C~1210°C ； 第6步、第一次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T2逐渐提升至T3且升温时间为3.5h~4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T3=1440°C~1460°C ；第7步:第二次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T3逐渐提升至T4且升温时间为3.5h~4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T4=1490°C~1510°C ； 第8步、第三次升温及保压:将所述铸锭炉的加热温度由T4逐渐提升至T5且升温时间为3.5h~4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Ql ;其中，T5=1540°C~1560°C ； 第9步、保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温3.5h~4.5h ;保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Ql ; 第10步、持续保温:将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温4h~8h，直至坩埚内的硅料全部熔化；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Ql。
9.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于:步骤一中所述铸锭炉为G5型铸锭炉。
10.按照权利要求8所述的一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于:第2步至第5步中由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由Tl逐渐提升至T2时，每一步提升温度5°C~8°C，且每一步提升均需5min~12min ;第6步中进行第一次升温及保压过程中、第7步中进行第 二次升温及保压过程中、第8步中进行第三次升温及保压过程中和第9步中进行保温过程中，均需对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，并确保所述铸锭炉的加热功率变化平稳。
【文档编号】C30B28/06GK103741206SQ201410041954
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2014年1月28日 优先权日:2014年1月28日
【发明者】周建华 申请人:西安华晶电子技术股份有限公司