电连接器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种电连接器，包括：一电路板，所述电路板开设有数个第一接触垫，所述每一第一接触垫上设置有一低熔点金属，所述低熔点金属的熔点低于40°C；一芯片模块，所述芯片模块对应所述第一接触设有数个第二接触垫，所述第一接触垫通过所述低熔点金属与所述第二接触垫进行电性导接。本发明电连接器的芯片模块通过低熔点金属直接与电路板电性导接，大大的降低了电连接器的厚度，简化了制作工艺，降低了生产成本。
【专利说明】电连接器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电连接器，尤其是指一种超薄的电连接器。
【背景技术】
[0002]业界的电子产品越做越薄，为了响应市场的需求，厂商们通过将CPU直接焊接在电路板上，以降低电连接器的厚度。由于这种连接方式采用焊接连接，当CPU损坏时，CPU不易更换，从而难以维修和升级。
[0003]因此，有必要设计一种新的电连接器，以克服上述问题。
【发明内容】
[0004]针对【背景技术】所面临的问题，本发明的目的在于提供一种超薄且容易更换CPU的电连接器。
[0005]为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案:包括:一电路板，所述电路板开设有多个第一接触垫，每一所述第一接触垫上设置有一低熔点金属，所述低熔点金属的熔点低于40° C; —芯片模块，所述芯片模块对应每一所述第一接触垫设有一第二接触垫，所述第一接触垫通过所述低熔点金属与所述第二接触垫进行电性导接。
[0006]进一步,所述第二接触垫是pin针或者锡球或者弹片。
[0007]进一步，所述低熔点金属的体积不超过所述锡球体积的1/2。
[0008]进一步,所述低熔点金属为镓或者镓合金。
[0009]进一步，所述镓合金含有铟、镓、锡。
[0010]进一步，所述低熔点金属中设有一些填充物。
[0011]进一步，所述填充物外表设有与所述低熔点金属相容的材质。
[0012]进一步,所述材质为铟或者锡或者锌。
[0013]进一步，所述填充物为弹性体。
[0014]进一步，所述弹性体为弹片或者海绵或者弹性硅胶。
[0015]进一步，所述填充物为颗粒状物体。
[0016]进一步，所述颗粒状物体为金属颗粒或者非金属颗粒。
[0017]进一步，所述颗粒状物体具有磁性。
[0018]进一步，所述电路板与所述芯片模块中间设有一隔离部。
[0019]进一步，所述隔离部设于相邻的两个所述低熔点金属之间。
[0020]进一步，所述隔离部可为疏水材料或者弹性高分子材料或者绝缘胶片。
[0021]进一步，所述电路板与所述芯片模块中间设有一挡块，所述挡块的高度低于所述低熔点金属顶端的高度。
[0022]进一步,所述第一接触垫与所述第二接触垫接触形成一接触点,所述液态金属包覆在所述接触点的周围。
[0023]本发明还提供一种电连接器，包括一电路板，所述电路板上设有多个第一接触垫，所述第一接触垫表面设有一第一金属；一芯片模块，所述芯片模块上设有多个第二接触垫，所述第二接触垫表面设有一第二金属；当所述第一接触垫与所述第二接触垫接触时，所述第一金属与所述第二金属形成低于40° C的一合金，并电性导接所述第一接触垫与所述第二接触垫，所述合金的熔点不高于所述第一金属的熔点或者所述第二金属的熔点。
[0024]进一步，所述第一金属与所述第二金属可以为铟、镓、锡或者锌中的一种或者几种。
[0025]进一步，所述第一金属为铟，所述第二金属为镓。
[0026]进一步，所述第一金属为镓，所述第二金属为铟。
[0027]进一步，所述第一金属和所述第二金属表面还可以设置第三金属或者第四金属。
[0028]进一步，所述电路板与所述芯片模块中间设有一隔离部。
[0029]进一步，所述隔离部设于相邻的两个所述低熔点金属之间。
[0030]进一步，所述第一接触垫与第一金属之间设有一保护层，所述第二接触垫与所述第二金属之间设有一保护层。
[0031]本发明还提供一种电连接器，包括一第一电子元件，所述第一电子元件上设有多个第一接触垫，所述第一接触垫表面设有一第一金属；一第二电子元件，所述第二电子元件上设有多个第二接触垫，所述第二接触垫表面设有一第二金属；当所述第一接触垫与所述第二接触垫接触时，所述第一金属与所述第二金属形成一低于40° C的合金，并电性导接所述第一接触垫与所述第二接触垫，所述合金的熔点不高于所述第一金属的熔点或者所述第二金属的熔点。
[0032]与现有技术相比，本发明电连接器的所述芯片模块通过所述低熔点金属直接与所述电路板电性导接，大大的降低了所述电连接器的厚度，同时当所述芯片模块损坏时，也能快速方便的更换所述芯片模块，所设置的隔离部还能有效的减少短路现象的发生，在所述低熔点金属中设置填充物，可以减少所述低熔点金属的使用量，降低生产成本。
[0033]【【专利附图】
【附图说明】】
图1为本发明芯片模块下压后的示意图；
图2为图1中另一种压合模式的示意图；
图3为图1中另一种压合模式的示意图；
图4为图1中液态金属设有金属颗粒的不意图；
图5为图1中液态金属设有海绵的不意图；
图6为本发明的总装示意图；
图7为本发明另一实施例中芯片模块未下压的示意图；
图8为图7中芯片模块下压后的示意图。
[0034]【具体实施方式】的附图标号说明:
【权利要求】
1.一种电连接器，其特征在于，包括: 一电路板，所述电路板开设有多个第一接触垫，每一所述第一接触垫上设置有一低熔点金属，所述低熔点金属的熔点低于40° C ; 一芯片模块，所述芯片模块对应每一所述第一接触垫设有一第二接触垫，所述第一接触垫通过所述低熔点金属与所述第二接触垫进行电性导接。
2.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于:所述第二接触垫是pin针或者锡球或者弹片。
3.如权利要求2所述的电连接器，其特征在于:所述低熔点金属的体积不超过所述锡球体积的1/2。
4.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于:所述低熔点金属为镓或者镓合金。
5.如权利要求4所述的电连接器，其特征在于:所述镓合金含有铟、镓、锡。
6.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于:所述低熔点金属中设有一些填充物。
7.如权利要求6所述的电连接器，其特征在于:所述填充物外表设有与所述低熔点金属相容的材质。
8.如权利要求7所述的电连接器，其特征在于:所述材质为铟或者锡或者锌。
9.如权利要求6所述的电连接器，其特征在于:所述填充物为弹性体。
10.如权利要求9所述的电连接器，其特征在于:所述弹性体为弹片或者海绵或者弹性硅胶。
11.如权利要求6所述的电连接器，其特征在于:所述填充物为颗粒状物体。
12.如权利要求11所述的电连接器，其特征在于:所述颗粒状物体为金属颗粒或者非金属颗粒。
13.如权利要求11所述的电连接器，其特征在于:所述颗粒状物体具有磁性。
14.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于:所述电路板与所述芯片模块中间设有一隔离部。
15.如权利要求14所述的电连接器，其特征在于:所述隔离部设于相邻的两个所述低熔点金属之间。
16.如权利要求14所述的电连接器，其特征在于:所述隔离部可为疏水材料或者弹性高分子材料或者绝缘胶片。
17.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于:所述电路板与所述芯片模块中间设有一挡块，所述挡块的高度低于所述低熔点金属顶端的高度。
18.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于:所述第一接触垫与所述第二接触垫接触形成一接触点，所述液态金属包覆在所述接触点的周围。
19.一种电连接器，其特征在于，包括: 一电路板，所述电路板上设有多个第一接触垫，所述第一接触垫表面设有一第一金属； 一芯片模块，所述芯片模块上设有多个第二接触垫，所述第二接触垫表面设有一第二金属； 当所述第一接触垫与第二接 触垫结合时，所述第一金属与所述第二金属形成一低于40° C的合金，并电性导接所述第一接触垫与第二接触垫，所述合金的熔点不高于所述第一金属的熔点或者所述第二金属的熔点。
20.如权利要求19所述的电连接器，其特征在于:所述第一金属与所述第二金属可以为铟、镓、锡或者锌中的一种或者几种。
21.如权利要求20所述的 电连接器，其特征在于:所述第一金属为铟，所述第二金属为镓。
22.如权利要求20所述的电连接器，其特征在于:所述第一金属为镓，所述第二金属为铟。
23.如权利要求19所述的电连接器，其特征在于:所述第一金属和所述第二金属表面还可以设置第三金属或者第四金属。
24.如权利要求19所述的电连接器，其特征在于:所述电路板与所述芯片模块中间设有一隔离部。
25.如权利要求19所述的电连接器，其特征在于:所述隔离部设于相邻的两个所述低熔点金属之间。
26.如权利要求19所述的电连接器，其特征在于:所述第一接触垫与第一金属之间设有一保护层，所述第二接触垫与所述第二金属之间设有一保护层。
27.—种电连接器，其特征在于，包括: 一第一电子元件，所述第一电子元件上设有多个第一接触垫，所述第一接触垫表面设有一第一金属; 一第二电子元件，所述第二电子元件上设有多个第二接触垫，所述第二接触垫表面设有一第二金属； 当所述第一接触垫与所述第二接触垫接触时，所述第一金属与所述第二金属形成低于40° C的一合金，并电性导接所述第一接触垫与所述第二接触垫，所述合金的熔点不高于所述第一金属的熔点或者所述第二金属的熔点。
【文档编号】H05K1/18GK103906358SQ201410116308
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年3月27日 优先权日:2013年11月26日
【发明者】朱德祥 申请人:番禺得意精密电子工业有限公司