印刷电路板及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种印刷电路板(PCB)及其制造方法，该PCB能够通过在表面上形成铜(Cu)膜来使用一般的接合构件，增加接合力，并且通过使用铝(Al)来增加热辐射效率和抗弯强度。该PCB包括：核心单元；基底单元，其表面由Cu来制成；接合构件，设置在核心单元与基底单元之间，以将基底单元接合到核心单元的每侧；替换层，配置成使基底单元的表面变成锌(Zn)；第一镀层，在替换层上通过镀敷由第一金属材料制成；以及第二镀层，在第一镀层上通过镀敷由与第一金属材料不同的第二金属材料制成。
【专利说明】印刷电路板及其制造方法
[0001] 相关申请的交叉引用 本申请要求2013年4月12日在韩国知识产品局提交的韩国专利申请 No. 10-2013-0040367的权益，通过引用将其公开结合到本文中。
【技术领域】
[0002] 本发明涉及使用铝（A1)的印刷电路板（PCB)，以及更具体来说，涉及使用A1来增 加热辐射和抗弯强度的PCB及其制造方法。
【背景技术】
[0003] -般来说，印刷电路板（PCB)指的是用于经过其上集成的布线来安装各种装置或 者实现装置之间的电连接的组件。随着技术发展，PCB采取各种形式来制造并且具有各种 功能。随着诸如家用电器、通信装置、半导体设备、工业装置和汽车的电气控制之类的需求 旺盛工业的增长，对PCB的需求不断增加。具体来说，随着朝电子部件的小尺寸和高技术的 趋势，PCB正变成更小、更轻和高附加值产品。
[0004] 那些电子装置的显著特征之一是由添加多功能所引起的功率消耗的增加。相应 地，电子部件中的热生成增加。热生成可与用户满意程度相关或者用作购买标准。
[0005] 按常规，通过使用覆铜箔层压板（CCL)作为基板并且在CCL上形成和添加电路图 案，来制造多层PCB。但是，由于常规PCB的材料局限于铜（Cu)，所以PCB的热辐射性质受 到限制。
【发明内容】
[0006] 本发明的一个方面提供一种印刷电路板（PCB)及其制造方法，使用铝（A1)层合来 实现各种类型的电路，并且相应地简化产品配置。
[0007] 本发明的另一个方面提供一种PCB及其制造方法，通过使用一般的接合构件来增 加接合力，并且由此降低制造成本。
[0008] 本发明的又一方面提供一种PCB及其制造方法，增加热辐射效率和抗弯强度。
[0009] 本发明的又一方面提供一种PCB及其制造方法，阻止在应用到汽车的恶劣环境条 件下的衬底的破坏，由此增加产品的可靠性。
[0010] 本发明的另一方面提供一种PCB及其制造方法，通过使用较轻的A1来减少汽车的 电子部件。
[0011] 本发明的又一方面提供一种PCB及其制造方法，降低制造时间和制造成本。
[0012] 按照本发明的一个方面，提供一种PCB，其包括：核心单元；基底单元，其表面由Cu 来制成；接合构件，设置在核心单元与基底单元之间，以将基底单元接合到核心单元的每 侦h替换层，配置成使基底单元的表面变成锌（Zn);第一镀层，在替换层上通过镀敷由第一 金属材料制成；以及第二镀层，在第一镀层上通过镀敷由与第一金属材料不同的第二金属 材料制成。
[0013] 核心单元可由绝缘材料制成。可穿过核心单元、接合构件和基底单元来形成通孔。 可形成金属层，以金属化通孔中暴露由绝缘材料所制成的核心单元和接合构件的截面，以 及替换层可在不包括金属层的区域来形成。替换层的厚度可等于或大于金属层的厚度。基 底单元可配置成使得Cu膜经过A1层的表面处理来设置在A1层的表面上，以及基底单元可 包括A1层、在A1层上形成的Zn膜、通过镀敷在Zn膜上形成的镍（Ni)膜以及通过镀敷在 Ni膜上形成的Cu膜。
[0014] 核心单元可配置成使得Cu膜经过A1层的表面处理来设置在A1层的表面上。核 心单元可包括A1层、在A1层上形成的Zn膜、通过镀敷在Zn膜上形成的Ni膜以及通过镀 敷在Ni膜上形成的Cu膜。核心单元可包括核心图案。核心图案可包括穿过A1层的至少 一个孔，以及至少一个孔可沿图案设置或者规则地或不规则地设置。可穿过核心单元、接合 构件和基底单元来形成通孔。可形成金属层，以金属化通孔中暴露接合构件的截面，以及替 换层可在不包括金属层的区域来形成。替换层的厚度可等于或大于金属层的厚度。基底单 元可配置成使得Cu膜经过A1层的表面处理来设置在A1层的表面上，以及基底单元可包括 A1层、在A1层上形成的Zn膜、通过镀敷在Zn膜上形成的镍Ni膜以及通过镀敷在Ni膜上 形成的Cu膜。基底单元可包括Cu板。
[0015] 接合构件可包括聚酰亚胺基接合片或者环氧树脂基接合片。
[0016] 第一镀层可通过无电解镀或电镀来形成。第一镀层可包括从Ni、金（Au)和银（Ag) 中选取的至少一种金属。
[0017] 第二镀层可通过电镀来形成。第二镀层可包括Cu。
[0018] PCB还可包括在第二镀层上形成的电路图案。可通过在第二镀层上施加干膜、执行 曝光并且使用氯化铁、氯化铜和氯酸钠中的任一种，来形成电路图案。
[0019] 可沉积多层核心单元、接合构件和基底单元。
[0020] 按照本发明的另一方面，提供一种用于PCB的制造方法，该制造方法包括：提供核 心单元；提供基底单元，其表面由Cu来制成；使用接合构件将基底单元接合到核心单元的 每侧；通过使基底单元的表面变成Zn来形成替换层；形成第一镀层，其在替换层上通过镀 敷由第一金属材料来制成；以及形成第二镀层，其在第一镀层上通过镀敷由与第一金属材 料不同的第二金属材料来制成。
[0021] 核心单元可由绝缘材料制成。该制造方法还可包括：形成穿过核心单元、接合构件 和基底单元的通孔；以及形成金属层，用于金属化通孔中暴露由绝缘材料所制成的核心单 元和接合构件的截面，其中替换层在不包括金属层的区域来形成。替换层的形成可包括将 替换层的厚度形成为等于或大于金属层的厚度。基底单元可配置成使得Cu膜经过A1层的 表面处理来设置在A1层的表面上，以及其中该制造方法可包括提供A1层、形成在A1层上 形成的Zn膜、形成通过镀敷在Zn膜上形成的Ni膜以及形成通过镀敷在Ni膜上形成的Cu 膜。
[0022] 核心单元可配置成使得Cu膜经过A1层的表面处理来设置在A1层的表面上。核 心单元的提供可包括提供A1层、形成在A1层上形成的Zn膜、形成通过镀敷在Zn膜上形成 的Ni膜以及形成通过镀敷在Ni膜上形成的Cu膜。该制造方法还包括在核心单元形成核 心图案。核心图案的形成可包括形成穿过A1层的至少一个孔，以及至少一个孔可沿图案设 置或者规则地或不规则地设置。该制造方法还可包括：形成穿过核心单元、接合构件和基底 单元的通孔；以及形成金属层，用于金属化通孔中暴露接合构件的截面，其中替换层可在不 包括金属层的区域来形成。替换层的形成可包括将替换层的厚度形成为等于或大于金属层 的厚度。基底单元可配置成使得Cu膜经过A1层的表面处理来设置在A1层的表面上，以及 其中该制造方法可包括提供A1层、形成在A1层上形成的Zn膜、形成通过镀敷在Zn膜上形 成的Ni膜以及形成通过镀敷在Ni膜上形成的Cu膜。基底单元可包括Cu板。
[0023] 接合构件可包括聚酰亚胺基接合片或者环氧树脂基接合片。
[0024] 第一镀层可通过无电解镀或电镀来形成。第一镀层可包括从Ni、Au和Ag中选取 的至少一种金属。
[0025] 第二镀层可通过电镀来形成。第二镀层可由Cu制成。
[0026] 该制造方法还可包括在第二镀层上形成电路图案，其中电路图案的形成可包括在 第二镀层上施加干膜、曝光干膜以及通过使用从氯化铁、氯化铜和氯酸钠中所选的任一种 的盐酸基蚀刻来蚀刻第二镀层。
[0027] 核心单元的提供以及使用接合构件来接合基底单元可重复进行多次，由此形成多 层结构。
[0028] 效果 按照本发明的实施例，各种类型的电路可使用铝（A1)的层合来实现，并且因此可通过 集成各种电路来简化产品。
[0029] 另外，按照本发明的实施例，由于铜膜在A1表面上形成，所以可应用一般使用的 接合构件。相应地，接合力可增加，同时制造时间和成本降低。
[0030] 另外，按照本发明的实施例，由于A1层合，印刷电路板（PCB)的热辐射效率和抗弯 强度可增加。另外，在恶劣环境条件下、例如在汽车中，可防止PCB的破坏或破裂，并且可增 加产品的可靠性。
[0031] 另外，按照本发明的实施例，用于汽车的电子部件的重量可通过使用较轻的A1来 减小。
【专利附图】
【附图说明】
[0032] 通过结合附图对示范实施例的以下描述，本发明的这些和/或其它方面、特征和 优点将变得显而易见并且更易于理解，附图包括： 图1至图13是示出按照本发明的一个实施例的印刷电路板（PCB)的制造方法的简图； 以及 图14至图22是示出按照本发明的另一个实施例的PCB的制造方法的简图。
【具体实施方式】
[0033] 现在将详细参照本发明的示范实施例，其示例在附图中示出，其中相似参考标号 通篇表示相似元件。
[0034] 下面将参照图1至图13详细描述用于包括通过在铝（A1)表面上形成铜（Cu)膜 所制成的核心单元100的印刷电路板（PCB)的制造方法。在以下描述中，将会理解，当层说 成是在另一层'上'时，它能够设置在层的上侧和下侧的任一个上。另外，术语'孔'可以不 仅具有圆形截面，而且还具有或者具有其它多边形截面的任一种。
[0035] 首先，制备核心单元100。核心单元100可由铝（A1)制成。核心单元100可按照 如下方式来配置：使得铜膜104经过预定表面处理、在由预定厚度的A1箔层所制成的核心 层101上形成。具体来说，核心单元100可包括依次沉积在预定厚度的A1核心层101上的 锌（Zn)膜102、镍（Ni)膜103和Cu膜104。现在将描述核心单元100的结构和制造方法。
[0036] 如图1所示，制备核心层101，其是具有预定厚度的A1箔层。
[0037] 如图2所示，通过对于核心层101的表面执行锌酸盐处理，以预定厚度来形成Zn 膜102。可经过将核心层101的表面的部分厚度替换为Zn，来形成Zn膜102。Zn膜102可 防止A1核心层101在空气中氧化，并且在此后执行的镀敷或者无电解镀期间保护核心层 101的表面。
[0038] 如图3所示，通过在Zn膜102上执行电镀，来形成Ni膜103。可与无电解镀方法 一起通过要求较低生产成本的电镀,来形成Ni膜103。但是，取决于工作条件，可通过将Zn 膜102的镀敷替换为Ni，来形成Ni膜103。在这种情况下，Zn膜102的部分或整个厚度可 替换为Ni膜103。虽然在上述实施例中，Ni用来在在Zn膜102上形成Ni膜103,但是具有 高耐化学性的其它金属、例如金（Au)和银（Ag)可用来代替Ni。但是，由于Au和Ag比Ni 更贵，所以在本实施例中使用Ni。
[0039] 如图4所示，Cu膜104通过电镀在Ni膜103上形成。例如，Cu膜104可形成为大 约20 μ m的厚度。Cu膜104的厚度可按照电特性来控制。
[0040] 经过参照图1至图4所示的过程，可在A1上形成包括具有预定厚度的Cu膜104 的核心单元100。因此，由于核心单元100的表面包括Cu膜104,所以与仅使用A1时相比， 接合效率可增加。因此，可使用一般的接合构件111。
[0041] 如图5所示，在核心单元100形成包括至少一个孔的核心图案105。但是，并不局 限于本实施例，可从核心单元100省略核心图案105,以及核心单元100可用作图案。
[0042] 例如，核心图案104可通过按照预定图案所设置的多个孔或者规则地或不规则地 设置的多个孔来配置。核心图案105可在核心单元100上形成预定电路图案。另外，核心图 案105可增强核心单元100的热辐射。在这里，核心图案105可在核心单元100上通过化 学或机械方法来形成。例如，核心图案105可通过化学蚀刻来形成。备选地，核心图案105 可通过冲压来形成。
[0043] 如图6A和图6B所示，基底单元112使用接合构件111来接合到核心单元100的 每侧。在接合构件111置于核心单元100与基底单元112之间的状态中，预定温度和压力 的热施加到核心单元100和基底单元112,由此将核心单元100和基底单元112相互接合。
[0044] 基底单元112的表面由Cu制成。例如，如图6A所示，通过对A1执行预定表面处 理所制备的A1材料可按照与核心单元110相同的方式用于基底单元112。如以上参照图1 至图4所示，基底单元112可包括依次沉积在具有预定厚度的A1膜1121上的Zn膜1122、 Ni膜1123和Cu膜1124。由于形成基底单元112的A1层1121到Cu膜1124的过程与形 成核心单元100的过程相同，所以将不重复有关该过程的描述。但是，本发明并不局限于本 实施例。如图6B所示，例如采取具有预定厚度的Cu板或Cu箔的形式的单Cu层1125可形 成基底单元112。
[0045] 例如，接合构件111可由具有高接合性能和绝缘功能的聚酰亚胺基绝缘粘合片来 实现，或者环氧树脂基接合材料、例如玻璃环氧树脂可用作接合构件111。接合构件111可 具有与基底单元112相似的热膨胀系数。按照一个实施例，由于基底单元112的表面由Cu 制成，所以一般用于Cu的粘合剂可用作接合构件111。按照实施例，PCB的热辐射效率和抗 弯强度可通过使用A1来增加。另外，由于一般的接合材料用作接合构件111，所以接合力可 增加，同时制造时间和制造成本降低。随后，如图7所示，穿过核心单元100、接合构件111 和基底单元112的通孔113可在基底单元112接合到核心单元100的状态中形成。例如， 通孔113可通过钻孔或激光加工来形成。
[0046] 如图8所不，形成金属层114,其用于金属化暴露于通孔113的内表面的接合构件 111的外露部分。例如，金属层114可以是通过碳直接镀敷所形成的碳层。通过金属层114， 由接合构件111电绝缘的核心单元1〇〇可与设置在核心单元1〇〇的上部和下部的基底单元 112电连接。另外，如图9所示，金属层114可以不仅延伸到接合构件111的截面，而且甚至 还延伸到核心单元100的部分和基底单元112的部分，使得核心单元100和基底单元112 电连接。
[0047] 如图9所示，替换层115可通过对于基底单元112的表面执行锌酸盐处理，来形成 为预定厚度。例如，可通过将基底单元112的部分表面替换为Zn，来形成替换层115。替换 层115可设置在基底单元112的截面和核心单元100的截面、即基底单元112的表面以及通 孔113中不包括金属层114的里面。替换层115的厚度可等于或大于金属层114的厚度。 在本实施例中，通过将基底单元112的厚度的一部分替换为Zn(如图9中的参考标号115a 所示），来形成替换层115。但是，并不局限于本实施例，基底单元112的整个厚度可替换为 替换层115。替换层115的厚度以及从基底单元112所替换的部分115a的厚度可以改变。
[0048] 按照本实施例，替换层115可防止由A1所制成的基底单元112在空气中的氧化， 并且还防止此后将要执行的无电解镀和电镀期间的基底单元112的表面的腐蚀。
[0049] 如图10所示，使用具有高耐化学性的金属对替换层115执行镀敷，由此形成第一 镀层116。第一镀层116可以不仅在替换层115上、而且还在通孔113内部所设置的金属层 114的表面上形成。第一镀层116可通过无电解镀或电镀来形成。例如，第一镀层116可通 过Ni的电镀来形成。但是，第一镀层116的材料并不局限于Ni。具有高耐化学性的其它材 料、例如Au或Ag可用作第一镀层116。
[0050] 如图11所示，第二镀层117可在第一镀层116上使用与第一镀层116不同的金属 来形成。例如，第二镀层117可以是通过使用Cu的电镀所形成的Cu膜。
[0051] 如图12所示，包括预定图案119的干膜118可施加到第二镀层117的表面上。例 如，预定图案119可经过预定时间的曝光和显影来印刷在干膜118的表面上。
[0052] 如图13所示，可通过沿干膜118的图案119去除第二镀层117、第一镀层116、替换 层115和基底单元112,来形成电路图案120。在形成电路图案120之后去除干膜118,由此 制造 PCB。可通过基于干膜118的图案119的盐酸基蚀刻，来形成电路图案120。例如，氯 化铁、氯化铜、氯酸钠等可用作盐酸基蚀刻。但是，并不局限于上述示例，可以不仅通过使用 干膜118和盐酸基蚀刻的化学方法，而且还通过机械方法、例如冲压，来形成电路图案120。
[0053] 虽然在上述实施例中示出单个核心单元100,但是本发明并不局限于此附图。因 此，核心单元100、接合构件111和基底单元112可反复沉积到多层结构上。甚至在采用多 个核心单元100和基底单元112时，形成通孔113、金属层114、替换层115、第一镀层116和 第二镀层117的过程也可按照相同方式来执行。
[0054] 按照本实施例所制造的PCB可适用于汽车的电子部件。
[0055] 下面将参照图14至图22来描述按照本发明的另一个实施例的PCB的制造方法。 除了核心单元的材料之外，以下描述中的实施例与图1至图13的实施例基本上相同。因此， 相似元件将通过相似名称来表示，并且将不作赘述。
[0056] 如图14所示，制作核心单元200。核心单元200可由绝缘材料制成。
[0057] 如图15所示，基底单元212使用接合构件211来接合到核心单元200的每侧。在 接合构件211置于核心单元200与基底单元212之间的状态中，预定温度和压力的热施加 到核心单元200和基底单元212,由此将核心单元200和基底单元212相互接合。例如，接 合构件211可由具有高接合性能和绝缘功能的聚酰亚胺基绝缘粘合片或者环氧树脂基接 合材料、例如玻璃环氧树脂来实现。接合构件211可具有与基底单元212相似的热膨胀系 数。
[0058] 包括通过对A1所执行的预定表面处理所形成的Cu膜的A1可用于基底单元212。 如参照图1至图4所述，Zn层2122、Ni层2123和Cu膜2124可依次设置在具有预定厚度 的A1层2121的表面上。由于基底单元212的A1层2121和Cu膜2124经过与图1至图4 的核心单元100的制造过程相同的过程来形成，所以将省略赘述。
[0059] 如图16所示，在基底单元212接合到核心单元200的状态中，形成穿过核心200、 接合构件211和基底单元212的通孔213。例如，通孔213可通过钻孔或激光加工来形成。
[0060] 如图17所不，形成金属层214,其用于金属化暴露于通孔213的内表面的核心单 元（其由绝缘材料制成）以及接合构件211的外露部分。通过金属层214,设置在核心单 元200的两侧上并且电绝缘的基底单元212可相互电连接。例如，金属层214可通过经由 直接镀敷形成碳层来形成，并且延伸到基底单元212的部分，使得核心单元200相互连接。
[0061] 如图18所示，替换层215可通过对于基底单元212的表面执行锌酸盐处理，来形 成为预定厚度。例如，可通过将基底单元212的部分表面替换为Zn，来形成替换层215。替 换层215可设置在通孔213中不包括金属层214的里面。替换层215的厚度可等于或大于 金属层214的厚度。在本实施例中，替换层215可防止由A1所制成的基底单元212在空 气中的氧化，并且还防止此后将要执行的无电解镀和电镀期间的基底单元212的表面的腐 蚀。
[0062] 如图19所示，可通过采用具有高耐化学性的金属对替换层215执行镀敷，来形成 第一镀层216。第一镀层216可以不仅在替换层215上、而且还在通孔213内部所设置的金 属层214的表面上形成。第一镀层216可通过电镀或者无电解镀来形成。例如，第一镀层 216可通过Ni的电镀来形成。但是，第一镀层216的材料并不局限于Ni。具有高耐化学性 的其它材料、例如Au或Ag可用作第一镀层216。
[0063] 如图20所示，第二镀层217可在第一镀层216上使用与第一镀层216不同的金属 来形成。例如，第二镀层217可以是通过使用Cu的电镀所形成的Cu膜。
[0064] 如图21所示，包括预定图案219的干膜218可施加到第二镀层217的表面上。预 定图案219可经过预定时间的曝光和显影来形成。
[0065] 如图22所示，可通过沿干膜218的图案219去除第二镀层217、第一镀层216、替换 层215和基底单元212,来形成电路图案220。在形成电路图案220之后去除干膜218,由此 制造 PCB。可通过基于干膜218的图案219的盐酸基蚀刻，来形成电路图案220。例如，氯 化铁、氯化铜、氯酸钠等可用作盐酸基蚀刻。但是，并不局限于上述示例，可以不仅通过使用 干膜218和盐酸基蚀刻的化学方法，而且还通过机械方法、例如冲压，来形成电路图案220。 [0066] 虽然核心单元100在上述实施例中示为单层，但是本发明并不局限于此附图。因 此，核心单元200、接合构件211和基底单元212可反复沉积到多层结构上。甚至在采用多 个核心单元200和基底单元212时，形成通孔213、金属层214、替换层215、第一镀层216和 第二镀层217的过程也可按照相同方式来执行。
[0067] 按照本实施例所制造的PCB可适用于汽车的电子部件。
[0068] 虽然说明了包括通孔的PCB的制造方法，但是本发明并不局限于此。上述方法甚 至在省略通孔时也可按照相同方式来应用。
[〇〇69] 虽然示出和描述了本发明的几个示范实施例，但是本发明并不局限于所述示范实 施例。本领域的技术人员而是会理解，可对这些示范实施例进行变更，而没有背离本发明的 原理和精神，本发明的范围由权利要求及其等效体来限定。
【权利要求】
1. 一种印刷电路板（PCB)，包括： 核心单元； 基底单元，其表面由铜（Cu)制成； 接合构件，设置在所述核心单元与所述基底单元之间，以将所述基底单元接合到所述 核心单元的每侧； 替换层，配置成使所述基底单元的所述表面变成锌（Zn); 第一镀层，在所述替换层上通过镀敷由第一金属材料制成；以及 第二镀层，在所述第一镀层上通过镀敷由与所述第一金属材料不同的第二金属材料制 成。
2. 如权利要求1所述的PCB，其中，所述核心单元由绝缘材料制成。
3. 如权利要求2所述的PCB，其中， 穿过所述核心单元、所述接合构件和所述基底单元来形成通孔， 形成金属层，以金属化所述通孔中暴露由绝缘材料所制成的所述核心单元和所述接合 构件的截面，以及 所述替换层在不包括所述金属层的区域来形成。
4. 如权利要求3所述的PCB，其中，所述替换层的厚度等于或大于所述金属层的厚度。
5. 如权利要求2所述的PCB，其中， 所述基底单元配置成使得Cu膜经过A1层的表面处理来设置在所述A1层的表面上，以 及 所述基底单元包括： 所述A1层； 在所述A1层上形成的Zn膜； 在所述Zn膜上通过镀敷所形成的镍（Ni)膜；以及 在所述Ni膜上通过镀敷所形成的所述Cu膜。
6. 如权利要求1所述的PCB，其中，所述核心单元配置成使得Cu膜经过A1层的表面处 理来设置在所述A1层的表面上。
7. 如权利要求1所述的PCB，其中，所述核心单元包括： A1层； 在所述A1层上形成的Zn膜； 在所述Zn膜上通过镀敷所形成的Ni膜；以及 在所述Ni膜上通过镀敷所形成的Cu膜。
8. 如权利要求6所述的PCB，其中，所述核心单元包括核心图案。
9. 如权利要求8所述的PCB，其中，所述核心图案包括穿过所述A1层的至少一个孔，以 及所述至少一个孔沿图案设置或者规则地或不规则地设置。
10. 如权利要求6所述的PCB，其中， 穿过所述核心单元、所述接合构件和所述基底单元来形成通孔； 形成金属层，以金属化所述通孔中暴露所述接合构件的截面，以及 所述替换层在不包括所述金属层的区域来形成。
11. 如权利要求10所述的PCB，其中，所述替换层的厚度等于或大于所述金属层的厚 度。
12. 如权利要求6所述的PCB，其中， 所述基底单元配置成使得Cu膜经过A1层的表面处理来设置在所述A1层的表面上，以 及 所述基底单元包括： 所述A1层； 在所述A1层上形成的Zn膜； 在所述Zn膜上通过镀敷所形成的Ni膜；以及 在所述Ni膜上通过镀敷所形成的所述Cu膜。
13. 如权利要求6所述的PCB，其中，所述基底单元包括Cu板。
14. 如权利要求1所述的PCB，其中，所述接合构件包括聚酰亚胺基接合片或者环氧树 脂基接合片。
15. 如权利要求1所述的PCB，其中，所述第一镀层通过无电解镀或电镀来形成。
16. 如权利要求15所述的PCB，其中，所述第一镀层包括从Ni、金（Au)和银（Ag)中选 取的至少一种金属。
17. 如权利要求1所述的PCB，其中，所述第二镀层通过电镀来形成。
18. 如权利要求17所述的PCB，其中，所述第二镀层包括Cu。
19. 如权利要求1所述的PCB，还包括在所述第二镀层上形成的电路图案。
20. 如权利要求19所述的PCB，其中，通过在所述第二镀层上施加干膜、执行曝光并且 使用氯化铁、氯化铜和氯酸钠中的任一种，来形成所述电路图案。
21. 如权利要求1所述的PCB，其中，沉积多层所述核心单元、所述接合构件和所述基底 单元。
22. -种用于印刷电路板（PCB)的制造方法，所述制造方法包括： 提供核心单元； 提供基底单兀，其表面由铜（Cu)制成； 使用接合构件将所述基底单元接合到所述核心单元的每侧； 通过使所述基底单元的表面变成锌（Zn)来形成替换层； 形成在所述替换层上通过镀敷由第一金属材料所制成的第一镀层；以及 形成在所述第一镀层上通过镀敷由与所述第一金属材料不同的第二金属材料所制成 的第二镀层。
23. 如权利要求22所述的制造方法，其中，所述核心单元由绝缘材料制成。
24. 如权利要求23所述的制造方法，还包括： 形成穿过所述核心单元、所述接合构件和所述基底单元的通孔；以及 形成金属层，以用于金属化所述通孔中暴露由绝缘材料所制成的所述核心单元和所述 接合构件的截面， 其中所述替换层在不包括所述金属层的区域来形成。
25. 如权利要求24所述的制造方法，其中，所述替换层的形成包括： 将所述替换层的厚度形成为等于或大于所述金属层的厚度。
26. 如权利要求23所述的制造方法，其中，所述基底单元配置成使得Cu膜经过A1层的 表面处理来设置在所述A1层的表面上，以及 其中所述制造方法包括： 提供所述A1层； 形成在所述A1层上形成的Zn膜； 形成在所述Zn膜上通过镀敷所形成的镍（Ni)膜；以及 形成在所述Ni膜上通过镀敷所形成的所述Cu膜。
27. 如权利要求22所述的制造方法，其中，所述核心单元配置成使得Cu膜经过A1层的 表面处理来设置在所述A1层的表面上。
28. 如权利要求22所述的制造方法，其中，所述核心单元的提供包括： 提供所述A1层； 形成在所述A1层上形成的Zn膜； 形成在所述Zn膜上通过镀敷所形成的Ni膜；以及 形成在所述Ni膜上通过镀敷所形成的所述Cu膜。
29. 如权利要求27所述的制造方法，还包括在所述核心单元形成核心图案。
30. 如权利要求29所述的制造方法，其中，所述核心图案的形成包括形成穿过所述A1 层的至少一个孔，以及所述至少一个孔沿图案设置或者规则地或不规则地设置。
31. 如权利要求27所述的制造方法，还包括： 形成穿过所述核心单元、所述接合构件和所述基底单元的通孔；以及 形成金属层，以用于金属化所述通孔中暴露所述接合构件的截面， 其中所述替换层在不包括所述金属层的区域来形成。
32. 如权利要求31所述制造方法，其中，所述替换层的形成包括将所述替换层的厚度 形成为等于或大于所述金属层的厚度。
33. 如权利要求27所述的制造方法，其中，所述基底单元配置成使得Cu膜经过A1层的 表面处理来设置在所述A1层的表面上，以及 其中所述制造方法包括： 提供所述A1层； 形成在所述A1层上形成的Zn膜； 形成在所述Zn膜上通过镀敷所形成的Ni膜；以及 形成在所述Ni膜上通过镀敷所形成的所述Cu膜。
34. 如权利要求27所述的制造方法，其中，所述基底单元包括Cu板。
35. 如权利要求22所述的制造方法，其中，所述接合构件包括聚酰亚胺基接合片或者 环氧树脂基接合片。
36. 如权利要求22所述的制造方法，其中，所述第一镀层通过无电解镀或电镀来形成。
37. 如权利要求36所述的制造方法，其中，所述第一镀层包括从Ni、金（Au)和银（Ag) 中选取的至少一种金属。
38. 如权利要求22所述的制造方法，其中，所述第二镀层通过电镀来形成。
39. 如权利要求38所述的制造方法，其中，所述第二镀层由Cu制成。
40. 如权利要求22所述的制造方法，还包括在所述第二镀层上形成电路图案， 其中所述电路图案的形成包括： 在所述第二镀层上施加干膜； 曝光所述干膜；以及 通过使用从氯化铁、氯化铜和氯酸钠中选取的任一种的盐酸基蚀刻，来蚀刻所述第二 镀层。
41.如权利要求22所述的制造方法，其中，所述核心单元的提供以及使用所述接合构 件来接合所述基底单元重复进行多次，由此形成多层结构。
【文档编号】H05K1/02GK104105334SQ201410144076
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年4月11日 优先权日:2013年4月12日
【发明者】崔良鈗, 白钰基 申请人:安普泰科电子韩国有限公司