一种下沉式软硬结合线路板及其制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种下沉式软硬结合线路板，包括布设有线路图形的内层软板和分别压合在内层软板上下两面的上硬板和下硬板，从上硬板的上表面的传感器位置向下贯穿至内层软板的内部开有可装设传感器的凹槽，这样最后制得成品后就比传统的软硬结合线路板减掉五层，从而使芯片可以内嵌至少0.12mm，使电子产品在整体厚度上减小0.12mm以上。本发明还提供了上述下沉式软硬结合线路板的制备方法，通过上硬板的开窗和内层软板的覆盖膜开窗，从而在露出的软板上铜箔层周围形成一周凸台，将一周凸台用激光切割气化去掉，形成一个边角齐整的凹槽，从而使凹槽因无流胶现象而完整且底面平整不起鼓，保证了摄像头的成像效果。
【专利说明】一种下沉式软硬结合线路板及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种印制线路板的制作方法，尤其涉及一种下沉式软硬结合线路板及 其制作方法。
【背景技术】
[0002] 目前智能手机的硬件性能发生了天翻地覆的变化，从单核到双核再到四核，众多 手机厂商也在军备竞赛中拼得刺刀见红。然而与此同时，就目前的情况来看，四核手机的 性能对于大部分使用者早已过剩，相对当下的系统和软件应用水平，过高的硬件配置往往 意味着对资源的更多浪费，消费者渐渐开始告别单纯追求硬件性能的不理智行为。在这样 的背景下，智能手机的研发重心必将会有所转变，而超薄则成为了实力厂商们不约而同关 注的下一个焦点。除了与手感和外观时尚度有关之外，超薄手机同时也是企业整体工业水 准的体现，手机越薄，对研发能力和物料要求就越"变态"，就意味着企业具有更强的研发实 力，所以不难理解，实力派厂商将重心投向超薄研发，实在是市场发展趋势的必然，越早在 超薄手机上占得先机，就越会在接下来的竞争中居于领先地位。
[0003] 随着手机市场上的超薄手机来势凶猛，很多已亮相或尚在传闻中的新产品都已确 定要走超薄风。但是有一个共同点，不管是国际大牌厂商还是国产厂商，在推出的超薄机 中，都有一个共同的特点，那就是摄像头外凸。究其原因在于，现有的高像素摄像头线路板 都采用R-F电路板制作（多为四层板），如图1所示，由中间的软板4和贴合在软板上面的 硬板5和贴合在软板下面的硬板6组成，其厚度本身也比较厚，即使目前业内做的最薄的软 硬结合板也在〇. 25mm以上，然后在厚的硬板上加上摄像头芯片，摄像头芯片本身厚度不能 得到减薄，最后在摄像头芯片上加上镜座厚度，其整个厚度已无法再减薄，由此导致摄像头 整体厚度比机身厚而凸出。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种用于减小电子产品的整体厚度的下沉式软 硬结合线路板，本发明要解决的另一技术问题是提供所述下沉式软硬结合线路板的制作方 法。
[0005] 本发明提供了一种下沉式软硬结合线路板，包括布设有线路图形的内层软板和分 别压合在内层软板上下两面的上硬板和下硬板，从上硬板的上表面的传感器位置向下贯穿 至内层软板的内部开有可装设传感器的凹槽。
[0006] 所述上硬板从上至下依次包括上硬板铜箔层、上硬板FR4层和上胶合层，所述下 硬板从上至下依次包括下胶合层、下硬板FR4层和下硬板铜箔层，所述内层软板从上至下 依次包括：软板上覆盖膜层、软板上铜箔层、软板PI层、软板下铜箔层和软板下覆盖膜；从 上硬板铜箔层的上表面向下贯穿至软板上铜箔层上表面开有可装设传感器的凹槽。
[0007] 所述上硬板铜箔层的厚度为3〇-3411111，所述上硬板？1?4层的厚度为6〇-12〇11111，所 述上胶合层的厚度为l〇-25um，所述软板上覆盖膜层由上至下包括软板上覆盖膜PI层和软 板上覆盖膜纯胶层，所述软板上覆盖膜PI层的厚度为12. 5um，所述软板上覆盖膜纯胶层 的厚度为15-25um，所述软板上铜箔层的厚度为12-18um，所述软板上铜箔PI层的厚度为 20-25um，所述软板铜箔层的厚度为12-18um，所述软板下覆盖膜层由上至下包括软板下覆 盖膜纯胶层和软板下覆盖膜PI层，所述软板下覆盖膜纯胶层的厚度为15-25um，所述软板 下覆盖膜PI层的厚度为12. 5um，所述下胶合层的厚度为10-25um，所述下硬板FR4层的厚 度为60-120um，所述下硬板铜箔层的厚度为12-18um。
[0008] 本发明还提供了上述下沉式软硬结合线路板的制作方法，包括如下步骤：
[0009] 步骤一：制作下沉式软硬结合线路板的内层软板
[0010] 将覆铜板裁切下料，布设线路图形，然后采用两种方式模冲覆盖膜：第一种方式是 模冲掉内层软板的常规的需要露出的部位以及模冲出与传感器的位置相对应设置的通孔 A，第二种方式是模冲掉内层软板的常规的需要露出的部位；将上述第一种方式模冲后的覆 盖膜贴合在布设线路图形的覆铜板的上表面，将上述第二种方式模冲后的覆盖膜贴合在布 设线路图形的覆铜板的下表面；贴合后热压，即制得下沉式软硬结合线路板的内层软板； [0011] 步骤二：制作软硬结合板的上硬板和下硬板
[0012] 将中间层为FR4、上下两层均为铜层的物料裁切下料，一面铜层压干膜，将没有干 膜的一面通过常规方法将铜蚀刻掉，再通过配有强碱药水的水平机把压好的干膜退掉，然 后将纯胶膜过塑在蚀刻掉铜的那一面上，接着采用两种方式进行模冲：第一种方式是模冲 掉常规的需要露出的部位和在与内层软板的通孔A的对应贴合位置模冲出比通孔A大的通 孔B，第二种方式是模冲掉常规的需要露出的部位；第一种方式模冲得到的即为软硬结合 板的上硬板，第二种方式模冲得到的即为软硬结合板的下硬板。
[0013] 步骤三：对位贴合假压后压合
[0014] 将上硬板对位贴合在内层软板的上表面，将下硬板对位贴合在内层软板的下表 面，进行假压，然后进行非真空压合。
[0015] 步骤四：激光切割
[0016] 当上硬板压合在内层软板的上表面时，所述通孔A和通孔B组合使在露出的软板 上铜箔层周围形成一周凸台，将一周凸台用激光切割气化掉，形成一个边角齐整的凹槽，即 得到下沉式软硬结合线路板。
[0017] 所述步骤二中，当所述上硬板对应贴附在内层软板时，所述通孔B与所述冲孔A的 中心位置相同，且所述通孔B的长宽均比冲孔A的长宽大0. 8-1. 2mm。
[0018] 所述通孔B的长宽均比冲孔A的长宽大1. 0mm。
[0019] 所述步骤三中的假压参数为：温度80°C，压力为6kgf/cm2,时间为5秒。
[0020] 所述步骤三中的非真空压合分为六个阶段：第一阶段是在80°C压合10分钟，第二 阶段是在7kgf的压力下130°C压合18分钟，第三阶段是在30kgf的压力下130°C压合20分 钟，第四阶段是在30kgf的压力下180°C压合18分钟，第五阶段是在30kgf的压力下180°C 压合114分钟，第六阶段是在30kgf的压力下80°C压合30分钟。
[0021] 所述上硬板从上至下依次包括上硬板铜箔层、上硬板FR4层和上胶合层，所述下 硬板从上至下依次包括下胶合层、下硬板FR4层和下硬板铜箔层，所述内层软板从上至下 依次包括：软板上覆盖膜层、软板上铜箔层、软板PI层、软板下铜箔层和软板下覆盖膜；所 述凹槽为从上硬板铜箔层的上表面向下贯穿至软板上铜箔层上表面。
[0022] 后续还包含如下常规的步骤：钻孔、沉镀铜、外层线路、Α0Ι、阻焊、表面处理、文字、 0/S测试、锣板、冲切外形、FQC和包装，制得成品。
[0023] 本发明提供了一种下沉式软硬结合线路板，包括布设有线路图形的内层软板和分 别压合在内层软板上下两面的上硬板和下硬板，从上硬板的上表面的传感器位置向下贯穿 至内层软板的内部开有可装设传感器的凹槽，这样最后制得成品后就比传统的软硬结合线 路板减掉上防焊油墨层、上硬板铜箔层和上硬板FR4层、上胶合层和软板上覆盖膜，从而使 芯片可以内嵌至少〇. 12mm，即使电子产品如摄像头在整体厚度上减小0. 12mm以上。本发 明还提供了上述下沉式软硬结合线路板的制备方法，通过在上硬板的开窗的边缘离内层软 板的覆盖膜开窗的边缘的距离为〇. 4-0. 6mm，从而在露出的软板上铜箔层周围形成一周凸 台，将一周凸台用激光切割气化去掉，形成一个边角齐整的凹槽，从而使凹槽因无流胶现象 而完整且底面平整不起鼓，保证了摄像头的成像效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0024] 图1为现有技术下沉式软硬结合线路板的成品的结构示意图（上下加了阻焊层）。
[0025] 图2为本发明下沉式软硬结合线路板的成品的结构示意图（上下加了阻焊层）。
[0026] 图3为本发明下沉式软硬结合线路板在制作中进行激光气化一圈凸台前的半剖 示意图。
[0027] 图4为图3的半剖面的放大图。
[0028] 图5为本发明下沉式软硬结合线路板在制作中进行激光气化一圈凸台后的半剖 示意图。
[0029] 图6为图5的半剖面的放大图。
【具体实施方式】
[0030] 本发明提供了一种下沉式软硬结合线路板，如图2所示，包括布设有线路图形的 内层软板1和分别压合在内层软板1上下两面的上硬板2和下硬板3,从上硬板2的上表面 的传感器位置向下贯穿至内层软板1的内部开有可装设传感器的凹槽10。
[0031] 优选的，如图5-6所示，所述上硬板2从上至下依次包括上硬板铜箔层23、上硬 板FR4层22和上胶合层21，所述下硬板3从上至下依次包括下胶合层31、下硬板FR4层32 和下硬板铜箔层33,所述内层软板1从上至下依次包括：软板上覆盖膜层11、软板上铜箔层 12、软板PI层13、软板下铜箔层14和软板下覆盖膜15 ;从上硬板铜箔层21的上表面向下 贯穿至软板上铜箔层12上表面开有可装设传感器的凹槽10。
[0032] 所述上硬板铜箔层23的厚度优选为30-34 μ m，所述上硬板FR4层22的厚度优选 为60-120um，所述上胶合层21的厚度优选为10-25um，所述软板上覆盖膜层11由上至下包 括软板上覆盖膜PI层111和软板上覆盖膜纯胶层112,所述软板上覆盖膜PI层111的厚度 优选为12. 5um，所述软板上覆盖膜纯胶层112的厚度优选为15-25um，所述软板上铜箔层12 的厚度优选为12-18um，所述软板上铜箔PI层13的厚度优选为20-25um，所述软板铜箔层 14的厚度优选为12-18um，所述软板下覆盖膜层15由上至下包括软板下覆盖膜纯胶层152 和软板下覆盖膜PI层151，所述软板下覆盖膜纯胶层152的厚度优选为15-25um，所述软板 下覆盖膜PI层151的厚度优选为12. 5um，所述下胶合层31的厚度优选为10-25um，所述下 硬板FR4层32的厚度优选为60-120um，所述下硬板铜箔层33的厚度优选为12-18um。
[0033] 本发明还提供了一种下沉式软硬结合线路板的制作方法，包括如下步骤：
[0034] 步骤一：制作下沉式软硬结合线路板的内层软板
[0035] 将覆铜板裁切下料，布设线路图形，然后采用两种方式模冲覆盖膜：第一种方式 是模冲掉内层软板1的常规的需要露出的部位以及模冲出与传感器的位置相对应设置的 通孔A 30,第二种方式是模冲掉内层软板1的常规的需要露出的部位；将上述第一种方式 模冲后的覆盖膜贴合在布设线路图形的覆铜板的上表面，将上述第二种方式模冲后的覆盖 膜贴合在布设线路图形的覆铜板的下表面；贴合后先在60°C下热压5秒，然后在180°C下热 压120秒，即制得下沉式软硬结合线路板的内层软板1 ;
[0036] 步骤二：制作软硬结合板的上硬板和下硬板
[0037] 将中间层为FR4、上下两层均为铜层的物料裁切下料，一面铜层压干膜，将没有干 膜的一面通过常规方法将铜蚀刻掉，再通过配有强碱药水的水平机把压好的干膜退掉，然 后将纯胶膜过塑在蚀刻掉铜的那一面上，接着采用两种方式进行模冲：第一种方式是模冲 掉常规的需要露出的部位和在与内层软板1的通孔A 30的对应贴合位置模冲出比通孔A 30大的通孔B 20,第二种方式是模冲掉常规的需要露出的部位；第一种方式模冲得到的即 为软硬结合板的上硬板2,第二种方式模冲得到的即为软硬结合板的下硬板3。
[0038] 当所述上硬板2对应贴附在内层软板1时，所述通孔B 20与所述冲孔A 30的中 心位置相同，且所述通孔B 20的长宽均比冲孔A 30的长宽大0.8-1. 2mm;所述通孔B 20的 长宽进一步优选为比冲孔A 30的长宽大1. 0mm。
[0039] 步骤三：对位贴合假压后压合
[0040] 将上硬板2对位贴合在内层软板1的上表面，将下硬板3对位贴合在内层软板1 的下表面，进行假压，然后进行非真空压合，如图3-4所示。
[0041] 所述假压参数优选为：温度80°C，压力为6kgf/cm2,时间为5秒。
[0042] 所述非真空压合优选分为六个阶段：第一阶段是在80°C压合10分钟，第二阶段是 在7kgf的压力下130°C压合18分钟，第三阶段是在30kgf的压力下130°C压合20分钟，第 四阶段是在30kgf的压力下180°C压合18分钟，第五阶段是在30kgf的压力下180°C压合 114分钟，第六阶段是在30kgf的压力下80°C压合30分钟。
[0043] 步骤四：激光切割
[0044] 当上硬板2压合在内层软板1的上表面时，所述通孔A 30和通孔B 20组合使在 露出的软板上铜箔层12周围形成一周凸台，将一周凸台用激光切割气化掉，形成一个边角 齐整的凹槽，即得到下沉式软硬结合线路板。
[0045] 后续还可以包含如下常规的步骤：钻孔、沉镀铜、外层线路、Α0Ι、阻焊、表面处理 (沉金工艺）、文字、0/S测试、锣板、冲切外形、FQC和包装，制得成品。
[0046] 这样的下沉式软硬结合线路板的成品通过凹槽10就比传统的软硬结合板的成 品减掉上防焊油墨层、上硬板铜箔层31、上硬板FR4层32、上胶合层2和软板上覆盖膜层 11，从而使元器件可以内嵌至少〇. 12mm，等同于使电子产品如摄像头在整体厚度上减小 0. 1 2mm 以上。
[0047] 以下结合具体实施例来说明本发明制作下沉式软硬结合线路板的方法：
[0048] 实施例1
[0049] 步骤一：制作软硬结合板的内层软板
[0050] (1)下料
[0051] 采用韩国斗山的DSflex600122512R P双面无胶压延铜卷料作为软板原材料覆铜 板，软板原材料覆铜板包含三层：软板上铜箔层12、软板PI层13和软板下铜箔层14,使用 开料机将其裁切成大小为250*190mm的片状，其中软板上铜箔层12和软板下铜箔层14的 厚度均为12um，中间的软板PI层13为25um。
[0052] (2)压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜；检测
[0053] 在所述覆铜板的软板上铜箔层12的上表面和软板下铜箔层14的下表面分别用热 压合滚轮贴干膜，用于曝光制作线路，干膜采用旭化成公司生产的AQ-4096型号干膜，厚度 为40 μ m，热压压力5-7Kg/cm2,速度0· 8-L 2m/min，辊轮温度110± 10°C。贴膜后目视检查 干膜表面无气泡、杂物则判为合格。用对位孔对位，对上述两面贴有干膜的覆铜板进行曝 光，对曝光后的覆铜板按照现有技术方法显影、蚀刻和退膜，并用现有技术对其进行线路的 检测。
[0054] (3)模冲覆盖膜
[0055] 为了屏蔽保护线路，需要采用覆盖膜贴合，覆盖膜优选采用厂家为昆山台虹电子 材料有限公司、型号为FHK0515的保护膜，将保护膜裁切成覆铜板的大小，保护膜包括纯胶 层和PI层，纯胶层厚度为15um，PI层厚度为12. 5um，并钻覆盖膜模冲定位孔。
[0056] 模冲采用两种方式：第一种方式是通过覆盖膜模冲定位孔套在模具上模冲掉内层 软板的常规的需要露出的部位以及模冲出与传感器的位置相对应设置的通孔A，所述通孔 A的大小根据传感器例如摄像头的芯片大小而定，为4*4mm到6*6mm ;第二种方式是通过覆 盖膜模冲定位孔套在模具上模冲掉内层软板的常规的需要露出的部位。
[0057] (4)贴覆盖膜并压合
[0058] 为了屏蔽保护线路，需要采用覆盖膜贴合，具体为：在前述退膜后且线路检测合格 的覆铜板的上表面贴上一层上述第一种方式模冲后的覆盖膜，在下表面贴上一层上述第二 种方式模冲后的覆盖膜，贴附在软板上铜箔层12之上的保护膜设为软板上覆盖膜11，软板 上覆盖膜11包括软板上覆盖膜PI层111和贴附在软板上铜箔层12上的软板上覆盖膜纯 胶层112 ;贴附在软板下铜箔层14之下的保护膜设为软板下覆盖膜15,软板下覆盖膜15包 括软板下覆盖膜PI层151和贴附在软板下铜箔层14上的软板下覆盖膜纯胶层152。贴附 后先在60°C下热压5秒，然后在180°C下热压120秒，并靶冲冲出软硬板假贴定位孔。
[0059] 步骤二：制作软硬结合板的上硬板和下硬板
[0060] (1)下料
[0061] 将一张长宽为1041*1240mm、厚度为0· 05-0. 12mm的片状材料（联茂电子股份有限 公司），裁切成250*190M的小张物料作为两个硬板的原材料，上硬板和下硬板的原材料均 包括三层：中间层为FR4，厚度为0· 04?0· 2mm，上下两层均为铜层，厚度为12um。
[0062] (2)压干膜和蚀刻
[0063] 将裁好的上硬板和下硬板的原材料，一面压干膜（旭化成公司生产的AQ-4096型 号干膜，厚度为4011111)，热压压力5-71^/〇11 2，速度0.8-1.2111/1^11，辊轮温度110±101：。将 没有干膜的一面通过常规方法将铜蚀刻掉，再通过配有强碱药水的水平机把压好的干膜退 掉。这样得到了上硬板2的上硬板铜箔层23和上硬板FR4层22,以及下硬板3的下硬板 FR4层32和下硬板铜箔层33。
[0064] ⑶背胶
[0065] 将纯胶膜（生产厂家为深圳市弘海电子材料技术有限公司，型号为HA-25)作为上 胶合层21和下胶合层31的材料，过塑在蚀刻掉铜的那一面上，即将上胶合层21贴附在上 硬板FR4层22的表面，将下胶合层31贴附在下硬板FR4层32的表面。
[0066] (4)钻孔
[0067] 钻模冲定位孔以及软硬板假贴定位孔。模冲定位孔以及软硬板假贴定位孔的直径 均为2. 0mm，其中模冲定位孔每冲次有4个，软硬板假贴定位孔每PANEL有6-8个。
[0068] (5)模冲
[0069] 通过将背胶后的上硬板2和下硬板3的模冲定位孔套在模具上模冲掉常规的需 要露出的部位，还需要将背胶后的上硬板2在与内层软板1的通孔A 30的对应贴合位置 模冲出通孔B 20,当所述上硬板2通过上胶合层21对应贴附在内层软板1时，所述通孔 B 20与所述冲孔A 30的中心位置相同，且所述通孔B 20的长宽均比冲孔A 30的长宽大 0· 8-1. 2mm，所述通孔B 20的长宽均比冲孔A 30的长宽优选大1. 0mm，即通孔B 20的边缘 到冲孔A 30的边缘的距离为0. 4-0. 6mm，进一步优选为0. 5mm，此数据是综合激光的成本以 及贴合公差和流胶状况而定。
[0070] 步骤三：对位贴合假压后压合
[0071] 将背胶并模冲后的上硬板2对位贴合在内层软板1的上表面（即上硬板的上胶合 层21贴合在内层软板的软板上覆盖膜11的上表面），将背胶并模冲后的下硬板3对位贴合 在内层软板1的下表面（即下硬板的下胶合层31贴合在内层软板的软板下覆盖膜15的下 表面），通过软硬板假贴定位孔一起套在PIN钉上，用厂家为上海朗华科贸有限公司型号为 LP-560的覆盖膜预贴机再假压，假压参数为：温度80°C，压力为6kgf/cm2,时间为5秒。
[0072] 将对位贴合假压后的软硬结合板，推入传压机（厂家为中国台湾活全，型号为 VLP-200-8)压合，压合时将真空泵关掉，压合分六个阶段，压合参数如表1所示。压合后得 到如图3-4所示的软硬结合板。
[0073] 表 1
[0074]
【权利要求】
1. 一种下沉式软硬结合线路板，包括布设有线路图形的内层软板（1)和分别压合在内 层软板（1)上下两面的上硬板（2)和下硬板（3)，其特征在于，从上硬板（2)的上表面的传 感器位置向下贯穿至内层软板（1)的内部开有可装设传感器的凹槽（10)。
2. 根据权利要求1所述的下沉式软硬结合线路板，其特征在于，所述上硬板（2)从上至 下依次包括上硬板铜箔层（23)、上硬板FR4层（22)和上胶合层（21)，所述下硬板（3)从上 至下依次包括下胶合层（31)、下硬板FR4层（32)和下硬板铜箔层（33)，所述内层软板（1) 从上至下依次包括：软板上覆盖膜层（11)、软板上铜箔层（12)、软板PI层（13)、软板下铜 箔层（14)和软板下覆盖膜（15);从上硬板铜箔层（21)的上表面向下贯穿至软板上铜箔层 (12)上表面开有可装设传感器的凹槽（10)。
3. 根据权利要求2所述的下沉式软硬结合线路板，其特征在于，所述上硬板铜箔层 (23)的厚度为30-3411111，所述上硬板？1?4层（22)的厚度为60-12011111，所述上胶合层（21) 的厚度为l〇-25um，所述软板上覆盖膜层（11)由上至下包括软板上覆盖膜PI层（111)和 软板上覆盖膜纯胶层（112)，所述软板上覆盖膜PI层（111)的厚度为12. 5um，所述软板上 覆盖膜纯胶层（112)的厚度为15-25um，所述软板上铜箔层（12)的厚度为12-18um，所述软 板上铜箔PI层（13)的厚度为20-25um，所述软板铜箔层（14)的厚度为12-18um，所述软板 下覆盖膜层（15)由上至下包括软板下覆盖膜纯胶层（152)和软板下覆盖膜PI层（151)，所 述软板下覆盖膜纯胶层（152)的厚度为15-25um，所述软板下覆盖膜PI层（151)的厚度为 12.5um，所述下胶合层（31)的厚度为10-25um，所述下硬板FR4层（32)的厚度为60-120um， 所述下硬板铜箔层（33)的厚度为12-18um。
4. 根据权利要求1所述的下沉式软硬结合线路板的制作方法，其特征在于，包括如下 步骤： 步骤一：制作下沉式软硬结合线路板的内层软板 将覆铜板裁切下料，布设线路图形，然后采用两种方式模冲覆盖膜：第一种方式是模冲 掉内层软板（1)的常规的需要露出的部位以及模冲出与传感器的位置相对应设置的通孔 A(30)，第二种方式是模冲掉内层软板（1)的常规的需要露出的部位；将上述第一种方式模 冲后的覆盖膜贴合在布设线路图形的覆铜板的上表面，将上述第二种方式模冲后的覆盖膜 贴合在布设线路图形的覆铜板的下表面；贴合后热压，即制得下沉式软硬结合线路板的内 层软板（1); 步骤二：制作软硬结合板的上硬板和下硬板 将中间层为FR4、上下两层均为铜层的物料裁切下料，一面铜层压干膜，将没有干膜 的一面通过常规方法将铜蚀刻掉，再通过配有强碱药水的水平机把压好的干膜退掉，然后 将纯胶膜过塑在蚀刻掉铜的那一面上，接着采用两种方式进行模冲：第一种方式是模冲掉 常规的需要露出的部位和在与内层软板（1)的通孔A(30)的对应贴合位置模冲出比通孔 A (30)大的通孔B (20)，第二种方式是模冲掉常规的需要露出的部位；第一种方式模冲得到 的即为软硬结合板的上硬板（2)，第二种方式模冲得到的即为软硬结合板的下硬板（3)。 步骤三：对位贴合假压后压合 将上硬板（2)对位贴合在内层软板（1)的上表面，将下硬板（3)对位贴合在内层软板 (1)的下表面，进行假压，然后进行非真空压合。 步骤四：激光切割 当上硬板（2)压合在内层软板（1)的上表面时，所述通孔A (30)和通孔B (20)组合使 在露出的软板上铜箔层（12)周围形成一周凸台，将一周凸台用激光切割气化掉，形成一个 边角齐整的凹槽（10)，即得到下沉式软硬结合线路板。
5. 根据权利要求4所述的下沉式软硬结合线路板的制作方法，其特征在于，所述步骤 二中，当所述上硬板（2)对应贴附在内层软板（1)时，所述通孔B(20)与所述冲孔A(30)的 中心位置相同，且所述通孔B (20)的长宽均比冲孔A (30)的长宽大0.8-1. 2mm。
6. 根据权利要求5所述的下沉式软硬结合线路板的制作方法，其特征在于，所述通孔 B(20)的长宽均比冲孔A(30)的长宽大1.0mm。
7. 根据权利要求6所述的下沉式软硬结合线路板的制作方法，其特征在于，所述步骤 三中的假压参数为：温度80°C，压力为6kgf/cm 2,时间为5秒。
8. 根据权利要求7所述的下沉式软硬结合线路板的制作方法，其特征在于，所述步骤 三中的非真空压合分为六个阶段：第一阶段是在80°C压合10分钟，第二阶段是在7kgf的 压力下130°C压合18分钟，第三阶段是在30kgf的压力下130°C压合20分钟，第四阶段是 在30kgf的压力下180°C压合18分钟，第五阶段是在30kgf的压力下180°C压合114分钟， 第六阶段是在30kgf的压力下80°C压合30分钟。
9. 根据权利要求8所述的下沉式软硬结合线路板的制作方法，其特征在于，所述上硬 板（2)从上至下依次包括上硬板铜箔层（23)、上硬板FR4层（22)和上胶合层（21)，所述下 硬板（3)从上至下依次包括下胶合层（31)、下硬板FR4层（32)和下硬板铜箔层（33)，所 述内层软板（1)从上至下依次包括：软板上覆盖膜层（11)、软板上铜箔层（12)、软板PI层 (13)、软板下铜箔层（14)和软板下覆盖膜（15);所述凹槽（10)为从上硬板铜箔层（21)的 上表面向下贯穿至软板上铜箔层（12)上表面。
10. 根据权利要求9所述的下沉式软硬结合线路板的制作方法，其特征在于，后续还包 含如下常规的步骤：钻孔、沉镀铜、外层线路、AOI、阻焊、表面处理、文字、Ο/S测试、锣板、冲 切外形、FQC和包装，制得成品。
【文档编号】H05K1/14GK104219882SQ201410459712
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年9月11日 优先权日:2014年9月11日
【发明者】陈维恩, 文桥, 孙建光, 郭瑞明 申请人:深圳市华大电路科技有限公司