透明导电性薄膜的制作方法

本发明涉及透明导电性薄膜。

背景技术：

1、以往，作为接触式传感器的电极等中使用的透明导电性薄膜，大多使用在基材上形成有铟·锡复合氧化物层(ito层)等金属氧化物层的透明导电性薄膜。对于这样的透明导电性薄膜，有时使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜作为基材，其原因之一在于对机械特性有利。但是，聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜具有相位差，因此将使用该薄膜的透明导电性薄膜用于大型图像显示装置时，会产生视觉辨识图像出现不必要的着色、显现出虹图案等问题。作为相位差影响少的基材，可举出由环烯烃系树脂形成的薄膜。但是，环烯烃系树脂薄膜存在机械特性差、形成金属氧化物层时容易破损的问题。

2、另外，ito层等金属氧化物层存在因应力而产生裂纹从而容易破损的问题。例如，使金属氧化物层成为外侧，并弯折透明导电性薄膜时，金属氧化物层有时产生裂纹。作为防止该现象的手段之一，可举出减薄基材。但是，将环烯烃系树脂薄膜作为基材的情况下，若减薄该薄膜(基材)，则容易破损的上述问题变得显著。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特表2009-505358号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本发明是为了解决上述问题而作出的，其目的在于，提供一种透明导电性薄膜，其具有基材和透明导电层，即使该基材薄，机械特性也优异，且可表现优异的导电性。

3、用于解决问题的方案

4、本发明的透明导电性薄膜具备：基材、和配置于该基材的至少一个面的第1透明导电层，在相较于该基材而言使该第1透明导电层成为外侧并以弯曲半径r(mm)弯折180°时，当该弯曲半径r(mm)与该基材的厚度t(mm)的关系处于0<t/(2r+t)≤0.07的范围时，该弯折所导致的电阻值(表面电阻值)上升率a为20％以下。

5、一个实施方式中，上述透明导电性薄膜还具备第2透明导电层，所述第2透明导电层配置于上述基材的与上述第1透明导电层相反的一侧。

6、一个实施方式中，上述第1透明导电层包含金属纳米线。

7、一个实施方式中，上述第1透明导电层还包含聚合物基质。

8、一个实施方式中，上述基材的拉伸断裂强度为100mpa以下。

9、一个实施方式中，构成上述基材的材料为环烯烃系树脂。

10、发明的效果

11、根据本发明，能够提供一种透明导电性薄膜，其具有基材和透明导电层，即使该基材薄，机械特性也优异，且可表现优异的导电性。特别是本发明的透明导电性薄膜弯曲性优异，在弯曲时也可维持优异的导电性的方面是有利的。

技术特征：

1.一种透明导电性薄膜，其具备：基材、和配置于该基材的至少一个面的第1透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其还具备第2透明导电层，所述第2透明导电层配置于所述基材的与所述第1透明导电层相反的一侧。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述第1透明导电层包含金属纳米线。

4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其中，所述第1透明导电层还包含聚合物基质。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述基材的拉伸断裂强度为100mpa以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，构成所述基材的材料为环烯烃系树脂。

技术总结
提供一种透明导电性薄膜，其具有基材和透明导电层，即使该基材薄，机械特性也优异，且可表现优异的导电性。本发明的透明导电性薄膜具备：基材、和配置于该基材的至少一个面的第1透明导电层，在相较于该基材而言使该第1透明导电层成为外侧并以弯曲半径R(mm)弯折180°时，当该弯曲半径R(mm)与该基材的厚度T(mm)的关系处于0<T/(2R+T)≤0.07的范围时，该弯折所导致的电阻值上升率a为20％以下。

技术研发人员：河野文彦,八仓崇大
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12