透明导电性薄膜的制作方法

本发明涉及透明导电性薄膜。

背景技术：

1、以往，已知有在厚度方向依次具备树脂制的透明的基材薄膜和透明的导电层(透明导电层)的透明导电性薄膜。透明导电层例如作为用于形成液晶显示器、触摸面板、及太阳能电池等各种器件的透明电极的导体膜使用。透明导电层例如通过利用溅射法在基材薄膜上将导电性氧化物成膜来形成。针对这种透明导电性薄膜涉及的技术例如记载于下述的专利文献1中。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-71850号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、以往的透明导电性薄膜例如如下来制造。首先，在溅射成膜装置的成膜室内，在基材薄膜上形成非晶质的透明导电层。接着，在热风式的加热烘箱内，将基材薄膜上的透明导电层加热。通过该加热，透明导电层由非晶质转化为结晶质(结晶化工序)。该加热的温度越高，则形成的结晶质透明导电层的结晶性越高，同层的电阻值越小。

3、结晶化工序中的加热温度过高的情况下，则树脂制的基材薄膜会发生尺寸变化及变形等不良情况。因此，在结晶化工序中，需要在不产生这样的不良情况的温度(不过高的温度)下对透明导电层进行加热。

4、但是，具有在上述的结晶化工序中进行了结晶化的透明导电层的以往的透明导电性薄膜在具备该薄膜的器件的制造过程中经历比较高温的加热工艺的情况下，有时透明导电层的电阻值上升。制造后的透明导电性薄膜中的透明导电层的电阻值上升会影响器件的性能，因此不优选。

5、本发明提供一种适于抑制器件制造过程中的加热所引起的透明导电层的电阻值上升的透明导电性薄膜。

6、用于解决问题的方案

7、本发明[1]包含一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备透明树脂基材和结晶质的透明导电层，所述透明导电层包含氧化锡比例不足10质量％的铟锡复合氧化物层，所述透明导电层具有第1电阻值r1(ω/□)，在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值r2(ω/□)，所述第1电阻值r1与所述第2电阻值r2的差r1-r2为1.5ω/□以上。

8、本发明[2]包含上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，所述第1电阻值r1与所述第2电阻值r2的差r1-r2为10ω/□以下。

9、本发明[3]包含上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层由所述铟锡复合氧化物层组成。

10、本发明[4]包含上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层具有150nm以下的厚度。

11、本发明[5]包含上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，第1电阻值r1为220ω/□以下。

12、发明的效果

13、本发明的透明导电性薄膜如上所述，结晶质的透明导电层包含氧化锡比例不足10质量％的铟锡复合氧化物(ito)层，该透明导电层的在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后的第2电阻值r2与第1电阻值r1(加热处理前)的差r1-r2为1.5ω/□以上。透明导电层为结晶质膜时，适于抑制透明导电层中电阻值因事后的加热而大幅变动。透明导电层包含氧化锡比例不足10质量％的ito层时，适于在透明导电性薄膜制造过程中形成加热结晶化后的加热所引起的电阻值上升得以抑制的非晶质的透明导电层。而且，对于本透明导电性薄膜，加热处理(160℃，30分钟)后的第2电阻值r2比加热处理前的第1电阻值r1低1.5ω/□以上。这样的透明导电性薄膜适于抑制器件制造过程中的加热所引起的透明导电层的电阻值上升。

技术特征：

1.一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备透明树脂基材和结晶质的透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第1电阻值r1与所述第2电阻值r2的差r1-r2为10ω/□以下。

3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层由所述铟锡复合氧化物层组成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层具有150nm以下的厚度。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，第1电阻值r1为220ω/□以下。

技术总结
本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)包含氧化锡比例不足10质量％的铟锡复合氧化物层。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第1电阻值R1与第2电阻值R2的差R1‑R2为1.5Ω/□以上。

技术研发人员：藤野望,鸦田泰介
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14