一种低阻高透ITO膜的制作方法

本发明涉及镀膜，尤其涉及一种低阻高透ito膜。

背景技术：

1、氧化锡钢(indium tin oxide，简称ito)薄膜，为n型多晶态薄膜材料，透光率高、电阻率低，是目前在平板显示、触控等方面应用最广的透明导电材料。无论是lcd、电阻式触摸屏还是电容式触摸屏，目前都大量采用ito玻璃作为其透明导电基板，ito玻璃包括玻璃基板及层叠于玻璃基板上的ito膜，目前ito膜最常用的生产工艺为磁控溅射。

2、作为显示屏的主要材料，ito膜的低电阻率和高透光率性能一直是行业技术发展的追求，但是现有ito膜工艺对于膜的硬度、耐磨性能也有很高的追求，如公开号为cn104611676a的中国专利文献，就公开了一种磁控溅射镀膜设备及ito玻璃的制备方法，就公开了一种硬度较高的ito膜制备设备和工艺，通过该设备和工艺制备得到的ito膜具有较高的硬度和耐磨性能，但其透光率和电阻率不能完全满足市场需求。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种电阻率低、透光率高的低阻高透ito膜。

2、为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

3、一种低阻高透ito膜，包括sio2基层，所述sio2基层上附着低阻高透ito层，所述低阻高透ito层包括多层交替设置的ito层和疏松sio2层，所述低阻高透ito层的底层为ito层且与sio2基层附着连接，所述低阻高透ito层的表层为疏松sio2层。

4、作为上述技术方案的进一步改进：

5、所述低阻高透ito层中的ito层和疏松sio2层均为两层或两层以上。

6、所述疏松sio2层为由sio2所构成的多孔结构，其折射率为：1.3～1.52。

7、所述ito层的厚度为：1nm～300nm。

8、所述疏松sio2层的厚度为：1nm～300nm。

9、与现有技术相比，本发明的优点在于：

10、本发明的低阻高透ito膜，设置了由多层交替设置的ito层和疏松sio2层所构成的低阻高透ito层，疏松的sio2其透过率高，更有利于ito层的电子跃迁，从而在提高ito膜透光率的同时，降低其电阻率，整体提高ito膜的低阻高透性能；而且多层的疏松sio2层以及表层仍为疏松sio2层，使得低阻高透ito膜同时也兼具较高的硬度和耐磨性能。

技术特征：

1.一种低阻高透ito膜，包括sio2基层(100)，其特征在于：所述sio2基层(100)上附着低阻高透ito层(200)，所述低阻高透ito层(200)包括多层交替设置的ito层(201)和疏松sio2层(202)，所述低阻高透ito层(200)的底层为ito层(201)且与sio2基层(100)附着连接，所述低阻高透ito层(200)的表层为疏松sio2层(202)。

2.根据权利要求1所述的低阻高透ito膜，其特征在于：所述低阻高透ito层(200)中的ito层(201)和疏松sio2层(202)均为两层或两层以上。

3.根据权利要求1或2所述的低阻高透ito膜，其特征在于：所述疏松sio2层(202)为由sio2所构成的多孔结构，其折射率为：1.3～1.52。

4.根据权利要求1或2所述的低阻高透ito膜，其特征在于：所述ito层(201)的厚度为：1nm～300nm。

5.根据权利要求1或2所述的低阻高透ito膜，其特征在于：所述疏松sio2层(202)的厚度为：1nm～300nm。

技术总结
本发明公开了一种低阻高透ITO膜，包括SiO<subgt;2</subgt;基层，所述SiO<subgt;2</subgt;基层上附着低阻高透ITO层，所述低阻高透ITO层包括多层交替设置的ITO层和疏松SiO<subgt;2</subgt;层，所述低阻高透ITO层的底层为ITO层且与SiO<subgt;2</subgt;基层附着连接，所述低阻高透ITO层的表层为疏松SiO<subgt;2</subgt;层。该低阻高透ITO膜具有电阻率低、透光率高的优点。

技术研发人员：陈立,寇立,薛闯,李俊杰,李新栓,桂丹,刘柏桢,孙桂红,祝海生,梁红,黄乐,黄国兴
受保护的技术使用者：湘潭宏大真空技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24