核电站抗辐射装置的制作方法

本技术涉及核电厂站设备，尤其涉及一种核电站抗辐射装置。

背景技术：

1、随着核电站内旧设备、通信系统及报警系统等的逐步淘汰，核电站许多设备被新型电路或设备所替代。但是由于核电站环境的特殊性，核电站的核岛区存在着核辐射，对电子设备中的部分电子元件有较大的影响，尤其是对开关电源中的功率开关管(如mos管、bjt管等)影响尤为明显，某核电站时常发现电子设备中的功率开关管因受到辐射的影响而导致使用寿命骤降，严重影响核电站的安全运行。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种核电站抗辐射装置。

2、本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种核电站抗辐射装置，包括：

3、半包围于被保护器件上、用于防止所述被保护器件被幅照的屏蔽罩；其中，所述屏蔽罩由钨或者钨合金制作；

4、设置在所述屏蔽罩内、用于隔离所述被保护器件和所述屏蔽罩的绝缘隔离件；以及

5、用于固定所述屏蔽罩的固定件。

6、优选地，所述被保护器件卧式焊接在电路板上，所述核电站抗辐射装置还包括设置在所述屏蔽罩敞口的周沿、用于隔离所述被保护器件的电路板和所述屏蔽罩的保护垫。

7、优选地，所述被保护器件立式焊接在电路板上、且所述被保护器件配置有散热器，所述屏蔽罩与所述被保护器件的散热器相配合，以半包围所述被保护器件。

8、优选地，所述核电站抗辐射装置还包括包围所述散热器表面的散热器屏蔽件；所述散热器屏蔽件包括钨箔。

9、优选地，所述被保护器件立式焊接在电路板上、且所述被保护器件包括散热面但无配置散热器，所述核电站抗辐射装置还包括设置在所述被保护器件的散热面与所述屏蔽罩之间的散热板。

10、优选地，所述散热板由铜金属或者铝金属制作。

11、优选地，所述绝缘隔离件和所述固定件为一体化结构，所述一体化结构为填充在所述屏蔽罩内的硅橡胶，且在所述屏蔽罩半包围在所述被保护器件时，所述一体化结构与所述被保护器件抵接。

12、优选地，所述一体化结构包括靠近所述屏蔽罩敞口的倾斜导向部，以及远离所述屏蔽罩敞口的限位部。

13、优选地，所述绝缘隔离件由硅橡胶、氟塑料薄膜或石膏制作。

14、优选地，所述固定件为ab胶或者热熔胶。

15、本实用新型具有以下有益效果：提供一种核电站抗辐射装置；可利用由钨或者钨合金制作的屏蔽罩半包围被保护器件，以防止被保护器件被幅照；并通过绝缘隔离件隔离被保护器件和屏蔽罩，以避免被保护器件的引脚因触碰屏蔽罩而误短路；最后通过固定件将屏蔽罩与被保护器件形成稳定的结构，以保障本装置的可靠性；实施本实用新型的技术方案，可显著提高被保护器件的抗辐射性能，能有效避免辐射敏感的电子元件因辐射而损坏或者寿命缩短，降低了工作人员对站内设备的维修工作量，对提高核电站的稳定性及安全性起到积极作用。

技术特征：

1.一种核电站抗辐射装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，所述被保护器件(1)卧式焊接在电路板(6)上，所述核电站抗辐射装置还包括设置在所述屏蔽罩(2)敞口的周沿、用于隔离所述被保护器件(1)的电路板(6)和所述屏蔽罩(2)的保护垫(5)。

3.根据权利要求1所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，所述被保护器件(1)立式焊接在电路板(6)上、且所述被保护器件(1)配置有散热器(7)，所述屏蔽罩(2)与所述被保护器件(1)的散热器(7)相配合，以半包围所述被保护器件(1)。

4.根据权利要求3所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，还包括包围所述散热器(7)表面的散热器屏蔽件；所述散热器屏蔽件包括钨箔。

5.根据权利要求1所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，所述被保护器件(1)立式焊接在电路板(6)上、且所述被保护器件(1)包括散热面但无配置散热器(7)，所述核电站抗辐射装置还包括设置在所述被保护器件(1)的散热面与所述屏蔽罩(2)之间的散热板(8)。

6.根据权利要求5所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，所述散热板(8)由铜金属或者铝金属制作。

7.根据权利要求5所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，所述绝缘隔离件(3)和所述固定件为一体化结构(34)，所述一体化结构(34)为填充在所述屏蔽罩(2)内的硅橡胶，且在所述屏蔽罩(2)半包围在所述被保护器件(1)时，所述一体化结构(34)与所述被保护器件(1)抵接。

8.根据权利要求7所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，所述一体化结构(34)包括靠近所述屏蔽罩(2)敞口的倾斜导向部(341)，以及远离所述屏蔽罩(2)敞口的限位部(342)。

9.根据权利要求1至6任一项所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，所述绝缘隔离件(3)由硅橡胶、氟塑料薄膜或石膏制作。

10.根据权利要求1至6任一项所述的核电站抗辐射装置，其特征在于，所述固定件为ab胶或者热熔胶。

技术总结
本技术公开了核电站抗辐射装置，其包括：半包围于被保护器件上、用于防止所述被保护器件被幅照的屏蔽罩；其中，所述屏蔽罩由钨或者钨合金制作；设置在所述屏蔽罩内、用于隔离所述被保护器件和所述屏蔽罩的绝缘隔离件；以及用于固定所述屏蔽罩的固定件。实施本技术可显著提高被保护器件的抗辐射性能，能有效避免辐射敏感的电子元件因辐射而损坏或者寿命缩短。

技术研发人员：王彬宇,柴保发,陈焱,陈兵,郑勇,王茂林,兰秋艳,陈蕉容
受保护的技术使用者：中广核智能科技（深圳）有限责任公司
技术研发日：20231120
技术公布日：2024/6/2