一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法

文档序号:9757581阅读:427来源:国知局
一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于组培苗污染的处理方法,更具体的说,是一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的处理方法。
【背景技术】
[0002]
植物组织培养技术是现代生物技术的重要领域之一,也是在农业生产上应用最为广泛、最为成功的领域,在植物优良种质的保存、繁殖、脱毒复壮等领域发挥着重要作用。组织培养技术是在无菌的条件下将活器官、组织或细胞置于培养基内,并放在适宜的环境中,进行连续培养而成的细胞、组织或个体。采用植物组织培养快速繁殖技术,既可保持优良品种的特征、特性,又可加速优良品种的繁殖。在无菌培养中,总或多或少有部分苗子因为各种原因导致污染致使组培苗死亡,导致部分稀缺的材料丢失。本方法就是针对污染苗采取相应的消毒方式,最大程度挽救污染苗,减少损失。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是克服污染导致组培苗的死亡,提供一种处理组培污染苗方法的技术,挽救稀缺种苗的死亡,减少损失。
[0004]本发明是这样实现的:.一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法包括以下技术环节:
①污染瓶中消毒:将纪伊潮菊组培污染瓶放在超净工作台上,打开瓶盖将0.1%升汞倒入瓶中至淹没培养基表面进行消毒处理;
②污染苗消毒:用剪刀将瓶中纪伊潮菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中处理,消毒后用无菌水冲洗3-4次;
③接种:用剪刀将消毒后的纪伊潮菊苗剪成0.5cm长左右的茎段,用镊子将茎段接种到另一培养基瓶中,每瓶接种2个茎段;
④培养:将接种好的组培瓶放入组培室中培养,培养温度20-25°C,光照强度2000Ix,光照时间12h/d。
[0005]所述升汞淹没培养基表面高度最好为0.2-0.5cm,所述消毒处理培养基时间最好为5-8min,所述消毒处理纪伊潮菊苗时间最好为l-2min,
本发明的有益效果:
本发明通过对组织培养污染瓶及苗的消毒处理,有效地消除了组培苗的污染,使得种苗较好地保存培养下来,减少了损失。
【具体实施方式】
[0006]下面结合具体实施例对本发明进行进一步的描述;
实施例: 一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法,其特征是,它包括以下技术环节:
①污染瓶中消毒:将纪伊潮菊组培污染瓶放在超净工作台上,打开瓶盖将0.1%升汞倒入瓶中至淹没培养基表面高度为为0.3 Cm,消毒处理5min;
②污染苗消毒:用剪刀将瓶中纪伊潮菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中处理lmin,消毒后用无菌水冲洗3-4次;
③接种:用剪刀将消毒后的纪伊潮菊苗剪成0.5cm长左右的茎段,用镊子将茎段接种到另一培养基瓶中,每瓶接种2个茎段;
④培养:将接种好的组培瓶放入组培室中培养,培养温度20-25°C,光照强度2000Ix,光照时间12h/d。
【主权项】
1.一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法,其特征是,它包括以下技术环节: ①污染瓶中消毒:将纪伊潮菊组培污染瓶放在超净工作台上,打开瓶盖将0.1%升汞倒入瓶中至淹没培养基表面进行消毒处理; ②污染苗消毒:用剪刀将瓶中纪伊潮菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中处理,消毒后用无菌水冲洗3-4次; ③接种:用剪刀将消毒后的纪伊潮菊苗剪成0.5 cm长左右的茎段,用镊子将茎段接种到另一培养基瓶中,每瓶接种2个茎段; ④培养:将接种好的组培瓶放入组培室中培养,培养温度20-25°C,光照强度2000Ix,光照时间12h/d。2.根据权利要求1所述的一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法,其特征是,所述升汞淹没培养基表面高度为0.2-0.5 cm。3.根据权利要求1所述的一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法,其特征是,所述的升萊消毒培养基时间为5_8min。4.根据权利要求1所述的一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法,其特征是,所述的升汞消毒纪伊潮菊苗时间为l_2min。
【专利摘要】本发明公开了一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法,利用本方法可去除组培苗上面的污染使种苗能继续生长,同时挽救稀缺的种苗,减少损失。本发明的主要过程是:将纪伊潮菊组培污染瓶放在超净工作台上,打开瓶盖将升汞倒入瓶中至淹没培养基表面进行消毒,然后剪下纪伊潮菊组培苗放入升汞中消毒处理,最后将消毒好的组培苗剪成茎段接入另一培养基瓶中再培养。
【IPC分类】A01H4/00
【公开号】CN105519443
【申请号】CN201610080334
【发明人】王少荣
【申请人】王少荣
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2016年2月5日
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