技术编号：10182007
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。Si基片具有功能多样、集成度高等优点，常被用作半导体器件的衬底，但随着现代无线通讯技术朝向高频、高速、高功率、高效率发展，Si基片由于高频特性不足，所以其应用受限。另一方面，GaAs作为第二代半导体的典型代表，由于高频特性好、工艺成熟度高等特点，广泛地应用于无线通讯中，但GaAs器件由于集成度不高，所以其应用受到限制。因此，如何将Si基片的高集成度特性与GaAs器件的高频特性相结合，一直是当前研究的热点。然而，由于GaAs材料与Si材料存在晶格常数、热膨胀...
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